模拟电子技术基础知识点总结[3].docx
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1、模拟电子技术复习资料总结第一章 半导体二极管一.半导体的根底学问1.半导体-导电实力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si, 锗Ge)。2.特性-光敏, 热敏和掺杂特性。3.本征半导体-纯净的具有单晶体构造的半导体。 4.两种载流子 -带有正, 负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体-在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。表达的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素多子是空穴,少子是电子。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素多子是电子,少子是空穴。6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度-多子浓度确定于杂质浓度,少子浓度及温度有关。
2、*体电阻-通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型-通过变更掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。7. PN结 * PN结的接触电位差-硅材料约为,锗材料约为。 * PN结的单向导电性-正偏导通,反偏截止。 8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管 *单向导电性-正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性-同结。 *正向导通压降-硅管,锗管。 *死区电压-硅管,锗管。3.分析方法-将二极管断开,分析二极管两端电位的上下: 假设 V阳 V阴( 正偏 ),二极管导通(短路); 假设 V阳 V阴( 正偏 ),二极管导通(短路); 假设 V阳 u-时,uo=+Uom 当u+u-时,u
3、o=-Uom 两输入端的输入电流为零: i+=i-=0 第五章 放大电路的频率响应一. 单级放大电路的频率响应1中频段(fLffH)波特图-幅频曲线是20lgAusm=常数,相频曲线是=-180o。2低频段(f fL)3高频段(f fH)4完整的根本共射放大电路的频率特性二. 分压式稳定工作点电路的频率响应1下限频率的估算 2上限频率的估算四. 多级放大电路的频率响应 1. 频响表达式 2. 波特图 第六章 放大电路中的反应一. 反应概念的建立开环放大倍数闭环放大倍数 反应深度环路增益: 1当时,下降,这种反应称为负反应。 2当时,说明反应效果为零。3当时,上升,这种反应称为正反应。4当时 ,
4、 。放大器处于 “ 自激振荡状态。二反应的形式和推断1. 反应的范围-本级或级间。2. 反应的性质-沟通, 直流或交直流。直流通路中存在反应那么为直流反应,沟通通路中存在反应那么为沟通反应,交, 直流通路中都存在反应那么为交, 直流反应。 3. 反应的取样-电压反应:反应量取样于输出电压;具有稳定输出电压的作用。 输出短路时反应消逝 电流反应:反应量取样于输出电流。具有稳定输出电流的作用。 输出短路时反应不消逝4. 反应的方式-并联反应:反应量及原输入量在输入电路中以电 流形式相叠加。Rs越大反应效果越好。 反应信号反应到输入端 串联反应:反应量及原输入量在输入电路中以电压 的形式相叠加。 R
5、s越小反应效果越好。 反应信号反应到非输入端 5. 反应极性-瞬时极性法:1假定某输入信号在某瞬时的极性为正用+表示,并设信号 的频率在中频段。 2依据该极性,逐级推断出放大电路中各相关点的瞬时极性升 高用 + 表示,降低用 表示。3确定反应信号的极性。4依据Xi 及X f 的极性,确定净输入信号的大小。Xid 减小为负反 馈;Xid 增大为正反应。三. 反应形式的描述方法 某反应元件引入级间本级直流负反应和沟通电压电流串 联并联负反应。四. 负反应对放大电路性能的影响 1. 提高放大倍数的稳定性2.3. 扩展频带4. 减小非线性失真及抑制干扰和噪声5. 变更放大电路的输入, 输出电阻 *串联
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