集成电路期末考试知识点复习资料.docx

《集成电路期末考试知识点复习资料.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《集成电路期末考试知识点复习资料.docx（24页珍藏版）》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。

1、11、 哪一年在哪儿创建了晶体管？创建人哪一年获得了诺贝尔奖？1947贝尔试验室 肖克来 波拉坦 巴丁 创建了晶体管 1956获诺贝尔奖2、 世界上第一片集成电路是哪一年在哪儿制造出来的？创建人哪一年为此获得诺贝尔奖？ 德州仪器公司1958年创建 2000获诺贝尔奖3、 什么是晶圆？晶圆的材料是什么？晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，材料是硅4, 目前主流集成电路设计特征尺寸已经到达多少？预料2021 年能实现量产的特征尺寸是多少？主流0.18 225、 晶圆的度量单位是什么？当前主流晶圆的尺寸是多少？英寸12英寸6、 摩尔是哪个公司的创始人？什么是摩尔定律？英特尔芯片上晶体管数每隔1

2、8个月增加一倍7, 什么是？英文全拼是什么？片上系统 8, 说出, 和 的中文含义。代工 无生产线 无芯片9, 一套掩模一般只能生产多少个晶圆？1000个晶圆10, 什么是有生产线集成电路设计？电路设计在工艺制造单位内部的设计部门进展11, 什么是集成电路的一体化()实现模式？设计制造和封装都集中在半导体生产厂家内进展12, 什么是集成电路的无生产线()设计模式？只设计电路而没有生产线13, 一个工艺设计文件()包含哪些内容？器件的参数, 幅员设计用的层次定义, 设计规那么和晶体管电阻电容等器件以及通孔焊盘等根本构造幅员，与设计工具关联的设计规那么检查, 参数提取, 幅员电路图比照用的文件。1

3、4, 设计单位拿到 文件后要做什么工作？利用工具进展电路设计仿真等一系列操作最终生成以格式保存的幅员文件，然后发给代工单位。15、 什么叫“流片？像流水线一样通过一系列工艺步骤制造芯片。16, 给出几个国内集成电路代工或转向代工的厂家。上海中芯国际 上海宏力半导体 上海华虹 上海贝岭 无锡华润华晶 杭州士兰 常州柏玛微电子17, 什么叫多工程晶圆() ？ 英文全拼是什么？将多个运用一样工艺的集成电路设计放在同一晶圆片上流片，完成后每个设计可以得到数十片芯片样品18, 集成电路设计须要哪些学问范围？系统学问，电路学问，工具学问，工艺学问19, 对于通信和信息学科，所包括的系统有哪些？程控 系统，

4、无线通信系统，光纤通信系统等；信息学科：有各种信息处理系统。20, , 和M3 是何含义？射频电路 微波单片集成电路 毫米波单片集成电路21, 闻名的集成电路分析程序是什么？有哪些闻名公司开发了集成电路设计工具？程序 , 和 等公司22, 从事逻辑电路级设计和晶体管级电路设计须要驾驭哪些工具？逻辑：驾驭或 等硬件语言描述及相应的分析和综合工具 晶体管：驾驭或类似的电路分析工具。23, 为了使得 设计胜利率高，设计者应当驾驭哪些主要工艺特征？从芯片外延和掩膜制作，光刻，材料淀积和刻蚀，杂质扩散或注入，到滑片封装的全过程。24, , , , , 的中文含义是什么？英文全拼是什么？ 小规模集成电路；

5、( )中规模集成电路； 大规模集成电路； 甚大规模集成电路 超大规模集成电路。21, 电子系统特殊是微电子系统应用的材料有哪几类？导体 半导体 绝缘体2, 集成电路制造常用的半导体材料有哪些？硅, 砷化镓, 磷化铟3, 为什么说半导体材料在集成电路制造中起着根本性的作用？集成电路通常制作在半导体衬底材料上，集成电路的根本元件是依据半导体特性构成。4.半导体材料得到广泛应用的缘由是什么？参杂, 温度, 光照都可以变更半导体导电实力，以及多种由半导体形成构造中，注入电流会放射光发光二极管5, , , 三种根本半导体材料中，电子迁移率最高的是哪种？最低的是哪种？ 6, 在过去40 年中，基于硅材料的

6、多种成熟工艺技术有哪些？双极性晶体管, 结型场效应管, P型场效应管, N型场效应管, 互补型金属-氧化物-半导体场效应管和双极性管等7, 硅基最先进的工艺线晶圆直径已到达多少？0.13 工艺制成的 运行速度已达多少？12英寸 28, 为什么市场上90%的 产品都是基于 工艺的？原料丰富, 技术成熟, 价格低9, 与 材料相比， 具有哪些优点？10, 晶体管最高工作频率 可达多少？而最快的 晶体管能到达多少？150 几十11, 基于 的集成电路中有哪几种有源器件？, 和三种有源器件。12, 为什么说 适合做发光器件和？中电子与空穴的复合是干脆进展的13, 系统中常用的几种绝缘材料是什么？2,

7、, 3N414, 什么是欧姆接触和肖特基接触？在半导体外表制作金属层后，假如参杂浓度较高，隧道效应抵消势垒的影响形成欧姆接触：假如参杂浓度较低，金属和半导体结合面就形成肖特基接触。15, 多晶硅的特点？多晶硅是单质硅的一种形态, 特性随结晶度与杂质原子而变更, 应用广泛16, 在 及双极型器件中，多晶硅可用来做什么？栅极, 源极与漏极或双极器件的基区与放射区的欧姆接触, 根本连线, 薄结的扩散源, 高值电阻等17, 什么是材料系统？由一些根本材料，如在, 或制成的衬底上或衬底内，用其它物质再生成一层或几层材料。18, 半导体材料系统？是指不同质的几种半导体(与与等)组成的层构造19, 异质半导

8、体材料的主要应用有哪些？制作异质结双极性晶体管, 高电子迁移率晶体管, 高性能的及。20, 什么是半导体/绝缘体材料系统？半导体与绝缘体相结合的材料系统21, 晶体和非晶体的区分？晶体具有肯定几何外形如硅和锗，非晶体无固定形态如玻璃, 橡胶22, 什么是共价键构造？.最外层的价电子不仅受到自身原子核的作用，还要受到相邻原子核的作用，这样每个价电子就不局限于单个原子，可以转移到相邻的原子上去，这种价电子共有化的运动就形成了晶体中的共价键构造。23, 什么是本征半导体和杂质半导体？征半导体是一种纯净的, 构造完整的半导体晶体。在本征导体中参入微量的杂质，就形成了杂质半导体N, P24, 本征半导体

9、有何特点？电子浓度与空穴浓度一样，热力学零度没有自由电子，载流子少, 导电性差, 温度稳定性差25, 杂质半导体中，多子和少子是如何形成的？在本征半导体中掺入少量的3价元素，如硼, 铝或铟，有3个价电子，形成共价键时，缺少1个电子，产生1个空位。空穴为多数载流子，电子为少数载流子。在本征半导体中掺入少量的5价元素，如磷, 砷或锑，有5个价电子，形成共价键时，多余1个电子。电子为多数载流子，空穴为少数载流子。26, 什么是扩散运动？什么是漂移运动？扩散运动：由于结交界面两边的载流子浓度有很大的差异，载流子就要从浓度大的区域向浓度小的区域扩散。漂移运动：进入空间电荷区的空穴在内建电场作用下向P区漂

10、移，自由电子向N区漂移。27, 结的主要特点是什么？单向导电性28, 双极型三极管三个区有什么不同？放射区的掺杂浓度远远高于基区和集电区，基区做的很薄，集电结的面积大于放射结的面积。29, 双极型三极管有几种工作状态？每个状态 结偏置状况如何？放射结正偏集电结反偏时为放大工作状态, 放射结正偏集电结也正偏时为饱和工作状态, 放射结反偏集电结也反偏时截止工作状态, 放射结反偏集电结正偏为反向工作状态。30, 在放大状态下，三极管内部载流子传输过程是怎样进展的？放射结的注入, 基区中的输运与复合和集电区的收集31, 为什么晶体管的反向工作状态一般不用，尤其是在集成电路中更是如此？由于晶体管的实际构

11、造不对称，特殊是在集成电路中，放射区嵌套在基区内，基区嵌套在集电区内，放射结比集电结小很多反向电流放大倍数R比 F小很多32, 管的核心构造是什么？导体, 绝缘体与衬底的掺杂半导体这三层材料叠在一起构成33, 依据形成导电沟道载流子类型的不同， 管有几种类型？和34, 简述 管的详细构造。半导体局部的构造包含由两个P型硅的扩散区隔开的N型硅区域，这层型硅区域之上覆盖了由一个绝缘层和一个栅极的导电电极构成的夹层构造，两个P型硅的扩散区分别通过与金属导体的欧姆接触，形成源极和漏极。35, 简述 管的导电沟道是如何形成的？ N反型层与源漏两端的N型扩散层连通36, 什么叫阈值电压？阈值电压是否可变？

12、阈值电压为负时称为什么电压？引起沟道区产生强外表反型的最小栅电压，称为阈值电压V T 。往往用离子注入技术变更沟道区的掺杂浓度，从而变更阈值电压。夹断电压。37, 对 晶体管，注入何种杂质使阈值电压增加或降低？P型杂质增加, N型杂质降低。38, 依据阈值电压不同，常把 器件分为几种？增加型和耗尽型39, 在 电路里， 管一般采纳何种类型？增加型40, 为什么说 晶体管是一种电压限制器件？当栅源电压等于开启电压时，器件开场导通，当源漏间加电压且时，由于源漏电压和栅-衬底电压而分别产生的电场水平和垂直重量的作用，沿着沟道就出现了导电。源漏电压0所产生的电场水平重量起着使电子沟道向漏极运动的作用。

13、随着源漏电压的增大，沿沟道电阻的压降会变更沟道的形态。41, 管的 大小除与源漏电压和栅极电压有关外，还与哪些因素有关？源漏之间的距离, 沟道宽度, 开启电压, 栅绝缘氧化层的厚度, 栅绝缘层的介电常数, 载流子的迁移率42、 一个 管的正常导电特性可分为几个区域？夹断, 线性, 饱和43, 说明 管“线性区沟道及漏极电流特点。弱反型区漏极电流随栅压的增大而线性增大44, 说明 管“饱和区沟道及漏极电流特点。沟道强反型，漏极电流与漏极电压无关45, 用什么参数衡量 器件的增益？用衡量 器件的增益31、 外延生长的目的是什么？外延生长的方法有哪几种？用同质材料形成具有不同的掺杂种类及浓度而具有不

14、同性能的晶体层。液态生长, 气相外延生长, 金属有机物气相外延生长, 分子束外延生长。2、 什么是卤素传递生长法？它属于4 种生长方法中的哪一种？把至少一种外延层组成元素以卤化物形式通过衬底并发生卤素析出反响从而形成外延层的过程，它属于气相外延生长法。3、 液态生长有什么优缺点？最简洁最廉价但其外延层的质量不高4, 金属有机物气相外延生长和一般的气相外延生长的最大区分是什么？它是一种冷壁工艺，只要将衬底限制到肯定温度就行了5, 分子束外延生长有什么特点？只能在超真空中进展且量产较低, 在基片上生长无限多外延层, 可以限制参杂的深度和精度到纳米级6.什么是掩模？掩模与集成电路制造有什么关系？制做

15、掩模的数据从哪儿来？掩膜是涂有特定图案的铬薄层6080的匀称平坦的石英玻璃薄片, 一层掩膜对应一块 的一层材料的加工, 幅员。7、 掩模制作方法有哪些？ 图案发生器方法, X 射线制版, 电子束扫描法8, 什么是整版接触式曝光？掩模尺寸和晶圆尺寸一样，并干脆与光刻胶胶层接触进展曝光。9, 什么是光刻？光刻的作用是什么？光刻的主要流程有哪些？ 光刻就是通过一系列生产步骤，将晶圆薄膜的特定局部去除的工艺。作用是把掩膜上的图型转换成晶圆上的器件构造。流程有晶圆涂光刻胶, 曝光, 显影, 烘干。10, 负性和正性光刻胶有什么区分和特点？特点：光刻胶都对大局部可见光灵敏，对黄光不灵敏。 区分：负性光刻胶

16、运用时，未感光局部被适当的溶剂刻蚀，而感光局部留下，所得图形与掩膜幅员形相反；正性光刻胶所得图形与掩膜板图案一样。11, 光刻的曝光方式有几种？各有何特点？接触和非接触两种，非接触分为接近式和投影式 接触式：精确度高，但掩膜易磨损，消耗大 非接触式： 接近式：解决了磨损问题，但辨别率下降。 投影式：辨别率高，不存在掩膜磨损问题，但生产量不高12, 接触曝光方式的关键技术有哪些？它的主要优缺点是什么？须要一股很粗的光束, 一个很大的透镜，以及一套良好的光学系统；精确度较高但非志向接触导致 芯片合格率不高，掩膜和晶圆每次接触都会产生磨损，掩膜消耗大.13, 什么是非接触曝光方式？掩膜与晶圆不接触的

17、光刻方式，分为接近式和投影式两种14, 氧化的目的是什么？利用硅独有的特性制造薄到几十埃只有几个原子层的栅氧化层15, 为什么说栅氧化层的生长是特别重要的一道工序？氧化层的厚度确定了晶体管的电流驱动实力和牢靠性，其精度必需限制在几个百分点以内。16, 淀积的主要作用是什么？生成器件制造所需的材料17, 什么是刻蚀？什么是湿法刻蚀？湿法刻蚀有什么缺点？刻蚀即光刻腐蚀，就是通过光刻将光刻胶进展光刻曝光处理，然后通过其他方式实现腐蚀以处理掉所需除去的局部; 湿法刻蚀首先要用含有可以分解外表薄层的反响物的溶液浸润刻蚀面；抗蚀剂中的小窗口会由于毛细作用而使得接触孔不能被有效浸润, 被分解的材料不能被有效

18、从反响区中去除。18, 什么是干法刻蚀？干法有几种刻蚀方法？用等离子体对薄膜线条进展刻蚀的一种新技术。分为等离子体刻蚀, 反响离子刻蚀, 磁增加反响离子刻蚀, 高密度等离子刻蚀等类型19, 掺杂的目的是什么？掺杂在何时进展？惨杂方法有哪几种？变更半导体的导电类型，形成N型层或P型层，以形成双极型晶体管及各种二极管的结，或变更材料电导率；掺杂可与外延生长同时或者其后进展；热扩散掺杂和离子注入法两种20, 离子注入法有哪些优点？掺杂的过程可通过调整杂质剂量及能量来精确限制杂质分布，可进展小剂量和微小深度的掺杂较低的工艺温度，故光刻胶可用作掩膜可供掺杂的离子种类较多，离子注入法也可用于制作隔离岛41

19、、 说明用硅材料采纳 工艺可形成哪些元件, 电路形式以及可到达的电路规模？可形成D, , R, C, L元件, 可以形成或电路形式, 可到达和的电路规模2、 集成电路特殊是逻辑集成电路技术的类型有哪些？以双极性硅为根底的技术, 技术, 技术，双极性硅或硅锗异质结晶体管加的技术和技术3、 为什么说速度和功耗是每一种工艺两个最重要的特性？功耗越低越省钱，速度越快越省时4, 在各种工艺中，哪种工艺的速度最高？哪种工艺的功耗最小？速度高 功耗小5, 双极型硅工艺的特点是什么？有哪些主要应用？高速度, 高跨导, 低噪声及阈值易限制 低噪声高灵敏度放大器, 微分电路, 复接器, 振荡器6, 典型双极型硅工

20、艺中的硅晶体管存在哪些问题？由于结与基极接触孔之间的P型区域而形成较大的基区体电阻；集电极接触孔下N区域导致较大的集电极串联电阻；因结隔离而形成较大的集电极寄生电容。7、 双极型晶体管的最高速度取决于哪些因素？通过基区到集电极耗尽层的少数载流子的传输速度, 主要器件电容, 向寄生电容充放电的电流大小8, 超高频 双极型晶体管的截止频率 f T 已达多少？409, 什么是异质结？依据两种材料的导电类型不同，异质结可分为哪些类型？异质结形成的条件是什么？制造异质结的技术通常有哪些？两种不同的半导体相接触所形成的的界面区域，依据材料的导电类型分为同型异质结和异型异质结，两种半导体有相像的晶体构造,

21、相近的原子间距和热膨胀系数，利用界面合金, 外延生长, 真空淀积等技术10, 异质结有什么特点？它相宜于制作哪些器件？量子效应，迁移率变大, 奇异的二度空间特性, 人造材料工程学；发光组件, 镭射二极管, 异质构造双极晶体管, 高速电子迁移率晶体管11, 晶体管的两个重要参数是什么？各代表什么意义？12, 为什么 同质结双极型晶体管的性能很难到达或超过硅基 的性能？它的空穴迁移率低于硅的空穴迁移率13, 为什么采纳 异质结构造制造的双极型晶体管()具有好的性能 ？异质结双极性晶体管的放射极效率主要由禁带宽度差确定，几乎不受掺杂比的限制14, 具有什么特点？高速度, 低功耗15, 目前， 族化合

22、物构成的高速 可到达那些性能？它们的f T和已分别超过150和20016, 材料系统的 工艺取得了那些长足进步？截止频率大于100的 已胜利实现；已经开发出包含60的 和0.25m的器件的 。17, 的主要优点是什么？适于何种应用？具有很强的电流驱动实力；适用于模拟信号的功率放大和门阵列逻辑的输出缓冲电路设计。18, 的有源层是如何形成的？它的导电沟道是如何限制的？有源层可以采纳液相外延, 气相外延, 分子束外延和离子注入形成。在栅极上加电压，内部的电势就会被增加或减弱，从而使沟道的深度和流通的电流得到限制。19、 为什么说栅长是 的重要参数？对的限制主要作用于栅极下面的区域20, 进一步提高

23、 性能的措施是什么？改良有源层的导电实力21, 高电子迁移率晶体管速度高的主要缘由是什么？器件在晶体构造中存在着类似于气体的大量可高速迁移电子，即二维电子气。22, 二维电子气是如何形成的？当半导体外表上加一个与外表垂直的电场，在外表旁边形成电子势阱，就会积累起大量的电子23, 亚微米, 深亚微米和纳米的详细范围是多少？25, 什么是赝晶或赝配 ？因为原子的晶格常量比原子的大，因此与或层之间存在着晶格不匹配的现象26, 由 材料系统研制的 取得了哪些进展？在300K和77K温度下，N沟道的跨导分别到达400和800；P沟道的跨导到达170或30027, 有更高截止频率更高跨导和更低噪声的缘由？

24、它的主要应用领域是什么？有源层中，没有施主与电子的碰撞 毫米波电路和光纤通信的超高速电路28, 与 三极管相比， 和 存在哪些缺点？1跨导相对低; 2阈值电压较敏感于有源层的垂直尺寸形态和掺杂程度；3驱动电流小 4阈值电压变更大29, 工艺包括有哪几种？ 工艺的重要参数是什么？什么是特征尺寸？, , , 沟道载流子特性, 栅极材料, 金属层数, 特征尺寸 工艺可以实现的平面构造的最小尺寸30, 铝栅 工艺的缺点是什么？制造源, 漏极与制造栅极采纳两次掩膜步骤，不简洁对齐31, 铝栅重叠设计方法虽然可解决铝栅 工艺的缺点，但还存在哪些缺点？, 都增大了；栅极增长，管子尺寸变大，集成度降低。32,

25、 什么是自对准技术？将两次步骤合为一次，让D，S和G三个区域一次成形33, 硅栅工艺有哪些优点？自对准 无需重叠设计减小了电容提高了速度 减小了栅, 源, 漏极尺寸增加集成度；增加电路牢靠性35, 给出 的不同分类方法。按衬底材料有, , 按场形成构造有 按载流子类型有 按沟道形成方式区分有36、 工艺是如何在一种衬底材料上实现不同类型场效应晶体管的？阱有几种类型？每种类型可制作什么类型的场效应管？晶体管是P型硅衬底上的，而晶体管是做在N型硅衬底上的，通过在硅衬底上制作一块反型区域就能将两种晶体管做在同一个硅衬底上 两种类型N阱和p阱 管和管37, 包括哪几种详细工艺？P阱工艺，N阱工艺和双阱

26、工艺38, 什么是 ？ 的特点是什么？工艺技术是将双极型与器件制作在同一芯片上。 的特点是结合了双极型器件的高跨导, 强驱动和器件高集成度, 低功耗的有优点，使它们相互取长补短，发挥各自优点，从而实现了高速, 高集成度, 高性能的超大规模集成电路39, 有几种类型？每种类型有什么特点？以工艺为根底的工艺和以双极工艺为根底的工艺 以工艺为根底的工艺对保证器件的性能比拟有利以双极工艺为根底的工艺对提高保证双极器件的性能有利。40, 哪种 工艺用的较多？为什么？双极工艺为根底的工艺用的多 影响器件性能的主要局部是双极局部。41, 以 P 阱 工艺为根底的 工艺存在哪些缺点？由于晶体管的基区在P阱中，

27、所以基区的厚度太大，使得电流增益变小 集成电路的串联电阻很大，影响器件性能 管和管共衬底，使得管只能接固定电位，从而限制了管的运用42, 以 N 阱 工艺为根底的 工艺有哪些优缺点？工艺中添加了基区掺杂的工艺步骤，这样就形成了较薄的基区，提高了晶体管的性能 制作管的N阱将管和衬底自然隔开，这样就使得晶体管的各极均可以依据须要进展电路连接，增加了晶体管应用的敏捷性 缺点：管的集电极串联电阻还是太大，影响双极型器件的驱动实力43, 分别画出标准 P 阱 工艺和 N 阱 工艺为根底的 工艺实现器件构造剖面图，并说明各自优缺点。 P阱构造剖面图 N阱体硅衬底构造剖面图51、 集成电路中，有源器件是指哪

28、些种类的晶体管？, , , , , 和2、 什么是 工艺？同时制造出包含互补的P型和N型两种原件的一种工艺过程3、 管的实际组成是什么？根本参数是什么？由两个结和一个电容组成的，根本的参数是, 和 L：工艺的特征尺寸( ) ，W：栅极的宽度, :为电容的厚度4、 给出 管的伏安特性曲线。5、 为什么说 电容的组成困难？管有多层介质：在栅极电极的下面有一层2介质 2下面是P型衬底，衬底比拟厚 衬底电极同衬底之间必需是欧姆接触。6、 给出 电容与外加电压变更关系的曲线。7、 按 沟道随栅压正向和负向增加而形成或消逝的机理，存在着哪两种类型的 器件？耗尽型：在0时导电沟道已经存在 增加型：当正到肯定

29、程度才会导通。8, 阈值电压 与衬底掺杂浓度是什么关系？实行什么方式或手段以调整 大小？影响 的其它因素有哪些？管的阈值电压与衬底的掺杂浓度亲密相关，掺杂浓度越大，的值越大。 用离子注入的方法可以限制,从而调整必要的的值 材料的功函数之差, 2层中的可移动的正离子, 氧化层中固定电荷, 界面势阱9、 什么是 管的体效应？衬底接地，但是源极未接地，将而影响值10、 管的哪些参数随温度变更？如何变更？沟道中载流子的迁移率 和阈值电压随温度 所以T上升降低 阈值电压的肯定值同样是随着温度的上升而减小。11、 管的主要噪声是什么？分别是如何产生的？如何减小？热噪声, 闪耀噪声 热噪声是由沟道内载流子的

30、无规那么热运动造成 闪耀噪声由沟道处2与界面上电子的充放电而引起 增加的栅宽和偏置电流可以减小期间的热噪声，增加栅长可以减小闪耀噪声。12、 管尺寸缩小对器件性能有哪些影响？减小L和提高的电流限制实力 减小W将减小输出功率和电流限制实力 同时减小和W将保持不变和提高电路集成度13、 阈值电压 的功能是什么？降低 的措施有哪些？功能：在栅极下面的区域中形成反型层和克制二氧化硅介质上的压降。 措施：采纳高电阻率的衬底降低衬底中的杂质浓度和减小二氧化硅介质的厚度14、 管的动态特性是什么？受哪些因素影响？尺寸缩小对动态特性的影响是什么？动态特性即速度 受电流源的驱动实力即跨导的大小, 时间常数, 充

31、放电的电源电压的上下确定 影响：器件速度提高15、 按比例缩小的三种方案是什么？采纳恒电场缩减方案，缩减因子为时的优点是什么？恒电场, 恒电压, 准恒电压 优点：电路密度增加到12, 功耗降低12, 器件时延降低a倍即器件速率提升a倍, 线路上延迟不变, 优值增加a2倍16、 器件产生二阶效应的缘由有哪些？二阶效应的主要表现有哪些？缘由：器件尺寸减小，但电源电压还保持原值5V或3.3V，平均电场强度增加。管子尺寸很小时，管子边缘相互靠近将产生非志向电场 表现：L和W变更 迁移率退化 沟道长度调制效应 短沟道效应引起阈值电压的变更 窄够到效应引起的阈值电压的变更61、 建立器件模型的目的是什么？

32、进展电路模拟2, 建立器件模型的方法有哪些？各有什么特点？建立在器件物理原理根底上的模型(如)。特点：必需知道器件的内部工作原理。模型参数与物理机理亲密相关，故参数适应范围较大；但参数的测定和计算通常比拟麻烦。依据输入, 输出外特性来构成的模型()。特点：只需了解电路的工作原理，不必了解详细器件的内部机理。模型参数可通过干脆测量获得。缺点是模型参数适用的工作范围窄，并且与测试条件有关。3、 模型是如何建立的？其优缺点是什么？ 模型是建立在电路根本元器件的工作机理和物理细微环节上 优点：可以 精确的在电路器件一级仿真系统测试工作特性和验证系统逻辑功能, 能精确计算出静态和动态工作特性而用来进展系

33、统级的信号完整分析 缺点：模型是晶体管一级的模型，对于大规模集成电路，仿真速度必定很慢 涉及到很多集成电路设计方面的细微环节，一般的集成电路厂商都不情愿供应而限制其广泛运用。4, 的英文全拼是什么？最初是由谁开发的？何时成为美国国家工业标准的？主要用于哪方面？： 。最初由美国加州伯克利分校开发的；1988年被定为美国国家工业标准；主要用于，模拟电路，数模混合电路，电源电路等电子系统的设计和仿真5、 比拟常见的其它版本的仿真软件有哪些？哪些公司开发的最为闻名？比拟常见的仿真软件有, , , , , 等；其中以公司的和公司的最为闻名。6、 集成电路中的无源器件有哪些？互联线, 电阻, 电容, 电感

34、, 传输线等7、 各种互连线设计应留意哪些方面？减小损耗和电路面积赢缩短互连线 为提高集成度互连线应以制造工艺供应的最小宽度设计在连接线要传输大电流时，应估计其电流容量并保存足够的裕量 制造工艺供应的多层金属能有效地提高集成度 在微波和毫米波范围内，应留意互联线的趋肤效应和寄生参数 在某些状况下，可有目的地利用互连线的寄生效应8, 集成电路中形成电阻有几种种方式？各种电阻有什么特点？晶体管构造中不同材料层的片式电阻：能实现从10欧姆到十几千欧姆范围，但是电阻值随温度和工艺变更较大 特地加工制造的高质量高精度电阻：通常将镍和铬金属共同蒸发形成的薄膜电阻，电阻值通常有镍铬层的宽, 长和方块电阻确定

35、，范围是20到2000欧姆 可以用互连线的传导电阻实现相对较低的电阻：高频时必需考录电阻寄生参数 有源电阻：在实际的应用中，依据接入方法的不同，以及节点信号变更的关系不同，将表现出不同特性。9, 高频时电阻的等效电路是什么？每个等效元件有什么含义？ C1和C2代表欧姆接触孔对地的电容。代表两个欧姆接触孔间的电容10、 什么是有源电阻？哪些器件可担当有源电阻？采纳晶体管进展适当的连接并使其工作在肯定的状态，利用它的直流导通电阻和沟通电阻作为电路中的电阻元件运用 双极性晶体管和晶体管11, 用 管作有源电阻，器件工作在什么状态？饱和状态12, 在高速集成电路中，实现电容的方法有几种？4种：利用二极

36、管和三极管的结电容, 利用叉指金属构造, 利用金属-绝缘体-金属()构造, 利用多晶硅/金属-绝缘体-多晶硅构造13, 什么是自谐振频率？实际运用时应留意什么？当容性阻抗等于感性阻抗时的频率 经验准那么是电容应工作在f0/3以下14、 集成电路中集总电感有几种形式？2种：单匝线圈和圆形, 方形或其他螺旋形多匝线圈15、 提高电感品质因数的措施有哪些？运用镀银铜线减小高频电阻；用多股的绝缘线代替具有同样总截面的单股线减小肌肤效应；运用介质损耗小的高频陶瓷为骨架减小介质损耗16、 用传输线作电感的条件是什么？运用长度l/4的短电传输线(微带或共面波导)或者运用长度在/4l/4范围内的开路传输线。1

37、7、 集成电路设计中的分布元件主要指哪些？传输线的主要功能是什么？包括微带()和共面波导(， )型的传输线。功能：传输信号和构成电路元件18, 微带线设计时须要的电参数主要有哪些？电参数：阻抗, 衰减, 无载Q, 波长, 延迟常数19、 形成微带线的根本条件是什么？介质衬底的反面应当完全被低欧姆金属覆盖并接地，使行波的电场主要集中在微带线下面的介质中。20, 相对于微带线， 的优缺点是什么？优点：工艺简洁, 费用低，因全部接地线均在上外表而不需接触孔；在相邻之间有更好的屏蔽，因此有更高的集成度和更小的芯片尺寸；比金属孔有更低的接地电感；低的阻抗和速度色散。缺点：衰减相对高一些，在50时，的衰减

38、时0.5；由于厚的介质层导热实力差，不利于大功率放大器的实现。21, 给出二极管的直流等效电路模型并说明各等效元件的含义。和分别代表结的势垒电容和扩散电容。代表从外电极到结的路径上通常是半导体材料的电阻，称之为体电阻。22、 二极管的噪声模型中有哪些噪声？热噪声, 闪耀噪声和散粒噪声。23, 双极型晶体管的 模型是由谁于哪一年提出的？和于1954年提出的。24, 双极型晶体管的 模型是由谁于哪一年提出的？1970年和提出的。25、 美国加州伯克利分校在20 世纪70 年头末推出的 软件中包含的三个内建 场效应管模型是什么？1级模型通过电流-电压的平方律特性描述；2级模型是一个详尽解析的场效应管

39、模型；3级模型是一个半经验模型。26, 基于物理的深亚微米 模型是什么？哪一年推出的？模型考虑了哪些内容？ 3V3模型是1995年10月31日由加州伯克利分校推出的基于物理的深亚微米模型。内容：(1)阈值电压下降；(2)非匀称掺杂效应；(3)垂直电场引起的迁移率下降；(4)载流子极限漂移速度引起的沟道电流饱和效应；(5)沟道长度调制；(6)漏源电压引起的外表势垒降低而使阈值电压下降的静电反响效应；(7)衬底电流引起的体效应；(8)亚阈值导通效应；(9)寄生电阻效应。81、 什么是集成电路幅员？它包含了哪些信息数据？幅员与掩模有什么关系？集成电路设计者将设计并模拟优化后的电路转化成的一系列几何图

40、形 包含了集成电路尺寸大小, 各层拓扑定义等有关器件的全部物理信息 制造厂家依据幅员的这些信息来制造掩膜2、 举例说明集成电路幅员设计软件有哪些？, , , 熊猫系统3、 画幅员时所给出的工艺层与芯片制造时所须要的掩模层有什么关系？掩膜层是由抽象工艺层给出的幅员数据经过逻辑操作与, 或, 取反等获得。4、 为什么要求设计者在幅员设计时必需遵循肯定的设计规那么？设计规那么是由谁供应的？确保器件正确工作并提高芯片的成品率 设计规那么由生产厂家供应5、 设计规那么有几种？分别是什么？为什么以为单位的设计规那么更加好用？两种 以m和以为单位 以为单位的设计规那么是一种相对单位，选用为单位的设计规那么可

41、以与工艺成比例缩小相关联，人们可以通过对值的重新定义很便利地将一种工艺设计幅员变更为适合另一种工艺的幅员，大大节约了集成电路开发时间和费用。6、 集成电路幅员上的根本图形通常是什么？正多边形7、 设计规那么主要有哪些？设计规那么中的最小宽度, 最小间距和最小交叠分别指什么？并用图形加以说明。各层最小宽度和层与层的最小间距 最小宽度指封闭几何图形的内边之间的距离 最小间距指各几何图形外边界之间的距离 最小交叠指一几何图形内边界到另一几何图形的内边界长度或者是一几何图形的外边界到另一图形的内边界长度8、 为了将设计规那么条理化，通常将其编成“形式的代码。说明代码的含义。表示幅员层 表示序号9、 什

42、么是图元？它与元件有什么区分？图元：工艺能够制造的有源元件和无源元件的幅员作为工艺图形单元 区分：图元可以是一些不具有电路功能的图形组合10、 管是图元之一，它的可变参数有哪些？栅长, 栅宽, 栅指数11, 在集成电路设计过程中，常常会遇到多个晶体管串联或并联的状况。说明串联和并联如何连接？各有什么特点？并联: 晶体管的D端相连, S端相连 串联：晶体管的S端和另外一个晶体管的D端相连。12, 常用的集成电阻有哪些？说明方块电阻的含义。多晶硅电阻, 阱电阻, 管电阻, 导线电阻 方块电阻是指一个正方形的薄膜导电材料边到边之间的电阻13、 为了形成具有肯定阻值的多晶硅电阻，对多晶硅的掺杂有何要求

43、？轻掺杂14、 为什么用阱可实现大阻值电阻？阱电阻在什么状况下呈非线性？阱是低参杂的，方块电阻较大 有外加电压时15、 管电阻具有什么特点？它是一个可变电阻, 其变更取决于各极电压的变更16、 多晶硅导线电阻和扩散区导线电阻有什么特点？多晶硅导线的典型值为 1015 /，扩散区导线的典型值2030 /17、 常用的集成电容有哪些？ 电容的大小取决于哪些参数？多晶硅-扩散区电容, 多晶硅-多晶硅电容, 电容, 夹心电容 电容大小取决于面积, 氧化层的厚度, 氧化层的介电常数18、 寄生 三极管有什么特点？集电极C电压受到限制，须接地；基区宽度没有很好限制，电流增益差异较大；构造上的两个主要参数：

44、基区宽度和结面积A。19、 为什么设计者在设计高频数字电路, 高性能模拟电路以及全部的射频电路时还应驾驭肯定的幅员设计准那么？准那么可以指导幅员设计者采纳相宜的幅员设计技术来提高电路的匹配性能, 抗干扰性能和高频工作性能等，尤其对于高性能的模拟电路和射频电路模块来说合理的幅员设计是获得高性能的前提条件。20、 为什么同一芯片上的集成元件可以到达比拟高的匹配精度？由于芯片面积很小且经验的加工条件几乎一样21、 什么是随机失配？如何减小随机失配？元器件的随机失配缘由有哪些？随机失配是指由于元器件尺寸, 掺杂浓度, 氧化层厚度等影响元器件特性的参量发生微观波动所引起的失配 选择相宜的元器件值和尺寸来

45、减小 元器件四周随机波动和元器件所在区域随机波动22、 什么是系统失配？如何减小系统失配？系统失配的主要缘由有哪些？系统安排是指由于工艺偏差, 接触孔电阻, 扩散区之间的相互影响, 机械压力和温度梯度, 工艺参数梯度等引起的元器件失配 通过幅员设计技术来降低 工艺偏差, 接触孔电阻所占比例不同, 多晶硅刻蚀速率的变更, 扩散区的相互影响, 梯度效应23、 为了降低系统失配，在幅员设计时可实行哪些技术？单元元器件复制技术, 在元器件四周增加“哑单元, 要求匹配元器件干脆的距离尽量接近并且摆放方向一样, 公用中心设计法24、 为什么通常都将“哑单元连接到某一个固定电势而不悬空？悬空简洁造成静电积累给芯片带来干扰性问题25、 采纳公用重心设计法使匹配器件完全不会受到梯度影响的条件是什么？某些工艺参数的梯度沿水平方向或者垂直方向是线性的26、 采纳幅员匹配设计技术后可提高元器件的匹配性能，但会带来哪些不利因素？增加芯片面积, 布线比拟困难, 连线的寄生效应限制匹配精度27、 为什么数字模块和模拟模块在同一衬底上实现简洁产生数字模块干扰模拟模块？数字模块常常会在电源线和地线上产生脉冲干扰，模块放大器对此干扰较为敏感，导致两者之间产生耦合