数字化小功率高压电源设计.doc
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1、目 录引言11.传统高压电源升压方式21.1 变压器升压原理22系统整体设计5高压电源整体设计53各模块单元设计53.1.功率场效应管驱动控制5功率MOSFET工作原理7单片机选择7单片机时钟电路设计9单片机复位电路设计9键盘输入模块设计10显示模块设计10功率整流二极管123.9 过载采样13报警指示133.11 A/D 转换133.12 高压发生电路设计143.13 串行接口通信154.数字化小功率高压电源电路原理图及软硬件设计16数字化小功率高压电源整体电路图及各部分接线图164.2 高压逆变硬件设计16单片机软件设计185主回路仿真实验18仿真软件介绍185.2 数字化小功率高压电源系
2、统仿真196总结217.致谢21参考文献21附录23第 28 页数字化小功率高压电源设计摘要:高压直流电源在科学与工业生产中有着普遍应用,光学仪器,医疗设备,质谱分析,静电喷涂,激光器,x射线衍射仪与其他有些分析成像射线类仪器中很重要部件。传统高压电源很多都采用线性技术,缺点是这种结构形式使电源变换损失功率增多,体积大,重量沉,操作与维修都不方便。由于电源技术快速发展,人们对于高压电源智能化与数字化程度、转换效率与带负载能力提出了更高要求。设计了一种以单片机技术为基础智能化小型高压电源。该电源由单片AT89C51机控制,利用黑白电视机中高压包与一些简单易购元件来制作高压发生器实现升压输出直流,
3、该电源源具有通用性强、输出可调范围宽、制性能优良等特点。关键词: 高压电源;数字控制;单片机 Digital low-power high-voltage power supply design ABSTRACT High voltage DC power supply in the scientific and industrial production has a broad application, Optical instruments, medical equipment, mass spectrometry, electrostatic spraying, laser, X ray
4、 diffraction and some other analysis imaging ray instrument in an important and indispensable component. The traditional high voltage power supply with linear technique, the structure causing the power transform efficiency is low, large volume, heavy weight, inconvenient repair operation. With the p
5、ower of technology development, people on the high-voltage power supply intelligent degree, conversion efficiency and load ability raised taller requirement. Design of a microcontroller based intelligent miniature high voltage power supply. The power supply is composed of STC89C51 single chip microc
6、omputer control, Useof FBT and some simple components to make available high voltage generator to achieve step-up DC output.The high voltage power supply with high universality, adjustable output range, high precision, good control performance characteristics.Key word: High voltage power supply; dig
7、ital control ;MCU引言小体积高压电源在高能离子能量分析器与小功率X光管供电等方面有重要应用, 这些应用对高压电源提出特殊要求:(1) 输出电压值高, 一般在+ 30 + 50kV;(2) 高压稳定性好, 一般要求输出波动范围是千分之几;(3) 输出高压范围比较宽, 而且能连续可调;(4) 体积小、输入功率较低, 适合野外操作等;根据这四点要求, 文中使用全集成化电路设计出稳定并且可靠新型数字化高压电源, 该电源具有功率损耗低、体积小、重量轻、绝缘性能强等特点, 而且输出高压能连续可调,稳定性好。现在研究现状是20世纪70年代世界电源史上出现了一场革命,即20kHz开关频率融合脉
8、宽调制技术(PWM)在电源市场应用。到现在为止,电源频率已经能达到数百赫兹,使用先进准谐振技术几乎能达到兆赫兹水平。以减少结构体积与性能要求高电压变压器,滤波电容器,电抗器,高压电容器等电子元件,使高压电源体积减少。高频电源,高压电源体积轻,便于携带,实用性与易用性,大大减少并有明显改善。世界正在大力开发新高压高频电源供应,包括电力新理论,新模块化电路,新型电子设备,以满足电子设备小型化,高效率与高性能发展要求,目前,国外高压直流电源已经比较成熟,已生产出小型,高效,智能高压直流电源斯佩尔曼,像Classman高电压电源公司。在20世纪70年代开始,美国有些公司将直流电直接逆变成500Hz中频
9、方波送给高压发生器,从而减少了尺寸与重量。日本国家开始使用开关电源技术,将电流整流逆变到3kHz范围中频电流,然后升压。到了20世纪80年代,高压电源技术大幅度发展,西门子公司研究了手机镜头大功率晶体管开关元件,电源开关频率在20kHz以上。而且将干式变压器技术正在实现用于高频高压电源,省去了高压变压器油箱,使变压器系统体积减小。我国高压开关电源技术虽然已取得了很大进步,但跟国外一些技术很是没得比,尤其是大功率高压开关电源技术仍处研究与开放中。虽然高频高压电源研发工作已经取得了很多进展,但是在电压恒定、纹波系数等指标方面仍然及理想中有很大差别,及国外同类技术水平也有不小差距,我们仍需要增加科研
10、力度来促进更广泛高频高压电源使用,在工业,农业,医疗,环保等领域尤其重要。1.传统高压电源升压方式 1.1 变压器升压原理从工频交流电源得到交流供电,然后经过高压隔离升压变压器升压后,得到高电压交流电,再通过整流滤波最后输出直流高电压。它有很多接线方式比如半波整流、全波整流、桥式整流、倍压整流、多相整流等。1全波倍压电路 全波倍压电路原理 如图1。图1全波整流电压电路 (a)正半周 (b)负半周(1)正半周时,D1导通,D2截止,电容器C1充电到Vm,其电流路径及电容C1极性如上图(a)所示。负半周时,D1截止,D2导通,电容器C2充电到Vm,其电流路径及电容C2极性如上图(b)所示。 (2)
11、由于C1及C2串联,故输出直流电压,V0=Vm。如果没有自电路抽取负载电流话,电容器C1及C2上电压是2Vm。如果自电路抽取负载电流话,电容器C1及C2上电压是及由全波整流电路馈送一个电容器上电压同样。不同之处是,实效电容为C1及C2串联电容,这比C1及C2单独都要小。这种较低电容值将会使它滤波作用不及单电容滤波电路好。优缺点:这类整流电路优点是接线简单,缺点是所用设备、组件电压较高,体积、重量与占地面积大,一般只能作为试验室内使用。最大缺陷就是带负载能力差,带负载后电压掉得厉害2. N倍压电路半波倍压电路推广形式,它能产生输入峰值三倍或四倍电压。根据线路接法发式可看出,如果在接上额外二极管及
12、电容器将使输出电压变成基本峰值(Vm)五、六、七、甚至更多倍。(即N倍)原理如图2。图2 N倍压工作原理(1)负半周时,D1导通,其他二极管皆截止,电容器C1充电到Vm,其电流路径及电容器极性如图(a)所示。(2)正半周时,D2导通,其他二极管皆截止,电容器C2充电到2Vm,其电流路径及电容器极性如上图(b)所示。(3)负半周时,D3导通,其他二极管皆截止,电容器C3充电到2Vm,其电流路径及电容器极性如上图(c)所示。(4)正半周时,D4导通,其他二极管皆截止,电容器C4充电到2Vm,其电流路径及电容器极性如上图(d)所示。所以从变压器绕线顶上量起话,在输出处就可以得到Vm奇数倍,如果从变压
13、器绕线底部量起话,输出电压就会是峰值电压Vm偶数倍。优缺点:这种电路能提高直流电压输出幅度,是带负载能力越来越差。因此只能用于小电流电路。综上原因可知传统高压电源存在设备重、体积大、精度低、效率低等这些缺点已经无法适应现代电源技发展市场。随着开关元件研发与电力电子技术发展,开关电源技术已经广泛地应用于高压开关电源技术之中。采用高压电源技术产生比工频高上千倍频率方波或正弦波可以大幅度减小高压电源体积与重量,并且提高高压电源输出电压精度、输出电压功率,实现自动化控制,高压电源发展趋势重要性就在于此。随着这几年电子电力技术快速发展,如MOSFET,IGBT等新一代电子器件应用,高频逆变技术逐步成熟,
14、出现了数字智能化高压电源,及其相比它突出优点是:储能少、重量轻、效率高、体积小、响应速度快、设计及制造周期短。由于其优越特点,如今已逐步代替了传统高压电源。50/60 Hz交流电流首先通过整流后得到相应直流电,经过高频逆变、高频变压器、整流器输出高压,进行误差信号进一步处理产生IGBT功率开关管PWM控制信号并通过负载电压反馈信号及指定电压信号相比较,采用闭环反馈来实现输出电压精确控制。开关电源技术数字高压电源具有纹波系数低、重量轻、保护速度快、体积小、稳定性高、控制精度高等优点,因此它必将在高压电源中有着更广泛应用。基于高频逆变数字化高压电源工作原理如图3:图3基于高频逆变高压电源示意图2系
15、统整体设计高压电源整体设计整体设计图如图4,将从高压侧得到电压输入单片机,经功率管驱动送入高频逆变器。将高压发生电路得到交流电压进行过载采样与A/D转换后送入单片机并将结果用LCD显示出来。同时串行通信接口及单片机信息进行持续交换。报警显示 LCD显示过载采样高压发生电路单片机输入串行通信接口驱动控制A/D转换图4高压电源整体设计图4 高压电源整体设计3各模块单元设计3.1.功率场效应管驱动控制使用M0SFET功率管比使用双极型晶体管可得到更多好处。特别当器件用在高频时(一般在100kHz或更高),M0SFET突出优点更会显现出来。所以M0SFET工作频率一般都很高,必须采用一些预防措施来设计
16、,把高频时出现问题,如寄生振荡等应于消除。M0SFETT管在高频工作时,防止振荡,必须注意两点。首先,M0SFET各端点连接线长度尽可能减少,尤其是栅极引线。但是若无法让引线剪短,则可按图5所示,靠近栅极处串联一个小电阻以便抑制寄生振荡。第二,由于M帕FET输入阻抗高,为了避免正反馈所引起振荡,驱动电源阻抗必须较低。特别是,M0SFET直流输入阻抗非常高,但是它交流输入阻抗是随频率变化而改变。因此,M0SFET驱动波形上升与下降时间,及驱动脉冲发生器阻抗有关。另一个重要事情是:氧化硅层之间M0SFET压力栅耐压是有限,如果实际电压数值超过元件额定值,将会被击穿,造成永久性损坏。实际栅源电压最大
17、值在2030V之间。值得注意是,虽然实际电压是20V,我们要细致分析看是否可能会出现因为寄生电感引起电压急速上升产生尖峰从而引起击穿M0SFET硅氧化层问题。为了方便起见,我采用直接驱动式:(1)用TTL工驱动M0SFET 如图6,但如果M0SFET中有些晶体管,工作经线性区间,达到饱与需要一段较长时间,使M0SFET性能不可能达到最佳状态,可如图5所示,在TTL器件及M0SFET之间加上Tr1、Tr2,可减少开关上升及下降时间。 图5 MOSFET作为开关工作在共源板结构图图6 用TIL器件驱动MOSFET功率MOSFET工作原理 截止:漏源极间加上正电源,栅源之间电压为零。P基区及N漂移区
18、之间形成PN结反偏,无电流从漏源极之间流过。 导电:在栅源极间加正电压,电流不会从栅极流过因为栅极是绝缘。但栅极正电压会将它下面P区中空穴推开,将P区中少子电子吸引到栅极下面P区表面。 当正电压大于开启电压或阈值电压时,由于栅极下P区表面电子浓度将超过空穴浓度,反型层形成N沟道而使PN结消失是因为P型半导体反型成N型而成为反型层,漏极与源极就导电。单片机选择单片机是将CPU、存储器、定时/计数器、I/O接口电路与必要外设集成在一块芯片上,构成一个既小巧又完善计算机硬件系统,可实现微型计算机基本功能。单片机具有机构简单、控制功能强、可靠性高、体积小、价格低等优点,此外,单片机易于扩展,很容易构成
19、各种规模应用系统。片内具有计算机正常运行所必需部件,芯片外部有许多供扩展用三总线及并行、穿行I/O口,为应用系统设计与生产带来极大方便,而且单片机工作电压低,功耗也低,在许多行业都得到了广泛应用并发挥了巨大作用。单片机是整个系统核心,本设计采用AT89C51型号单片机,其引脚图如下图7: 图7 AT89C51单片机引脚排列图AT89C51是一种带4K字节FLASH存储器低电压、高性能CMOS 8位微处理器,通常也被称为单片机。该器件采用ATMEL高密度非易失存储器制造技术制造,其可擦除只读存储器可以反复擦除1000次,即可重复写入程序约1000次,且及工业标准MCS-51输出管脚与指令集相兼容
20、。ATMELAT89C51是一种高效微控制器,因其将多功能8位CPU与闪烁存储器组合在单个芯片中。AT89C51具有以下功能:4K字节Flash 闪速存储器, 5向量两级中断结构,128字节内部RAM,两个16位定时/计数器,32 个I/O 口线,全双工串行通信口,时钟电路以及片内振荡器。同时,AT89C51支持两种软件可选节电工作模式,并可降至0Hz静态逻辑操作。掉电方式保存RAM中内容,但振荡器停止工作并禁止其它所有部件工作直到下一个硬件复位。空闲方式停止CPU工作,但允许定时/计数器,RAM,中断系统及串行通信口继续工作。AT89C51各引脚功能如下:VCC :AT89C51 电源正极输
21、入端,接+5V电压。 GND :电源接地端。 RST :AT89C51 复位信号输入端,高电平工作,当要对芯片复位时,只要将RST输入端保持2个机器周期以上高电平,单片机即完成复位初始化操作,使得单片机内部特殊功能寄存器内容均被设成初始已知状态。XTAL1 与XTAL2:时钟引脚,外接晶体引线端。当使用芯片内部时钟时,此两引脚端用于外接石英晶体与微调电容;当使用外部时钟时,用于外接时钟脉冲信号。 ALE/PROG :AT89C51地址锁存允许信号输出端。在访问外存储器时,作用为锁存低8位地址信号。当单片机上电,正常工作时,ALE端就以时钟振荡频率1/16固定频率周期性地向外输出正脉冲信号。该端
22、第二功能PROG为当对片内带有4KB EPROM8751单片机烧写程序时,此引脚作为编程脉冲输入端。PSEN :AT89C51程序存储允许输出端,低电平有效。PSEN信号是片外程序存储器读选通信号。CPU从外部程序存储器取指令时,PSEN信号自动产生负脉冲,作为外部程序存储器选通信号。在读片外程序存储器读取指令码时,每个机器周期产生二次PSEN信号。在执行片内程序存储器指令时,不产生PSEN信号,在存取外部数据时,也不产生PSEN信号。 EA/VPP :程序存储器地址允许输入端。当EA为高电平时,CPU执行片内程序存储器指令,但当PC中值超过0FFFH时,将自动转向执行片外程序存储器指令;当E
23、A为低电平时,CPU只执行片外程序存储器指令。对8031单片机而言,EA必须接低电平。在8751中,当对片内EPROM编程时,该端接21V编程电压。P0 :P0 口(P0.0P0.7)是一个8位双向输入/输出端口,其漏极开路,当访问外部数据时,它是地址总线(低8位)与数据总线复用。P0 口每一个端口可以驱动8个LSTTL负载。当单片机外部不进行扩展而仅单片使用时,该输入输出端口则可作一般双向I/O口用。P1 :P1 口(P1.0P1.7)口是具有内部提升电路双向 I/0 端口(准双向并行I/O口),仅作为输入输出端口使用。其输出可以驱动 4个LSTTL负载。P2:P2口(P2.0P2.7)口是
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
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