六安金属靶材项目招商引资方案.docx
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1、泓域咨询/六安金属靶材项目招商引资方案目录第一章 项目背景、必要性8一、 金属靶材薄膜制备核心材料,磁溅技术发展带动需求提升8二、 行业现状:全球靶材市场稳步增长,日美在高端领域优势明显9三、 国产替代+技术革新,高端靶材需求强劲10四、 推进科技成果转化应用12五、 项目实施的必要性15第二章 市场分析16一、 应用趋势:下游技术革新,溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发展16第三章 项目概述20一、 项目名称及建设性质20二、 项目承办单位20三、 项目定位及建设理由21四、 报告编制说明22五、 项目建设选址24六、 项目生产规模24七、 建筑物建设规模24八、 环境影响24九、 项
2、目总投资及资金构成25十、 资金筹措方案25十一、 项目预期经济效益规划目标25十二、 项目建设进度规划26主要经济指标一览表26第四章 项目承办单位基本情况29一、 公司基本信息29二、 公司简介29三、 公司竞争优势30四、 公司主要财务数据32公司合并资产负债表主要数据32公司合并利润表主要数据32五、 核心人员介绍33六、 经营宗旨34七、 公司发展规划34第五章 建筑工程说明40一、 项目工程设计总体要求40二、 建设方案41三、 建筑工程建设指标41建筑工程投资一览表42第六章 产品方案与建设规划44一、 建设规模及主要建设内容44二、 产品规划方案及生产纲领44产品规划方案一览表
3、44第七章 运营管理47一、 公司经营宗旨47二、 公司的目标、主要职责47三、 各部门职责及权限48四、 财务会计制度51第八章 SWOT分析说明58一、 优势分析(S)58二、 劣势分析(W)60三、 机会分析(O)60四、 威胁分析(T)61第九章 法人治理结构67一、 股东权利及义务67二、 董事69三、 高级管理人员73四、 监事75第十章 进度实施计划78一、 项目进度安排78项目实施进度计划一览表78二、 项目实施保障措施79第十一章 劳动安全分析80一、 编制依据80二、 防范措施81三、 预期效果评价85第十二章 项目节能方案87一、 项目节能概述87二、 能源消费种类和数量
4、分析88能耗分析一览表89三、 项目节能措施89四、 节能综合评价91第十三章 组织机构及人力资源92一、 人力资源配置92劳动定员一览表92二、 员工技能培训92第十四章 投资估算95一、 编制说明95二、 建设投资95建筑工程投资一览表96主要设备购置一览表97建设投资估算表98三、 建设期利息99建设期利息估算表99固定资产投资估算表100四、 流动资金101流动资金估算表102五、 项目总投资103总投资及构成一览表103六、 资金筹措与投资计划104项目投资计划与资金筹措一览表104第十五章 经济收益分析106一、 基本假设及基础参数选取106二、 经济评价财务测算106营业收入、税
5、金及附加和增值税估算表106综合总成本费用估算表108利润及利润分配表110三、 项目盈利能力分析110项目投资现金流量表112四、 财务生存能力分析113五、 偿债能力分析114借款还本付息计划表115六、 经济评价结论115第十六章 风险评估分析117一、 项目风险分析117二、 项目风险对策119第十七章 项目总结121第十八章 附表附件123主要经济指标一览表123建设投资估算表124建设期利息估算表125固定资产投资估算表126流动资金估算表127总投资及构成一览表128项目投资计划与资金筹措一览表129营业收入、税金及附加和增值税估算表130综合总成本费用估算表130利润及利润分配
6、表131项目投资现金流量表132借款还本付息计划表134报告说明产业转移加速靶材国产替代,技术革新推动铜钽需求提升。半导体芯片行业是对靶材的成分、组织和性能要求最高的领域,纯度要求通常达5N5甚至6N以上。随着半导体产业加速向国内转移,预计25年我国半导体靶材市场规模将达到约6.7亿美元,21-25年我国靶材需求增速或达9.2%。同时随着下游芯片技术革新,溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发展,其中铜、钽靶材需求增长前景较好。供给方面,日美厂商约占90%份额,但有研等企业已在国产铜、铝等靶材取得突破,同时产能也在不断扩张,预计未来2-3年我国半导体靶材将新增10万块以上产能。根据谨慎财务估
7、算,项目总投资40221.28万元,其中:建设投资31056.76万元,占项目总投资的77.21%;建设期利息767.33万元,占项目总投资的1.91%;流动资金8397.19万元,占项目总投资的20.88%。项目正常运营每年营业收入86700.00万元,综合总成本费用66177.42万元,净利润15043.26万元,财务内部收益率29.31%,财务净现值26908.24万元,全部投资回收期5.22年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。项目产品应用领域广泛,市场发展空间大。本项目的建立投资合理,回收快,市场销售好,无环境污染,经济效益和社会效益良好,这也奠定了公
8、司可持续发展的基础。本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息,并依托行业分析模型而进行的模板化设计,其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。第一章 项目背景、必要性一、 金属靶材薄膜制备核心材料,磁溅技术发展带动需求提升溅射靶材是溅射法制备薄膜的主要材料之一。溅射工艺是制备电子薄膜的主要技术之一,它利用离子源产生的离子,在高真空中经过加速聚集而形成高速离子束流,轰击固体表面,离子和固体表面原子发生动能交换,使固体表面的原子离开固体并沉积在基底表面。被轰击的固体是用溅射法沉积薄膜的原材料,称为溅射靶材。从结构上看,靶材主要由“靶坯”和“背板”两部分构
9、成。其中靶坯是高速离子束流轰击的目标材料,属于溅射靶材的核心部分,涉及高纯金属、晶粒取向调控。背板起到主要起到固定溅射靶材的作用,涉及焊接工艺。由于高纯度金属强度较低,因此溅射靶材需要在专用的机台内完成溅射过程。机台内部为高电压、高真空环境,因此背板也需要具备良好的导电、导热性能。磁控溅射技术优势突出,推动溅射靶材需求不断提升,溅射靶材已成为目前市场应用量最大的PVD镀膜材料。目前行业内主流镀膜工艺为物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积(CVD)两种,其中PVD方法具体来看包括溅射和蒸镀两类,CVD方法则包括化学气相沉积和原子层沉积两类。溅射镀膜工艺则凭借着其可重复性好、膜厚可控制,可在大面积
10、基板材料上获得厚度均匀的薄膜,所制备的薄膜具有纯度高、致密性好、与基板材料的结合力强等优点发展迅速,已成为制备薄膜材料的主要技术之一,各种类型的溅射薄膜材料已得到广泛的应用,因此,对溅射靶材这一具有高附加值的功能材料需求逐年增加,溅射靶材亦已成为目前市场应用量最大的PVD镀膜材料。二、 行业现状:全球靶材市场稳步增长,日美在高端领域优势明显整体来看,预计2020年全球靶材市场规模约188亿美元,2014-2020年CAGR为6.5%,中国靶材市场规模也达到了46亿美元。2014-2020年CAGR为13.5%,国产化替代进程不断加快。产品结构:与全球靶材市场结构相比,我国靶材市场结构中平板显示
11、靶材与半导体靶材比例相对较高,记录媒体靶材与太阳能电池靶材比例相对较低。据测算,2020年全球靶材结构中平板显示靶材占比约39%、记录媒体靶材占比约33%、太阳能电池靶材占比约17%、半导体靶材占比约8%。我国靶材市场结构中平板显示靶材占比约48%、记录媒体靶材占比约31%、太阳能电池靶材占比约9%、半导体靶材占比约约9%。与全球靶材市场结构相比,我国靶材市场结构中平板显示靶材与半导体靶材比例相对较高,记录媒体靶材与太阳能电池靶材比例相对较低。竞争格局:全球靶材市场呈寡头竞争格局,日美在高端溅射靶材领域优势明显。目前,全球溅射靶材市场主要有四家企业,分别是JX日矿金属、霍尼韦尔、东曹和普莱克斯
12、,市场份额分别为30%、20%、20%和10%,合计垄断了全球80%的市场份额。其中美国、日本跨国集团产业链完整,囊括金属提纯、靶材制造、溅射镀膜和终端应用各个环节,具备规模化生产能力,在掌握先进技术以后实施垄断和封锁,主导着技术革新和产业发展,在中高端半导体溅射靶材领域优势明显。国内溅射靶材主要应用于中低端产品,但部分靶材生产企业已经逐渐突破关键技术门槛,国产铝、铜、钼等靶材逐渐崭露头角。我国溅射靶材产业起步较晚,目前具备规模化生产能力和较强研发实力的企业较少,溅射靶材主要应用于中低端产品。但近年来随着国家政策的鼓励与资金的支持,部分企业已经突破了关键技术门槛,国产铝、铜、钼等靶材逐渐崭露头
13、角。我国溅射靶材行业主要上市公司有江丰电子、有研新材、阿石创、隆华科技。三、 国产替代+技术革新,高端靶材需求强劲靶材主要用于平板显示器、半导体、光伏电池、记录媒体等领域。从需求来,靶材是制备功能薄膜的核心原材料,主要用于面板、半导体、光伏和磁记录媒体等领域,实现导电或阻挡等功能。2020年全球靶材市场规模约188亿美元,我国靶材市场规模为46亿美元。从供给来看,四家日美巨头占据80%靶材市场,国内溅射靶材主要应用于中低端产品,国产替代需求强烈。产业转移加速靶材国产替代,技术革新推动铜钽需求提升。半导体芯片行业是对靶材的成分、组织和性能要求最高的领域,纯度要求通常达5N5甚至6N以上。随着半导
14、体产业加速向国内转移,预计25年我国半导体靶材市场规模将达到约6.7亿美元,21-25年我国靶材需求增速或达9.2%。同时随着下游芯片技术革新,溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发展,其中铜、钽靶材需求增长前景较好。供给方面,日美厂商约占90%份额,但有研等企业已在国产铜、铝等靶材取得突破,同时产能也在不断扩张,预计未来2-3年我国半导体靶材将新增10万块以上产能。国产替代+产品迭代,我国显示面板靶材需求有望持续高速。FDP靶材根据工艺,可分为溅射用靶材和蒸镀用靶材。其中溅射靶材主要为Cu、Al、Mo和IGZO等,纯度和技术要求仅次于半导体,一般在4N甚至5N以上,但对靶材的焊接结合率、平
15、整度等提出了更高要求。受益显示面板需求上涨和我国显示面板国产替代提升,预计25年我国FDP靶材市场规模将达50亿美元,21-25年CAGR为18.9%。此外预计OLED用钼靶与低电阻铜靶成长空间广阔。供给来看,我国显示面板靶材高度依赖进口,日企在国内市场仍然占据主导地位,国内以隆华科技、江丰电子、阿石创、先导稀材、有研新材为主,国产替代正逐渐加速。Hit量产元年开启,靶材或迎成长机遇期。光伏靶材的使用主要是薄膜电池和HIT光伏电池,纯度一般在4N以上。随着HIT电池和薄膜电池的发展,预计25年我国市场规模将接近38亿美元,21-25年CAGR为56.1%。供给方面,由于国内薄膜电池及HIT电池
16、市场规模尚小,相关靶材企业也较少,多处起步阶段,其中先导稀材、江丰电子等产能相对较大,此外隆华科技也已开始布局相关产业龙头。趋势难逆,磁记录靶材预计将逐步转向存储芯片靶材。磁记录靶材则多以溅射法制作,常用材料为钴(3N)/镍/铁合金/铬/碲、硒(4N)/稀土-迁移金属(3N)等,主要包括铬靶、镍靶、钴靶。我国磁记录靶材市场以海外供应为主,中国生产磁记录靶材企业数量和产能非常有限。由于我国机械硬盘国产化水平极低,且记录媒体研发重心主要在半导体存储,预计传统机械键盘成长空间有限,磁记录靶材预计将逐步转向存储芯片靶材。3DNAND领域用钨、钛、铜、钽靶材需求增量较大。四、 推进科技成果转化应用以科技
17、成果转化应用为重点,深入实施科技创新工程,着力构建创新水平、研发活动、体制机制与长三角融为一体的现代产业科技创新体系。培育创新型企业集群。强化企业创新主体地位和主导作用,加快创新资源、创新政策、创新服务向企业集聚。实施创新型领军企业培育和科技型企业培育工程,打造一批全国知名创新型领军企业。鼓励企业聚焦“卡脖子”关键核心技术突破,选择一批重大科技专项进行技术攻关,力争在航空、核电、氢能、电子信息、生物科技等领域取得重大突破,争取纳入国家(省级)重大专项,实现部分领域技术水平达到国际领先、重点产品达到国际先进或国内领先水平。支持企业争创“重点研发创新平台、新型研发机构、一室一中心”等省、市创新平台
18、。鼓励企业加大研发投入,提升研发能力。支持企业申报科技创新项目,争取国家和省支持。促进科技成果产业化。加大财政对科技发展的投入,引导和带动社会资本投入创新活动。创新科技金融支持方式,支持政府股权基金加大对种子期、初创期科创企业的投资力度,推动具备条件的高新技术企业在上海科创板、深圳创业板上市融资。鼓励商业银行在开发区设立科技支行,支持开展知识产权质押融资。完善科技创新激励机制,抓好各项鼓励创新政策落实。推进科技成果使用权、处置权、收益权“三权”改革。完善专利工作资助和奖励办法,鼓励企业申请专利。强化知识产权保护。加强知识产权创造、保护、运用、管理和服务,坚决打击侵权行为。加强重点产业和区域优势
19、特色产业自主知识产权创造,培育一批高价值高质量专利。引导重大科技成果转化的高价值专利创造和运用,推动完善科技计划知识产权过程管理。加强商标品牌建设,以产业优质品牌有效运用支撑产业价值提升。推进创新主体知识产权规范化管理,鼓励企业综合运用专利、商标组合策略,加强知识产权信息化服务平台建设,推动知识产权保护运用线上线下融合发展。协同打造创新策源地。推进“政产学研用金”协同创新,构建政府引导、企业主体、校院协作、社会参与的协同创新机制。积极对接长三角G60科创走廊,深度对接合肥综合性国家科学中心和沪苏浙科技资源,引导和支持重点行业、骨干企业联合高校院所建立院士工作站、博士后科研工作站、工程(重点)实
20、验室、工程(技术)研究中心、技术创新中心等,加快高端装备、新能源、电子信息等重点产业领域科技创新平台建设。加强与中科院在皖机构、皖西学院等高校院所资源合作,鼓励国内外科研院所、高等院校来我市设立分支机构,积极探索市校、校企合作共建大学分院和产业技术研究院。积极参与长三角大型科学仪器协作共用网络建设,推进重点实验室、大型仪器中心与实验装置、分析测试平台等共享。五、 项目实施的必要性(一)提升公司核心竞争力项目的投资,引入资金的到位将改善公司的资产负债结构,补充流动资金将提高公司应对短期流动性压力的能力,降低公司财务费用水平,提升公司盈利能力,促进公司的进一步发展。同时资金补充流动资金将为公司未来
21、成为国际领先的产业服务商发展战略提供坚实支持,提高公司核心竞争力。第二章 市场分析一、 应用趋势:下游技术革新,溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发展芯片制程工艺已经从130nm提升至7nm,晶圆尺寸也已实现了8英寸到12英寸的转变,,对溅射靶材性能要求大幅提升。溅射靶材的技术发展趋势与下游应用领域的技术革新息息相关,随着应用市场在薄膜产品或元件上的技术进步,溅射靶材也需要随之变化,随着半导体技术的不断发展,集成电路中的晶体管和线宽的尺寸越来越小。芯片制程工艺已经从130nm提升至7nm,与之对应的晶圆尺寸也已实现了8英寸到12英寸的转变,此外台积电、三星等企业也正在加速推进更高端的芯片制
22、程工艺研发与生产。为了满足现代芯片高精度、小尺寸的需求,对电极和连接器件的布线金属薄膜的性能要求越来越高,这就对溅射靶材的性能提出了更高的要求。推动溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发展。1、趋势1:大尺寸大尺寸是靶材的重要发展方向,但随尺寸增加,靶材在晶粒晶向控制难度呈指数级增加,对技术要求就越高。晶圆尺寸越大,可利用效率越高。.12英寸晶圆拥有较大的晶方使用面积,得以达到效率最佳化,相对于8英寸晶圆而言,12英寸的可使用面积超过两倍。大尺寸晶圆要求靶材也朝着大尺寸方向发展。2、趋势2:多品种半导体芯片行业常用的金属溅射靶材主要种类包括:铜、钽、铝、钛、钴和钨等高纯溅射靶材,以及镍铂、钨
23、钛等合金类的溅射靶材,其中铝与铜为两大主流导线工艺。目前芯片生产所使用的主流工艺中同时存在铝和铜两种导线工艺,一般来说110nm晶圆技术节点以上使用铝导线,110nm晶圆技术节点以下使用铜导线。钛靶和铝靶通常配合起来使用,常作为铝导线的阻挡层的薄膜材料,钽靶则配合铜靶使用,作为铜导线的阻挡层的薄膜材料。随着晶圆制造朝着更小的制程方向发展,铜导线工艺的应用量在逐步增大,因此,铜和钽靶材的需求将有望持续增长。在晶圆制程选择上,从全球晶圆厂产能建设情况来看,12寸晶圆厂是目前主流建设方向。随着晶圆制造朝着更小的制程方向发展,铜导线由于具有更低的电迁移效应,及更低的电阻,有降低功耗、提高运算速度等作用
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