《模拟电子技术基础》试题(9)答案(3页).doc

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-浙江理工大学模拟电子技术基础试题（9）答案一、 填空题：（每空一分）1、 提高（增加），增加。2、 饱和。3、 小于，共模干扰抑制能力强。4、 60，1000。5、 反向击穿。6、 将交流电变成单向脉动直流电，单向导电性。7、 能够让某一频带范围以内的信号通过而带外的信号被阻止，低频。8、 高。9、 1，AF2n（n=0,1,2,）二、 解：波形如解下图所示（5分）三、解： （1）当UI0V时由于UBE0V，则T截止，UoUz= 5V。（5分）（2）当uI+5V时，电路的临界饱和基极电流 而实际基极电流 由于IBIBS，故T饱和，UCUCES0.5V。 （5分）四、 解（每步骤4分，共20分） 五、 解：、Ri和Ro的表达式分别为 （每个结果5分共15分） 六、解：由图可知Ri50k，uM2uI。 （2.5分） 即 输出电压 =-104 （2.5分）七、解：图中所示的A1组成同相比例运算电路，A2组成加减运算电路；先求解uO1，（5分）再求解uO。（10分） （10分）八、解：（1） 电路为电压串联负反馈 （3分） 反馈系数 （4分）（2）估算电路在深度负反馈条件下的电压放大倍数。 电路中引入了深度电压串联负反馈 故： （8分）-第 3 页-