IGBT驱动电路参数计算详解(6页).doc
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1、-IGBT驱动电路参数计算详解-第 6 页IGBT驱动电路参数计算详解大功率IGBT 模块在使用中驱动器至关重要,本文介绍在特定应用条件下IGBT门极驱动性能参数的计算方法,经验公式及有关CONCEPT 驱动板的选型标准,得出的一些参数值可以作为选择一款合适IGBT驱动器的基本依据。1 门极驱动的概念IGBT存在门极-发射极电容Cge,门极-集电极电容Cgc,我们将IGBT的门极等效电容定义为Cg,门极驱动回路的等效电路如下图所示:其本质是:一个脉冲电压源向RC电路进行充放电,对于这个电压源,有2个物理量我们需要关心,1.它的功率;2.它的峰值电流。2 驱动功率的计算驱动器是用来控制功率器件的
2、导通和关断。为了实现此功能,驱动器对功率器件的门极进行充电以达到门极开通电压VGE_on,或者是对门极进行放电至门极关断电压VGE_off。门极电压的两种电平间的转换过程中,在驱动器门极驱动电阻及功率器件组成的回路中产生一定的损耗。这个参数我们称为驱动功率PDRV。驱动器必须根据其所驱动的功率器件所需的驱动功率来选择。驱动功率可以从门极电荷量QGate,开关频率fIN,以及驱动器实际输出电压摆幅VGate 计算得出:PDRV= QGate* fIN* VGate(Eq. 1)备注:PDRV: 驱动器每通道输出功率;fIN: IGBT开关频率;QGate:IGBT门极电荷,可从规格书第一页查出,
3、不同IGBT该数值不同;VGate:门极驱动电压摆幅,等于驱动正压+U 和负压U 之间差值。如果门极回路放置了一个电容CGE (辅助门极电容),那么驱动器也需要对该电容进行充放电,如图1 所示:只要CGE 在一个周期内被完全的充放电,那么RGE 值并不影响所需驱动功率。驱动功率可以从以下公式得出:PDRV= QGATE* fIN*VGATE+ CGE* fIN*VGATE2 (Eq. 2)这个功率是每个IGBT 驱动时必须的,但门极的充放电是没有能量损失的,这个功率实际上损失在驱动电阻及外部电路中。注意:这个功率是表示在电路中实际需要的,而在驱动电路中的其它损耗(包括供电电源损耗)不包含在内。
4、驱动器中DC/DC 变换器的总输出功率在concept 公司智能驱动板说明书中被标明了,对于半桥电路驱动器,由于总变换器功率被标明了,因此总输出功率的一半即是每个通道的功率。另外,还有一部分功率损失在驱动电路元件中。总功率损耗通常是由一个静态的、固定的损耗加上最终驱动损耗组成。Concept 驱动板静态损耗描述如下:在IGD508/515 中,光藕的发送及接收所损失的功率应被计算在内。光藕接收器所用的5V 电源是由外部16V 供电电源线性变换得来,这部分的损耗应该用16V 乘以电流计算,而不是用5V 计算。每个通道的静态损耗也可通过测量得到,具体如下:断开输入侧的电压供应(DC/DC 变换器的
5、逆流),16V 的电压直接加在Cs , COM 脚两端(等效副边电容)。驱动板在静态时的消耗电流(没有输入脉冲时)同有脉冲工作时一样,能够直接从电路中的电流表读出。以上公式是在门极驱动电流不发生谐振的条件下得出的。只要这个开关过程是IGBT 门极从完全打开到完全关断或者反过来,则驱动功率并不依赖于门极电阻及占空比的变化而变化。接下来我们来看如何确定门极电荷量QGate。3门极电荷量QGate 绝不能从IGBT 或MOSFET 的输入电容Cies 计算得出。Cies 仅仅是门极电荷量曲线在原点(VGE=0V)时的一阶近似值。在IGBT 手册中的电容值Ciss,在实际电路应用中不是一个特别有用的参
6、数,因为它是通过电桥测得的,由于测量电压太小而不能到达门极门槛电压,在实际开关中增加的内部回馈效应(Miller 效应)在测量中未被包括在内。在测量电路中,一个25V 的电压加在集电极“C”上,在这种测量构架下,所测结电容要比Vce0V 时要小一些。因此,Ciss 仅仅只能在IGBT 互相作比较时使用。我们在选择和设计IGBT 驱动器时经常会碰到一些问题和不确定因素。部分原因是厂家对IGBT 描述的不够充分;另一方面是由于IGBT 手册中所给的输入结电容Ciss 值与在应用中的实际的输入结电容值相差甚远。依据手册中的Ciss 值作设计,令许多开发人员走入歧途。对于设计一个驱动器来讲,最重要的参
7、数是门极电荷,在很多情况下,IGBT 数据手册中这个参数没有给出,另外,门极电压在上升过程中的充电过程也未被描述。功率半导体的门极电荷量曲线是极其非线性的。这就是为什么QGate 必须通过对门极电荷量曲线在VGE_off 到VGE_on 的区域内积分获得。无论如何,门极的充电过程相对而言能够简单地通过测量得到。因而要驱动一个IGBT,我们最好使用一个专用的驱动器。除此之外,在设计中至少我们知道在应用中所需的门极电压(例如15V)。首先,在负载端没有输出电压的情况下,我们可以作如下计算。门极电荷可以利用公式计算:QidtCU确定了Q, 我们可以用示波器观测门极电压,同时电压的上升U 在测量中也能
8、在示波器上清楚的观测到。(见下图2)利用公式CINQ/U。实际的输入电容能够通过计算得到。尤其要注意的是,在应用中,实际的输入结电容CIN 在设计中是具有很大意义的。Ciss 在折算中的经验公式对于SIEMENS 和EUPEC 的IGBT 而言,下面的经验公式经过验证是较为准确可信的。CIN5Ciss (Ciss 可从IGBT 手册中得到)如果QGate 在数据手册中已给出,在实际应用中一定要注意该参数给定的电压摆幅条件。不同的电压摆幅条件下门极电荷量是不同的。举个例子:如果VGE 从 0V 到 +15V 条件下的门极电荷量是QGate,那么没有办法很准确的得到VGE 从-10V 到+15V
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