孝感平板显示靶材项目可行性研究报告(范文参考).docx
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1、泓域咨询/孝感平板显示靶材项目可行性研究报告孝感平板显示靶材项目可行性研究报告xxx(集团)有限公司目录第一章 项目投资背景分析8一、 国产替代+技术革新,高端靶材需求强劲8二、 靶材在平板显示中的应用10三、 加快构建现代产业体系,夯实市域经济发展底盘12四、 坚持创新驱动发展,建设全省区域创新创业新高地14第二章 市场分析17一、 应用趋势:下游技术革新,溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发展17二、 显示面板靶材市场规模预测20第三章 项目基本情况21一、 项目名称及建设性质21二、 项目承办单位21三、 项目定位及建设理由22四、 报告编制说明24五、 项目建设选址26六、 项目生
2、产规模26七、 建筑物建设规模26八、 环境影响26九、 项目总投资及资金构成27十、 资金筹措方案27十一、 项目预期经济效益规划目标27十二、 项目建设进度规划28主要经济指标一览表28第四章 建筑物技术方案31一、 项目工程设计总体要求31二、 建设方案32三、 建筑工程建设指标33建筑工程投资一览表33第五章 产品方案分析35一、 建设规模及主要建设内容35二、 产品规划方案及生产纲领35产品规划方案一览表35第六章 运营模式分析37一、 公司经营宗旨37二、 公司的目标、主要职责37三、 各部门职责及权限38四、 财务会计制度41第七章 法人治理结构48一、 股东权利及义务48二、
3、董事51三、 高级管理人员55四、 监事58第八章 原材料及成品管理60一、 项目建设期原辅材料供应情况60二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理60第九章 节能方案62一、 项目节能概述62二、 能源消费种类和数量分析63能耗分析一览表64三、 项目节能措施64四、 节能综合评价65第十章 环境保护方案67一、 编制依据67二、 环境影响合理性分析68三、 建设期大气环境影响分析70四、 建设期水环境影响分析71五、 建设期固体废弃物环境影响分析71六、 建设期声环境影响分析72七、 建设期生态环境影响分析72八、 清洁生产73九、 环境管理分析74十、 环境影响结论76十一、 环境影响建议
4、77第十一章 劳动安全生产78一、 编制依据78二、 防范措施79三、 预期效果评价83第十二章 投资方案分析85一、 投资估算的依据和说明85二、 建设投资估算86建设投资估算表90三、 建设期利息90建设期利息估算表90固定资产投资估算表92四、 流动资金92流动资金估算表93五、 项目总投资94总投资及构成一览表94六、 资金筹措与投资计划95项目投资计划与资金筹措一览表95第十三章 经济收益分析97一、 基本假设及基础参数选取97二、 经济评价财务测算97营业收入、税金及附加和增值税估算表97综合总成本费用估算表99利润及利润分配表101三、 项目盈利能力分析101项目投资现金流量表1
5、03四、 财务生存能力分析104五、 偿债能力分析105借款还本付息计划表106六、 经济评价结论106第十四章 风险分析108一、 项目风险分析108二、 项目风险对策110第十五章 项目招投标方案113一、 项目招标依据113二、 项目招标范围113三、 招标要求114四、 招标组织方式116五、 招标信息发布120第十六章 总结121第十七章 附表123营业收入、税金及附加和增值税估算表123综合总成本费用估算表123固定资产折旧费估算表124无形资产和其他资产摊销估算表125利润及利润分配表126项目投资现金流量表127借款还本付息计划表128建设投资估算表129建设投资估算表129建
6、设期利息估算表130固定资产投资估算表131流动资金估算表132总投资及构成一览表133项目投资计划与资金筹措一览表134第一章 项目投资背景分析一、 国产替代+技术革新,高端靶材需求强劲靶材主要用于平板显示器、半导体、光伏电池、记录媒体等领域。从需求来,靶材是制备功能薄膜的核心原材料,主要用于面板、半导体、光伏和磁记录媒体等领域,实现导电或阻挡等功能。2020年全球靶材市场规模约188亿美元,我国靶材市场规模为46亿美元。从供给来看,四家日美巨头占据80%靶材市场,国内溅射靶材主要应用于中低端产品,国产替代需求强烈。产业转移加速靶材国产替代,技术革新推动铜钽需求提升。半导体芯片行业是对靶材的
7、成分、组织和性能要求最高的领域,纯度要求通常达5N5甚至6N以上。随着半导体产业加速向国内转移,预计25年我国半导体靶材市场规模将达到约6.7亿美元,21-25年我国靶材需求增速或达9.2%。同时随着下游芯片技术革新,溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发展,其中铜、钽靶材需求增长前景较好。供给方面,日美厂商约占90%份额,但有研等企业已在国产铜、铝等靶材取得突破,同时产能也在不断扩张,预计未来2-3年我国半导体靶材将新增10万块以上产能。国产替代+产品迭代,我国显示面板靶材需求有望持续高速。FDP靶材根据工艺,可分为溅射用靶材和蒸镀用靶材。其中溅射靶材主要为Cu、Al、Mo和IGZO等,纯
8、度和技术要求仅次于半导体,一般在4N甚至5N以上,但对靶材的焊接结合率、平整度等提出了更高要求。受益显示面板需求上涨和我国显示面板国产替代提升,预计25年我国FDP靶材市场规模将达50亿美元,21-25年CAGR为18.9%。此外预计OLED用钼靶与低电阻铜靶成长空间广阔。供给来看,我国显示面板靶材高度依赖进口,日企在国内市场仍然占据主导地位,国内以隆华科技、江丰电子、阿石创、先导稀材、有研新材为主,国产替代正逐渐加速。Hit量产元年开启,靶材或迎成长机遇期。光伏靶材的使用主要是薄膜电池和HIT光伏电池,纯度一般在4N以上。随着HIT电池和薄膜电池的发展,预计25年我国市场规模将接近38亿美元
9、,21-25年CAGR为56.1%。供给方面,由于国内薄膜电池及HIT电池市场规模尚小,相关靶材企业也较少,多处起步阶段,其中先导稀材、江丰电子等产能相对较大,此外隆华科技也已开始布局相关产业龙头。趋势难逆,磁记录靶材预计将逐步转向存储芯片靶材。磁记录靶材则多以溅射法制作,常用材料为钴(3N)/镍/铁合金/铬/碲、硒(4N)/稀土-迁移金属(3N)等,主要包括铬靶、镍靶、钴靶。我国磁记录靶材市场以海外供应为主,中国生产磁记录靶材企业数量和产能非常有限。由于我国机械硬盘国产化水平极低,且记录媒体研发重心主要在半导体存储,预计传统机械键盘成长空间有限,磁记录靶材预计将逐步转向存储芯片靶材。3DNA
10、ND领域用钨、钛、铜、钽靶材需求增量较大。二、 靶材在平板显示中的应用若根据工艺的不同,FPD行业用靶材也可大致分为溅射用靶材和蒸镀用靶材。其中溅射用靶材主要为Cu、Al、Mo和IGZO等材料。IGZO为TFT激活层,一般用于手机LTPOOLED技术和大尺寸OLED技术。IGZO也可以被用于LCD的制造和X-ray探测器的制造。在国内的LCD生产中,BOEB18和B19用IGZO作为TFT激活层。在老旧产线中,京东方也利用IGZO来替代a-Si以生产精度更高的X-ray探测器。ITO和IZO为透明导电电极。其中ITO被广泛的运用于OLED和LCD的制造中,而IZO时而会被用于顶发射OLED的阴
11、极来使用。Cu、Al、Mo和Ti等金属则做为金属走线,被广泛的运用于Array的TFT生产中,其中钼或者合金材料靶材常作为OLED器件的阴极使用,此外铝靶也可作为阴极使用。蒸镀用靶材一般为Ag和Mg两种金属。Ag和Mg合金一般用于小尺寸OLED面板产线中的阴极制作。除此以外,Ag也可以作为顶发射OLED器件中的阳极反射层使用。其中薄膜晶体管液晶显示面板(TFT-LCD)是当前的主流平面显示技术,金属溅射靶材则是制造TFT-LCD过程中最关键的材料之一。薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)具有轻薄、功耗低、成本低等优点,目前TFT-LCD大约占80%以上的显示面板市场份额。这类显示面板是由大量
12、的液晶显示单元阵列组成(如4K分辨率的屏幕含有800多万个显示单元阵列),而每一个液晶显示单元,都由一个单独的薄膜晶体管(TFT)所控制和驱动。薄膜晶体管阵列的制作原理,是在真空条件下,利用离子束流去轰击固体,使固体表面的原子电离后沉积在玻璃基板上,经过反复多次的“沉积+刻蚀”,一层层(一般为712层)地堆积制作出薄膜晶体管阵列。这种被轰击的固体,即用溅射法沉积薄膜的原材料,就被称作溅射靶材。除LCD外,近年来快速发展的OLED面板产业靶材需求增长也十分明显。OLED典型结构是在氧化铟锡(ITO)玻璃上制作一层几十纳米厚的发光材料,ITO透明电极作为器件的阳极,钼或者合金材料作为器件的阴极。从
13、阴阳2极分别注入电子和空穴,在一定电压驱动下,被注入的电子和空穴分别经过电子传输层和空穴传输层迁移到发光层并复合,形成激子并使发光分子产生单态激子,单态激子衰减发光。平板显示制造中主要使用的靶材为钼铝铜金属靶材和氧化铟锡(ITO)靶材,部分平板显示企业也会用到钛靶、钽靶、铌靶、铬靶以及银靶等。其中钼靶材和ITO靶材合计需求占比在60%70%左右。但由于各家企业所采用的溅射工艺不同,其所选的溅射靶材也有区别。如,京东方用铜靶、铝靶、钼靶和钼铌靶,韩国三星用钽靶、钛靶,但不用钼铌靶,中电熊猫用钛靶,但不用钼靶、钽靶等。以8.5代液晶显示面板生产线为例,一条8.5代线每年靶材的大致消耗120套铝靶、
14、110套铜靶、60套钼靶、5套钼铌10靶。此外据新材料产业新型显示产业的ITO靶材市场探讨,目前国内单条8.5代线ITO靶材年需求量约40吨,6代线ITO靶材年需求量约20吨。三、 加快构建现代产业体系,夯实市域经济发展底盘着力振兴实体经济,协同推进科技、金融、人力资源等要素向实体集聚,提高经济质量效益和核心竞争力。到2025年,力争培育1个千亿产业、35个500亿产业、一批百亿产业和一批小巨人企业。提升传统产业现代化水平。持续推进“千企千亿”技改工程,重点提升食品饮料、纺织服装、盐磷化工、纸塑包装、建材五大传统产业,推动传统产业高端化、智能化、绿色化,发展服务型制造。实施产业链提升工程,推动
15、传统产业强链、新兴产业补链、新支柱产业延链,增强产业链供应链韧性。深入开展质量提升行动,实施品牌战略,提升产业行业竞争力。推广应用建筑新技术、新工艺、新材料、新装备,大力发展装配式建筑,建设现代建材产业园,支持建筑企业提质升级,打造“建筑业强市”。全力发展战略性新兴产业。大力实施“倍增计划”,以高端装备制造、光电子信息、新能源汽车及零部件、大健康、新材料五大战略性新兴产业为重点,打造战略性新兴产业发展新高地。以数字产业、新能源产业为重点,培育新兴产业增长点。推动先进制造业集群发展,配套提升十大特色园区,加快十大产业集群升级裂变,形成各具特色、优势互补、结构合理的战略性新兴产业集群。加快发展现代
16、服务业。推动生产性服务业融合和产业化发展,发展壮大现代物流、科技和软件信息服务、现代金融、检验检测等服务业,加快建设一批面向先进制造业和现代农业的生产服务支撑平台。推动生活性服务业向高品质和多样化发展,加快发展文旅、电商、健康、养老、育幼、家政、物业等服务业,支持发展冷链食品安全供应、网络货运等新业态、新模式。坚持精准施策,促进房地产市场健康稳定发展。释放产业融合发展新动能。创新军民融合机制,抢抓军民深度融合国家战略机遇,统筹推进“军转民”“民参军”项目落地和产业化,打造军事后勤军民融合产业示范基地,推动孝感国家高新区国家级军民结合产业化示范基地建设取得新突破。加快推进工业化和信息化融合发展,
17、探索先进制造企业和现代化服务业融合发展新模式。促进全域农旅养融合发展,深度推进路长制,打造覆盖全域的农旅融合示范线,建设武汉“后花园”。建设高效便捷智能的数字孝感。破除数字壁垒,大力发展数字经济,加快新型数字化应用基础设施建设,推进数字产业化和产业数字化。加快数字化社会建设,提升民生服务数字化、网络化、智能化水平。加快数字政府建设,积极推进“一网通办、一网统管、一网智用”,建成数字孝感运营管理中心,深入推进“互联网+政务服务”。强化数字化监管能力,保障数据安全。四、 坚持创新驱动发展,建设全省区域创新创业新高地坚持把科技创新摆在全市发展全局的核心位置,以创建国家创新型城市为契机,构建全方位社会
18、协同创新体系,打造创新创业新高地。深入实施创新驱动发展战略。落实科技强国行动纲要,紧扣国家“四个面向”布局和省市发展需求,明确战略重点和主攻方向,优化市域创新体系,提高创新链整体效能。用足用活湖北科教大省资源和人才强省政策,推动各类创新要素向园区、向产业、向企业聚集,把各类开发园区政策优势转化为发展优势、成果优势。激发企业科技创新激情,引导孝感高端智能制造企业主动对接武汉“光芯屏端网”,支持三江国家创新平台建设,建立产业技术创新联盟,推进关键核心技术联合攻关。推动跨区域重大科研设施、基础研究平台开放共享,瞄准关键领域、“卡脖子”的地方下功夫,以新兴产业和传统骨干产业改造升级为重点,推动应用技术
19、自主创新不断取得新突破。打造人才聚集“洼地”。推进人才强市建设,深化人才发展体制机制改革,健全以创新能力、质量、实效、贡献为导向的科技人才评价体系。坚持产业导向,加强创新型、应用型、技能型人才培养,建立科技带头人制度,创建技能强省示范县。坚持柔性引才、以用为本,落实楚才引领计划,继续推进“我选湖北立业孝感”计划、“百名博士联百企”等专项行动。实施科教兴市战略,支持在孝大中专院校面向地方优化学科设置,加快应用型转型发展,联合培养实用人才。探索人才共享机制,大力发展院士专家经济,释放人才创新创业活力。推动科技成果加快转化。积极创建国家创新型城市,加大研发投入,鼓励市外高校、研究院所在孝开展合作,支
20、持在孝高校合建产业研究院,搭建更多更有效的合作平台,推进产学研一体化。实施重大科技成果产业化扶持工程,发展市场化新型研发机构,加大科技金融信贷投放和创业担保贷款支持力度。改进科技项目组织管理方式,试行“揭榜挂帅”等制度。实施重大科技成果产业化扶持工程,提升科技成果转化水平。加强知识产权创造、保护、运用,争创国家知识产权示范城市,推进有条件的地方创建国家级、省级知识产权示范县(市、区)。提升市场主体创新能力。强化企业创新主体作用,抓住智能制造、工业互联网等发展机遇,引入头部企业延伸产业链创新链。支持创新型中小微企业成长为创新重要发源地,推动产业链上中下游、大中小企业融通创新。建立企业创新主体梯次
21、培育工作机制,培育引进一批具有全国、全省影响力的科技领军企业。健全“政府引导、社会参与、企业建设、市场运营”模式,支持各类孵化器和众创空间提升服务能力。推进国家高新科技园区建设,建成国家级农业科技园区。第二章 市场分析一、 应用趋势:下游技术革新,溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发展芯片制程工艺已经从130nm提升至7nm,晶圆尺寸也已实现了8英寸到12英寸的转变,,对溅射靶材性能要求大幅提升。溅射靶材的技术发展趋势与下游应用领域的技术革新息息相关,随着应用市场在薄膜产品或元件上的技术进步,溅射靶材也需要随之变化,随着半导体技术的不断发展,集成电路中的晶体管和线宽的尺寸越来越小。芯片制程
22、工艺已经从130nm提升至7nm,与之对应的晶圆尺寸也已实现了8英寸到12英寸的转变,此外台积电、三星等企业也正在加速推进更高端的芯片制程工艺研发与生产。为了满足现代芯片高精度、小尺寸的需求,对电极和连接器件的布线金属薄膜的性能要求越来越高,这就对溅射靶材的性能提出了更高的要求。推动溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发展。1、趋势1:大尺寸大尺寸是靶材的重要发展方向,但随尺寸增加,靶材在晶粒晶向控制难度呈指数级增加,对技术要求就越高。晶圆尺寸越大,可利用效率越高。.12英寸晶圆拥有较大的晶方使用面积,得以达到效率最佳化,相对于8英寸晶圆而言,12英寸的可使用面积超过两倍。大尺寸晶圆要求靶材
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