专升本《模拟电子技术》试卷(13页).doc
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1、-专升本模拟电子技术试卷-第 13 页试题分类:专升本模拟电子技术_08001250题型:单选分数:21.直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( )。A.电阻阻值有误差B.晶体管参数的分散性C.晶体管参数受温度影响D.晶体管结电容不确定性答案:C2.稳压二极管的有效工作区是( )。A.正向导通区B.反向击穿区C.反向截止区D.死区答案:B3.如果在PNP型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置,集电结也为正向偏置,则此管的工作状态为( )。A.放大状态B.微导通状态C.截止状态D.饱和状态答案:D4.集成放大电路采用直接耦合方式的原因是( )。A.便于设计B.放大交流信号C.不易制作大容量电容D
2、.不易制作大阻值的电阻答案:C5.用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻,将使单端电路的( )。A.抑制共模信号能力增强B.差模放大倍数数值增大C.差模输入电阻增大D.差模输出电阻增大答案:A6.半导体中PN结的形成主要是由于( )生产的。A. N区自由电子向P区的扩散运动B. N区自由电子向P区的漂移运动C. P区自由电子向N区的扩散运动D. P区自由电子向N区的漂移运动答案:A7.理想的功率放大电路应工作于( )状态。A.甲类互补B.乙类互补C.甲乙类互补D.丙类互补答案:C8.NPN共射电路的Q点设置在接近于( )处将产生顶部失真。A.截止区B.饱和区C.击穿区D.放大区答案:A9
3、.当有用信号的频率介于1500Hz与2000Hz之间时,应采用的最佳滤波电路是( )。A.低通B.高通C.带通D.带阻答案:C10.差动放大电路的特点是抑制( )信号,放大( )信号。A.共模 共模B.共模 差模C.差模 差模D.差模 共模答案:B试题分类:专升本模拟电子技术_08001250题型:单选分数:21.互补对称功率放大电路BJT工作在甲乙类、负载电阻为理想值,忽略UCES时的效率约为。()A.30%B.60%C.78.5%D.85%答案:C2.当PN给外加正向电压时,扩散电流漂移电流,此时耗尽层。()A.大于-变宽B.小于-变宽C.等于-不变D.小于-变窄答案:D3.晶体管工作在饱
4、和区时,be极间为,bc极间为。()A.正向偏置-正向偏置B.反向偏置-反向偏置C.正向偏置-反向偏置D.反向偏置-正向偏置答案:A4.双极型晶体管只有当其发射结处于,而且集电结处于时,才工作于放大状态。()A.正偏-正偏B.正偏-反偏C.反偏-正偏D.反偏-反偏答案:B5.电路如图所示。若V1、V3管正负极同时接反了,则输出。()A.只有半周波形B.无波形且变压器或整流管可能烧毁C.全波整流波形D.全波整流波形,但V2管承受2倍的电压答案:D6.效率与成本俱佳的整流方式是:。()A.全波整流B.谐波整流C.桥式整流D.半波整流答案:C7.共源极场效应管放大电路其放大效果近似等价于双结晶体管放
5、大电路。()A.共射极B.共基极C.共集电极D.共栅极答案:C8.稳压型二极管的有效工作区在其伏安特性的。()A.死区B.正向导通区C.反向区D.反向击穿区答案:D9.本征半导体温度升高后。()A.自由电子数量增多B.空穴数量增多C.自由电子与空穴同时增多,且数量相同D.自由电子与空穴数量不变答案:C10.有两个三极管,A管的200,=200A,B管的50,=10A,其他参数大致相同,则相比之下。()A.A管和B管的性能相当B.A管的性能优于B管C.B管的性能优于A管D.条件不足,无法判断答案:C11.当一个三极管的IB=10A时,其IC=lmA,那么它的交流电流放大系数为:。()A.100B
6、.10C.1D.不确定答案:D12.当有用信号的频率高于5000Hz时,应采用的滤波电路是。()A.低通B.高通C.带通D.带阻答案:B13.如图所示电路中,当二极管的输入电压Ua=Ub=5V时,输出Uo的值为:。()A.-5VB.C.D.答案:C14.差分放大电路共模抑制比的大小反映了_。()A.共模增益的大小B.差模增益的大小C.抑制零漂的能力D.带负载能力答案:C15.共射极放大电路的输出电压与输入电压的相位是:。()A.同相B.反相C.相差90D.不确定,需要通过实际计算才得到答案:B16.RC桥式振荡电路的选频网络中,C=680pF,R可在23到47间进行调节,则振荡频率的变化范围为
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