半导体物理学课后习题第五章第六章答案(10页).doc

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1、-第五章习题 1. 在一个n型半导体样品中，过剩空穴浓度为1013cm-3, 空穴的寿命为100us。计算空穴的复合率。2. 用强光照射n型样品，假定光被均匀地吸收，产生过剩载流子，产生率为,空穴寿命为t。 （1）写出光照下过剩载流子所满足的方程； （2）求出光照下达到稳定状态时的过载流子浓度。3. 有一块n型硅样品，寿命是1us，无光照时电阻率是10Wcm。今用光照射该样品，光被半导体均匀的吸收，电子-空穴对的产生率是1022cm-3s-1,试计算光照下样品的电阻率，并求电导中少数在流子的贡献占多大比例？ 4. 一块半导体材料的寿命t=10us，光照在材料中会产生非平衡载流子，试求光照突然停

2、止20us后，其中非平衡载流子将衰减到原来的百分之几？ 5. n型硅中，掺杂浓度ND=1016cm-3, 光注入的非平衡载流子浓度Dn=Dp=1014cm-3。计算无光照和有光照的电导率。 6. 画出p型半导体在光照（小注入）前后的能带图，标出原来的的费米能级和光照时的准费米能级。EcEiEvEcEFEiEvEFpEFn光照前光照后7. 掺施主浓度ND=1015cm-3的n型硅，由于光的照射产生了非平衡载流子Dn=Dp=1014cm-3。试计算这种情况下的准费米能级位置，并和原来的费米能级作比较。 8. 在一块p型半导体中，有一种复合-产生中心，小注入时，被这些中心俘获的电子发射回导带的过程和

3、它与空穴复合的过程具有相同的概率。试求这种复合-产生中心的能级位置，并说明它能否成为有效的复合中心？ 9. 把一种复合中心杂质掺入本征硅内，如果它的能级位置在禁带中央，试证明小注入时的寿命t=tn+tp。 10. 一块n 型硅内掺有1016cm-3的金原子 ，试求它在小注入时的寿命。若一块p型硅内也掺有1016cm-3的金原子，它在小注入时的寿命又是多少？ 11. 在下述条件下，是否有载流子的净复合或者净产生：（1）在载流子完全耗尽（即n, p都大大小于ni）半导体区域。（2）在只有少数载流子别耗尽（例如，pnni0 12. 在掺杂浓度ND=1016cm-3，少数载流子寿命为10us的n型硅中

4、，如果由于外界作用，少数载流子全部被清除，那么在这种情况下，电子-空穴对的产生率是多大？（Et=Ei）。 13. 室温下，p型半导体中的电子寿命为t=350us，电子的迁移率un=3600cm-2/(Vs)。试求电子的扩散长度。 14. 设空穴浓度是线性分布，在3us内浓度差为1015cm-3,up=400cm2/(Vs)。试计算空穴扩散电流密度。 15. 在电阻率为1Wcm的p型硅半导体区域中，掺金浓度Nt=1015cm-3,由边界稳定注入的电子浓度（Dn）0=1010cm-3,试求边界 处电子扩散电流。 16. 一块电阻率为3Wcm的n型硅样品，空穴寿命tp=5us,在其平面形的表面处有稳

5、定的空穴注入，过剩浓度（Dp）=1013cm-3。计算从这个表面扩散进入半导体内部的空穴电流密度，以及在离表面多远处过剩空穴浓度等于1012cm-3？ 17. 光照1Wcm的n型硅样品，均匀产生非平衡载流子，电子-空穴对产生率为1017cm-3s-1。设样品的寿命为10us ，表面符合速度为100cm/s。试计算：（1）单位时间单位表面积在表面复合的空穴数。（2）单位时间单位表面积在离表面三个扩散长度中体积内复合的空穴数。 18. 一块掺杂施主浓度为21016cm-3的硅片，在920oC下掺金到饱和浓度，然后经氧化等处理，最后此硅片的表面复合中心1010cm-2。计算体寿命，扩散长度和表面复合速度。如果用光照射硅片并被样品均匀吸收，电子-空穴对的产生率是1017cm-3s-1，试求表面的空穴浓度以及流向表面的空穴流密度是多少？第六章是南开微电的吧？别费劲了，没有，哈哈-第 10 页-