CIGS薄膜太阳能电池及其制备方法.docx

《CIGS薄膜太阳能电池及其制备方法.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《CIGS薄膜太阳能电池及其制备方法.docx（14页珍藏版）》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。

1、学校代码 10126学号00809049分类号 TM914密级本科期末论文（设计）CIGS薄膜太阳能电池及其制备方法学院、系：物理科学与技术学院专业名称：电子科学与技术年 级： 08级学生姓名：田常浩指导教师： 王延来2011年09月01日内蒙古大学期末论文（设计）采用磁控溅射的主要原因，是采用永久磁铁在阴极靶面形成环形（现在也有常用的 矩形靶）磁场区（一般称为跑道），磁力线由跑道的内环（或外环）指向外环（或内环），横贯 整个跑道。在跑道中央位置，对应于平行靶面的磁场分量最强区域，所以大量电子被约 束在溅射靶外表，使它们沿跑道做转圈的摆线周期运动，形成连续的闭合轨迹，使电子 与原子之间的碰撞几

2、率显著增加，最终提高了薄膜制备速率。在溅射制备薄膜的过程中，还包括了一些其它的物理和化学过程。所以整个磁控溅 射过程中影响的因素有很多，研究制备薄膜的主要工艺方法，就是主要通过改变包括溅 射气氛气压、溅射功率和衬底温度等条件来实现制备薄膜的技术要求经过几十年的发 展，磁控溅射镀膜技术已经开展得比拟成熟。其优点主要表现在以下几个方面:通过控 制溅射功率，可以实现溅射速率控制，多靶共溅时也就可以控制薄膜的成分，成分比例; 由于溅射比蒸发出的粒子具有更强的动能，制备的薄膜更加致密，其层间附着力是蒸镀 法所得薄膜的数倍;材料的利用率更高，溅射靶材可连续使用较长时间，原料也就不需 要经常增添，生产效率比

3、拟高;溅射的方向性更好，在不需要溅射薄膜的地方可以采用 屏蔽的方法遮挡，减少对真空室的污染;溅射沉积的薄膜成分分布均匀性好，有利于制 备大面积电池。从制备的过程来看，可以使用单靶磁控溅射制备成分单一的薄膜，可以采用多靶磁图4. 1.1 3靶磁控溅射系统控制备多层薄膜，也可以采用共溅射的方法，制备多组分，成分均匀的薄膜。根据溅射 材料的性质，可以分别采用直流磁控溅射，也可以采用射频磁控溅射（适合导电性不好内蒙古大学期末论文（设计）内蒙古大学期末论文（设计）的陶瓷材料）。4、主要制备设备简介4.1 三靶磁控溅射系统热儡规出气孔Hl?sputtering chamber分子爰图磁控溅射系统示意图根据

4、制备CIGS薄膜太阳能材料，多成分、化学计量比要求高的特点，本研究采用 一个三靶磁控共溅射系统，磁控溅射镀膜系统实物图如下图。它设计有三个靶, 靶的角度可调节，可以实现三靶的共聚焦。为了 更清楚地介绍该设备的特点，如图给出3 靶磁控溅射实物图相对应的系统示意图。在溅射 腔室中，在120角度间隔范围内，同时安装了三 个靶的支座，靶的角度可以调节，可以实现3靶 的共聚焦。三靶共溅射可以满足生长多元化合物 薄膜，也可以完成不同材料薄膜的顺序生长。如 示意图所示，在基座的上方，安装有加热电阻丝 可以用来加热衬底。使得薄膜在设定的温度下沉 积生长，检测温度的热偶规安装在衬底基座旁边， 用来监测溅射时衬底

5、温度的变化，精度可以控制 在士 5o为了测量反响腔的真空度，分别安装 了低真空规和电离规，用来检测溅射腔体的极限 真空和溅射时的工作气压。用机械泵和分子泵对腔体进行抽真空，使得反响腔体能到达 一定的真空度，还防止了扩散泵常出现的油污染。为了防止靶材料之间的污染，在三个 靶支座的上方分别安装了一个挡板，阻挡溅射时其它靶材粒子在另外靶材外表的沉积而 造成的交叉污染。另一个作用，是在制备薄膜前，用于靶材的预清洗。根据制备材料的 要求，三个靶均可采用直流或射频磁控溅射。为了保证溅射制备薄膜的均匀性，基座可 以匀速旋转，速度可以调节，每分钟可以到达20转以上。溅射制备薄膜材料时，主要 是通过改变工作气压

6、、溅射功率、衬底温度、气体流量等工艺参数，以制备符合工艺要 求的薄膜材料。4.2 硒化装置内蒙古大学期末论文（设计）在制备CIGS薄膜太阳能电池过程中，最主要的是制备吸收层材料，对溅射后硒化 工艺，硒化过程是最重要的工艺过程之一。只有很好的控制硒化温度、气氛蒸气压和反 应时间，才一能制备出晶粒大小均匀、致密的吸收层材料。硒化装置采用如图2. 4. 3的 加热系统，在该装置中，在石英管周围有一组用红外灯来加温的温控系统，温度有热偶 规控制，误差可以控制在5以内。同时，该设备安装有自动升降系统，可以实现样图2. 4. 3硒化装置品盒的升降，可以在温度到达设定值后，将样品升至保温区，也就满足了工艺中

7、快速升 降温度的要求。样品盒是石墨材料制备，导热性能好，材料本身不会对样品造成污染。该设备同时配有机械泵抽真空系统，可以到达IPa以下的极限真空。配有Ar和Hz两 路气体，流量可控，可以实现硒化前腔室的清洗，和硒化过程的保护。4.3 化学水浴(Chemical bath deposition: CBD)装置制备缓冲层主要是采用化学水浴 法，将不同浓度的几种化学溶液混合 存放在玻璃器皿中，同时将该反响器 皿放置在保持一定温度的水浴槽中。 反响过程生成的物质可以是其它的制备缓冲层主要是采用化学水浴 法，将不同浓度的几种化学溶液混合 存放在玻璃器皿中，同时将该反响器 皿放置在保持一定温度的水浴槽中。

8、 反响过程生成的物质可以是其它的MS溶液，也可以生成需要的沉淀物质。匚同时为了使反响充分完全，一般需要涧对反响混合溶液进行充分搅拌，搅拌/ 温度传感器（温度计）/ /反响池图2.4. 4化学水浴装置第10页第10页内蒙古大学期末论文（设计）可以使用磁力搅拌，也可以采用（或者混合采用）机械搅拌、超声波、摆动等方式。该研究采用的化学水浴实验装置如下图。此装置配置有磁力搅拌器，对反 应溶液进行磁力搅拌，实验研究发现，单纯的磁力搅拌，很难制备大面积的薄膜材料， 需要进行辅助机械搅拌。本实验装置采用电加热管对水进行加热，并装有温度传感器进 行水温反响控制，保证反响在一定的温度下进行。研究发现，制备过程温

9、度的精确控制, 是制备高性能过渡层的关键因素。第11页内蒙古大学期末论文（设计）参考文献1熊绍珍 朱美芳主编.太阳能电池基础与应用.科学出版社.日滨川圭弘编著 张红梅 崔晓华 译.太阳能光伏电池及其应用.科学出版社.目录1、CIGS电池的结构 12、CIGS电池制作方法比拟 22. 1几种真空方法 32. 2共蒸发方法 42. 3溅射后硒化方法53、磁控溅射物理知识64、主要制备设备简介84. 1三靶磁控溅射系统 84. 2硒化装置 84. 3化学水浴装置 9参考文献11内蒙古大学期末论文（设计）CIGS薄膜太阳能电池及其制备方法摘要： 铜锢硒薄膜太阳电池是以多晶CuInSe2（CIS）半导体

10、薄膜为吸收层的太阳 电池，金属钱元素局部取代锢，又称铜锢钱硒（CIGS）薄膜太阳电池。CIGS材料属于 族四元化合物半导体，具有黄铜矿的晶体结构。CIGS薄膜太阳电池自20世纪 70年代出现以来，得到非常迅速的开展，目前已经成为国际光伏界的研究热点，并逐 步实现产业化。关键字: CIGS薄膜太阳电池,CIGS结构，CIGS制备方法图2.1.1 CIGS薄膜太阳能电池层状结构最早是用n型半导体CdS作窗口层，其禁带宽度内蒙古大学期末论文(设计)引言：近年来，光伏工业呈现加速开展的趋势，开展的特点是:产量增加，转化效 率提高，本钱降低，应用领域不断扩大。与十年前相比，太阳能电池价格大幅度降低。 可

11、以预料，随着技术的进步和市场的拓展，光电池本钱及售价将会大幅下降。2010年 以后，由于太阳能电池本钱的下降，可望使光伏技术进入大规模开展时期。随着技术的 进步，薄膜太阳能电池的开展将日新月异，在未来光伏市场的市场份额将逐步提高。作 为性能最好的薄膜太阳能电池，CIGS薄膜太阳能电池也将迎来快速开展时期。1、CIGS电池的结构铜锢稼硒(CIGS)薄膜太阳能电池，具有层状结构，吸收材料属于I -III-VI族化合物,其结构如下图。衬底一般 采用玻璃，也可以采用柔性薄膜衬 底。一般采用真空溅射、蒸发或者 其它非真空的方法，分别沉积多层 薄膜，形成P-N结构而构成光电转 换器件。从光入射层开始，各层

12、分 别为:金属栅状电极、减反射膜、窗 口层(ZnO)、过渡层(CdS)、光吸收 层(CIGS)、金属背电极(M。)、玻璃 衬底。经过近30年的研究，CIGS 太阳电池开展了很多不同结构。最 主要差异在于窗口材料的不同选择。为2.42eV, 一般通过掺入少量的ZnS,成为CdZnS材料，主要目的是增加带隙。但是, 锅是重金属元素，对环境有害，而且材料本身带隙偏窄。近年来的研究发现，窗口层改 用ZnO效果更好,ZnO带宽可到达3. 3eV , CdS的厚度降到只有约50nm,只作为过渡层。 为了增加光的入射率，最后在电池外表蒸发一层减反膜(一般采用MgFz),电池的效率 会得到1-2%的提高。现在

13、研究说明，衬底一般采用碱性钠钙玻璃(碱石灰玻璃)，主要是这种玻璃含有金 属钠离子。Na通过扩散可以进入电池的吸收层，这有助于薄膜晶粒的生长-3。Mo 作为电池的底电极要求具有比拟好的结晶度和低的外表电阻，制备过程中要考虑的另外内蒙古大学期末论文(设计)一个主要方面是电池的层间附着力，一般要求M。层具有鱼鳞状结构，以增加上下层之 间的接触面积;CIS/CIGS层作为光吸收层是电池的最关键局部，要求制备出的半导体薄 膜是p型的，且具有很好的黄铜矿结构，晶粒大、缺陷少是制备高效率电池的关键;CdS 作为缓冲层，不但能降低i-ZnO与P-CIS之间带隙的不连续性,而且可以解决CIS和ZnO 晶格不匹配

14、问题;n-ZnO(AZO)作为电池的上电极，要求具有低的外表电阻，好的可见光 透过率，与A1电极构成欧姆接触;防反射层MgFz可以降低光在接收面的反射，提高电 池的效率。i-ZnO和CdS层作为电池的n型层，同P型CIGS半导体薄膜构成p-n结。图2.L2 CuInSe?黄铜矿晶格结构吸收层CIGS(化学式Cu工nGaSe2)是薄膜电池的核心材料，属于正方晶系黄铜矿 结构(如图2. 1.2)。具有复式晶 格，晶格常数a=0.577nm, c=1.154nm。作为直接带隙半导 体，其光吸收系数高达105量 级(几种薄膜太阳能材料中较 高的)。禁带宽度在室温时是1. 04eV,电子迁移率和空穴迁移

15、 率分别为 3.2X102(cm2/V S) 和 1X10 (cm2/V S)o 现在真 空工艺制备的收层薄膜，一般 是多晶结构，其迁移率相对较 小，大约是0. 120 (cm2 / V S )空穴浓度在10i4cm-3 和4Xl()20cm-3之间,电子浓度 在5X l()i5cm-3至U 7X l()2()Cmi3范围。通过掺入适量的稼以替代局部In,形成CuInSe2 和CuInGaz的固熔晶体，表示为Cu(Ini-xGax)Se2 (简称CIGS)嫁的掺入会改变晶体的晶 格常数，改变了原子之间的作用力。最终实现了材料禁带宽度的改变，在L04L7eV 范围内可以根据设计调整，以到达最高的

16、转化效率。2、CIGS电池制作方法比拟CIGS薄膜太阳能电池的底电极Mo和上电极n-ZnO 一般采用磁控溅射的方法，工内蒙古大学期末论文（设计）艺路线比拟成熟。最关键的吸收层的制备有许多不同的方法，这些沉积制备方法包括: 蒸发法、溅射后硒化法、电化学沉积法、喷涂热解法和丝网印刷法等。现在研究最广泛、 制备出电池效率比拟高的是共蒸发和溅射后硒化法，被产业界广泛采用。后几种属于非 真空方法，实际利用还有很多技术问题要克服，下面分别论述。2.1 几种非真空方法2.1.1 电化学沉积法现在一般是在溶解有化合物成分的电解质水溶液中，插入两个相对的电极，加一定 电压后，在负极基板上沉积出化合物薄膜。原料主

17、要有氯化铜、三氯化锢、三氯化稼。 电解液一般是亚硒酸和络合剂柠檬酸钠的水溶液，在镀M。薄膜的钠钙玻璃衬底上，采 用恒电位电沉积方法制备出太阳能电池薄膜材料CIS和CIGS薄膜。电化学法是非常有 竞争力的方法之一，它的制备设备简单，对原料的纯度要求不高，对衬底的几何形状也 没有特殊的限制，制备过程是在非真空条件下，原料的利用率比拟高等等。这些优点， 促使其受到业界的重视。但是，该方法在制备材料过程中，薄膜的化学计量比非常难以 控制，大规模的商业利用还有很多技术问题需要克服。2.1.2 喷涂热解法通常把反响物以气溶胶（雾）的形式，一般是通过惰性气体引入反响腔中，在衬底上 沉积制备吸收层薄膜。衬底通

18、常要保持在高温状态，使化学原料发生裂解，形成薄膜。 制备CIGS薄膜通常是采用饱和的氯化铜，三氯化锢，三氯化稼和N-N二甲基硒胺水溶 液，使该混合物喷射到已加热衬底上，使之热解反响沉积成CIGS薄膜。2.1.3 丝网印刷法和上一种方法类似，将半导体组成元素的粉或盐类，做成糊状与烧结物一起和有机 溶剂混合。将制备的糊状物，用丝印的方法涂布在所需的衬底上，对衬底进行高温烧结, 使其中的有机物挥发掉。现在开展的喷墨打印、流延方法等都属于此类的非真空方法。 其最大的优点是材料利用率高，设备简单。技术瓶颈是制备符合元素化学计量比的CIGS 薄膜比拟困难，并且容易出现二元或一元杂相，导致电池效率一般比拟低

19、。其溶剂一般 需要具有化学挥发特性，对环境会造成一定的危害，需要增加环保设施。其制备薄膜的 外表平整度，也是一个需要克服的技术问题。内蒙古大学期末论文（设计）2.2 共蒸发方法共蒸发方法是研究最深入的方法，在实验室里制备小面积的CIGS薄膜太阳电池， 沉积的CIGS薄膜质量明显高于其它技术手段，电池效率较高，现在报道的最高转化效 率达19. 99%电池的CIGS层就是共蒸发法制备的。现在一般采用的是美国可再生能源实验室（NREL）开发的三步共蒸发工艺沉积方 法。（1）衬底温度保持在约350左右，真空蒸发In, Ga, Se三种元素，首先制备形成（In, Ga） Se预置层。（2）将衬底温度提高

20、到550-580，共蒸发Cu, Se,形成外表富Cu的CIGS 薄膜。（3）保持第二步的衬底温度不变，在富Cu的薄膜外表再根据需要补充蒸发适量的 In, Ga, Se,最终得到成分为的薄膜。三步法与其它制备工艺相比，沉积 得到的CIGS薄膜，具有更加平整的外表，薄膜的内部非常致密均匀。从而减少了 CIGS 层的粗糙度，这就可以改善CIGS层与缓冲层的接触界面，在减少漏电流的情况下，提 高了内建电场，同时也消除了载流子的复合中心。三步法中的富铜过程，主要是为了增 加薄膜晶粒的大小，大的晶粒就意味着少的晶界，最后降低了载流子的复合。从生长机 理分析，主要是利用液相Cu2-xSe的作用，使CIGS晶

21、粒重结晶，从而形成CIGS大晶粒。 三步法的另一个优点，是能够得到有利于器件提高短路电流和开路电压的Ga梯度曲线 （中间低）。Ga含量在M。电极接触侧更高，这种Ga分布有利于载流子向空间电荷区输 运，同时减少其在M。背接触电极区域的复合，最终提高电池的开路电压。另一方面， 薄膜前部Ga的梯度变化，主要是增加带隙宽度，提高器件在长波波段区域的量子效率, 也就提高了电池的短路电流。在蒸发工艺中，影响薄膜性能的因素有很多。制备的主要工艺参数主要包括：工作 气压、衬底温度、硒源温度、沉积速率等等。要制备出高效率的太阳能电池器件，就必 须制备高纯度的吸收层薄膜，薄膜的晶粒尽量大，外表平整，同时要保证严格

22、的成分比 例。硒源温度影响薄膜的组分，同时也会影响薄膜的均匀性和致密性。衬底温度高低不 同，会直接影响外表沉积原子的运动，反蒸发和结晶过程。适中的衬底温度，有利于形 成平整的薄膜外表。沉积速率过高，原子来不及通过热运动到达晶格位置，可能引起空 位或者结构的缺陷，结晶特性相对较差，最后导致电池效率较低。共蒸发法制备吸收材料的光电性能优良，用这种方法制备的小面积电池的转换效率 高达19. 99%,保持着薄膜太阳能电池的世界纪录。我国南开大学光电子研究所用此方内蒙古大学期末论文（设计）法制备的小面积电池效率为12. 1%。但是，这种方法有几个致命的缺点，就是蒸发法对 设备要求严格、大面积制备困难、材

23、料利用率偏低。就目前的设备可靠性和制备的工艺 水平来看，很难保证大面积条件下多种元素化学计量比的均匀一致性，所以限制了其商 业上的大规模应用。2.3 溅射后硒化方法溅射硒化法是目前国际上普遍采用的方法。由于可以在大面积玻璃上溅射金属合金 层，成份可以精确控制;后硒化材料可以采用固态的硒源，防止了剧毒的HrSe气体，制 备的薄膜性能优良，大面积电池组件的效率可以到达13-15%,非常适合大面积开发。 现在已经成为国际上普遍接受的产业化方法。磁控溅射法制备金属预制层的基本原理可以归纳如下:溅射时通入少量惰性气体（氢 气），利用气体辉光放电产生氢离子Ar+Ar+在电场的加速作用下，离子能量得到提高，

24、 加速飞向金属靶材，高能量离子轰击靶外表，溅射出Cu、In、Ga离子。溅射出的粒子 沉积在基片外表，基片是在玻璃上沉积Mo形成的底电极，这样就形成铜锢嫁（CIG）金 属预制层。经过多年的开展，磁控溅射技术已经比拟成熟，其工艺参数容易控制。通常是通过 控制工作气压、溅射功率、Ar气流量、溅射顺序等参数，就可以制备出成分均匀、表 面平整的CIG金属预置层，薄膜的成分控制比蒸发法要容易得多。制备出的CIG薄膜 比拟致密，大面积均匀性好，成分可以精确控制。溅射法沉积速率高，材料利用率比拟 高。后硒化法最关键的一步，是对制备的金属预制层进行高温硒化，形成CIGS吸收层。 现在研究较多的硒化方法，主要是在

25、真空或氢气环境下使Se在高温条件下蒸发，产生 Se蒸汽，使其和预制膜反响。这一方式可防止使用剧毒的H?Se气体，因此操作更加安 全，设备也相对简单。溅射后硒化方法，已经在大面积制备CIGS电池方面表现出了明显的优势。成膜速 度高，制备的薄膜附着力好，成分容易控制，外表比拟平整。Wurth Solar和Showa shell 制备的120X60cm2的组件效率超过12%o本试验就是采用该方法进行CIGS大面积电 池的工艺研究。内蒙古大学期末论文（设计）3、磁控溅射物理知识在上世纪60年代，D.M. Mattox提出了离子镀膜技术，并于1967年申请了美国专 利。1969年，美国的IBM公司，研制

26、成功磁控溅射镀膜技术。这两种技术与蒸镀方法, 构成了现在广泛使用的物理方法制备薄膜（PVD）的三大系列。进入70年代，随着真空技术的开展，PVD和CVD技术迅速崛起，使得外表镀膜技 术快速开展。美国加州大学的Bunshan创造了溅射技术，一年之后，日本的小宫泽冶将 空心阴极放电技术用于离子镀膜，这就是目前广泛使用的空心阴极离子镀膜技术。在这 之后，科研人员又相继推出了磁控溅射镀膜技术、活性反响离子镀膜技术、离子束镀膜 技术等等。随着技术的开展，二极、三极、磁控和射频溅射等技术先后出现。磁控溅射 技术，主要是利用高速运动的等离子体，轰击制备材料制成的靶外表，把靶材中的粒子 轰击出来，粒子沉积在衬

27、底上制成薄膜。特别适用于制备生长熔点和蒸气压相差悬殊的图2.3. 1靶外表电子在磁控溅射装置中的运动轨迹图2.3. 1靶外表电子在磁控溅射装置中的运动轨迹元素所构成的化合物合 金薄膜。磁控溅射就是在 阴极外表电压位降区，通 过安装永久磁铁的方式, 再施加一个和电场垂直 的磁场，电子的运动就受 到电场和磁场的共同作 用，产生回旋运动，其轨 迹是一圆滚线，如图 由于离子在外表做往复运动，增加了电离碰撞的次数，这样惰性气体原子可以在一个比拟低的溅射电压和 低的工作气压下维持放电，产生的离子高速轰击靶材，在基片上生长薄膜。射频磁控溅射技术，是在被溅射的靶材（阴极）与阳极之间加一个与磁场正交的交变 电场（频率一般是13.56MHz）,在溅射室内充有一定的惰性气体（如Ar气），通过射频放 电产生低温等离子体。等离子体中产生的离子,在电场的作用下加速成能量很高的离子。 这些高能离子撞击靶材外表，与靶材外表的原子或分子进行能量或动量的交换，把靶粒 子轰击脱离靶外表，飞向衬底沉积成膜。