光电检测技术基础.ppt

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1、现在学习的是第1页，共68页本章内容检测技术的基本概念、方法和发展趋势 误差的概念以及类型能带理论、载流子及其运动各类光电效应本章重点u检测技术的基本概念和方法 u能带理论、载流子及其运动u各类光电效应本章难点载流子及其运动现在学习的是第2页，共68页静态静态测量测量 现在学习的是第3页，共68页 最高、最低最高、最低温度计温度计现在学习的是第4页，共68页地震测量地震测量振动波形振动波形现在学习的是第5页，共68页 可以显示波形可以显示波形的便携式仪表的便携式仪表现在学习的是第6页，共68页电子卡尺电子卡尺现在学习的是第7页，共68页 对多个被测量进行测量，经过计算求对多个被测量进行测量，经

2、过计算求得被测量（阿基米德测量皇冠的比重）。得被测量（阿基米德测量皇冠的比重）。 现在学习的是第8页，共68页现在学习的是第9页，共68页车载电子警察车载电子警察现在学习的是第10页，共68页产品质量检验产品质量检验现在学习的是第11页，共68页 在流水线上，边加工，边检验，在流水线上，边加工，边检验，可提高产品的一致性和加工精度。可提高产品的一致性和加工精度。现在学习的是第12页，共68页绝对误差：绝对误差： = =A Ax x0 0 某采购员分别在三家商店购买某采购员分别在三家商店购买100kg大米、大米、10kg苹果、苹果、1kg巧克力，发现均缺少约巧克力，发现均缺少约0.5kg，但该采

3、购员对卖巧克力的商店意见最大，是何但该采购员对卖巧克力的商店意见最大，是何原因？原因？ (1-1)其中Ax为测量值，A0为真实值。现在学习的是第13页，共68页几个重要公式：几个重要公式：100% 1-2xxAmm100% 1-3 A引用（满度）相对误差示值（标称）相对误差其中Am为仪器的满度值。现在学习的是第14页，共68页 例：某指针式电压表的精度为例：某指针式电压表的精度为2.52.5级，用它来测量电压时可能产生级，用它来测量电压时可能产生的满度相对误差为的满度相对误差为2.5% 2.5% 。mm100 1-4 SA为了确定仪表的准确度，常用（14）来表示其等级S。其中m为最大绝对误差值

4、。现在学习的是第15页，共68页现在学习的是第16页，共68页现在学习的是第17页，共68页 明显偏离真值的误差称为粗大误差，也叫过失明显偏离真值的误差称为粗大误差，也叫过失误差。粗大误差主要是由于测量人员的粗心大意及误差。粗大误差主要是由于测量人员的粗心大意及电子测量仪器受到突然而强大的干扰所引起的。如电子测量仪器受到突然而强大的干扰所引起的。如测错、读错、记错、外界过电压尖峰干扰等造成的测错、读错、记错、外界过电压尖峰干扰等造成的误差。就数值大小而言，粗大误差明显超过正常条误差。就数值大小而言，粗大误差明显超过正常条件下的误差。当发现粗大误差时，应予以剔除。件下的误差。当发现粗大误差时，应

5、予以剔除。 现在学习的是第18页，共68页现在学习的是第19页，共68页夏天摆钟变慢的夏天摆钟变慢的原因是什么？原因是什么？ 系统误差也称装置误差，它反系统误差也称装置误差，它反映了测量值偏离真值的程度。凡误映了测量值偏离真值的程度。凡误差的数值固定或按一定规律变化者，差的数值固定或按一定规律变化者，均属于系统误差。均属于系统误差。 系统误差是有规律性的，因此系统误差是有规律性的，因此可以通过实验的方法或引入修正值可以通过实验的方法或引入修正值的方法计算修正，也可以重新调整的方法计算修正，也可以重新调整测量仪表的有关部件予以消除。测量仪表的有关部件予以消除。 现在学习的是第20页，共68页 在

6、同一条件下，多次测量同一被测量，有时在同一条件下，多次测量同一被测量，有时会发现测量值时大时小，误差的绝对值及正、负以会发现测量值时大时小，误差的绝对值及正、负以不可预见的方式变化，该误差称为随机误差，也称不可预见的方式变化，该误差称为随机误差，也称偶然误差，它反映了测量值离散性的大小。随机误偶然误差，它反映了测量值离散性的大小。随机误差是测量过程中许多独立的、微小的、偶然的因素差是测量过程中许多独立的、微小的、偶然的因素引起的综合结果。引起的综合结果。 存在随机误差的测量结果中，虽然单个测量值存在随机误差的测量结果中，虽然单个测量值误差的出现是随机的，既不能用实验的方法消除，误差的出现是随机

7、的，既不能用实验的方法消除，也不能修正，但是就误差的整体而言，多数随机误也不能修正，但是就误差的整体而言，多数随机误差都服从正态分布规律。差都服从正态分布规律。 现在学习的是第21页，共68页长度相对测量值长度相对测量值次次数数统统计计现在学习的是第22页，共68页彩票摇奖彩票摇奖现在学习的是第23页，共68页 由心电图仪放大器由心电图仪放大器带宽不够引起的动带宽不够引起的动态误差态误差 当被测量随时间迅速变化时，当被测量随时间迅速变化时，系统的输出量在时间上不能与被系统的输出量在时间上不能与被测量的变化精确吻合，这种误差测量的变化精确吻合，这种误差称为动态误差。称为动态误差。 现在学习的是第

8、24页，共68页 1.1.不断提高检测系统的测量精度、量程范围、延长使用不断提高检测系统的测量精度、量程范围、延长使用寿命、提高可靠性：寿命、提高可靠性： 随着科学技术的不断发随着科学技术的不断发 展，人们对检测系统的测展，人们对检测系统的测量精度要求也相应地在提高。近年来，人们研制出许量精度要求也相应地在提高。近年来，人们研制出许多高精度和宽量程的检测仪器以满足各种需要。人们多高精度和宽量程的检测仪器以满足各种需要。人们还对传感器的可靠性和故障率的数学模型进行了大量还对传感器的可靠性和故障率的数学模型进行了大量的研究，使得检测系统的可靠性及寿命大幅度的提高。的研究，使得检测系统的可靠性及寿命

9、大幅度的提高。现在，许多检测系统可以在极其恶劣的环境下连续工现在，许多检测系统可以在极其恶劣的环境下连续工作数十万小时。目前，人们正在不断努力进一步提高作数十万小时。目前，人们正在不断努力进一步提高检测系统的各项性能指标。检测系统的各项性能指标。现在学习的是第25页，共68页 数字电压、欧姆表数字电压、欧姆表 将量程将量程切换到切换到2V2V时，时，最小显示值最小显示值为为1V1V现在学习的是第26页，共68页承受剧烈振动承受剧烈振动现在学习的是第27页，共68页月球车月球车现在学习的是第28页，共68页火星车火星车现在学习的是第29页，共68页“惠更斯惠更斯”号登陆土卫六的号登陆土卫六的效果

10、图效果图土卫六表面土卫六表面现在学习的是第30页，共68页安全检查安全检查现在学习的是第31页，共68页可拍照可拍照的手机的手机现在学习的是第32页，共68页面部面部 识识别技术别技术现在学习的是第33页，共68页单片机芯片单片机芯片现在学习的是第34页，共68页现在学习的是第35页，共68页 导体 半导体 绝缘体106 cm103 1012以电阻率界限定义铜，银等硅，锗等硫化镉云母，琥珀现在学习的是第36页，共68页纯硅在室温下的电导率为51061cm-1，当掺入硅原子数的百万分之一的杂质时，电导率却上升至2-1cm-1，几乎增加了一百万倍。沉积在绝缘板上的硫化镉层不受光照时的阻抗可高达几十

11、甚至几百兆欧，但一旦受到光照，电阻就会下降到几十千欧。现在学习的是第37页，共68页1、电子运动的三个特点：1）具有稳定的运动状态（量子态），每一个量子态所确定的能量称为能级。越外层能量越高；2）严格讲原子中没有完全确定的轨道；3）泡利不相容原理：每一个能级中，最多容纳两个自旋方向相反的电子。现在学习的是第38页，共68页 1）原子以一定的周期重复排列所构成的物体称为晶体； 2）晶体中的不同原子的电子轨道发生不同程度的交迭，使原来隶属于某一原子的电子，不再是此原子私有，而是在整个晶体中运动，成为整个晶体所共有，这种现象称作电子的共有化； 3）电子的共有化只发生在能量相同的量子态之间。现在学习的

12、是第39页，共68页 1)能量区域中密集的能级形象称为能带； 2）能量最高的价电子填满的能带称为价带； 3）能量最低的能带为导带，中间为禁带； 4）绝缘体、半导体、导体的能带情况。（见电子版22页）现在学习的是第40页，共68页现在学习的是第41页，共68页（5）载流子：电子空穴都能导电，我们通）载流子：电子空穴都能导电，我们通称他们为载流子。在称他们为载流子。在N型半导体中，一般把型半导体中，一般把电子称为多数载流子，而在电子称为多数载流子，而在P型半导体中，型半导体中，空穴自然称为多数载流子；空穴自然称为多数载流子；（6）在晶体中掺杂的杂质，如杂质本身为正）在晶体中掺杂的杂质，如杂质本身为

13、正电中心，施予电子，我们称之为施主杂质，电中心，施予电子，我们称之为施主杂质，而被束缚于施主上的电子的能量状态称为而被束缚于施主上的电子的能量状态称为施主能级；如杂质本身是负电中心，接受施主能级；如杂质本身是负电中心，接受电子，我们称之为受主杂质，受主的空能电子，我们称之为受主杂质，受主的空能量状态称为受主能级。量状态称为受主能级。现在学习的是第42页，共68页（1）费米能级EF其中， (电子占据某一能量状态E的几率)(EfkTEEFeEf11)()(EfE=EF时， 1/2EEF时， 1/2E1/2)(Ef)(Ef玻耳兹曼常数现在学习的是第43页，共68页 EFD EDEAEFA 导带 价带

14、E-EFE+ 本征半导体 N型半导体 P型半导体施主能级受主能级禁带宽度EgE - - E+导带底价带顶现在学习的是第44页，共68页（1）定义：在外界作用下，电子空穴的产生率大于复合率，导致载流子数目增加，这种增加的电子空穴称为非平衡载流子。（2）寿命：复合率=n/，式中,，为常数，称为非平衡载流子的寿命。其物理意义：（1）标志着非平衡载流子复合的快慢；（2）非平衡载流子的浓度衰减到原来的1/e所需的时间；（3）非平衡载流子的平均存在时间。（3）复合：（1）直接复合：导带电子直接落在价带空穴的位置上而与空穴结合失去其自由态的过程。（2）间接复合：导带电子通过复合中心（由于半导体中晶体结构的不

15、完整性和杂质的存在，在禁带内存在一些深能级，这些能级能俘获自由电子与自由空穴，从而使它们复合，这种深能级称为复合中心）与价带上的空穴复合。（4）陷阱效应：杂质能级积累非平衡载流子的作用。现在学习的是第45页，共68页六、半导体对光的吸收1、本征吸收：由于光子的作用使电子由价带跃迁到导带引起的吸收（本征激发所对应的吸收） ；其长波限o=1.24/Eg(m)。2、杂质吸收：杂质能级中的电子与空穴吸收光子；其长波限o=1.24/Ei(m)。3、自由载流子吸收：自由载流子在同一能带内不同能级之间的跃迁引起的吸收；杂质的电离能现在学习的是第46页，共68页4、激子吸收：电子在价带中空穴库仑场的束缚下运动

16、，形成可动的电子空穴对，称为激子。价带中的电子吸收光子而形成激子叫做激子吸收；5、晶格吸收：光子直接转变成晶格原子的振动。现在学习的是第47页，共68页（一）热平衡下的PN结（二）非平衡下的PN结其能带图见图1，另综合前边知识可得式（1），（2）。PN结的电流大小，即PN结的伏安特性公式（分析PN结器件的最基本公式）：) 1(kTqVoeII（1）现在学习的是第48页，共68页 电子扩散区 势垒区 空穴扩散区npn=no+np=po+pxxP区N区E_E_E+E+EFPEFnqVEF-EF+图1：正向PN结能带图现在学习的是第49页，共68页kTqVienpn2（2）1、当V=0时，即平衡态，

17、ooipnnnp22、当V0时，即在PN结上加正向电压，此时22ikTqVinenpn，这说明载流子浓度增加，增加的载流子形成结的正向电流。3、当V0时，即在PN结上加反向电压，此时22ikTqVinenpn，这说明载流子浓度减少，减少的载流子形成结的反向电流。式中，FFEEqV，EF-EF+分别表示在非平衡状态下的电子与空穴的费米能级，称为准费米能级。现在学习的是第50页，共68页1、由两种不同质的半导体材料接触而组成的结。这种结构不仅改变了半导体的禁带宽度，其他诸如能带结构，迁移率等也发生了变化，电流电压特性；2、对于金属、绝缘体与半导体也可构成异质结。如Ge-GaAs，ZnS-Pt等。现

18、在学习的是第51页，共68页3、安徒生模型（1）构成异质结的两种材料晶格完全匹配；（2）不同的禁带宽度，介电常数，功函数和电子亲和能等。通过以上假设可简化为同质结理论来讨论异质结。4、晶格失配系数：如小于0.01，则可视为晶格匹配异质结。12122 aaaa现在学习的是第52页，共68页（1）阻挡接触：金属与N型半导体接触，金属的费米能级低于半导体的费米能级，接触后电子由半导体注入金属，形成肖特基势垒。（2）注入接触：a、金属与N型半导体接触，金属的费米能级高于半导体的费米能级，接触后电子由金属注入半导体，形成一个由电子构成的负空间电荷区。b、金属与P型半导体接触，金属的费米能级低于半导体的费

19、米能级，接触后电子由半导体注入金属，形成一个由空穴构成的正空间电荷区。（3）欧姆接触：若金属与半导体的费米能级相同，接触后没有电荷转移，接触区无电场。加上外电场时，V-I关系服从欧姆定律，这样的接触称为欧姆接触。现在学习的是第53页，共68页一、定义因光照而引起物体电学特性的改变称为光电效应。二、类型（1）外光电效应（光电发射效应）：物质受到光照后向外发射电子的现象，其多发生于金属金属氧化物。（2）物质受到光照后所产生的光电子只在物质内部运动而不会逸出物质外部的现象，其多发生于半导体内。又可分为光电导效应光生伏特效应。现在学习的是第54页，共68页1、过程（1）电子吸收光子以后产生激发，即得到

20、能量；（2）得到光子能量的电子（受激电子）从发射体内向真空界面运动（电子传输）；（3）这种受激电子越过表面势垒向真空逸出。现在学习的是第55页，共68页现在学习的是第56页，共68页 斯托列托夫定律（光电发射第一定律）当入射光线的频谱成分不变时（同一波长的单色光或者相同频谱成分的光线），光电阴极的饱和光电发射电流Ik与被阴极所吸收的光通量 （标度可见光对人眼的视觉刺激程度的量称） 成正比。即 kkkkSI表征光电发射灵敏度的稀疏（3）现在学习的是第57页，共68页 爱因斯坦定律（光电发射第二定律）发射出光电子的最大动能随入射光频率的增高而线性增大，而与入射光的光强无关，即光电子发射的能量关系符

21、合爱因斯坦公式：（4） 光电发射的瞬时性光电发射的延迟时间不超过 s的数量级。oevmhmax221光电阴极的逸出功13103现在学习的是第58页，共68页 光电发射的红限在入射光线频谱范围内，光电阴极存在临界波长，当光波波长等于这个临界波长时，电子刚刚能从阴极逸出。这个波长通常称为光电发射的“红限”。（5）380nm 3.2ev780nm 1.6evoo24. 1现在学习的是第59页，共68页1、定义：半导体受光照射后，其内部产生光生载流子，使半导体中载流子数显著增加而电阻减小的现象。本征半导体杂质半导体都能产生光电导效应，当光子能量大时，易于发生本征光电导；当光子能量小时，易于发生杂质光电

22、导。原因？见课本第15页现在学习的是第60页，共68页2、相关参数（1）光电导体的灵敏度表示在一定光强下光电导的强弱。一般用光电增益G来表示。2lUG（6）为量子产额，即吸收一个光子所产生的电子空穴对数；为光生载流子寿命；为迁移率；U为外加电源电压；l为光电导体两极间距。现在学习的是第61页，共68页（2）光电导的弛豫表征了光电导对光强变化反应的快慢。光电导上升或下降的时间称为弛豫时间；时间长，则惯性大，反之，则惯性小。光电导相对值（）时间直线性光电导上升下降时对称的， 往往定义为弛豫时间；显然直线性光电导的弛豫时间与光强无关。现在学习的是第62页，共68页光电导的相对值（）上升下降抛物线性光

23、电导的弛豫时间与光强有关；光强愈高，弛豫时间愈短。时间现在学习的是第63页，共68页（3）光电导的光谱分布“等量子”曲线：曲线所绘出的光电导是自相同光子流（光能量流）之下测量的结果。相对灵敏度（）光子能量波长本征半导体光谱分布曲线ZnSSiGe每一曲线都有一个峰值，光谱分布存在一长波限。现在学习的是第64页，共68页P型Ge:AuP型Ge:Au:AsN型Ge:Au:As相对光响应光子能量杂质光电导的光谱响应波长比本征光电导的要长。？杂质光电导的光谱响应曲线现在学习的是第65页，共68页1、定义它是把光能转化为电能的一种效应，是光照使不均匀半导体或均匀半导体中光生电子空穴在空间分开而产生电位差的现象。现在学习的是第66页，共68页 势垒效应在不均匀半导体中，由于同质的半导体不同的掺杂形成的PN结，不同质的半导体组成的异质结或金属与半导体接触形成的肖特基势垒都存在内建电场。当光照这种半导体时，由于半导体对光的吸收而产生了光生电子空穴，它们在内建电场的作用下就会向相反的方向移动集聚而产生电位差。现在学习的是第67页，共68页感谢大家观看8/21/2022现在学习的是第68页，共68页