铁岭碳化硅器件项目可行性研究报告(模板).docx
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1、泓域咨询/铁岭碳化硅器件项目可行性研究报告铁岭碳化硅器件项目可行性研究报告xx集团有限公司目录第一章 建设单位基本情况10一、 公司基本信息10二、 公司简介10三、 公司竞争优势11四、 公司主要财务数据13公司合并资产负债表主要数据13公司合并利润表主要数据13五、 核心人员介绍14六、 经营宗旨15七、 公司发展规划15第二章 项目背景及必要性17一、 主逆变器:800V系统下SiCMOSFET大显身手,降低主逆变器损耗及体积17二、 新能源汽车:800V架构下的甜蜜时刻,SiC渗透的核心驱动力18三、 新能源车充电及里程焦虑凸显,800V架构时代来临19四、 构筑具有区域特色的创新体系
2、20第三章 绪论23一、 项目名称及建设性质23二、 项目承办单位23三、 项目定位及建设理由25四、 报告编制说明26五、 项目建设选址29六、 项目生产规模29七、 建筑物建设规模29八、 环境影响29九、 项目总投资及资金构成29十、 资金筹措方案30十一、 项目预期经济效益规划目标30十二、 项目建设进度规划31主要经济指标一览表31第四章 产品规划与建设内容34一、 建设规模及主要建设内容34二、 产品规划方案及生产纲领34产品规划方案一览表34第五章 建筑技术方案说明36一、 项目工程设计总体要求36二、 建设方案36三、 建筑工程建设指标37建筑工程投资一览表37第六章 项目选址
3、分析39一、 项目选址原则39二、 建设区基本情况39三、 按照高质量发展要求,立足铁岭实际,“十四五”时期阶段性主要目标为:40四、 深化供给侧结构性改革40五、 完善区域创新服务平台42六、 项目选址综合评价44第七章 法人治理45一、 股东权利及义务45二、 董事47三、 高级管理人员52四、 监事55第八章 发展规划58一、 公司发展规划58二、 保障措施59第九章 运营管理61一、 公司经营宗旨61二、 公司的目标、主要职责61三、 各部门职责及权限62四、 财务会计制度65第十章 进度规划方案71一、 项目进度安排71项目实施进度计划一览表71二、 项目实施保障措施72第十一章 安
4、全生产分析73一、 编制依据73二、 防范措施76三、 预期效果评价80第十二章 原辅材料分析81一、 项目建设期原辅材料供应情况81二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理81第十三章 项目节能方案83一、 项目节能概述83二、 能源消费种类和数量分析84能耗分析一览表84三、 项目节能措施85四、 节能综合评价87第十四章 工艺技术设计及设备选型方案88一、 企业技术研发分析88二、 项目技术工艺分析90三、 质量管理92四、 设备选型方案93主要设备购置一览表94第十五章 环境保护分析95一、 编制依据95二、 环境影响合理性分析96三、 建设期大气环境影响分析98四、 建设期水环境影响分
5、析98五、 建设期固体废弃物环境影响分析99六、 建设期声环境影响分析99七、 环境管理分析100八、 结论及建议101第十六章 投资计划103一、 编制说明103二、 建设投资103建筑工程投资一览表104主要设备购置一览表105建设投资估算表106三、 建设期利息107建设期利息估算表107固定资产投资估算表108四、 流动资金109流动资金估算表110五、 项目总投资111总投资及构成一览表111六、 资金筹措与投资计划112项目投资计划与资金筹措一览表112第十七章 项目经济效益评价114一、 经济评价财务测算114营业收入、税金及附加和增值税估算表114综合总成本费用估算表115固定
6、资产折旧费估算表116无形资产和其他资产摊销估算表117利润及利润分配表119二、 项目盈利能力分析119项目投资现金流量表121三、 偿债能力分析122借款还本付息计划表123第十八章 项目招标、投标分析125一、 项目招标依据125二、 项目招标范围125三、 招标要求125四、 招标组织方式126五、 招标信息发布126第十九章 项目总结分析127第二十章 附表129主要经济指标一览表129建设投资估算表130建设期利息估算表131固定资产投资估算表132流动资金估算表133总投资及构成一览表134项目投资计划与资金筹措一览表135营业收入、税金及附加和增值税估算表136综合总成本费用估
7、算表136利润及利润分配表137项目投资现金流量表138借款还本付息计划表140报告说明全SiCMOSFET方案降低OBC系统尺寸、重量和成本,同时提高运行效率。根据Wolfspeed的研究,采用全SiCMOSFET方案的22kW双向OBC,可较Si方案实现功率器件和栅极驱动数量都减少30%以上,且开关频率提高一倍以上,实现系统轻量化和整体运行效率提升。SiC系统在3kW/L的功率密度下可实现97%的峰值系统效率,而SiOBC仅可在2kW/L的功率密度下实现95%的效率。同时,进一步拆分成本,由于SiC器件的性能可减少DC/DC模块中所需大量的栅极驱动和磁性元件。因此,尽管相比单个Si基二极管
8、和功率晶体管,SiC基功率器件的成本更高,但整体全SiC方案的OBC成本可节约15%左右。根据谨慎财务估算,项目总投资11093.10万元,其中:建设投资8925.33万元,占项目总投资的80.46%;建设期利息99.33万元,占项目总投资的0.90%;流动资金2068.44万元,占项目总投资的18.65%。项目正常运营每年营业收入18800.00万元,综合总成本费用16510.22万元,净利润1661.91万元,财务内部收益率7.02%,财务净现值-1829.10万元,全部投资回收期7.90年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。综上所述,本项目能够充分利用现有
9、设施,属于投资合理、见效快、回报高项目;拟建项目交通条件好;供电供水条件好,因而其建设条件有明显优势。项目符合国家产业发展的战略思想,有利于行业结构调整。本报告为模板参考范文,不作为投资建议,仅供参考。报告产业背景、市场分析、技术方案、风险评估等内容基于公开信息;项目建设方案、投资估算、经济效益分析等内容基于行业研究模型。本报告可用于学习交流或模板参考应用。第一章 建设单位基本情况一、 公司基本信息1、公司名称:xx集团有限公司2、法定代表人:唐xx3、注册资本:760万元4、统一社会信用代码:xxxxxxxxxxxxx5、登记机关:xxx市场监督管理局6、成立日期:2015-3-27、营业期
10、限:2015-3-2至无固定期限8、注册地址:xx市xx区xx9、经营范围:从事碳化硅器件相关业务(企业依法自主选择经营项目,开展经营活动;依法须经批准的项目,经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动;不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。)二、 公司简介公司坚持诚信为本、铸就品牌,优质服务、赢得市场的经营理念,秉承以人为本,始终坚持 “服务为先、品质为本、创新为魄、共赢为道”的经营理念,遵循“以客户需求为中心,坚持高端精品战略,提高最高的服务价值”的服务理念,奉行“唯才是用,唯德重用”的人才理念,致力于为客户量身定制出完美解决方案,满足高端市场高品质的需求。公司坚持提升企业素质,即
11、“企业管理水平进一步提高,人力资源结构进一步优化,人员素质进一步提升,安全生产意识和社会责任意识进一步增强,诚信经营水平进一步提高”,培育一批具有工匠精神的高素质企业员工,企业品牌影响力不断提升。三、 公司竞争优势(一)工艺技术优势公司一直注重技术进步和工艺创新,通过引入国际先进的设备,不断加大自主技术研发和工艺改进力度,形成较强的工艺技术优势。公司根据客户受托产品的品种和特点,制定相应的工艺技术参数,以满足客户需求,已经积累了丰富的工艺技术。经过多年的技术改造和工艺研发,公司已经建立了丰富完整的产品生产线,配备了行业先进的设备,形成了门类齐全、品种丰富的工艺,可为客户提供一体化综合服务。(二
12、)节能环保和清洁生产优势公司围绕清洁生产、绿色环保的生产理念,依托科技创新,注重从产品结构和工艺技术的优化来减少三废排放,实现污染的源头和过程控制,通过引进智能化设备和采用自动化管理系统保障清洁生产,提高三废末端治理水平,保障环境绩效。经过持续加大环保投入,公司已在节能减排和清洁生产方面形成了较为明显的竞争优势。(三)智能生产优势近年来,公司着重打造 “智慧工厂”,通过建立生产信息化管理系统和自动输送系统,将企业的决策管理层、生产执行层和设备运作层进行有机整合,搭建完整的现代化生产平台,智能系统的建设有利于公司的订单管理和工艺流程的优化,在确保满足客户的各类功能性需求的同时缩短了产品交付期,提
13、高了公司的竞争力,增强了对客户的服务能力。(四)区位优势公司地处产业集聚区,在集中供气、供电、供热、供水以及废水集中处理方面积累了丰富的经验,能源配套优势明显。产业集群效应和配套资源优势使公司在市场拓展、技术创新以及环保治理等方面具有独特的竞争优势。(五)经营管理优势公司拥有一支敬业务实的经营管理团队,主要高级管理人员长期专注于印染行业,对行业具有深刻的洞察和理解,对行业的发展动态有着较为准确的把握,对产品趋势具有良好的市场前瞻能力。公司通过自主培养和外部引进等方式,建立了一支团结进取的核心管理团队,形成了稳定高效的核心管理架构。公司管理团队对公司的品牌建设、营销网络管理、人才管理等均有深入的
14、理解,能够及时根据客户需求和市场变化对公司战略和业务进行调整,为公司稳健、快速发展提供了有力保障。四、 公司主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额4365.023492.023273.77负债总额1864.871491.901398.65股东权益合计2500.152000.121875.11公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入9218.497374.796913.87营业利润1950.431560.341462.82利润总额1567.901254.321175.93净利润1175.93917.2384
15、6.67归属于母公司所有者的净利润1175.93917.23846.67五、 核心人员介绍1、唐xx,1974年出生,研究生学历。2002年6月至2006年8月就职于xxx有限责任公司;2006年8月至2011年3月,任xxx有限责任公司销售部副经理。2011年3月至今历任公司监事、销售部副部长、部长;2019年8月至今任公司监事会主席。2、韩xx,中国国籍,无永久境外居留权,1958年出生,本科学历,高级经济师职称。1994年6月至2002年6月任xxx有限公司董事长;2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事长;2016年11月至今任xxx有限公司董事、经理;2019年3月至今
16、任公司董事。3、汪xx,中国国籍,无永久境外居留权,1970年出生,硕士研究生学历。2012年4月至今任xxx有限公司监事。2018年8月至今任公司独立董事。4、熊xx,中国国籍,1978年出生,本科学历,中国注册会计师。2015年9月至今任xxx有限公司董事、2015年9月至今任xxx有限公司董事。2019年1月至今任公司独立董事。5、韦xx,中国国籍,1977年出生,本科学历。2018年9月至今历任公司办公室主任,2017年8月至今任公司监事。6、曹xx,中国国籍,无永久境外居留权,1959年出生,大专学历,高级工程师职称。2003年2月至2004年7月在xxx股份有限公司兼任技术顾问;2
17、004年8月至2011年3月任xxx有限责任公司总工程师。2018年3月至今任公司董事、副总经理、总工程师。7、龚xx,中国国籍,无永久境外居留权,1971年出生,本科学历,中级会计师职称。2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事。2003年11月至2011年3月任xxx有限责任公司财务经理。2017年3月至今任公司董事、副总经理、财务总监。8、徐xx,中国国籍,无永久境外居留权,1961年出生,本科学历,高级工程师。2002年11月至今任xxx总经理。2017年8月至今任公司独立董事。六、 经营宗旨运用现代科学管理方法,保证公司在市场竞争中获得成功,使全体股东获得满意的投资回报
18、并为国家和本地区的经济繁荣作出贡献。七、 公司发展规划(一)战略目标与发展规划公司致力于为多产业的多领域客户提供高质量产品、技术服务与整体解决方案,为成为百亿级产业领军企业而努力奋斗。(二)措施及实施效果公司立足于本行业,以先进的技术和高品质的产品满足产品日益提升的质量标准和技术进步要求,为国内外生产商率先提供多种产品,为提升转换率和品质保证以及成本降低持续做出贡献,同时通过与产业链优质客户紧密合作,为公司带来稳定的业务增长和持续的收益。公司通过产品和商业模式的不断创新以及与产业链企业深度融合,建立创新引领、合作共赢的模式,再造行业新格局。(三)未来规划采取的措施公司始终秉持提供性价比最优的产
19、品和技术服务的理念,充分发挥公司在技术以及膜工艺技术的扎实基础及创新能力,为成为百亿级产业领军企业而努力奋斗。在近期的三至五年,公司聚焦于产业的研发、智能制造和销售,在消费升级带来的产业结构调整所需的领域积极布局。致力于为多产业的多领域客户提供中高端技术服务与整体解决方案。在未来的五至十年,以蓬勃发展的中国市场为核心,利用中国“一带一路”发展机遇,利用独立创新、联合开发、并购和收购等多种方法,掌握国际领先的技术,使得公司真正成为国际领先的创新型企业。第二章 项目背景及必要性一、 主逆变器:800V系统下SiCMOSFET大显身手,降低主逆变器损耗及体积目前已有多家车企在主逆变器中采用SiCMO
20、SFET方案替代IGBT方案,如特斯拉Model3、比亚迪汉高性能版等。Model3共用到48颗意法半导体的SiCMOSFET,如果仍采用ModelX的英飞凌的IGBT,则需要54-60颗。即使成本上升370美金左右(按照艾睿供应商网站价格计算,实际大批量采购价格更低),但特斯拉考虑到损耗降低及体积节约等因素而选择SiC方案。800V架构下SiCMOSFET在新能源车的主逆变器中渗透率将进一步提升。考虑到成本因素,会率先在中高端车型上使用。1)损耗更低:根据ST的数据,800V系统下,1200VSiCMOSFET较IGBT总损耗更低,在常用的25%负载下,SiCMOSFET损耗最多低于IGBT
21、80%,在100%负载下,SiCMOSFET损耗最多低于IGBT60%。2)高压下性能优势更加明显:在400V左右的直流母线电压下,需要最大工作电压在650V左右的IGBT模块或单管。在800V的系统电压下,功率器件耐压需要提高到1200V以上。英飞凌、赛美控、罗姆、富士电机等均推出了1200V的车规级IGBT,但对比之下,SiC器件在高压下性能更好。根据ST的数据,在400V电压平台下,SiCMOSFET能够比IGBT器件拥有2-4%的效率提升;而在750V电压平台下其提升幅度则可增大至3.5-8%。对比市场上的领先SiCMOSFET和IGBT器件参数可知,1200VSiC产品优势较650V
22、产品优势更加明显,主要体现为损耗降低幅度更大。3)耐高温:SiC的结温更高,能够在超过175度的高温下正常工作,较IGBT更加适合高温环境。4)体积节约:根据ST,在10kHz工作频率和800V架构的情况下,对于一个210kW的逆变器,若采用全SiCMOSFET方案替代原先IGBT及二极管方案:1)使用总功率器件体积可从600mm2缩小5倍至120mm2;2)开关损耗和总损耗分别缩小为原来的3.9/1.9倍。3)损耗的降低使得PCU(电源控制单元)的尺寸得以减少,相对应的冷却系统体积也将得以简化。二、 新能源汽车:800V架构下的甜蜜时刻,SiC渗透的核心驱动力SiC功率器件主要包括SBD、J
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