硬件工程师考试题.docx

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1、硬件工程师考试题1.集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以。单项选择题*A.增大放大倍数B.减小温漂正确答案）C.提高输入电阻D.提高输出电阻2 .用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏，好的管子应为。单 选题*A.正、反向电阻相等B.正向电阻大，反向电阻小C.反向电阻比正向电阻大很多倍（正确答案）D.正、反向电阻都等于无穷大3 .某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为U1=6V、U2=5.4V、U3=12V,贝lj 对应该管的管脚排列依次是。单项选择题*e,b,cb,e,c（正确答案）b,c,ec,b,e.在单管固定偏置共射极放大电路中，假设测得三极管的静态管压降UCE近似等

2、于 电源电压UCC时（无电流），那么该管工作状态为。单项选择题*A .饱和B .截止正确答案）int a=13 , b=94;printf( %d n, MOD(b, a+4);单项选择题*A.5B.7(正确答案)C.9D.ll40 .以下各个错误中，哪一个不属于编译错误单项选择题*A.改变x原值3为5 ,写作“ x=5 ; (正确答案)B.花括号不配对C.复合语句中的后一条语句后未加分号D.变量有引用、无定义.以下程序段运行后，x的值是()a=l;b=2;x=0;if(!( a)x ;if(!b)x=7;else +x;单项选择题*A.O(正确答案)B.3C.6D.7.设#define N

3、3#define Y(n) (N+l)*n)那么表达式2*(N+Y(5+1)的值是单项选择题*A.42B.48（正确答案）C.54D.出错.假设定义了 char ch口二 abc Odef,r , *p=ch;那么执行 printf（ %c,*p+4）;语句的输 出结果是单项选择题*A.defB.dC.e（正确答案）D.043 .以下转义字符中错误的选项是单项选择题*A/000BJ 14，cxiir（正确答案）D/2.算术运算符，赋值运算符和关系运算符的运算优先级按从高到低依次为单项选择 题*A.算术运算、赋值运算、关系运算B.算术运算、关系运算、赋值运算（正确答案）C.关系运算、赋值运算、算

4、术运算D.关系运算、算术运算、赋值运算46 .有定义为unsigned int a = 5,*b,*c5测以下操作有问题的是单项选择题*A、b = &aB、*b = aC、a=*c（正确答案）D、c4 = b.表达式strcmp（ “ 3.14 ”，“ 3.278 ）的值是一个（）单项选择题A.非零整数（正确答案）B.浮点数C.0D.字符47 .设 struct（short a;char b;float c;cs;那么sizeof（cs）的值是（）单项选择题*A.4B.5C.6D.7（正确答案）.假设变量已正确定义，表达式（j=3, j+）的值是单项选择题*A.3（正确答案）B.4C.5D.0

5、49 .C语言中运算对象必须是整型的运算符是单项选择题*A.%（正确答案）B7C.!D.*5 .场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的。单项选择题*A,非饱和区B .饱和区（正确答案）C .截止区D .击穿区.以下选项中，不属三极管的参数是。单项选择题*A.电流放大系数B .最大整流电流（正确答案）C.集电极最大允许电流D.集电极最大允许耗散功率6 .测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可得到它的频率响应，条件是。单 选题*A .输入电压幅值不变，改变频率。（正确答案）7 .输入电压频率不变，改变幅值C.输入电压的幅值与频率同时变化。8 .两个电阻并联时电阻值为2.5Q,串联时电阻值为10Q

6、,那么两个电阻值。单项选择 题*A.一定都是5Q（正确答案）9 .可能都是5QC.可能一个是10QD.其值不定功率因数定义为。单项选择题*A.无功功率与有功功率的比值B.有功功率与无功功率的比值C.视在功率与有功功率的比值D.有功功率与视在功率的比值（正确答案）10 .当电路发生串联谐振时。单项选择题*A.电路中电流最大（正确答案）B.电路中电阻两端电压最小C.电路吸收的功率最小11 .将标有额定值为“220丫、100亚”和“220旷、25W”白炽灯两盏，将其串联后接入220V工频交流电源上，其亮度情况是。单项选择题*A.100W的灯泡较亮B.25W的灯泡较亮;正确答案）C.两只灯泡一样亮12

7、.对称三相电路的总有功功率P=3UPIPcos（p,式中cp角是。单项选择题*A.线电压与线电流之间的相位差B.相电压与相电流间的相位差（正确答案）C.线电压与相电流之间的相位差D.相电压与线电流之间的相位差13 .在同步计数器中，各触发器状态改变时刻。单项选择题*A.相同（正确答案）B.不相同C.与触发器有关D.与电平相同.半导体存储器从存、取功能上可以分为两大类，即。单项选择题*A.ROM 和 PROMB.ROM和RAM正确答案）C.E2PROM 和 RAMD.ROM 和 EPROM14 .单稳态触发器正常工作时输出脉冲的宽度取决于。（）单项选择题*A.触发脉冲的宽度B.触发脉冲的幅度C.

8、电源电压的数值D.电路本身的电阻、电容值（正确答案）16 .某TTL与非门的三个输入端分别为A、B、C,现只需要用A、B两个，C不 用，那么下面对C的处理方法哪个不正确？。单项选择题*A.与输入端A并用B.与输入端B并用C接逻辑“0”（正确答案）D寸妾逻辑“1”17 .有两个放大器，空载时的输出电压均为3V,当它们接入相同的负载时，甲放 大器的输出电压为2V,乙放大器的输出电压为IV,那么说明甲比乙的。单项选择题*A.输入电阻大B.输入电阻小C.输出电阻大D .输出电阻小（正确答案）18.晶体管能够放大的外部条件是。单项选择题*A .发射结正偏，集电结正偏B.发射结正偏，集电结反偏正确答案）C

9、.发射结反偏，集电结正偏D.发射结反偏，集电结反偏19 .电路中有a、b两点，电压Uab=10V, a点电位为Va=4V,贝Ijb点电位Vb 为。单项选择题*A . 6VB.-6V（正确答案）C.14VD.-14V 20.一电阻R上u、i参考方向不一致，令u=-10V,消耗功率为0.5W,那么电阻R 为。单项选择题*A.200Q（正确答案）B.- 200QC.200QD.20Q 21 .使用宏来访问绝对地址时，一般需包含的库文件是。（B）单项选择题*A.reg5 l.h三确答案）22.8255A是可编程的并行输入/输出接口芯片，内部有（）个8位的并行口。单项选择 题*A.2个B.3个C.4个（

10、正确答案）D.5个23.利用以下关键字可以改变工作寄存器组（）单项选择题*A.interruptC.using（正确答案）24、具有模数转换功能的芯片是。（）单项选择题*A.ADC0809（正确答案）B.DAC0832C.MAX813D.PCF856325、支持写入单片机或仿真调试的目标程序的文件格式是。（）单项选择题*ASMA. .CC.EXED. .HEX（正确答案）26.在串行通信过程中，下面关于TI和RI说法正确的选项是。（）单项选择题*A.在查询方式中，系统自动清零TI和RI。B.在中断方式中，系统自动清零TI和RI。C.在查询和中断方式中，系统都不会清零TI和RI,须程序清零。（正

11、确答案）D.在查询和中断方式中，系统自动清零TI和RI。27.MCS-51单片机的堆栈区是设置在中。（）单项选择题*A.片内ROM区B.片外ROM区C.片内RAM区（正确答案）D.片外RAM区28.当程序状态字寄存器PSW状态字中RS1和RS0分别为。和1时，系统先用的 工作寄存器组为。（）单项选择题*A.组0B.组1（正确答案）C.组2D.组329 . 8051单片机的一个机器周期包含个时钟周期（）单项选择题*A . 6B . 2C . 12（正确答案）D . 9. C51中一般char型变量占用字节存储。（）单项选择题*A.一个（正确答案）B.两个C.三个D.四个30 .设float a=

12、2, b=4, c=3;,以下C语言表达式与代数式（a+b）+c计算结果不一致的 是单项选择题*A.(a+b)*c/2b.(l/2)*(a+b)*c(正确答案)c.(a+b)*c*l/2D.c/2*(a+b)31 .为了向二进制文件尾部增加数据，翻开文件的方式应采用单项选择题*A.abB.rb+C.wbD.wb+(正确答案).下述程序执行后的输出结果是()#includemain()|int x二f;printf( u%c n“Ja+(x -匕+1);单项选择题*A.g(正确答案)B.hC.iD.j32 . C语言中，以下运算符优先级高的是单项选择题*A.!(正确答案)B.%C.D.二二33 .数组定义为“ int a 4 ; ，表达式（）是错误的。单项选择题*A.*aB.aOC.aD.a+（正确答案）.执行语句“k=7l;”后,变量k的当前值是单项选择题*A.15B.31C.3（正确答案）D.134 .定义函数时，缺省函数的类型声明，那么函数类型取缺省类型单项选择题*A.voidB.charC.floatD.int（正确答案）.假设main（）函数带参数，参数个数是单项选择题*A.0B.1C2（正确答案）D.335 .假设有宏定义：#define MOD（x , y） x%y那么执行以下语句后的输出结果是