2022年东微半导产业链及供应链分析.docx

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1、2022年东微半导产业链及供应链分析一、东微半导：国内高压超级结MOSFET龙头，财务指 标持续向好（一）国内高压超级结MOSFET龙头，专注工业及汽车 相关领域公司是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱 动型半导体企业，产品专注于工业及汽车相关等中大功率应 用领域。公司凭借优秀的半导体器件与工艺创新能力，集中优 势资源聚焦新型功率器件的开发，是国内少数具备从专利到 量产完整经验的高性能功率器件设计公司之一，并在应用于 工业级领域的高压超级结MOSFET和中低压功率器件产品领 域实现了国产化替代，公司从2008年创立以来便聚焦于高端 功率器件的研发与销售。12:公司研发人员占比（2021

2、）研发人员其他44%资料来源:Wind,中国银河证券研究院在研工程聚焦第三代半导体功率器件，多核心技术为自 主研发。半导体行业公司核心竞争力为不断创新的能力，根 据公司年报在研工程来看，公司布局第三代功率半导体器件如 SiC MOSFET,研发进展顺利，申请多项相关专利。公司主要 产品已具备国内或国外领先技术水平，是少数在中高压超级 结MOSFET领域突破海外技术垄断的本土企业之一，打破了 海外厂商在新能源车充电桩的垄断地位。同时，公司基于自 主研发的Tri-IGBT器件结构的创新型功率器件已实现量产， 未来有望突破海外在高压IGBT市场的绝对地位。二、新能源产业链带动功率半导体需求旺盛，行业

3、供需持续紧张（一）需求端扩大，功率器件结构和材料持续迭代功率半导体核心作用：控制电子装置中电能转换与电路控制。功率半导体开展始于20世纪50年代，功率二极管、 功率三极管面世并应用于工业和电力系统，之后晶闸管、平面 型功率MOSFET,沟槽型MOSFET和IGBT面世，随着20 世纪90年代超级结MOSFET出现，打破传统“硅限”以满足 大功率和高频化的应用需求，功率半导体性能能进一步提升。从用途来看，功率半导体主要用于改变电子装置中电压和频 率、直流交流转换，随着国民经济的快速开展，功率半导体 的应用领域已从工业控制和消费电子拓展至新能源、轨道交通、智能电网、变频家电等诸多市场。资料来源:C

4、RRCf中国银河证券研究院功率IC和功率分立器件是功率半导体的两大分支。功率IC市值功率类集成电路设计，类似模拟IC,分为AC/DC、 DC/DC、电源管理IC和驱动IC等。功率分立器件主要包括 功率二极管、晶闸管、高压晶体管、MOSFET, IGBT等产品, 产品可以根据外界条件控制器件的开通和关断的分类标准可 分为不可控型、半控型和全控型功率器件，其中，二极管单向 导通，可以实现整流，属于不可控型；晶闸管只能触发导通, 不能触发关断，属于半控型；晶体管包括IGBT和MOSFET 等，可以触发导通，也可以触发关断，属于全控型器件。对国内市场而言，功率二极管、功率三极管、晶闸管等 分立器件产品

5、大局部已实现国产化，功率MOSFET特别是超 级结MOSFET、IGBT等高端分立器件产品由于其技术及工艺 的复杂度，还较大程度上依赖进口，未来进口替代空间巨大。图14:功率半导体分类市场功 不体 产鸟葩阳资料来源:华润微招股说明书,中国银河证券研究院从市场空间来看，中国功率半导体市场增速高于全球增 速。根据Omida数据显示，全球2021年功率半导体市场规模 约为435.62亿元，预计2024年市场规模将到达532.19亿元， 未来三年复合增速为6.9%；中国市场为功率半导体消费大国, 市场规模不断开展，2021年中国功率半导体市场规模约为 157亿元，预计2024年市场规模将到达195.2

6、2亿元，未来三 年CAGR为7.53%,占全球市场约为36.68%。随着国内市场 工业企业不断壮大，加速制造业、硬科技行业成长，新能源 车、新能源充电桩、工业智造不断发力，长期国内功率半导体 市场有望实现高速增长。新能源车、储能、光优、工控领域为其需求增长最快领 域。针对不同应用场景所对应的功率、电压和频率不同，各 细分行业所选用的功率器件不同，MOSFET凭借其高开滚频 率、低损耗特点，主要用于手机、PC、LED等消费电子领域。 IGBT因耐高压的特点，主要应用于智能家电、新能源车和工 控领域。根据行业开展来看，新能源车相关产业链为功率半导 体下游中最具开展潜力的需求市场，同时低碳概念包括光

7、伏、 储能等也同样会加速成长，这些领域的功率半导体市场需求 增长较快。1 18:功率半导体需求增速较快领域移动通讯消费电子移动通讯消费电子光伏发电电网传输新能源汽车资料来源:中国银河证券研究院（二）根据MOSFET和IGBT产品特性，具有不同应用 场景功率器件经过多年开展，各领域对功率器件的电压和频 率要求越来越严格，不同的功率器件，都有自己的高效区间。 根据MOSFET产品特点来看，其本质是一个电路开关，开关 速度和高频工作特性比拟好，工作频率可以达几十kHz到上 千kHz,能够在高电流状态下工作，但耐电压特性差，主要 是因为MOSFET随着电压上升电阻变大，传导损耗很高，只 适用于功率不超

8、过10kW的电力电子装置，因此应用领域多 为消费电子、小家电等低功率、高频率领域。比照IGBT可以算是MOSFET的副产品，IGBT能够很好地结合BJT (双极型三极管)处理高电流的能力和功率 MOSFET的易用性，相比起MOSFET, IGBT还能阻隔极高电 压，同时以极低损耗来通过高电流。图 19: MOSFET 和 IGBT 区别(G)(G)发酎AKE)QnllC C*CD)MOSFET的本结何集电锻(2) IGBT的鼻本缉构资料来源:中国银河证券研究院功率半导体竞争集中度较高，海外企业市占率高。从竞 争格局上来看，功率半导体企业海外企业凭借先发优势，借助 自由市场收购整合等多模式抢占市

9、场份额，海外IDM厂商是 功率半导体领先企业。根据Omdia数据，2020年全球功率器德州仪器高通联发科瑞萨英飞凌意法半导体 Maxim其他件CR5约为44%,英飞凌市场占比高达20%,安森美占比 8%,意法半导体占比6%；功率IC市场CR5约为43%,德外仪器占比接近16%oI 22:功率IC市场格局及占比亚德诺半导体 安森美Dialog资料来源:Omdia,中国银河证券研究院MOSFET：全球市场规模约80亿美元，国产替代空间巨 大。根据Omdia数据显示，功率MOSFET全球市场规模在近 几年保持比拟稳定，约为80亿美元，约占功率器件市场54%。 国内市场约30亿美元，约占全球市场39.

10、9%,未来3年市场 保持稳定增长。从国内市场景竞争来看，2019年市场份额前 8位的公司里仅有华润微和新洁能，两家合计占比接近12%,而海外龙头企业英飞凌及安森美市占率合计约为45%,占据 近一半市场，国产厂商具备较大替代市场空间。IGBT：全球市场空间约57亿美元，国内消费占40%, 新能源领域为其核心增长催化剂。从IGBT市场空间来看， 2021年全球IGBT （分立+模块）市场规模约57亿元，国内 IGBT市场约为22.43,国内市场规模占全球比约为40%,国 内市场规模增长与海外基本同步。新能源汽车、新能源发电 这些领域都是行业开展最大的催化剂。（三）需求保持快速增长，新能源产业链为最

11、大催化剂 汽车电动化趋势不可阻挡，新能源车、智能汽车为车用 功率半导体翻开需求天花板。在全球电动汽车的趋势下，全球主要工业国家已开始布 局电动汽车产业链，尽管全球市场2021年电动车市场因“缺芯 导致原材料涨价严重，但全球市场新能源车销量依旧同比增加 108%,销量到达681万辆，国内市场新能源车销量同比增长 157.6%,销量352万辆。预计未来全球市场2022年新能源车 销量有望达1069万辆，同比增长57%,国内市场随着双碳政 策和补贴政策推进，国内2022年新能源车销量有望达560万 辆，同比增加59%。预计2025年，全球新能源车销量有望达 2625万辆，全球未来四年CAGR达34%

12、。图26:国内和全球新能源车销量预测图26:国内和全球新能源车销量预测 国内新能源汽车销量(万辆) 国内新能源汽车增速(%) 海外新能源汽车销量(万辆)海外新能源汽车增速(%)资料来源:EV Volumes, SNE Researsh,中国银河证券研究，院单车功率半导体价值量随着汽车电动化趋势的推进而增 长。功率器件在汽车中的应用领域主要有驱动系统、引擎系统 和车身三大方面，其中MOSFET主要用于电动助力转向系统、 电制动系统，辅助驱动各种电动马达，参与车灯控制，此外还 用于DC/DC转换、电池管理系统等模块。IGBT也是新能源 汽车中的核心器件之一，作为大功率高频开关在逆变器、电源 变换器

13、中被大量使用，主要应用于新能源汽车的电力驱动系 统与电源系统中。根据Strategy Analytics的数据，传统燃油 车的车均半导体用量为338美元，而功率半导体仅占21%, 为71美元。混合动力汽车新增的半导体中76%是功率半导体, 车均增量到达283美元，功率半导体价值为传统汽车的4倍, 纯电动汽车中的功率半导体价值量那么比混合动力汽车中更多，引按制SISIC|晌大灯检制 Imosfct京内灯控 asic.aovf t平均来看，新能源汽车功率半导体单车价值量是传统燃油车的 约5倍。图27:新能源汽车中的功率半导体引隼引隼嬖动系统|NEV电动机便校制IMic|制动植1。，加校|AY及削件

14、段I MOSFCT资料来源:富士电机,中国银河证券研究院新能源汽车充电桩的开展将成为功率半导体市场又一重 要驱动力。充电桩是新能源汽车的配套设施。据麦肯锡统计 及预测，2020年中美欧新能源汽车充电需求约为180亿千瓦 时，预计到2030年，伴随新能源汽车渗透率的提升，新能源 汽车充电需求将高达2710亿千瓦时。2020年中美欧充电桩数 量约为300万个，预计到2030年增长至4000万个，年复合增图1:公司产品和开展阶段资料来源:招股说明书,中国银河证券研究院从产品分类来看，公司的主要产品包括GreenMOS系列 高压超级结MOSFET、SFGMOS系列及FSMOS系列中低压 屏蔽栅MOSF

15、ET。公司核心产品高压超级结MOSFET产品全 部采用超级结技术原理，技术较为先进，具有开关速度快、 动态损耗低、可靠性强等优势，公司GreenMOS系列具备高 效率低阻抗特点，广泛应用于新能源车直流充电桩、5G通讯 等领域；另一核心产品中低压屏蔽栅MOSFET,兼具平面结 构和屏蔽栅结构优势，具备稳定工艺水平和高可靠性，同时 公司在中低压领域积累了多项技术包括优化电荷平衡、自对准 加工等核心技术，产品的关键技术到达了国内领先水平。在应用领域层面，公司产品的终端应用范围包括以新能 源汽车直流充电桩、5G基站电源及通信电源，同时还包括以 PC电源、适配器、TV电源板、手机快速充电器为代表的消 费

16、电子应用领域。速约30%。作为新能源汽车充电桩的核心零部件，功率半导 体用量将在新能源汽车充电设施旺盛需求驱动下大幅增长。 目前充电桩平均本钱约3200美元，功率半导体约占充电桩成 本20%,我们预计未来10年充电桩功率半导体增量空间将超 过200亿美金。图29:中美欧2020-2030年充电桩数量（单位：百万座）504()3020100中国美国欧盟202020252030资料来源:麦肯锡,中国银河证卷研究院越高效率充电桩，对功率器件的需求越多。根据英飞凌 数据来看，随着DC充电系统的功率的增大，每个DC充电 系统所含的功率器件价值处于上升趋势。20kW充电系统需要 的硅基价值约为40美元，1

17、50kW所需硅基价值量大概在300 美元，而350kW充电桩功率器件变为SiC,所含价值量约为 3500美元。随着电动汽车保有量和使用范围扩张，高功率充电桩的大幅推广将有效带动充电桩IGBT的需求提升。光伏装机量提升，逆变器需求将迎来需求爆发。逆变器为光伏系统核心器件，光伏逆变器主要由输入滤波电器、DC/DCMPPT电路、DC/AC逆变器、输出滤波电路、 核心控制单元电路组成。光伏逆变器是可以将光伏(PV)太 阳能板产生的可变直流电压转换为市电频率交流电(AC)的 变频器，其稳定性与平安性可直接影响光优发电系统的运行 与发电效率。IGBT可直接影响光伏逆变器在下游端的光伏发 电效率，是光伏逆变

18、器提高光伏能力转化率的核心器件。I 32:光伏逆变器工作原理资料来源:头豹研究院,中国银河证券研究院国内市场光伏装机量到达全球1/3,功率模块及分立器件 本钱约占功率器件总本钱的9%o据中国光伏行业协会统计，2025年，我国光伏市场新增装机将介于90和110GW之间。2020- 2025年CAGR在13.30%-17.94%之间。从本钱测算来看, 国内光伏逆变加权本钱将由2020年的0.2/W下降到2025年 的0.15/W,并且根据IMS Research数据显示，光伏逆变器中 功率模块约占本钱的9%,预计2025年光伏逆变器中功率器 件单位本钱约为1350万元/GW。图34:中国光伏市场新

19、增装机预测资料来源:中国银河证券研究院5G基站建设保持增长，增加功率半导体需求。根据工信部数据显示，中国已累计建成5G基站71.8万 个，推动共建共享5G基站33万个。2021年将有序推进5G 网络建设及应用，加快主要城市5G覆盖，推进共建共享，新 建5G基站60万个以上。根据前瞻产业研究院统计，预计 2021年-2025年我国将累计新建超370万个5G基站，累计投 资规模将近5000亿元。图36： 2019-2025年预计新建4G、 5G基站数量5G建设将从四个方面拉动功率半导体需求，包括：1） 5G基站功率更高、建设更为密集，带来更大的电源供应需求; 2）射频端功率半导体用量提升；3）雾计

20、算为功率半导体带来 增量市场；4）云计算拉动计算用功率半导体用量。图37: 5G天线演变对功率半导体用量影响功率半导体用量资料来源:招股说明书,中国银河证券研究院（四）供给国产化率逐步抬升，供需紧张局面延续国产功率半导体自给率逐步抬升。根据Yole数据显示，从IGBT产品自给率来看，2020年前IGBT国内厂商产量占比越13%, 2020年IGBT产品自给率不到20%,考虑到高附加 值，高功率和具有技术优势的海外厂商无论产品规格还是单 价更高，因此产品自给率水平更低。但是随着国内厂商发力 布局功率器件，预计2024年，IGBT产品国产化率能到达 40% o图38:国内IGBT自给率情况资料来源

21、:Yolef银河证券研究院全球功率半导体交付周期延长，供需仍保持错配。根据 富昌电子数据显示，2021年高压MOSSET和IGBT产品交付 周期延长，带来市场供给缺乏和产品单价上涨。以全球头部厂 商英飞凌为例，高压MOSFET交货周期已由21Q1的26-52 周延长至36-52周，IGBT的交货周期由26-36周延长至39- 50周，并且价格也处于上升趋势之中，供需错配局面仍将维 持。三、从供应链到技术，持续突破高性能产品（一）与晶圆厂商保持合作，产能供给稳定增长公司采用Fabless的商业模式，资产轻，无晶圆制造和加 工业务。公司与行业上游晶圆制造厂商、封测厂等供应商建 立了较为稳定的长期合

22、作关系与高效联动机制。从具体代工厂 来看，包括华虹半导体、广州粤芯、东部高科，从具体明细 上来看，公司与华虹半导体保持非常紧密的合作，公司采购 华虹半导体晶圆的本钱占比在2020年和2021年分别为80.19% 和71.89%。在封测厂方面，合作厂商包括天水华天和集佳科 技。表5: 2021Hl公司前五大供应商及采购内容资料来源:招股说明书,中国银河证券研究院整理序号供应商名称采购金额（万元）占比主要采购内容1华虹半导体17618.2172. 85%晶圆2天水华天2443.9110.11%封测服务3广州粤芯2151.68. 90%晶圆4成都集佳1141.084. 72%封测服务5DB Hite

23、k279. 571.16%晶圆合计23634. 3897. 73%材料本钱为主要本钱，符合行业特征。公司本钱端输出 保持稳定，根据招股书来看，公司材料本钱为主要本钱来源, 2020年材料本钱占比82.41%, 21H1材料本钱占比为83.21%, 变化波动比拟小，影响主要系原料本钱上涨所致。Fabless模 式中，晶圆外采为核心本钱，因此公司本钱构成符合行业特 点。（二）着力底层技术创新，发力工业及车规高端市场功率器件不同于数字芯片，其性能绝大局部情况下由器 件的结构和工艺材料所决定，为了突破硅限的限制，新结构 与三代半导体材料的器件成为了创新的主力。为了让功率半导 体适用于高压大功率场合，才

24、开展出超结MOSFET,超级结 MOSFET的超结结构是通过外延层生长和硼离子注入交替进 行的，因此形成超结结构生长次数与本钱高低成正比。近五 年来，中国功率半导体领域研发势头迅猛，专利布局集中于 H01L21和H01L29领域。美国虽然专利数量和活跃度不如中 国，但从近5年专利布局情况来看，布局集中于H01L21和 H01L29领域，与中国情况较为一致。在半导体材料器件的研 发比照中，中美两国技术研究方向十分相似，在专利申请量 排名前10的技术大组中，中美两国在9个技术领域发生了重 合。而在技术研发热点及创新活跃度上存在细微差异。我们可以从公司申请专利的结构中发现，公司的专利申 请基本集中在

25、最具有活跃度的功率半导体器件领域，根据企 知道的专利数据库显示的公开数据，公司在分类为H01L29、 H01L2K H01L27的专利占据了总专利数量中的88%,而这 三个专利基本都是集中在半导体功率器件结构和工艺方面。 截至公司21年年报，公司累计申请240个专利，其中创造专 利118个，获得专利累计65个，其中创造专利39个，21年 新增申请创造专利16个，新增获得5个。公司目前的高压Green MOS系列包含了通用系列、E系列、S系列、Z系列、OSS系列等产品，采用独特专利器件 结构和制造工艺，GreenMOS产品具有比常规MOSFET更快 的开关速度及更柔和的开关曲线，在获得极低的动态

26、损耗的 同时大限度抑制了开关震荡，不仅可以大大提高系统效率、 降低发热量，还可以简化系统EMI设计。GreenMOS系列产品涵盖500V-900V全系列，提供高达 100A静态电流的规格，高工作频率到达2MHz以上，可以满 足各种电源系统的需求。基于其1高效率、低温升的特点，特 别适用于快速充电器、LED电源、通讯、服务器电源、电动 车充电桩等系统。具体技术参数来看，高压MOSFET产品具备全球一流水 平。公司超级结MOSFET的设计及工艺技术包括优化电荷平 衡技术、优化栅极设计及缓变电容核心原胞结构等技术。电荷 平衡技术兼具技术先进性与工艺稳定性，技术方面大幅提高 衬底掺杂浓度，有效降低了导

27、通电阻；稳定性方面使产品内 部电场更加均衡。高压MOSFET产品性能的关键指标是导通 电阻Ron与栅极电荷Qg的乘积优值FOM。相同导通电阻下, 栅极电荷越小那么优值越低，器件的动态损耗越小，整体性能 越强。表7:公司产品技术和其他竞品比照资料来源:招股说明书,中国银河证券研究院整理可比产品系列规格型号Ron导通电阻典型值1（单位：Q）Qg橱电荷2（单位：nC）Ron Qg （优值，F0M） 3 （单位：Q nC）英飞凌C7IPA60R180C70.155243. 72安森美FCPF190N60E-D0.166310. 08东微 Green MOS0SG60R180FF0.1523.33. 5

28、0东微超级硅0SS60R190FF0.1615.82. 53（三）销售模式多元化，客户多优质工业企业经销与直销共存，拓宽产品市场。公司采用“经销加直销 的销售模式。在经销模式下，经销商可以帮助芯片设计企业 快速地建立销售渠道、扩大市场份额，实现产品和资金的较快 周转，节省了公司的资金及资源投入，有利于芯片设计企业 将主要精力投入到产品研发及供应链管控环节。从2021年来 看，公司经销占比63.89%,相比过去下降，未来随着公司声 誉提升，合作厂商可与公司进行直接采购。与各行业龙头建立长期合作关系，客户高粘性推动公司 技术进步和国产替代。在各类功率器件应用领域尤其是工业 级应用领域中，公司的产品

29、获得了众多知名企业的认可，成为 国内客户的少数国内供应商之一，在工业及汽车相关应用领 域中，公司积累了新能源汽车直流充电桩领域的终端用户如 英飞源、英可瑞、特锐德、永联科技等，5G基站电源及通信 电源领域的终端用户如维谛技术、麦格米特等，以及工业电 源领域的终端用户如高斯宝、金升阳、雷能、通用电气等；在消费电子领域中，公司积累了大功率显示电源领域的终端用 户如视源股份、美的、创维、康佳等。图46:公司下游客户结构新能源充电桩新能源充电桩英（源技术IXFY POWERV英可瑞 mcRtoicTGOOD5G基站通讯HUAW6I.VERTIVcW缰谈技术MEGMEET工业电源 H BHMORNSUN

30、SUPLEI显示屏幕SKYWORTH创维KOZKAim 佳资料来源:招股说明书,中国银河证券研究院图2:公司产品在汽车电子和工业领域应用情况20502S050065090012006500 (V)资料来源:Wind,中国银河证券研究院公司实控人为王鹏飞和龚轶，哈勃投资、元禾控股参投。 公司股权结构较为分散，根据招股说明书显示，公司并无控 股股东，公司实际控制人为王鹏飞和龚轶，其中截至2022年 4月，王鹏飞直接持股12.07%,同时公司近些年受到市场上 多家产业资本青睐，元禾控股通过原点创投持有公司11.39% 股权，2017年聚源聚芯产业基金向公司进行投资，其持有公 司公司股权7.49%；

31、2020年华为哈勃投资入股公司，持有公 司股权4.94%,并且公司为哈勃投资旗下唯一功率器件设计 公司。图3:公司股权结构国家集成电路产业投资基金苏州元禾控股华为投资控股12.07%龚轶源芯金聚聚基原点创投中新创投勃技投 哈科创中企发基小业展金其他股东3.73%9.96%7.46%1139%5.34%4.94%资料来源：Wind,中国银河证卷研究院关注核心员工激励，屡次激励提升公司稳定性。根据招 股说明书披露，公司在2018年、2019年共实施3次股权激励 政策，股权授予对象为核心研发员工和核心管理人员，员工主 要通过持股平台苏州高维和得数聚才间接持有公司股权。公司IPO拟募资9.39亿元，最

32、终实际募集资金净额为 20.07亿元，募集资金用途分别用于超级结与屏蔽栅功率器件 产品升级及产业化工程、新结构功率器件研发及产业化工程、 研发工程中心建设工程、科技与开展储藏资金，各工程资金 需求分别为2.04亿元、1.08亿元、1.70亿元、4.57亿元，占 拟募集资金比例为21.75%、11.47%、18.90%、48.68%0科技 与开展储藏资金的主要是随着公司业务扩展，公司未来考虑 通过投资并购方式整合行业优质标的，谋求产业资源的有效协同，公司拟以实际经营情况为基础，结合未来战略开展目标,补充科技与开展储藏资金。表1:公司募集资金投资方向及使用安排资料来源:招股说明书,中国银河证券研究

33、院序号1募集资金投资方向拟投入募集资金金额（万元）拟投入资金比例工程建设周期1超级结与屏蔽栅功率器件产品升级及产业化工程20414. 5821.753年2新结构功率器件研发及产业化工程10770. 3211.473年3研发工程中心建设工程16984.218. 093年4科技与开展储藏资金4570048. 68一合计93869.1100%一（二）技术领先，核心产品逐步实现国产化替代公司主要核心产品包括：高压超级结MOSFET,中低压 屏蔽栅 MOSFET, Tri-gate IGBT。高压超级结MOSFET：低导通电阻、动态损耗低。公司 的高压超级结MOSFET产品（包括超级硅MOSFET）主要

34、为 GreenMOS产品系列，并拥有逾1100种的产品型号规格，该 领域规格最完整国内厂商。高压高级结MOSFET产品具有开 关速度快、动态损耗低、可靠性高的特点及优势。从应用场 景来看，产品多用于直流大功率新能源汽车充电桩、5G通信 电源、数 据中心服务器电源、PC电源、适配器、TV电源板、 手机快速充电器等应用领域。中低压屏蔽栅MOSFET：覆盖工作电压25V-150V,应用 场景为低压环境。公司的中低压MOSFET产品均采用屏蔽栅 结构，主要包括SFGMOS产品系列以及FSMOS产品系列，工作电压覆盖25V-150V,合计超过500种型号。其中，公司 的SFGMOS产品系列具有更高的工艺

35、稳定性、可靠性及更快 的开关速度、更小的栅电荷和更高的应用效率等优点，公司中 低压功率器件产品涵盖25V-150V工作电压，可广泛应用于 电机驱动、同步整流等领域。超级硅MOSFET：性能对标氮化钱功率器件，已有18种 型号进入量产。公司的超级硅MOSFET产品是公司自主研发 产品，通过调整器件结构、优化制造工艺，公司产品突破了硅 基功率器件响应速度瓶颈，在电源管理PMS领域接近了第三 代半导体功率器件开关速度，应用场景包括高密度电源系统, 如新能源汽车充电桩、通信电源、工业照明电源、快速充电器、 模块转换器、快充超薄类PC适配器等领域。Tri-gateIGBT：提升功率密度，优化导通损耗与开

36、关损 耗。公司TGBT产品具有独立知识产权，区别于国际主流 IGBT的创新型器件结构，实现了关键技术参数的大幅优化， 截至2021年12月31日，到达可量产水平的产品规格共有52 种，工作电压范围覆盖600V-1350V,工作电流覆盖15A- 120Ao应用场景包括新能源汽车充电桩、变频器、逆变器、 电机驱动、电焊机、太阳能等领域。OTHERS图4:公司主要产品信息新型的GreenMOS系列高压mosfet,采用独特专器件结构和制造工艺，GreenMOS产品具有比常规mosfet更快 的开关速度及更柔的开关曲线，在获得极低的动态损耗的同时大限度抑制了开关震荡，不仅可以大大提高系统效 率、降低发

37、热量，还可以简化系统EMI设计.GreenMOS系列I产品涵盖500V-900V全系歹九提供高达100A峥态电流 的规格，高工作频率到达2MHz以上，可以满足各种电源系统的需求.东微的SFGMOS系列MOSFET产品采用半浮栅结构，兼备了传统平面结构和SGT结构的功率MOSFET的优点，并具有更 高的工艺稳定性和可靠性及更快的开关速度、更小的栅电荷和更高的应用效率等优点.SFGMOS系列MOSFET产品涵 盖20V200V全系列，可广泛应用于电机驱动、同步整流等领域中.东微推出高速系列、低Vcesat系列、RC系列等IGBT产品，涵盖600v1700v电压，可广泛应用于白色家电、新能 源逆变器

38、、汽车驱动等领域.第三代半导体材料功率器件是未来高性能功率器件的重要组成局部之一.东微研发团队在宽禁带半导体研究上有丰 富的经验，相继研发了并联SiC的IGBT及宽禁带场效应晶体管.目前量产的并联SiC二极管的新一代高速IGBT,大 幅改善了Eon、trr、Qrr和Qg等特性，适合在追求极限效率的系统中使用，支持80-100kHz的高速开关和图腾柱 无桥PFC应用.资料来源:公司官网,中国银河证券研究医（三）研发驱动公司毛利率抬升，在研工程提升产品竞 争力公司自18年以来，营收复合增速超过50%,净利润复合 增速超过77%,公司的快速增长得益于半导体功率器件行业 景气度的持续向好，下游需求旺盛

39、。同时，公司通过不断深化 与上下游优秀合作伙伴的合作，持续扩大产能，并不断研发 出更为优秀的产品与技术，需求增长、产能持续扩大、新产 品不断推出及产品组合结构进一步优化带动公司业绩高增长。公司2021年取得良好经营业绩，实现营收7.82亿元，同 比增长153.28%；实现归属于母公司所有者的净利润1.46亿 元，同比增长429.12%；实现归属于母公司所有者的扣除非经 常性损益的净利润1.40亿元，同比增长586.58%O公司2022 年第一季度同样表现出良好成长性，实现营收2.05亿元，同 比增长45.5%,实现归母净利润0.47亿元，同比增长130%。6:公司20182021归母净利润（亿

40、元）及增长归母净利润（亿元）yoy资料来源:Wind,中国银河证券研究院品构成来看，高压超级结MOSFET占比72.7%,中低压 屏蔽栅MOSFET占比26.3%,超级硅MOSFET占比0.26%, TGBT占比0.77%。从下游行业收入占比来看，公司产品主要 应用领域主要针对工业级设备客户，工业类领域客户收入占 比超过50%,根据21Hl数据来看，工业级通信电源营收占 比接近20%,新能源汽车充电桩领域收入占比到达16%,消 费电子设备领域营收占比下滑4pct,我们认为长期来看，工 业和汽车领域的技术门槛高，更能为公司产品带来竞争壁垒, 减少终端市场结构性波动带来的价格影响，同时与工业及车规

41、级厂商稳定的合作关系能够持续保障公司订单量及利润率的 稳定。公司毛/净利率稳中有升，费用端表现向好。公司毛利率 自2019年探底后稳步回升，2019年公司销售毛利率14.93%, 2021年整体毛利率已回升至28.72%。我们认为，公司毛利率 提升原因为：公司对产品结构进行战略调整，专注车规和工 业领域，逐步更新和提升公司产品竞争力，持续保持对下游 厂商的溢价能力，随着未来公司功率器件在车规级产品和工控 领域的逐步放量，未来公司的毛利率有继续抬升的趋势。随 着公司收入逐步走高，公司各项费用率稳定优化，保持公司 整体净利率上升的趋势。研发人员占比拟高，持续投入构建公司产品护城河。公 司产品商业模式采用Fabless,因此设计能力为公司核心竞争 力。公司在最近年度持续加大研发投入，从研发人员数量来看, 公司2021年末研发人员占比高达44%,研发人员占比高于行 业平均水平。从研发投入来看，公司2019-2021年，研发投 入逐步增长，分别为1203万元、1599万元、4143万元，并且 2021年研发支出同比增长159.07%,研发费用占收入比2021 年为5.30%,产品不断的推陈出新背后是强大研发能力的付 出。