2022年东微半导主营产品及竞争力分析.docx

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1、2022年东微半导主营产品及竞争力分析1.东微半导：国内高端MOSFET龙头设计公司，独特 IGBT产品翻开成长空间国内领先的技术驱动型半导体设计企业，专注于工业及 汽车相关等中大功率应用领域。2008年，王鹏飞、龚轶共同 出资，设立东微半导体前身东微有限；2012年，公司凭借出 色的自主研发、创新能力，制造出世界首个半浮栅晶体管； 次年，相关技术成功发表于全球顶级刊物Science；随后, 公司相继完成了超级结、屏蔽栅MOSFET相关系列产品的研 发，并于2016年率先量产充电桩用高压超级结MOSFET器 件，打破了国外企业的垄断，实现了国产化替代；公司持续 发力新产品研发，在不断推动原有产

2、品技术迭代的同时，还推 出了如超级硅、TGBT等独有创新产品，进一步完善产品谱 系；2020年，公司完成改制，更名为东微半导体，并于2022 年在A股科创板成功上市。公司采取Faless模式，主营MOSFET、IGBT (TGBT) 等功率半导体器件的设计与销售，其主要产品包括 GreenMOS系列高压超级结MOSFET, SFGMOS系列及 FSMOS系列中低压屏蔽栅MOSFET,并进一步开发了超级硅 面，公司的高压超级结MOSFET营收规模处于行业前列，营 收同比增速快；另一方面，公司的高压超级结MOSFET价格 明显高于市场平均价格，侧面反映公司产品强劲的市场竞争 力。图表42:国电企业

3、趣级结 gfEX2A品营收其四竞争力#2：研发团队实力雄厚，成果转化率行业领先研发人员占比行业领先，人均创收逾千万。公司的核心 技术人员均在功率半导体领域耕耘超过十年，具有丰富的研 发经验，保证了公司的技术敏锐度和研发水平。截至21年底, 公司研发人员占比达44%,其中硕士以上学历人数占比高达 45.5%,在国内功率半导体企业中均处于行业前列；公司 2021年研发费用同比增长159.07%,为行业中游水平。受益 于优秀的自主研发创新能力，公司2021年人均创收实现 1042.79万元，彰显了公司优秀的研发成果转换率。凭借杰出 的研发实力，公司在主要产品方面均已具备了国内领先甚至国 际领先的核心

4、技术。此外，公司也持续完善专利布局以充分保护核心技术： 截止2021年底，公司拥有累计38项创造专利，且已授权专 利的80%集中在器件的结构创新上，专利质量较高。我们认 为，在资历深厚的杰出联合创始人龚轶、王鹏飞先生的带着下, 公司已形成以自主研发、技术创新为要旨的核心竞争力。竞争力#3：绑定优质供应链资源，与华虹深度合作，DB、 粤芯保障产能公司在晶圆代工、封装测试环节均有优质供应商合作， 且不断开拓二供、三供：在晶圆代工方面，华虹半导体为公 司主要8及12寸供应商，2018-2020年采购金额占比均超 80%；向DBHitek/中芯集成（绍兴）采购8寸超级结 MOSFET/中低压屏蔽栅MO

5、SFET晶圆，但采购规模整体相对 较小；2021年上半年，公司引入广州粤芯，1H21采购金额占 比达8.9%,成长为公司第二大晶圆供应商。在封测方面，公 司与天水华天、集佳科技、芯哲微等公司均建立了长期稳定 的业务合作关系与高效的联动机制，其中天水华天为最大封测 供应商。主要合作晶圆厂积极扩产，进一步保障公司晶圆供应。 华虹半导体在上海金桥和张江建有三座8英寸晶圆厂，1Q22 末月产能达17.8万片，同时在无锡高新技术产业开发区内有 一座产能持续扩充的12英寸晶圆厂。4Q21末合计月产能达 6.5万片，且拟于22年底扩产至9.5万片（扩产中包含1万片 功率器件）；根据官网，粤芯半导体4Q21末

6、月产能已到达4 万片，其中月产2万片二期工程预计于4Q22实现满产，第三 期、第四期工程月产能规划各4万片，预计4Q25总体月产能 有望到达12万片；根据官网，DBHiteklQ22末月产能达 13.8万片，正着手将陈旧的8英寸晶圆设备替换为新设备，截 止1Q22仅完成30%的设备更换，全部更换完成后有望将产 能扩大到每月15万片。我们认为，在长期稳定的合作关系下, 公司将受益于上游供应商的产能扩张，产品产销量的上升有望 进一步推动营收增长。竞争力#4：进军IGBT领域，翻开增量成长空间2025年IGBT全球市场规模有望破百亿元，新能源汽车 或将成长为未来下游第一大细分市场。据芯智讯预计，20

7、25 年全球IGBT单管/IGBT模块/IPM的市场规模可分别增长至 26.96/61.55/18.04亿美元，届时全球IGBT市场规模有望到达 106.55 亿美元，2020-2025 年 CAGR 为 9.89%0同时，2020年全球IGBT下游应用领域中工业控制/家电/ 新能源汽车/光伏/风电/储能分别占比49%/23%/12%/9%/6%/1 %,工控为当前IGBT最大的下游市场。 然而，根据我们测算，2025年新能源汽车单车IGBT价值量 为156美元，结合Marketline的2025年全球新能源汽车销量 预测数据2121.7万台,2025年新能源汽车IGBT市场规模有 望到达33

8、.09亿美元，将成长为IGBT最大的下游细分市场。 2025年国内新能源汽车IGBT市场规模将达108.12亿元。图表47: 全球IGBT市场规模乂同庄跨代开展缩减代际差距，独特TGBT产品到达国际主流 七代水平，已积累一批下游优质客户。公司IGBT产品囊括低导通压降、软恢复二极管、逆导、高速和超高速等多个系列: 其中，根据公司21年年报，第一代650VTGBT芯片的电流 密度为400A/cm2,到达国际主流第七代IGBT技术水平。未 来，公司将以第一代技术为基础，积极推进650V及1200V的 技术升级，实现IGBT器件的国产替代。此外，2021年公司快速推进光伏/新能源车电驱/充电桩 领域

9、的客户导入，根据21年年报，2021年已批量出货优优绿 能、新明海等，送测认证比亚迪、汇川技术、视源股份、古 瑞瓦特等客户。当前，公司在手订单饱满，且公司从测试到 交付的平均时间只有3-6个月，大大优于行业平均周期，供货 能力更强。由此，我们预计公司TGBT销售额将于2022年迎 来放量。MOSFET. TGBT、Hybrid-FET. SiC等新 产品。公司产品以 工业、汽车级应用为主，包括新能源汽车直流充电桩、5G基 站电源及通 信电源、数据中心服务器电源和工业照明电源等。此外，公司产品也广泛应用于消费级领域。公司在工业、 消费两大领域均已积累全球知名的品牌客户，如英飞源、比亚 迪、高斯宝

10、、美的、视源股份等，并已成为局部行业领先客 户认证的国产供应商之一。同时，公司的上游晶圆代工厂商 和封装测试服务供应商均为行业知名企业：在晶圆代工上，华 虹半导体为公司第一大供应商，1H21引入广州粤芯，进一步 保障晶圆供应；在封测服务上，公司与天水华天、集佳科技 均保持了长期稳定的合作关系。图表11:东微半导开展历程,推出 Tri-gateIGBT（TGBT）系列公司完成改制，更名为东微半导体推出FSMOS中低压醉 蔽用MOSFET系列 GreenMOS找出新一代 GreenMOS选人充电桩应 产品制造出世界首个量产GreenMOS高压用并实现量产, SFGMOS进入电动车强半浮概品体管越级

11、州MOSFET系列 SFGMOS迅速起量动应用2008：2013；2015：2017：2019：2022OOQOOOO6O6：2012：2014：2016：2018：2020：王鹏飞、,奥轶共作为国内第一篇徐戕出SFijMOS中低GreenM0S&体市场推出Sup；r-2月10日在A股科同出资设立东微业子器件领城的学压屏蔽区MOSFET占有率快速提升Silicon超级硅系创板成功上市半导体前身东微术研究，半浮栅勒系列列，进入手机快有限件技术论文在GreenMOS首次进速充电驾市场Science发表人工业级应用MOSFET为公司核心产品（2021营收占比99.27%）： 高压超级结MOSFET占

12、主导地位（营收占比72.70%）。公司的 高压超级结MOSFET产品主要为GreenMOS产品系列，具有 开关速度快、动态损耗低、可靠性高的特点及优势，可广泛 应用于汽车、工业等中高压领域；中低压屏蔽栅MOSFET为 公司第二营收贡献点（营收占比26.30%）。公司的中低压屏 蔽栅MOSFET包括SFGMOS产品系列以及FSMOS产品系歹U, 主要应用于电机驱动、逆变器等中低压领域；此外，自主研 发的超级硅MOSFET（营收占比0.27%）,为公司翻开消费类市 场，突破了传统硅基功率器件的速度瓶颈，到达接近氮化钱功 率器件开关速度的水平，第一代已实现批量出货，第二代已 开发成功，正着手第三代超

13、级硅MOSFET器件的研发。IGBT （TGBT）有望于22年迅速起量，翻开公司营收增 量空间（2021营收占比0.73%）：公司生产的IGBT器件采 用区别于国际主流、具有独立知识产权的TGBT器件结构， 能在不提高制造难度的前提下，同时实现对导通损耗与开关 损耗的优化。产品包括低Vee,sat系列、高速系列以及逆导型 TGBT等多个系列，其中第一代650V TGBT芯片到达国际主 流第七代IGBT技术水平。同时，公司第二代TGBT技术开发，以及基于12英寸先 进工艺制程的IGBT技术开发均顺利进行。此外，Hybrid- FET器件基于TGBT技术，属于TGBT的一个子类，兼具 IGBT、超

14、级结MOSFET等功率器件的优点，现已实现批量出 货。图表12：东微半导产品线Z1东撒半导仙LAJ ORIENTAL SEMI中低小阱&棚MOSFET产品熄格较量：641规格:25V-150V；7A-300A技术特点：特征导通电阻低.开关速度快.动态我非低2021年钟收占比为26. 30%中低小阱&棚MOSFET产品熄格较量：641规格:25V-150V；7A-300A技术特点：特征导通电阻低.开关速度快.动态我非低2021年钟收占比为26. 30%工品规格数量：1100（公曲级“ MOSFET）规格：500V-1000V*;1A-116A技术特点：低导通电加、低 懦极电有、纤态/动态，弱箱低

15、产品规格数量：52规格：600V-1350V;15A-120A技术特点：大电流密度，开 关叔也低.可靠性高，具有 白保护特点2021年管收占比为0.27%2021年曾收占比为0. 73%新能源汽东充电桩5GJLJtA通信电源2021年冬收占比为72. 70%迪D囱电机驱动/控制手机快速充电式王鹏飞及龚轶为公司共同实际控制人，通过直接、间接 及一致行动关系共同控股32.63%,元禾、聚源聚芯、哈勃投 资参投。公司人均创收逾千万，研发人员占比高。截止2021 年底，公司员工人数合计75人，人均创收达1043万元。其 中研发人数33人，占比高达44%,研发成果转换率高。公司 管理层资历深厚，实际控制

16、人均有逾20年的半导体从业经验。公司董事兼首席技术官王鹏飞先生曾担任德国英飞凌科 技存储器研发中心研发工程师，现为复旦大学微电子学院教 授，其提出并制造出了世界上首个半浮栅晶体管，相关成果成 功发表于Science国际顶刊。此外，公司董事长兼总经理 龚轶先生曾担任超微半导体公司的研发工程师以及英飞凌科 技的德国研发中心专家。公司今年内暂无大规模限售股解禁，2023年2月首发原股东及战略配售股份解禁后，流通总股数 将扩大至现有的近3倍。在“行业景气度持续向好，下游需求旺盛”的背景下，公 司近三年营收实现高速增长。2021年公司营业收入7.82亿元, 同比增长高达153.28%,高压超级结和中低压

17、屏蔽栅营业收入 均迎来跨越式增长，分别实现营收5.69/2.06亿元，同比增长 128.27%/246.85%,为公司营收主要构成。营收的高增长主要系2021年度公司所在的半导体功率器 件领域景气度持续向好，受益于充电桩、新能源汽车车载充 电机、通信电源、光伏逆变器等终端市场需求的快速提升。 此外，2021年超级硅MOSFET营收同比增速高达432.63%, 但目前营收额为214.99万，整体销售规模仍较小，未来增长 空间广阔；TGBT产品21年首次量产出货，全年实现营业收 入568.17万元，相较于上半年22.95万元的销售额增幅明显， 业务呈现高速扩张态势。毛利率方面，2021年公司综合毛

18、利率为28.72%,同比增 加10.87pct,主要系受下游应用领域需求增长、产能持续扩大、 新产品不断推出及产品组合结构进一步优化等因素所致。同 时，公司各细分领域毛利率的变动趋势基本一致，1Q22进一 步提升至32.93%,进一步接近海外龙头功率厂商平均毛利水 平。净利润方面，平21年实现归母净利润1.47亿元,同比增长430.66%,主要系报告期内营业收入大幅上升及毛利率大幅 上涨所致。同时公司由于人员规模较小，管理及销售费用率 也相对较低。图表17：图表17：东微半导各产品毛利率综合毛利率2.东微半导：短期、中长期竞争力分析我们认为，公司未来营业收入将维持高增速，有望成长 为国内乃至国

19、际领先的以高压超级结MOSFET、TGBT等高 端产品为代表的功率半导体设计企业，主因有：1）工业及汽 车级应用为主，短期产品价格稳定性强；2） MOSFET料号丰 富，产品性能对标国际龙头；3）研发团队实力雄厚，人均创 收行业领先；4）绑定优质供应链资源，与华虹深度合作，二供、三供DB、粤芯保障产能；5）进军IGBT领域，翻开 增量成长空间。短期：高压MOSFET及IGBT高景气，主打工业级应用 无惧短期需求波动1Q22高压MOSFET、IGBT货期进一步拉长，中低压 MOSFET供需紧张局面出现缓解。基于4Q21、1Q22富昌电 子市场行情报告，我们发现全球高压MOSFET/IGBT货期整

20、 体增幅较明显，从平均37/41周延长至平均43/46周，且价格 维持上涨态势，整体维持高景气。同时，中低压MOSFET货 期整体而言呈现稳定，供给紧张局面已出现一定程度缓解。 公司产品下游领域以工业、汽车为主，短期能明显抵御消费类 需求下滑。一方面，伴随着交付周期延长，供给紧缺局面进一步加 剧，价格上升将为公司带来更高的收入。另一方面，公司营 收主要来自中高压工业级领域，1Q22消费级应用占比仅30%, 受下游消费类需求下滑影响有限。由此我们认为公司在短期 内将对冲需求波动风险，具有较强的市场竞争力。图表37：高压/中低压MOSFET、IGBT平均交付周期比照1Q221Q22 4Q2150

21、-I48 -46 -44 42 -40 -38 36 -34 -32 -30 -低压MOSFET低压MOSFET高压MOSFETIGBT中长期竞争力分析竞争力#1： MOSFET料号丰富，产品竞争力强MOSFET料号近1800种行业领先，针对下游不同领域。 公司MOSFET产品主要包括GreenMOS系列高压超级结 MOSFET、SFGMOS/FSMOS 系列中低压屏蔽栅 MOSFET、 以及自主创新产品超级硅MOSFET,面向新能源汽车、充电 桩、基站电源、服务器电源、光伏逆变器等不同领域。截止 21年底，公司MOSFET产品规格型号共计1791款，数量多 于新洁能（1223种）、华润微（8

22、92种）等知名功率半导体供 应商，料号总数国内领先。我们认为公司MOSFET产品市场竞争力主要表达在两方面：1）产品性能优异，高压超级结/超级硅国际先进，低压 SGT国内领先。MOSFET产品性能的关键指标是导通电阻 Ron与栅极电荷Qg的乘积优值FOM。相同导通电阻下，栅 极电荷越小那么优值越低，器件的动态损耗越小，整体性能越强。 在相同条件下，公司高压超级结MOSFET产品的FOM优值 明显优于国内企业对应产品，且与国际龙头企业差距不大， 到达国际领先水平；公司低压屏蔽栅MOSFET的综合性能与 英飞凌仍有一定差距，但在国内企业中处于绝对领先地位； 公司的超级硅MOSFET产品在性能上已优于GaN龙头企业 Transphorm局部产品，且技术成熟、本钱优势明显，市场竞 争力较强。2）高压超结MOSFET未来市场增速超过MOSFET整体, 公司具备先发及规模优势。在高压超级结下游市场需求旺盛 和中低压SGT竞争加剧、市场环境恶化的共同作用下，全球 高压超级结MOSFET 2021-24年市场规模的CAGR约为 1.56%,增速明显高于MOSFET整体（0.62%）和中低压 MOSFET （-1.56%）,国内市场变化趋势大致相同。在这种情 况下，公司的先发优势和规模优势将有助于公司抢占国内高 压超级结市场，具体表达在两方面：根据我们的统计，一方