NAND Flash 测试题及其答案.docx

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1、NAND Flash测试题及其答案本期培训课程已完结，相信您一定有所收获，快来检验下学习效果吧!（本测试题满 分100分，考试时间为30分钟。全卷包括20小题，0110为判断题，每题2.5 分；1115为单项选择题，每题5分；1620为多项选择题，每题10分。）您的姓名：填空题*1、NAND Flash Memory掉电后数据不会丧失.判断题*对（正确答案）错2、NAND写操作是以Block为最小单元.判断题J *对错（正确答案）3、已写满数据的NAND Block中如果要继续写入数据,不需要先进行擦除动作.判断题*对错（正确答案）4、NAND TLC Program有8个状态.判断题*对（正

2、确答案）错5、目前绝大多数3DTLCNAND采用one-pass编程方式.判断题*对（正确答案）错6、NOR Flash读速度比NAND Flash更快判断题*对（正确答案）错7、东芝是全球第一家实现3D NAND量产的厂家.判断题*对错（正确答案）8、3D Charge Trap NAND 相比于 3D Floating Gate NAND Data Retention 可靠性更 差.判断题*对（正确答案）错9、NAND Flash写操作是热电子注入模式.判断题*对错（正确答案）10、NAND Flash读操作时会有多个判决电压.判断题*对（正确答案）错11、NAND Flash Memor

3、y电子存储在哪个单元局部？ (B)单项选择题*A.Control GateB. Floating Gate(正确答案)SourceC. Drain12、MLC NAND Flash表征Erase状态的数据是()单项选择题*AJOB. 11(正确答案)C.01D. 0013、Erase操作的最小单元是()单项选择题*A.BitB. BytePageC. Block(正确答案)14、哪种模式P/E寿命最长()单项选择题*A.SLC(正确答案)B.MLCC.TLCD. QLC15、NAND Flash编程单元所在的BL施加的电压是()单项选择题*A.VPGMB. OV（正确答案）VCCC. VPAS

4、S16、NAND Flash Memory数据可靠性影响因素有哪些？ *A.电压B.温度（正确答案）C.频繁擦写（正确答案）D.读干扰（正确答案）17、NAND在日常生活中有哪些应用？ *A.UFS（正确答案）B.SD卡（正确答案）C. SSD（正确答案）D.U盘（正确答案）18、SLC相比于TLC有哪些优点？ *A.写入速率快正确答案）B.出错率低（正确答案）C.寿命高（正确答案）D.编程时间长19、NAND Flash访问地址包含哪些？ *A.Block Address（正确答案）B. Page Address（正确答案）Plane Address（正确答案）C. Column Address E确答案） 20、NAND Flash有哪些控制信号pin? *A.CE pin（正确答案）B. RE pin（正确答案）WE pin（正确答案）C. DQ pin