河北碳化硅衬底项目招商引资方案_范文参考.docx

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1、泓域咨询/河北碳化硅衬底项目招商引资方案河北碳化硅衬底项目招商引资方案xx（集团）有限公司目录第一章 行业、市场分析9一、 碳化硅衬底类型9二、 宽禁带半导体材料简介9三、 半导体材料行业概述11第二章 项目概述13一、 项目名称及投资人13二、 编制原则13三、 编制依据14四、 编制范围及内容14五、 项目建设背景14六、 结论分析17主要经济指标一览表19第三章 项目建设背景、必要性22一、 碳化硅材料产业链22二、 碳化硅半导体行业的战略意义27三、 面临的挑战28四、 推进创新型河北建设实现新突破和全面塑造发展新优势30五、 建设更高水平开放型经济新体制和开拓合作共赢新局面32第四章

2、 公司基本情况36一、 公司基本信息36二、 公司简介36三、 公司竞争优势37四、 公司主要财务数据38公司合并资产负债表主要数据38公司合并利润表主要数据38五、 核心人员介绍39六、 经营宗旨40七、 公司发展规划41第五章 选址分析43一、 项目选址原则43二、 建设区基本情况43三、 开创“两翼”发展新局面46四、 项目选址综合评价48第六章 建设规模与产品方案49一、 建设规模及主要建设内容49二、 产品规划方案及生产纲领49产品规划方案一览表49第七章 运营模式51一、 公司经营宗旨51二、 公司的目标、主要职责51三、 各部门职责及权限52四、 财务会计制度56第八章 发展规划

3、61一、 公司发展规划61二、 保障措施62第九章 SWOT分析65一、 优势分析（S）65二、 劣势分析（W）66三、 机会分析（O）67四、 威胁分析（T）67第十章 进度计划71一、 项目进度安排71项目实施进度计划一览表71二、 项目实施保障措施72第十一章 环境影响分析73一、 编制依据73二、 建设期大气环境影响分析74三、 建设期水环境影响分析76四、 建设期固体废弃物环境影响分析76五、 建设期声环境影响分析77六、 环境管理分析78七、 结论81八、 建议81第十二章 劳动安全评价83一、 编制依据83二、 防范措施84三、 预期效果评价90第十三章 投资计划方案91一、 投

4、资估算的依据和说明91二、 建设投资估算92建设投资估算表96三、 建设期利息96建设期利息估算表96固定资产投资估算表98四、 流动资金98流动资金估算表99五、 项目总投资100总投资及构成一览表100六、 资金筹措与投资计划101项目投资计划与资金筹措一览表101第十四章 项目经济效益103一、 经济评价财务测算103营业收入、税金及附加和增值税估算表103综合总成本费用估算表104固定资产折旧费估算表105无形资产和其他资产摊销估算表106利润及利润分配表108二、 项目盈利能力分析108项目投资现金流量表110三、 偿债能力分析111借款还本付息计划表112第十五章 风险评估分析11

5、4一、 项目风险分析114二、 项目风险对策116第十六章 项目招标及投标分析118一、 项目招标依据118二、 项目招标范围118三、 招标要求119四、 招标组织方式119五、 招标信息发布120第十七章 总结评价说明121第十八章 补充表格123营业收入、税金及附加和增值税估算表123综合总成本费用估算表123固定资产折旧费估算表124无形资产和其他资产摊销估算表125利润及利润分配表126项目投资现金流量表127借款还本付息计划表128建设投资估算表129建设投资估算表129建设期利息估算表130固定资产投资估算表131流动资金估算表132总投资及构成一览表133项目投资计划与资金筹措

6、一览表134报告说明碳化硅功率器件在轨道交通行业得到重要应用。未来轨道交通对电力电子装置，比如牵引变流器、电力电子电压器等提出了更高的要求。采用碳化硅功率器件可以大幅度提高这些装置的功率密度和工作效率，将有助于明显减轻轨道交通的载重系统。目前，受限于碳化硅功率器件的电流容量，碳化硅混合模块将首先开始替代部分硅IGBT模块。未来随着碳化硅器件容量的提升，全碳化硅模块将在轨道交通领域发挥更大的作用。根据谨慎财务估算，项目总投资11564.90万元，其中：建设投资8881.65万元，占项目总投资的76.80%；建设期利息178.15万元，占项目总投资的1.54%；流动资金2505.10万元，占项目总

7、投资的21.66%。项目正常运营每年营业收入23000.00万元，综合总成本费用17882.79万元，净利润3748.81万元，财务内部收益率24.94%，财务净现值4775.35万元，全部投资回收期5.59年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。此项目建设条件良好，可利用当地丰富的水、电资源以及便利的生产、生活辅助设施，项目投资省、见效快；此项目贯彻“先进适用、稳妥可靠、经济合理、低耗优质”的原则，技术先进，成熟可靠，投产后可保证达到预定的设计目标。本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息，并依托行业分析模型而进行的模板化设计，其数据参数符合行业基

8、本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。第一章 行业、市场分析一、 碳化硅衬底类型衬底电学性能决定了下游芯片功能与性能的优劣，为使材料能满足不同芯片的功能要求，需要制备电学性能不同的碳化硅衬底。按照电学性能的不同，碳化硅衬底可分为两类：根据工信部发布的重点新材料首批次应用示范指导目录（2019年版），一类是具有高电阻率（电阻率105cm）的半绝缘型碳化硅衬底，另一类是低电阻率（电阻率区间为1530mcm）的导电型碳化硅衬底。二、 宽禁带半导体材料简介常见的半导体材料包括硅（Si）、锗（Ge）等元素半导体及砷化镓（GaAs）、碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等化合物半导体材料。从被

9、研究和规模化应用的时间先后顺序来看，上述半导体材料被业内通俗地划分为三代。第一代半导体材料以硅和锗等元素半导体为代表，其典型应用是集成电路，主要应用于低压、低频、低功率的晶体管和探测器中。硅基半导体材料是目前产量最大、应用最广的半导体材料，90%以上的半导体产品是用硅基材料制作的。第二代半导体材料是以砷化镓为代表，砷化镓材料的电子迁移率约是硅的6倍,具有直接带隙，故其器件相对硅基器件具有高频、高速的光电性能，因此被广泛应用于光电子和微电子领域，是制作半导体发光二极管和通信器件的关键衬底材料。第三代半导体材料是指以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，与前两代半导体材料相比，第三代半导体材料禁

10、带宽度大，具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势，因此采用第三代半导体材料制备的半导体器件不仅能在更高的温度下稳定运行，适用于高电压、高频率场景，此外，还能以较少的电能消耗，获得更高的运行能力。值得注意的是，前述三代半导体材料各有利弊，并无绝对的替代关系，而是在特定的应用场景中存在各自的比较优势。1、碳化硅根据中国战略性新兴产业：新材料（第三代半导体材料），与硅相比，碳化硅拥有更为优越的电气特性：耐高压：击穿电场强度大，是硅的10倍，用碳化硅制备器件可以极大地提高耐压容量、工作频率和电流密度，并大大降低器件的导通损耗。耐高温：半导体器件在较高的温度下，会产生载流子的本征激

11、发现象，造成器件失效。禁带宽度越大，器件的极限工作温度越高。碳化硅的禁带接近硅的3倍，可以保证碳化硅器件在高温条件下工作的可靠性。硅器件的极限工作温度一般不能超过300，而碳化硅器件的极限工作温度可以达到600以上。同时，碳化硅的热导率比硅更高，高热导率有助于碳化硅器件的散热，在同样的输出功率下保持更低的温度，碳化硅器件也因此对散热的设计要求更低，有助于实现设备的小型化。实现高频的性能：碳化硅的饱和电子漂移速率大，是硅的2倍，这决定了碳化硅器件可以实现更高的工作频率和更高的功率密度。基于这些优良的特性，碳化硅衬底的使用极限性能优于硅衬底，可以满足高温、高压、高频、大功率等条件下的应用需求，已应

12、用于射频器件及功率器件。2、氮化镓氮化镓具有宽禁带、高电子漂移速度、高热导率、耐高电压、耐高温、抗腐蚀、耐辐照等突出优点。氮化镓器件已有众多应用：在光电子器件领域，氮化镓器件作为LED照明光源已广泛应用，还可制备成氮化镓基激光器；在微波射频器件方面，氮化镓器件可用于有源相控阵雷达、无线电通信、基站、卫星等军事或者民用领域；氮化镓也可用于功率器件，其比传统器件具有更低的电源损耗。三、 半导体材料行业概述半导体是指在常温下导电性能介于绝缘体与导体之间的材料。常见的半导体包括硅、锗等元素半导体及砷化镓、碳化硅、氮化镓等化合物半导体。半导体可以分为四类产品，分别是集成电路、光电子器件、分立器件和传感器

13、。半导体是电子产品的核心，是信息产业的基石，亦被称为现代工业的“粮食”。半导体产品广泛应用于移动通信、计算机、电力电子、医疗电子、工业电子、军工航天等行业。半导体行业是现代经济社会发展的战略性、基础性和先导性产业，具有技术难度高、投资规模大、产业链环节长、产品种类多、更新迭代快、下游应用广泛的特点。半导体制造产业链包含设计、制造和封装测试环节，半导体材料和设备属于芯片制造、封测的支撑性行业。第二章 项目概述一、 项目名称及投资人（一）项目名称河北碳化硅衬底项目（二）项目投资人xx（集团）有限公司（三）建设地点本期项目选址位于xxx（以选址意见书为准）。二、 编制原则1、所选择的工艺技术应先进、

14、适用、可靠，保证项目投产后，能安全、稳定、长周期、连续运行。2、所选择的设备和材料必须可靠，并注意解决好超限设备的制造和运输问题。3、充分依托现有社会公共设施，以降低投资，加快项目建设进度。4、贯彻主体工程与环境保护、劳动安全和工业卫生、消防同时设计、同时建设、同时投产。5、消防、卫生及安全设施的设置必须贯彻国家关于环境保护、劳动安全的法规和要求，符合行业相关标准。6、所选择的产品方案和技术方案应是优化的方案，以最大程度减少投资，提高项目经济效益和抗风险能力。科学论证项目的技术可靠性、项目的经济性，实事求是地作出研究结论。三、 编制依据1、中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和20

15、35年远景目标纲要；2、中国制造2025；3、建设项目经济评价方法与参数及使用手册（第三版）；4、项目公司提供的发展规划、有关资料及相关数据等。四、 编制范围及内容1、确定生产规模、产品方案；2、调研产品市场；3、确定工程技术方案；4、估算项目总投资，提出资金筹措方式及来源；5、测算项目投资效益，分析项目的抗风险能力。五、 项目建设背景氮化镓具有宽禁带、高电子漂移速度、高热导率、耐高电压、耐高温、抗腐蚀、耐辐照等突出优点。氮化镓器件已有众多应用：在光电子器件领域，氮化镓器件作为LED照明光源已广泛应用，还可制备成氮化镓基激光器；在微波射频器件方面，氮化镓器件可用于有源相控阵雷达、无线电通信、基

16、站、卫星等军事或者民用领域；氮化镓也可用于功率器件，其比传统器件具有更低的电源损耗。一是“三件大事”强力协同推进，重大国家战略加快落地见效。京津冀协同发展向纵深推进，中期目标基本实现，京张高铁和大兴国际机场建成投运，京雄城际铁路全线轨道贯通，北京现代沧州工厂等一批产业转移重大项目建成投产。雄安新区规划体系、政策体系基本形成，重点片区和工程项目建设全面展开，雄安商务服务中心、“三校一院”、“千年秀林”建设成效明显，呈现塔吊林立、热火朝天的建设局面。北京冬奥会场馆和配套设施基本建成，冰雪运动和冰雪产业发展势头良好，首都“两区”建设步伐加快。二是“三大攻坚战”有力有效，决胜全面建成小康社会取得决定性

17、成就。农村贫困人口全部脱贫，7746个贫困村全部出列，62个贫困县全部摘帽，2018、2019连续两年在国考中获“好”的等次，绝对贫困问题得到历史性解决。三是综合经济实力持续提升，去产能调结构促转型成效突出。生产总值跃上新的台阶，去年和今年19月分别增长6.8%和1.5%。提前完成“十三五”化解过剩产能任务，钢铁产能由过去3.2亿吨压减到2亿吨以内，石钢顺利完成搬迁改造。全省三次产业结构由“二三一”历史性地转变为“三二一”，服务业对经济贡献率达到60%以上，高新技术产业占规模以上工业增加值的比重由2015年的16%提高到20%。四是全面深化改革开放扎实推进，经济社会发展动能显著增强。“放管服”

18、改革等9项重点领域改革取得重大进展，“双创双服”、“三深化三提升”、“三创四建”活动接力推进。深度融入“一带一路”建设，中国国际数字经济博览会等重大活动成功举办，河钢塞尔维亚钢厂成为国际产能合作样板，中国(河北)自由贸易试验区探索创新逐步深入，河北的国际化水平和影响力显著提升。五是保障改善民生力度空前，人民生活水平不断提高。自觉践行以人民为中心的发展思想，连续3年实施20项民心工程，民生支出占一般公共预算支出比重达80%以上，一大批惠民举措落地实施。居民收入增速持续高于经济增速，去年和今年19月城乡居民人均可支配收入分别增长9.5%和4.9%，预计到2020年年底城镇累计新增就业419万人，各

19、类教育普及程度明显提高，人民健康和医疗卫生水平大幅提升，退役军人服务管理走在全国前列。六是创新社会治理扎实推进，平安河北、法治河北建设取得重要成效。乡镇、街道和农村、社区组织体系不断健全，社会治理体系和治理能力现代化水平不断提高。信访工作实现“五个下降”，扫黑除恶和“一案三查”得到中央领导同志肯定，安全生产形势总体平稳，“三道防线”更加牢固可靠。司法体制改革实现新的突破，重点领域地方立法保障有力。特别是面对新冠肺炎疫情的冲击，坚决落实坚定信心、同舟共济、科学防治、精准施策总要求，疫情防控取得重大战略成果，扎实做好“六稳”工作，全面落实“六保”任务，经济社会发展呈现加速恢复增长态势。经过艰苦不懈

20、努力，“十三五”规划目标任务即将完成，全面建成小康社会胜利在望，这在河北发展进程中具有重要里程碑意义。全省上下要再接再厉、一鼓作气，确保如期打赢脱贫攻坚战，确保如期全面建成小康社会，为开启新时代全面建设经济强省、美丽河北新征程奠定坚实基础。六、 结论分析（一）项目选址本期项目选址位于xxx（以选址意见书为准），占地面积约25.00亩。（二）建设规模与产品方案项目正常运营后，可形成年产xxx吨碳化硅衬底的生产能力。（三）项目实施进度本期项目建设期限规划24个月。（四）投资估算本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资11564.90万元，其中：建设投资8881

21、.65万元，占项目总投资的76.80%；建设期利息178.15万元，占项目总投资的1.54%；流动资金2505.10万元，占项目总投资的21.66%。（五）资金筹措项目总投资11564.90万元，根据资金筹措方案，xx（集团）有限公司计划自筹资金（资本金）7929.12万元。根据谨慎财务测算，本期工程项目申请银行借款总额3635.78万元。（六）经济评价1、项目达产年预期营业收入（SP）：23000.00万元。2、年综合总成本费用（TC）：17882.79万元。3、项目达产年净利润（NP）：3748.81万元。4、财务内部收益率（FIRR）：24.94%。5、全部投资回收期（Pt）：5.59年

22、（含建设期24个月）。6、达产年盈亏平衡点（BEP）：7642.77万元（产值）。（七）社会效益项目建设符合国家产业政策，具有前瞻性；项目产品技术及工艺成熟，达到大批量生产的条件，且项目产品性能优越，是推广型产品；项目产品采用了目前国内最先进的工艺技术方案；项目设施对环境的影响经评价分析是可行的；根据项目财务评价分析，经济效益好，在财务方面是充分可行的。本项目实施后，可满足国内市场需求，增加国家及地方财政收入，带动产业升级发展，为社会提供更多的就业机会。另外，由于本项目环保治理手段完善，不会对周边环境产生不利影响。因此，本项目建设具有良好的社会效益。（八）主要经济技术指标主要经济指标一览表序号

23、项目单位指标备注1占地面积16667.00约25.00亩1.1总建筑面积24685.491.2基底面积9666.861.3投资强度万元/亩333.112总投资万元11564.902.1建设投资万元8881.652.1.1工程费用万元7430.302.1.2其他费用万元1288.722.1.3预备费万元162.632.2建设期利息万元178.152.3流动资金万元2505.103资金筹措万元11564.903.1自筹资金万元7929.123.2银行贷款万元3635.784营业收入万元23000.00正常运营年份5总成本费用万元17882.796利润总额万元4998.417净利润万元3748.81

24、8所得税万元1249.609增值税万元989.9410税金及附加万元118.8011纳税总额万元2358.3412工业增加值万元7859.6913盈亏平衡点万元7642.77产值14回收期年5.5915内部收益率24.94%所得税后16财务净现值万元4775.35所得税后第三章 项目建设背景、必要性一、 碳化硅材料产业链1、下游产业链情况以碳化硅材料为衬底的产业链主要包括碳化硅衬底材料的制备、外延层的生长、器件制造以及下游应用市场。在碳化硅衬底上，主要使用化学气相沉积法（CVD法）在衬底表面生成所需的薄膜材料，即形成外延片，进一步制成器件。（1）半绝缘型碳化硅衬底半绝缘型碳化硅衬底主要应用于制

25、造氮化镓射频器件。通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层，制得碳化硅基氮化镓外延片，可进一步制成氮化镓射频器件。（2）导电型碳化硅衬底导电型碳化硅衬底主要应用于制造功率器件。与传统硅功率器件制作工艺不同，碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅衬底上，需在导电型衬底上生长碳化硅外延层得到碳化硅外延片，并在外延层上制造各类功率器件。2、半绝缘型碳化硅衬底在射频器件上的应用（1）主要应用情况及其优势射频器件在无线通讯中扮演信号转换的角色，是无线通信设备的基础性零部件，主要包括功率放大器、滤波器、开关、低噪声放大器、双工器等。半绝缘型碳化硅衬底制备的氮化镓射频器件主要为面向通信基站以及雷达应用的功率放

26、大器。目前主流的射频器件有砷化镓、硅基LDMOS、碳化硅基氮化镓等不同类型。根据AnalogDialogue，砷化镓器件已在功率放大器上得到广泛应用；硅基LDMOS器件也已在通讯领域应用多年，但其主要应用于小于4GHz的低频率领域；碳化硅基氮化镓射频器件具有良好的导热性能、高频率、高功率等优势，有望开启其广泛应用。氮化镓射频器件是迄今为止最为理想的微波射频器件，因此成为4G/5G移动通讯系统、新一代有源相控阵雷达等系统的核心微波射频器件。氮化镓射频器件正在取代LDMOS在通信宏基站、雷达及其他宽带领域的应用。随着信息技术产业对数据流量、更高工作频率和带宽等需求的不断增长，氮化镓器件在基站中应用

27、越来越广泛。根据Yole预测，至2025年，功率在3W以上的射频器件市场中，砷化镓器件市场份额基本维持不变的情况下，氮化镓射频器件有望替代大部分硅基LDMOS份额，占据射频器件市场约50%的份额。目前，氮化镓射频器件主要基于碳化硅、硅等异质衬底外延材料制备的，并在未来一段时期也是主要选择。相比较硅基氮化镓，碳化硅基氮化镓外延主要优势在其材料缺陷和位错密度低。碳化硅基氮化镓材料外延生长技术相对成熟，且碳化硅衬底导热性好，适合于大功率应用，同时衬底电阻率高降低了射频损耗，因此碳化硅基氮化镓射频器件成为目前市场的主流。根据Yole报告，90%左右的氮化镓射频器件采用碳化硅衬底制备。（2）主要应用领域

28、的发展情况碳化硅基氮化镓射频器件已成功应用于众多领域，以无线通信基础设施和国防应用为主。无线通信基础设施方面，5G具有大容量、低时延、低功耗、高可靠性等特点，要求射频器件拥有更高的线性和更高的效率。相比砷化镓和硅基LDMOS射频器件，以碳化硅为衬底的氮化镓射频器件同时具有碳化硅良好的导热性能和氮化镓在高频段下大功率射频输出的优势，能够提供下一代高频电信网络所需要的功率和效能，成为5G基站功率放大器的主流选择。在国防军工领域，碳化硅基氮化镓射频器件已经代替了大部分砷化镓和部分硅基LDMOS器件，占据了大部分市场。对于需要高频高输出的卫星通信应用，氮化镓器件也有望逐步取代砷化镓的解决方案。根据Yo

29、le报告，随着通信基础建设和军事应用的需求发展，全球氮化镓射频器件市场规模将持续增长，预计从2019年的7.4亿美元增长至2025年的20亿美元，期间年均复合增长率达到18%。半绝缘型碳化硅衬底的需求量有望因此获益而持续增长。3、导电型碳化硅衬底在功率器件上的应用（1）主要应用情况及其优势功率器件又被称为电力电子器件，是构成电力电子变换装置的核心器件。功率器件主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等。相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比，其尺寸可大幅减小至原来的1/10，导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的

30、总能量损耗可大大降低70%。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势，将极大地提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率，对高效能源转换领域产生重大而深远的影响，主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。（2）主要应用领域的发展情况电动汽车行业是未来市场空间巨大的新兴市场，全球范围内新能源车的普及趋势明朗。随着电动汽车的发展，对功率半导体器件需求量日益增加，成为功率半导体器件新的经济增长点。得益于碳化硅功率器件的高可靠性及高效率特性，在车载级的电机驱动器、OBC及DC/DC部分，碳化硅器件的使用已经比较普遍。对于非车载充电桩产品，由于成本的原因，目前

31、使用比例还相对较低，但部分厂商已开始利用碳化硅器件的优势，通过降低冷却等系统的整体成本找到了利基市场。目前，碳化硅功率器件已被国际知名车企应用在其电动汽车上。电动驱动系统中，主逆变器负责控制电动机，是汽车的关键元器件，特斯拉Model3的主逆变器采用了意法半导体生产的24个碳化硅MOSFET功率模块，是全球第一家将碳化硅MOSFET应用于商用车主逆变器的OEM厂商。2020年12月，丰田汽车推出并公开发售“Mirai”燃料电池电动汽车，是丰田汽车首次开始使用碳化硅功率器件。根据碳化硅器件特点和电动汽车的发展趋势，碳化硅器件是未来电动汽车的必然之选。光伏逆变器曾普遍采用硅器件，经过40多年的发展

32、，转换效率和功率密度等已接近理论极限。碳化硅器件具有低损耗、高开关频率、高适用性、降低系统散热要求等优点，将在光伏新能源领域得到广泛应用。例如，在住宅和商业设施光伏系统中的组串逆变器里，碳化硅器件在系统级层面带来成本和效能的好处。阳光电源等光伏逆变器龙头企业已将碳化硅器件应用至其组串式逆变器中。碳化硅功率器件在轨道交通行业得到重要应用。未来轨道交通对电力电子装置，比如牵引变流器、电力电子电压器等提出了更高的要求。采用碳化硅功率器件可以大幅度提高这些装置的功率密度和工作效率，将有助于明显减轻轨道交通的载重系统。目前，受限于碳化硅功率器件的电流容量，碳化硅混合模块将首先开始替代部分硅IGBT模块。

33、未来随着碳化硅器件容量的提升，全碳化硅模块将在轨道交通领域发挥更大的作用。目前碳化硅器件已经在中低压配电网开始了应用。未来更高电压、更大容量、更低损耗的柔性输变电将对万伏级以上的碳化硅功率器件具有重大需求。碳化硅功率器件在智能电网的主要应用包括高压直流输电换流阀、柔性直流输电换流阀、灵活交流输电装置、高压直流断路器、电力电子变压器等装置中。根据Yole报告，2019年碳化硅功率器件的市场规模为5.41亿美元，受益于电动汽车/充电桩、光伏新能源等市场需求驱动，预计2025年将增长至25.62亿美元，复合年增长率约30%。碳化硅衬底的需求有望因此获益并取得快速增长。二、 碳化硅半导体行业的战略意义

34、碳化硅衬底是新近发展的宽禁带半导体的核心材料，以其制作的器件具有耐高温、耐高压、高频、大功率、抗辐射等特点，具有开关速度快、效率高的优势，可大幅降低产品功耗、提高能量转换效率并减小产品体积。目前，碳化硅半导体主要应用于以5G通信、国防军工、航空航天为代表的射频领域和以新能源汽车、“新基建”为代表的电力电子领域，在民用、军用领域均具有明确且可观的市场前景。同时，我国“十四五”规划已将碳化硅半导体纳入重点支持领域，随着国家“新基建”战略的实施，碳化硅半导体将在5G基站建设、特高压、城际高速铁路和城市轨道交通、新能源汽车充电桩、大数据中心等新基建领域发挥重要作用。因此，以碳化硅为代表的宽禁带半导体是

35、面向经济主战场、面向国家重大需求的战略性行业。全球宽禁带半导体行业目前总体处于发展初期阶段，相比硅和砷化镓等半导体而言，在宽禁带半导体领域我国和国际巨头公司之间的整体技术差距相对较小。另外，由于宽禁带半导体的下游工艺制程具有更高的包容性和宽容度，下游制造环节对设备的要求相对较低，投资额相对较小，制约宽禁带半导体行业快速发展的关键之一在上游材料端。因此，我国若能在宽禁带半导体行业上游衬底材料行业实现突破，将有望在半导体行业实现换道超车。三、 面临的挑战1、碳化硅衬底制备成本高由于晶体生长速率慢、制备技术难度较大，大尺寸、高品质碳化硅衬底生产成本依旧较高，碳化硅衬底较低的供应量和较高的价格一直是制

36、约碳化硅基器件大规模应用的主要因素之一，限制了产品在下游行业的应用和推广。虽然碳化硅衬底和器件工艺逐渐成熟，衬底和器件的价格呈一定下降趋势，但是目前碳化硅功率器件的价格仍数倍于硅基器件，下游应用领域仍需平衡碳化硅器件的高价格与碳化硅器件优越性能带来的综合成本下降间的关系，短期内一定程度上限制了碳化硅器件在功率器件领域的渗透率，使得碳化硅材料即使在部分相对优势领域的大规模应用仍存较大挑战。2、国内的高端技术和人才的缺乏半导体材料行业属于典型技术密集型行业，对于技术人员的知识背景、研发能力及操作经验积累均有较高要求，国内在高端技术和人才方面与国外龙头企业尚存在差距。缩小技术差距，需要靠国内企业和研

37、究机构持续投入研发，完成前期技术积累工作。国际巨头科锐公司成立于1987年，于1993年在美国纳斯达克上市，贰陆公司成立于1971年，于1987年在美国纳斯达克上市，相比于国际巨头具有数十年的研发和产业化经验，中国由于研发起步较晚，业内人才和技术水平仍然较为缺乏，在一定程度上制约了行业的快速发展。3、通过外延收购方式进行发展的难度较大宽禁带半导体的军事用途使得国外对中国实行技术和产品禁运和封锁。宽禁带半导体是有源相控阵雷达、毫米波通信设备、激光武器、“航天级”固态探测器、耐超高辐射装置等军事装备中的核心组件，因而受到国际上瓦森纳协定的出口管制，并且对外收购相关企业也会受到西方发达国家的严格审查

38、。国内行业通过外延式收购的方式进行发展的难度较大。四、 推进创新型河北建设实现新突破和全面塑造发展新优势深刻认识创新在现代化建设全局中的核心地位，面向世界科技前沿，面向经济主战场，面向国家重大需求，面向人民生命健康，深入实施创新驱动发展和科教兴冀战略，统筹抓好创新主体、创新基础、创新资源、创新环境，提升自主创新能力，以科技创新催生新发展动能，实现依靠创新驱动的内涵型增长。（一）优化整合科技资源力量实施科技强省行动，打好关键核心技术攻坚战。优化学科布局和研发布局，推进科研院所和高等学校科研力量优化配置和资源共享，努力打造世界一流学科。加快建设雄安国际科技成果展示交易中心，发挥产业技术研究院、产业

39、技术创新联盟作用。布局建设河北省实验室，推动基础研究和应用研究相互促进。加强标准、计量、专利建设，建设高标准技术市场和知识产权市场体系。瞄准人工智能、生命科学、空间技术、量子信息等前沿领域，实施一批发展急需的重大科技项目，抢占未来发展制高点。（二）积极打造协同创新高地规划建设雄安“科技自由港”，布局建设国家实验室、国家重点实验室、工程研究中心等一批国家级创新平台，打造国际科技创新合作试验区。对接京津创新源头，规划建设一批高水平中试基地，共建一批重点科技园区。推进京津冀技术市场一体化，共建科技成果转化项目库，完善配套政策及利益共享机制，大幅提高科技成果在河北孵化转化成效。深入实施石保廊全面创新改

40、革试验。开展创新型城市创建活动，提升县域科技创新能力。（三）提升企业技术创新能力强化企业创新主体地位，完善鼓励企业技术创新政策，促进各类创新要素向企业集聚。推进产学研用深度融合，打造科技、教育、产业、金融紧密融合的创新体系。发挥企业家在创新中的关键作用，支持企业牵头组建创新联合体，促进新技术快速大规模应用和迭代升级。建立创新型企业梯度培育机制，发挥产业龙头企业、科技领军企业引领支撑作用，大力发展科技型中小企业和高新技术企业，支持创新型中小微企业成为创新重要发源地，大力发展专业化国际化众创空间，推动产业链上中下游、大中小企业融通创新、协同发展。（四）激发人才创新创造活力贯彻尊重劳动、尊重知识、尊

41、重人才、尊重创造方针，大力实施“人才强冀”战略，持续推进“巨人计划”，加大院士后备人才培养力度，培育和引进战略科技人才、科技领军人才和创新团队。实施知识更新工程和技能提升行动，运用科教融合、校企联合等模式，打造一流职业技术院校，壮大高水平工程师队伍和高技能人才队伍，培养一批青年科技人才。完善聚才、引才、用才机制，加大政策创新力度，健全以创新能力、质量、实效、贡献为导向的科技人才评价体系。实行股权、期权、分红等激励措施，全面增强对人才的吸引力和汇聚力。大力弘扬科学精神和工匠精神，营造崇尚创新的社会氛围。五、 建设更高水平开放型经济新体制和开拓合作共赢新局面坚定不移实施开放带动战略，坚持高质量引进

42、来和高水平走出去相结合，增强自身竞争能力、开放监管能力、风险防控能力，形成全方位、多层次、多元化的开放合作格局。（一）深度融入“一带一路”建设坚持共商共建共享，开辟和增加国际航线、班轮、班列，畅通人流物流大通道。积极参与沿线国家基础设施建设，促进贸易、投资等领域交流合作。深化国际产能和第三方市场合作，加快钢铁、建材等优势产能和装备走出去。提升河钢塞尔维亚斯梅代雷沃钢厂质量效益，建好中塞友好(河北)工业园。完善境外投资管理，建设一批境外生产基地和产业园区，增强全球资源配置能力。（二）加快打造高质量沿海经济带加快唐山建成东北亚地区经济合作窗口城市、环渤海地区新型工业化基地、首都经济圈重要支点。优化

43、港口功能定位，实施港口转型升级工程，推进把秦皇岛港打造成国际一流旅游港和现代综合贸易港，把唐山港打造成服务重大国家战略的能源原材料主枢纽港、综合贸易大港，把黄骅港打造成现代综合服务港、国际贸易港和“一带一路”重要枢纽。深化港产城融合发展，做大做强临港产业，打造世界一流的精品钢铁基地、全国一流的绿色石化及合成材料基地、特色鲜明的高端装备制造基地。推进沿海与内陆腹地互动发展，实施陆港集群建设工程，布局建设无水港，支持石家庄国际陆港建设。积极培育和大力发展海洋经济，发展海水淡化、海洋生物医药、滨海旅游等产业。支持秦皇岛黄金海岸、唐山曹妃甸区、沧州渤海新区加快发展，打造新的经济增长极增长点。（三）强化

44、稳外贸稳外资实施外贸综合实力提升工程，优化出口质量结构和国际市场布局。加强商标、地理标志品牌建设，培育行业性区域性品牌，建设河北品牌境外展示中心。推进跨境电商综合试验区和综合保税区建设，支持企业共建共享海外仓。全面执行外商投资法，推动贸易和投资自由化便利化。开展精准招商、产业链招商，完善签约项目跟踪落地机制。积极参与中国国际进口博览会，办好中国廊坊国际经济贸易洽谈会。（四）积极推动自贸区创新发展落实功能定位，加快把雄安片区打造成高端高新产业开放发展引领区、数字商务发展示范区、金融创新先行区，把正定片区打造成航空产业开放发展集聚区、生物医药产业开放创新引领区、综合物流枢纽，把曹妃甸片区打造成东北

45、亚经济合作引领区、临港经济创新示范区，把大兴机场片区打造成国际交往中心功能承载区、国家航空科技创新引领区、京津冀协同发展示范区。大力推进制度创新，主动开展首创性、差别化改革探索。推动一批大项目、好项目落地实施。（五）全面提升开发区能级和水平优化企业布局，坚持关停取缔一批、就地改造一批、进区入园一批、做优做强一批，推进产业集约集群发展。实施跨区域组团化重组整合、集团化联动发展，培育壮大一批超千亿元开发区。加大开发区管理体制、人事薪酬制度等改革力度，加强与专业化园区运营商合作，提高市场化开发运营水平。完善考核评价体系和激励约束机制，提高开发区产业水平、投资强度、亩均效益。以发展高科技、实现产业化为

46、方向，着力提高高新技术开发区质量和效益。支持冀中南地区争列国家内陆开放型经济试验区。第四章 公司基本情况一、 公司基本信息1、公司名称：xx（集团）有限公司2、法定代表人：杨xx3、注册资本：510万元4、统一社会信用代码：xxxxxxxxxxxxx5、登记机关：xxx市场监督管理局6、成立日期：2011-10-227、营业期限：2011-10-22至无固定期限8、注册地址：xx市xx区xx9、经营范围：从事碳化硅衬底相关业务（企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）二、 公司简介公司全面推行“政府、市场、投资、消费、经营、企业”六位一体合作共赢的市场战略，以高度的社会责任积极响应政府城市发展号召，融入各级城市的建设与发展，在商业模式思路上领先业界，对服务区域经济与社会发展做出了突出贡献。 公司秉承“诚实、信用、谨慎、有效”的信托理念，将“诚信为本、合规经营”作为企业的核心理念，不断提升公司资产管理能力和风险控制能力。三、 公司竞争优势