吉安存储器项目建议书.docx

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1、泓域咨询/吉安存储器项目建议书目录第一章 项目背景、必要性8一、 行业发展面临的机遇与挑战8二、 产业链上游存储晶圆市场格局及技术路线10三、 强化首位产业核心优势12四、 深入融入国内国际双循环新格局13五、 项目实施的必要性15第二章 总论17一、 项目名称及投资人17二、 编制原则17三、 编制依据18四、 编制范围及内容19五、 项目建设背景19六、 结论分析19主要经济指标一览表21第三章 行业、市场分析24一、 半导体存储器简介24二、 半导体存储产业链特征26三、 产业链下游应用场景丰富，市场需求广阔27第四章 建筑技术分析32一、 项目工程设计总体要求32二、 建设方案32三、

2、 建筑工程建设指标33建筑工程投资一览表33第五章 项目选址可行性分析35一、 项目选址原则35二、 建设区基本情况35三、 始终坚持吉泰走廊发展战略43四、 全力扩大有效投资44五、 项目选址综合评价46第六章 运营管理模式48一、 公司经营宗旨48二、 公司的目标、主要职责48三、 各部门职责及权限49四、 财务会计制度52第七章 发展规划分析58一、 公司发展规划58二、 保障措施59第八章 SWOT分析62一、 优势分析（S）62二、 劣势分析（W）64三、 机会分析（O）64四、 威胁分析（T）65第九章 原辅材料供应73一、 项目建设期原辅材料供应情况73二、 项目运营期原辅材料供

3、应及质量管理73第十章 工艺技术方案74一、 企业技术研发分析74二、 项目技术工艺分析76三、 质量管理77四、 设备选型方案78主要设备购置一览表79第十一章 劳动安全分析81一、 编制依据81二、 防范措施84三、 预期效果评价86第十二章 组织机构及人力资源88一、 人力资源配置88劳动定员一览表88二、 员工技能培训88第十三章 投资方案分析90一、 编制说明90二、 建设投资90建筑工程投资一览表91主要设备购置一览表92建设投资估算表93三、 建设期利息94建设期利息估算表94固定资产投资估算表95四、 流动资金96流动资金估算表97五、 项目总投资98总投资及构成一览表98六、

4、 资金筹措与投资计划99项目投资计划与资金筹措一览表99第十四章 经济收益分析101一、 基本假设及基础参数选取101二、 经济评价财务测算101营业收入、税金及附加和增值税估算表101综合总成本费用估算表103利润及利润分配表105三、 项目盈利能力分析105项目投资现金流量表107四、 财务生存能力分析108五、 偿债能力分析109借款还本付息计划表110六、 经济评价结论110第十五章 风险评估112一、 项目风险分析112二、 项目风险对策114第十六章 总结评价说明116第十七章 附表118主要经济指标一览表118建设投资估算表119建设期利息估算表120固定资产投资估算表121流动

5、资金估算表122总投资及构成一览表123项目投资计划与资金筹措一览表124营业收入、税金及附加和增值税估算表125综合总成本费用估算表125利润及利润分配表126项目投资现金流量表127借款还本付息计划表129报告说明近年来，国家大力推动信创产业发展，从最上游的半导体材料到核心芯片、元器件、基础软件，再到整机、应用软件全面实现自主安全可控。而存储是信创产业的关键一环，当前信创产业处于全面提速阶段，必将对整个国产存储产业链起到带动作用。根据谨慎财务估算，项目总投资22858.90万元，其中：建设投资17950.83万元，占项目总投资的78.53%；建设期利息234.45万元，占项目总投资的1.0

6、3%；流动资金4673.62万元，占项目总投资的20.45%。项目正常运营每年营业收入51000.00万元，综合总成本费用42457.34万元，净利润6240.82万元，财务内部收益率20.61%，财务净现值11508.33万元，全部投资回收期5.65年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。经分析，本期项目符合国家产业相关政策，项目建设及投产的各项指标均表现较好，财务评价的各项指标均高于行业平均水平，项目的社会效益、环境效益较好，因此，项目投资建设各项评价均可行。建议项目建设过程中控制好成本，制定好项目的详细规划及资金使用计划，加强项目建设期的建设管理及项目运营期

7、的生产管理，特别是加强产品生产的现金流管理，确保企业现金流充足，同时保证各产业链及各工序之间的衔接，控制产品的次品率，赢得市场和打造企业良好发展的局面。本报告基于可信的公开资料，参考行业研究模型，旨在对项目进行合理的逻辑分析研究。本报告仅作为投资参考或作为参考范文模板用途。第一章 项目背景、必要性一、 行业发展面临的机遇与挑战1、行业机遇（1）国家政策高度重视集成电路行业发展集成电路产业是现代信息产业的基础和核心产业之一。近年来，为加快推进我国集成电路及封装测试产业发展，国务院、国家发改委、工信部等政府部门从投资、融资、财政、税收、技术和人才等多方面推出了一系列法规和产业政策，国家层面也设立相

8、应产业投资基金，给行业注入新动力。（2）下游应用行业蓬勃发展，国内市场对存储器芯片需求较大存储器行业的发展主要取决于下游的终端应用领域。随着一系列国家战略的持续深入实施，下游制造业的升级换代进程加快，其中消费电子、云计算、大数据、物联网、汽车电子等存储器应用的重要领域维持较快增速。下游市场处于蓬勃发展的态势，直接推动存储器产业链的持续扩张，有利于维持存储器行业需求端的规模增长。（3）存储产业链向大陆转移带来的机遇随着国内集成电路行业的发展，全球集成电路行业经历了向中国转移的过程，中国已经成为世界最大的集成电路芯片市场。在这一趋势带动下，存储晶圆厂和主控芯片代工厂商如台积电、三星电子、日月光等纷

9、纷在大陆投资建厂和扩张生产线，下游晶圆加工工艺持续改进，国内封装测试企业技术水平达到国际先进水平，为存储器厂商提供了充足的产能基础和完整的产业链配套。（4）信创产业助力存储行业发展近年来，国家大力推动信创产业发展，从最上游的半导体材料到核心芯片、元器件、基础软件，再到整机、应用软件全面实现自主安全可控。而存储是信创产业的关键一环，当前信创产业处于全面提速阶段，必将对整个国产存储产业链起到带动作用。2、行业挑战（1）高端技术人才不足在市场需求增长、国家政策支持、产业中心转移等利好因素下，高端技术才是企业抓住机遇、发展壮大的关键。国内具备战略视野和产业运营经验的领军型人才和国际高端技术人才相对稀缺

10、。（2）国内存储晶圆制造能力仍需进一步实现突破存储晶圆制造能力是存储产业实力的重要体现，当前世界先进的存储晶圆制造工艺及主要市场份额仍掌握在国外存储原厂手中，国内存储晶圆制造仍处于起步阶段，专利和技术积累相对薄弱，虽然长江存储、合肥长鑫等存储原厂已经实现量产，但与国外存储原厂在技术和市场份额方面仍存在较大差距。（3）我国集成电路基础技术有待提升国际市场上主流的集成电路公司大都经历了四十年以上的发展。国内同行业的厂商仍处于一个成长的阶段，与国际大厂依然存在技术差距，尤其是制造及封装测试环节所需的高端技术支持存在明显的短板，目前我国集成电路行业中的部分高端市场仍由国外企业占据主导地位。因此，产业链

11、上下游的技术水平也在一定程度上限制了我国集成电路行业的发展。二、 产业链上游存储晶圆市场格局及技术路线存储晶圆的设计与制造产业具有较高的技术和资本门槛，早期进入存储器领域的全球领先企业通过巨额资本投入不断积累市场竞争优势，全球存储晶圆市场被韩国、美国和日本的少数企业主导。国际领先的存储原厂凭借多年技术积累，不断提升晶圆制程以提高单位面积的存储密度和降低存储芯片功耗，随着制程工艺不断逼近极限，芯片设计与晶圆制造的研发门槛不断提高，研发资本投入不断增加。同时，主要存储原厂还需通过持续大额资本支出来投放成熟制程产能，维持规模优势和市场份额。1、NANDFlash市场竞争格局及技术路线NANDFlas

12、h全球市场高度集中，根据Omdia（IHSMarkit）数据，2020年全球NANDFlash市场规模为571.95亿美元，由三星电子、铠侠、西部数据、美光科技、SK海力士、英特尔六家公司主导，其中三星电子全球市场份额约34%，此外，SK海力士收购英特尔NANDFlash业务已于2021年获得主要市场监管当局批准，全球NANDFlash市场将进一步集中。技术路线方面，主要存储原厂在激烈竞争中不断提升NANDFlash存储密度。目前，存储密度提升的主要技术路径包括提高存储单元的可存储数位（bit）量和提升3DNANDFlash的堆叠层数。根据每个存储单元存储的可存储数位量，NANDFlash分为

13、SLC、MLC、TLC、QLC。SLC（Single-levelCell）为每个存储单元存储的数据只有1位，而MLC（Multi-levelCell）、TLC（Triple-levelCell）和QLC（Quad-LevelCell）每个存储单元存储的数据分别为2位、3位与4位，存储密度梯度提升。传统NANDFlash为平面闪存（2DNAND），3DNAND使用多层垂直堆叠技术，拥有更大容量、更低功耗、更优耐用性以及更低成本的优势。三星电子2013年率先开发出可以商业化应用的24层3DNAND，2020年3DNAND高端先进制程进入176层阶段。2、DRAM市场竞争格局及技术路线DRAM全球市

14、场相较于NANDFlash更为集中，2020年全球DRAM市场规模为663.83亿美元，由三星电子、SK海力士和美光科技三家公司主导。技术路线方面，行业龙头三星电子于2014年率先实现20纳米制程量产（4GbDDR3DRAM），将技术路线竞争引入20nm时代，此后DRAM制程大约每两年实现一次突破，从1Xnm（16nm-19nm）到1Ynm（14nm-16nm）到1Znm（12-14nm）。2021年1月，美光科技率先宣布量产1nm（接近10nm）DRAM产品，主流原厂开始进入1nm制程阶段。目前市场高端制程为1Znm，该制程生产的芯片主要标准规格包括DDR4X/5及LPDDR4X/5。3、中

15、国大陆存储晶圆仍处于发展初期近年来，在集成电路产业政策和国家集成电路基金等市场资本的扶持推动下，中国在DRAM与NANDFlash两大存储核心领域均取得关键技术突破，以长江存储和长鑫存储为代表的本土存储晶圆原厂技术实力与国际主流原厂快速缩小；依托中国市场广阔需求，市场份额取得实质进展。尽管国产晶圆生产取得实质进展，但是国产晶圆在技术实力和市场规模方面与国际存储原厂仍有显著差距。三、 强化首位产业核心优势抢抓京九高铁全面开通和京九电子信息产业带建设机遇，坚定不移促进电子信息首位产业“点线面体网”融合发展，推动全域化布局、全要素支持、全链条提升。瞄准主攻方向集群发展，重点培育半导体照明、移动智能设

16、备及终端、触控显示、电子电路、5G制造、新兴信息六大细分产业集群，打造全链条全球商用LED产业基地、全球最大的LED照明基地、全国中高端线路板生产基地、全国重要的智能声学硬件制造基地、全省重要的智能终端配套基地。对接市场需求，增强基础电子和发展集成电路能力，加快发展智能穿戴、智慧家居等消费类电子，提升产业整体优势。立足新发展格局提升产业链，积极承接国内国际、沿海发达地区产业转移，抓住新产品新领域持续拓展和产品迭代升级的机遇，大力实施补链延链强链行动，在细分优势领域突破一批关键技术，培育更多关键产品。优化产业空间布局，重点以京九高铁沿线的吉泰走廊国家电子信息产业基地为纽带，以井冈山经开区和吉安高

17、新区两个国家级园区为双核，重点县(市、区)为阵地，统筹推进全市电子信息产业协同、有序、差异化发展。大力推进首位产业高质量跨越式发展，实施内育外引培育产业龙头方阵行动,形成百亿企业梯队，打造全国有影响力的电子信息产业示范基地和革命老区先进制造业发展示范区。四、 深入融入国内国际双循环新格局找准吉安在国内大循环和国内国际双循环中的位置和比较优势，完善贸易投资体系和流通体系，推动产业有效融入国际国内产业链分工。（一）推进产业融入国内大循环做优产业链，深入推进“1+4”主导产业铸链强链引链补链工程，增强全产业链优势和配套能力，提高产业链供应链韧性和竞争力。电子信息产业聚焦优势细分领域，打造集设计、研发

18、、制造为一体的优势产业链条，强化核心优势，抢占国内产业制高点和话语权，争当国内产业循环主力军。生物医药大健康、先进制造、绿色食品、先进材料等主导产业延伸产业链、提升价值链，聚集头部企业，积极融入国内产业链分工合作，当好“产业的配角、配套的主角”。完善供应链，全域旅游抢抓高铁机遇，突出红色文化、庐陵文化、生态文化，把握康养产业、幸福产业发展趋势，打造一批国家级乃至世界级的优质旅游产品，抢占国内旅游消费市场。强化农产品供给质量和市场营销,提高农产品市场占有率。提升创新链，推进创新型城市建设，主动对接北京、上海、粤港澳大湾区等沿海地区科技创新资源，强化创新要素开放合作，增强创新能力。发挥企业和机构院

19、校主体作用，强化产业技术、基础性、支撑性科技研发，提升区域创新竞争力。（二）积极参与国际大循环促进投资自由便利，全面落实外商投资准入国民待遇加负面清单管理制度。促进贸易自由便利，加快国际贸易“单一窗口”建设，推动数据协同、简化和标准化。推动内外贸融合发展，加快培育外贸综合服务企业，培育和建成一批内外贸为一体的综合商品市场。引进培育生产型出口企业，强化产品研发和自主创新，提高出口产品品质，积极开拓“一带一路”等国际市场。（三）加快完善流通体系统筹推进流通体系硬件和软件建设，降低区域综合物流成本。中心城区和各县(市、区)高标准规划建设一批现代化物流园区，大力发展智慧物流、高铁物流、供应链物流、冷链

20、物流、快递物流等新兴物流业态，提升全市工业产品、农特产品供给效率。争取顺丰、“三通一达”等国内快递业龙头企业在吉安设立省级分拨中心，推进快递运输行业国际快件监管中心建设。支持赣江水运互通，大力发展多式联运，加密铁海联运班次。推动货物出入境与沿海同价起抵、进出口通关与沿海同等效率，加快构建高效配送体系，降低流通成本，提高流通效率。五、 项目实施的必要性（一）现有产能已无法满足公司业务发展需求作为行业的领先企业，公司已建立良好的品牌形象和较高的市场知名度，产品销售形势良好，产销率超过 100%。预计未来几年公司的销售规模仍将保持快速增长。随着业务发展，公司现有厂房、设备资源已不能满足不断增长的市场

21、需求。公司通过优化生产流程、强化管理等手段，不断挖掘产能潜力，但仍难以从根本上缓解产能不足问题。通过本次项目的建设，公司将有效克服产能不足对公司发展的制约，为公司把握市场机遇奠定基础。（二）公司产品结构升级的需要随着制造业智能化、自动化产业升级，公司产品的性能也需要不断优化升级。公司只有以技术创新和市场开发为驱动，不断研发新产品，提升产品精密化程度，将产品质量水平提升到同类产品的领先水准，提高生产的灵活性和适应性，契合关键零部件国产化的需求，才能在与国外企业的竞争中获得优势，保持公司在领域的国内领先地位。第二章 总论一、 项目名称及投资人（一）项目名称吉安存储器项目（二）项目投资人xx（集团）

22、有限公司（三）建设地点本期项目选址位于xx（以选址意见书为准）。二、 编制原则本项目从节约资源、保护环境的角度出发，遵循创新、先进、可靠、实用、效益的指导方针。保证本项目技术先进、质量优良、保证进度、节省投资、提高效益，充分利用成熟、先进经验，实现降低成本、提高经济效益的目标。1、力求全面、客观地反映实际情况，采用先进适用的技术，以经济效益为中心，节约资源，提高资源利用率，做好节能减排，在采用先进适用技术的同时，做好投资费用的控制。2、根据市场和所在地区的实际情况，合理制定产品方案及工艺路线，设计上充分体现设备的技术先进，操作安全稳妥，投资经济适度的原则。3、认真贯彻国家产业政策和企业节能设计

23、规范，努力做到合理利用能源和节约能源。采用先进工艺和高效设备，加强计量管理，提高装置自动化控制水平。4、根据拟建区域的地理位置、地形、地势、气象、交通运输等条件及安全，保护环境、节约用地原则进行布置；同时遵循国家安全、消防等有关规范。5、在环境保护、安全生产及消防等方面，本着“三同时”原则，设计上充分考虑装置在上述各方面投资，使得环境保护、安全生产及消防贯穿工程的全过程。做到以新代劳，统一治理，安全生产，文明管理。三、 编制依据1、承办单位关于编制本项目报告的委托；2、国家和地方有关政策、法规、规划；3、现行有关技术规范、标准和规定；4、相关产业发展规划、政策；5、项目承办单位提供的基础资料。

24、四、 编制范围及内容本报告对项目建设的背景及概况、市场需求预测和建设的必要性、建设条件、工程技术方案、项目的组织管理和劳动定员、项目实施计划、环境保护与消防安全、项目招投标方案、投资估算与资金筹措、效益评价等方面进行综合研究和分析，为有关部门对工程项目决策和建设提供可靠和准确的依据。五、 项目建设背景随着汽车消费升级、新能源汽车的推广以及相关政策推动，汽车电动化和智能化将成为新趋势。随着智能化程度的不断加深，汽车正逐步完成由交通工具到移动终端的转变，同时也给存储行业带来新的市场机遇。当前，汽车产品中主要是信息娱乐系统、动力系统和高级驾驶辅助（ADAS）系统中需要使用存储设备，随着自动化程度提高

25、，所需的存储容量也随之增长。根据Gartner的数据显示，2019年全球ADAS中的NANDFlash存储消费达到2.2亿GB，同比增长214.29%，未来几年增速有所放缓但仍将保持强劲增长，预计至2024年，全球ADAS领域的NANDFlash存储消费将达到41.5亿GB，2019年-2024年复合增速达79.9%。六、 结论分析（一）项目选址本期项目选址位于xx（以选址意见书为准），占地面积约45.00亩。（二）建设规模与产品方案项目正常运营后，可形成年产xxx件存储器的生产能力。（三）项目实施进度本期项目建设期限规划12个月。（四）投资估算本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金

26、。根据谨慎财务估算，项目总投资22858.90万元，其中：建设投资17950.83万元，占项目总投资的78.53%；建设期利息234.45万元，占项目总投资的1.03%；流动资金4673.62万元，占项目总投资的20.45%。（五）资金筹措项目总投资22858.90万元，根据资金筹措方案，xx（集团）有限公司计划自筹资金（资本金）13289.54万元。根据谨慎财务测算，本期工程项目申请银行借款总额9569.36万元。（六）经济评价1、项目达产年预期营业收入（SP）：51000.00万元。2、年综合总成本费用（TC）：42457.34万元。3、项目达产年净利润（NP）：6240.82万元。4、财

27、务内部收益率（FIRR）：20.61%。5、全部投资回收期（Pt）：5.65年（含建设期12个月）。6、达产年盈亏平衡点（BEP）：20034.45万元（产值）。（七）社会效益项目建设符合国家产业政策，具有前瞻性；项目产品技术及工艺成熟，达到大批量生产的条件，且项目产品性能优越，是推广型产品；项目产品采用了目前国内最先进的工艺技术方案；项目设施对环境的影响经评价分析是可行的；根据项目财务评价分析，经济效益好，在财务方面是充分可行的。本项目实施后，可满足国内市场需求，增加国家及地方财政收入，带动产业升级发展，为社会提供更多的就业机会。另外，由于本项目环保治理手段完善，不会对周边环境产生不利影响。

28、因此，本项目建设具有良好的社会效益。（八）主要经济技术指标主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积30000.00约45.00亩1.1总建筑面积61019.831.2基底面积19500.001.3投资强度万元/亩376.062总投资万元22858.902.1建设投资万元17950.832.1.1工程费用万元15447.612.1.2其他费用万元2155.192.1.3预备费万元348.032.2建设期利息万元234.452.3流动资金万元4673.623资金筹措万元22858.903.1自筹资金万元13289.543.2银行贷款万元9569.364营业收入万元51000.00正常运营年

29、份5总成本费用万元42457.346利润总额万元8321.097净利润万元6240.828所得税万元2080.279增值税万元1846.4310税金及附加万元221.5711纳税总额万元4148.2712工业增加值万元14476.5613盈亏平衡点万元20034.45产值14回收期年5.6515内部收益率20.61%所得税后16财务净现值万元11508.33所得税后第三章 行业、市场分析一、 半导体存储器简介存储器是指利用磁性材料或半导体等材料作为介质进行信息存储的器件，半导体存储器利用半导体介质贮存电荷以实现信息存储，存储与读取过程体现为电荷的贮存或释放，半导体存储是集成电路的重要分支。1、

30、易失性存储易失性存储主要指随机存取存储器（RAM）。RAM需要维持通电以临时保存数据供主系统CPU读写和处理。由于RAM可以实现对数据的高速读写，因此通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介。RAM根据是否需要周期性刷新以维持数据存储，进一步分为动态随机存取存储器（DRAM）和静态随机存取存储器（SRAM）。动态随机存取存储器（DRAM）需要在维持通电的同时，通过周期性刷新来维持数据，故称“动态”存储器。DRAM结构简单，因此单位面积的存储密度显著高于SRAM，但访问速度慢于SRAM；此外，由于DRAM需要周期性刷新以维持正确的数据，因此功耗较SRAM更高。DRAM作为一种高密

31、度的易失性存储器，主要用作CPU处理数据的临时存储装置，广泛应用于智能手机、个人电脑、服务器等主流应用市场。2、非易失性存储非易失性存储主要指只读存储器（ROM），无需持续通电亦能长久保存数据的存储器。早期的ROM产品信息首次写入后即固定下来，以非破坏性读出方式工作，只能读出而无法修改或再次写入信息，故称“只读”存储器。ROM经过不断演变发展，经过掩膜只读存储器（MaskROM）、可编程只读存储器（PROM）、可编程可擦除只读存储器（EPROM）、电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）和快闪存储器（Flash）等阶段，已经突破原有的“只读”限制。Flash主要包括NANDFlash和NORF

32、lash。NANDFlash是使用电可擦技术的高密度非易失性存储。NANDFlash每位只使用一个晶体管，存储密度远高于其他ROM；在正常使用情况下，Flash所存的电荷（数据）可长期保存；同时，NANDFlash能够实现快速读写和擦除。NANDFlash为大容量数据存储的实现提供了廉价有效的解决方案，是目前全球市场大容量非易失存储的主流技术方案。NORFlash特点在于允许CPU直接从存储单元中读取代码执行（eXecuteInPlace,XIP），即应用程序可直接在Flash内运行，而不必再读到系统RAM中；但NORFlash写入和擦除速度慢，因此不适宜作为大容量存储器，仅在小容量场景具有成

33、本效益。二、 半导体存储产业链特征半导体存储产业链形态与逻辑芯片产业有所不同。逻辑芯片产业从1990年代起，受降低成本和提升效率等要素驱动，原来主流的IDM（设计-制造垂直整合）模式向产业链分工模式切换，Fabless（设计）、Foundry（制造）、Test（测试）各环节开始独立，产业链纵向分化；而半导体存储器由于布图设计与晶圆制造的技术结合更为紧密，半导体存储主要晶圆厂仍采用IDM模式经营。同时，半导体存储器核心功能即为数据存储，存储晶圆标准化程度高，应用场景所需的功能则在NANDFlash主控芯片设计、固件开发以及SiP封装等产业链后端环节实现。因此存储原厂完成晶圆制造后，仍需开发大量应

34、用技术以实现从标准化存储晶圆到具体存储产品的转化。由于以上的产业特征，部分存储原厂凭借晶圆优势向下游存储产品领域渗透，同时独立的存储器供应商（含品牌商）应运而生。存储原厂的竞争重心在于创新晶圆IC设计与提升晶圆制程，在产品应用领域，囿于产品化成本等要素限制，原厂仅能聚焦具有大宗数据存储需求的行业和客户（如智能手机、个人电脑及服务器行业的头部客户）。存储原厂的目标市场之外，仍存在极为广泛的应用场景和市场需求，包括细分行业存储需求（如工业控制、商用设备、汽车电子、网络通信设备、家用电器、影像监控、物联网硬件等）以及主流应用市场中小客户的需求。存储器厂商面向下游细分行业客户的客制化需求，进行晶圆分析

35、、主控芯片选型与定制、固件开发、封装设计、芯片测试、提供后端的技术支持等，将标准化存储晶圆转化为存储产品，扩展了半导体存储器的应用场景，提升了半导体存储器在各类应用场景的适用性，推动实现存储晶圆的产品化，是半导体存储产业链承上启下的重要环节。领先的存储器厂商在存储晶圆产品化的过程中形成品牌声誉，推动存储产品企业塑造自身的品牌形象，进而巩固其市场地位并改善利润空间，推动其增加研发投入，形成良性循环。三、 产业链下游应用场景丰富，市场需求广阔存储器产业链下游涵盖智能手机、平板电脑、计算机、网络通信设备、可穿戴设备、物联网硬件、安防监控、工业控制、汽车电子等行业以及个人移动存储等领域。不同应用场景对

36、存储器的参数要求复杂多样，涉及容量、读写速度、可擦除次数、协议、接口、功耗、尺寸、稳定性、兼容性等多项内容。半导体存储器根据下游应用场景形成了不同的产品形态，NANDFlash主要包括嵌入式存储（用于电子移动终端低功耗场景）、固态硬盘（大容量存储场景）、移动存储（便携式存储场景）等，其中嵌入式存储与固态硬盘是NANDFlash的主要产品类别，市场规模占NANDFlash市场85%以上。NANDFlash中，嵌入式存储市场主要受智能手机、平板等消费电子行业驱动，固态硬盘下游市场主要包括服务器、个人电脑，移动存储广泛应用于各类消费者领域。DRAM中，LPDDR主要与嵌入式存储配合应用于智能手机、平

37、板等消费电子产品，近年来亦应用于功耗限制严格的个人电脑产品，DDR主要应用于服务器、个人电脑等。1、智能手机市场随着移动通信技术的发展和移动互联网的普及，作为半导体存储下游重要的细分市场，智能手机的景气度是NANDFlash，特别是嵌入式存储市场发展的核心驱动力。全球智能手机市场得益于3G/4G通信网络的建设，出货量自2010年的3.05亿台迅速攀升至2016年的14.73亿台。2017年开始智能手机趋向饱和，主要是随着4G通信普及，4G智能手机增量市场触及天花板，智能手机整体出货量主要受存量市场手机单位容量增长驱动。2019年是5G商用化元年，随着5G逐渐普及，新一轮的换机周期开启。据Omi

38、da（IHSMarkit）预测，2020-2025年，5G智能手机出货量年均复合增长率（CAGR）将达到约44.95%。同时，智能手机对于NANDFlash需求不仅取决于手机出货量，同时取决于单台手机的存储容量。根据Omdia（IHSMarkit）数据，单台智能手机的RAM模块（LPDDR）和ROM模块（嵌入式NANDFlash）均在经历持续、大幅的提升。随着5G手机渗透率的逐步提升，智能手机的性能进一步升级，RAM扩容是CPU提升处理速率的必要条件。功能更为强大的移动终端将允许手机搭载功能更为复杂、占据存储容量更大的软件程序，且消费者通过移动终端欣赏更高画质、音质内容物的消费习惯亦会进一步持

39、续推动智能手机ROM扩容。2、数据中心市场近年来，云计算、大数据、物联网、人工智能等市场规模不断扩大，数据量呈现几何级增长，数据中心固定投资不断增加。据国际数据公司（IDC）预测，全球数据总量预计2020年达到44ZB，我国数据量将达到8,060EB，占全球数据总量的18%。数据爆发式增长为存储行业带来巨大的需求空间。一方面互联网巨头纷纷自建数据中心，同时传统企业上云进程加快，两者共同带动服务器数据存储市场规模快速增长。根据国际数据公司（IDC）统计，2019年第四季度全球服务器出货量340万台，同比增长14%，服务器厂商收入同比增长7.5%至254亿美元。在数据中心作为新型基础设施加快建设的

40、背景下，服务器/数据存储的市场规模将继续快速增长，该细分领域的需求将大幅增加。3、个人电脑（PC）市场个人电脑（PC）市场曾是磁性存储器的主要市场之一，由于NANDFlashSSD的制造成本较高，PC端数据存储过去主要使用机械硬盘（HDD）。HDD是以磁性材料为存储载体的存储器，在平整的磁性表面存储和检索数字数据。近年来，随着NANDFlash单位存储经济效益持续凸显，同时笔记本电脑，特别是轻薄笔记本电脑对存储物理空间限制严格，SSD对HDD的替代效应显著。同时，PC与其他消费电子产品相同，正在经历性能和数据存储需求的持续增长。随着消费者处理数据的需求不断增加，单台设备的存储容量需求亦持续增加

41、。4、移动存储消费市场用户对于可靠的存储解决方案的需求是移动存储消费市场存在的前提，经过多年的发展，移动存储消费市场已经充分发展，产品形态以U盘、存储卡以及移动便携SSD产品为主，产品形态趋于成熟，需求稳中有降，整体市场进入成熟期，移动存储消费市场的品牌作用日益凸显。5、汽车电子市场随着汽车消费升级、新能源汽车的推广以及相关政策推动，汽车电动化和智能化将成为新趋势。随着智能化程度的不断加深，汽车正逐步完成由交通工具到移动终端的转变，同时也给存储行业带来新的市场机遇。当前，汽车产品中主要是信息娱乐系统、动力系统和高级驾驶辅助（ADAS）系统中需要使用存储设备，随着自动化程度提高，所需的存储容量也

42、随之增长。根据Gartner的数据显示，2019年全球ADAS中的NANDFlash存储消费达到2.2亿GB，同比增长214.29%，未来几年增速有所放缓但仍将保持强劲增长，预计至2024年，全球ADAS领域的NANDFlash存储消费将达到41.5亿GB，2019年-2024年复合增速达79.9%。第四章 建筑技术分析一、 项目工程设计总体要求（一）工程设计依据建筑结构荷载规范建筑地基基础设计规范砌体结构设计规范混凝土结构设计规范建筑抗震设防分类标准（二）工程设计结构安全等级及结构重要性系数车间、仓库:安全等级二级，结构重要性系数1.0；办公楼：安全等级二级，结构重要性系数1.0；其它附属建

43、筑：安全等级二级，结构重要性系数1.0。二、 建设方案主要厂房在满足工艺使用要求，满足防火、通风、采光要求的前提下，力求做到布置紧凑、节省用地。车间立面造型简洁明快，体现现代化企业的建筑特色。屋面防水、保温尽可能采用质量较高、性能可靠的新型建筑材料。本项目中主要生产车间及仓库均为钢结构，次建筑为砖混结构。考虑当地地震带的分布，工程设计中将加强建筑物抗震结构措施，以增强建筑物的抗震能力。三、 建筑工程建设指标本期项目建筑面积61019.83，其中：生产工程45747.00，仓储工程5877.30，行政办公及生活服务设施6306.73，公共工程3088.80。建筑工程投资一览表单位：、万元序号工程

44、类别占地面积建筑面积投资金额备注1生产工程11700.0045747.005737.131.11#生产车间3510.0013724.101721.141.22#生产车间2925.0011436.751434.281.33#生产车间2808.0010979.281376.911.44#生产车间2457.009606.871204.802仓储工程4290.005877.30610.282.11#仓库1287.001763.19183.082.22#仓库1072.501469.33152.572.33#仓库1029.601410.55146.472.44#仓库900.901234.23128.163

45、办公生活配套1308.456306.731003.853.1行政办公楼850.494099.37652.503.2宿舍及食堂457.962207.36351.354公共工程2145.003088.80249.39辅助用房等5绿化工程5100.0098.17绿化率17.00%6其他工程5400.0021.287合计30000.0061019.837720.10第五章 项目选址可行性分析一、 项目选址原则1、符合国家地区城市规划要求；2、满足项目对：原材料、能源、水和人力的供应；3、节约和效力原则；安全的原则；4、实事求是的原则；5、节约用地；6、注意环保（以人为本，减少对生态环境影响）。二、 建

46、设区基本情况吉安，是江西省地级市。古称庐陵、吉州；元初，取“吉泰民安”之意改称“吉安”。境内有佛教圣地青原山，产生了禅宗青原派，吉安因此名扬海内外。吉安位于江西省中部，赣江中游，西接湖南省，南揽罗霄山脉中段，据富饶的吉泰平原，是江西建制最早的古郡之一，是赣文化发源地之一。吉安下辖2区1市10县。全市总面积25283平方千米。截至2020年11月1日零时，吉安市常住人口为4469176人(第七次人口普查)。吉安是赣文化三大支柱之一，自古乃人文渊源之地，孕育了自成一系的江右庐陵文化，素有“金庐陵”、“江南望郡”、“山水福地”、“文章节义之邦”、“状元之乡”、“才子之乡”、“庐陵风光半姑苏”、“将军市”、“红色摇篮”、“革命圣地”的美誉。吉安有革命摇篮井冈山、武功山、羊