南昌关于成立半导体靶材公司可行性报告.docx
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1、泓域咨询/南昌关于成立半导体靶材公司可行性报告南昌关于成立半导体靶材公司可行性报告xx(集团)有限公司报告说明xx(集团)有限公司主要由xx集团有限公司和xx投资管理公司共同出资成立。其中:xx集团有限公司出资748.00万元,占xx(集团)有限公司85%股份;xx投资管理公司出资132万元,占xx(集团)有限公司15%股份。根据谨慎财务估算,项目总投资24755.37万元,其中:建设投资19849.86万元,占项目总投资的80.18%;建设期利息238.68万元,占项目总投资的0.96%;流动资金4666.83万元,占项目总投资的18.85%。项目正常运营每年营业收入45700.00万元,综
2、合总成本费用36328.58万元,净利润6859.09万元,财务内部收益率22.17%,财务净现值8253.54万元,全部投资回收期5.42年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。半导体芯片行业是金属溅射靶材的主要应用领域之一,也是对靶材的成分、组织和性能要求最高的领域,靶材纯度要求通常达99.9995%(5N5)甚至99.9999%(6N)以上。半导体芯片的制作过程可分为芯片设计、晶圆制造、芯片封装和芯片测试四大环节,其中,在晶圆制造和芯片封装这两个环节中都需要用到金属溅射靶材。其中,靶材在晶圆制造环节主要被用作金属溅镀,常采用PVD工艺进行镀膜,通常使用纯度在
3、5N5及以上的铜靶、铝靶、钽靶、钛靶以及部分合金靶等;靶材在芯片封装环节常用作贴片焊线的镀膜,常采用高纯及超高纯金属铜靶、铝靶、钽靶等。本报告为模板参考范文,不作为投资建议,仅供参考。报告产业背景、市场分析、技术方案、风险评估等内容基于公开信息;项目建设方案、投资估算、经济效益分析等内容基于行业研究模型。本报告可用于学习交流或模板参考应用。目录第一章 拟组建公司基本信息8一、 公司名称8二、 注册资本8三、 注册地址8四、 主要经营范围8五、 主要股东8公司合并资产负债表主要数据9公司合并利润表主要数据9公司合并资产负债表主要数据11公司合并利润表主要数据11六、 项目概况12第二章 项目背景
4、及必要性15一、 国外主要半导体供应商基本情况15二、 全球半导体靶材市场规模预测15三、 提升科技创新能力16第三章 市场预测19一、 应用趋势:下游技术革新,溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发展19二、 靶材在半导体中的应用22第四章 公司组建方案24一、 公司经营宗旨24二、 公司的目标、主要职责24三、 公司组建方式25四、 公司管理体制25五、 部门职责及权限26六、 核心人员介绍30七、 财务会计制度31第五章 法人治理37一、 股东权利及义务37二、 董事39三、 高级管理人员44四、 监事46第六章 发展规划48一、 公司发展规划48二、 保障措施52第七章 项目风险分析
5、55一、 项目风险分析55二、 项目风险对策57第八章 环境保护方案59一、 编制依据59二、 环境影响合理性分析60三、 建设期大气环境影响分析61四、 建设期水环境影响分析62五、 建设期固体废弃物环境影响分析63六、 建设期声环境影响分析63七、 环境管理分析64八、 结论及建议66第九章 选址分析67一、 项目选址原则67二、 建设区基本情况67三、 提高产业链供应链现代化水平69四、 项目选址综合评价70第十章 项目进度计划71一、 项目进度安排71项目实施进度计划一览表71二、 项目实施保障措施72第十一章 经济效益分析73一、 经济评价财务测算73营业收入、税金及附加和增值税估算
6、表73综合总成本费用估算表74固定资产折旧费估算表75无形资产和其他资产摊销估算表76利润及利润分配表78二、 项目盈利能力分析78项目投资现金流量表80三、 偿债能力分析81借款还本付息计划表82第十二章 投资估算84一、 投资估算的编制说明84二、 建设投资估算84建设投资估算表86三、 建设期利息86建设期利息估算表87四、 流动资金88流动资金估算表88五、 项目总投资89总投资及构成一览表89六、 资金筹措与投资计划90项目投资计划与资金筹措一览表91第十三章 项目总结分析93第十四章 附表95主要经济指标一览表95建设投资估算表96建设期利息估算表97固定资产投资估算表98流动资金
7、估算表99总投资及构成一览表100项目投资计划与资金筹措一览表101营业收入、税金及附加和增值税估算表102综合总成本费用估算表102固定资产折旧费估算表103无形资产和其他资产摊销估算表104利润及利润分配表105项目投资现金流量表106借款还本付息计划表107建筑工程投资一览表108项目实施进度计划一览表109主要设备购置一览表110能耗分析一览表110第一章 拟组建公司基本信息一、 公司名称xx(集团)有限公司(以工商登记信息为准)二、 注册资本880万元三、 注册地址南昌xxx四、 主要经营范围经营范围:从事半导体靶材相关业务(企业依法自主选择经营项目,开展经营活动;依法须经批准的项目
8、,经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动;不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。)五、 主要股东xx(集团)有限公司主要由xx集团有限公司和xx投资管理公司发起成立。(一)xx集团有限公司基本情况1、公司简介公司不断推动企业品牌建设,实施品牌战略,增强品牌意识,提升品牌管理能力,实现从产品服务经营向品牌经营转变。公司积极申报注册国家及本区域著名商标等,加强品牌策划与设计,丰富品牌内涵,不断提高自主品牌产品和服务市场份额。推进区域品牌建设,提高区域内企业影响力。公司以负责任的方式为消费者提供符合法律规定与标准要求的产品。在提供产品的过程中,综合考虑其对消费者的影响,确保产品安全。积极
9、与消费者沟通,向消费者公开产品安全风险评估结果,努力维护消费者合法权益。公司加大科技创新力度,持续推进产品升级,为行业提供先进适用的解决方案,为社会提供安全、可靠、优质的产品和服务。2、主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额10922.398737.918191.79负债总额3983.773187.022987.83股东权益合计6938.625550.905203.97公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入29364.7123491.7722023.53营业利润7035.775628.625276.83
10、利润总额6001.464801.174501.10净利润4501.103510.863240.79归属于母公司所有者的净利润4501.103510.863240.79(二)xx投资管理公司基本情况1、公司简介公司按照“布局合理、产业协同、资源节约、生态环保”的原则,加强规划引导,推动智慧集群建设,带动形成一批产业集聚度高、创新能力强、信息化基础好、引导带动作用大的重点产业集群。加强产业集群对外合作交流,发挥产业集群在对外产能合作中的载体作用。通过建立企业跨区域交流合作机制,承担社会责任,营造和谐发展环境。公司全面推行“政府、市场、投资、消费、经营、企业”六位一体合作共赢的市场战略,以高度的社会
11、责任积极响应政府城市发展号召,融入各级城市的建设与发展,在商业模式思路上领先业界,对服务区域经济与社会发展做出了突出贡献。 2、主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额10922.398737.918191.79负债总额3983.773187.022987.83股东权益合计6938.625550.905203.97公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入29364.7123491.7722023.53营业利润7035.775628.625276.83利润总额6001.464801.174501.10净利润4
12、501.103510.863240.79归属于母公司所有者的净利润4501.103510.863240.79六、 项目概况(一)投资路径xx(集团)有限公司主要从事关于成立半导体靶材公司的投资建设与运营管理。(二)项目提出的理由半导体芯片行业常用的金属溅射靶材主要种类包括:铜、钽、铝、钛、钴和钨等高纯溅射靶材,以及镍铂、钨钛等合金类的溅射靶材,其中铝与铜为两大主流导线工艺。目前芯片生产所使用的主流工艺中同时存在铝和铜两种导线工艺,一般来说110nm晶圆技术节点以上使用铝导线,110nm晶圆技术节点以下使用铜导线。钛靶和铝靶通常配合起来使用,常作为铝导线的阻挡层的薄膜材料,钽靶则配合铜靶使用,作
13、为铜导线的阻挡层的薄膜材料。发展环境面临复杂深刻变化。当今世界正经历百年未有之大变局,国际格局深刻调整,和平与发展仍然是时代主题,人类命运共同体理念深入人心,我国制度优势显著,治理效能提升,发展长期向好的基本面不会改变,为我市保持经济社会平稳健康发展提供了总体有利环境。以国内大循环为主体、国内国际双循环相互促进的新发展格局正在形成,我市区位优势、产业优势、生态优势、创新优势将更加凸显,为推进高质量跨越式发展提供了新机遇。新一轮科技革命和产业变革深入发展,我市在电子信息、航空、虚拟现实、硅衬底半导体照明等领域已取得先发优势,为实现“变道超车”“换车超车”增添了新动能。(三)项目选址项目选址位于x
14、x(以最终选址方案为准),占地面积约61.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越,交通便利,规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备,非常适宜本期项目建设。(四)生产规模项目建成后,形成年产xx吨半导体靶材的生产能力。(五)建设规模项目建筑面积76532.43,其中:生产工程53805.71,仓储工程11134.29,行政办公及生活服务设施6534.60,公共工程5057.83。(六)项目投资根据谨慎财务估算,项目总投资24755.37万元,其中:建设投资19849.86万元,占项目总投资的80.18%;建设期利息238.68万元,占项目总投资的0.96%;流动资金4666.83万元,占项目总投
15、资的18.85%。(七)经济效益(正常经营年份)1、营业收入(SP):45700.00万元。2、综合总成本费用(TC):36328.58万元。3、净利润(NP):6859.09万元。4、全部投资回收期(Pt):5.42年。5、财务内部收益率:22.17%。6、财务净现值:8253.54万元。(八)项目进度规划项目建设期限规划12个月。(九)项目综合评价该项目符合国家有关政策,建设有着较好的社会效益,建设单位为此做了大量工作,建议各有关部门给予大力支持,使其早日建成发挥效益。第二章 项目背景及必要性一、 国外主要半导体供应商基本情况日矿金属、东曹公司以及美国的霍尼韦尔、普莱克斯公司,四家靶材制造
16、国际巨头,占据了全球半导体芯片用靶材市场约90%的份额。半导体靶材技术含量极高,处于靶材应用场景顶端,市场集中度极高,日矿金属、东曹公司以及美国的霍尼韦尔、普莱克斯公司,四家靶材制造国际巨头,占据了全球半导体芯片用靶材市场约90%的份额。凭借着先发优势,美日等国的靶材企业已经具备了从金属材料的高纯化制备到靶材制造的完备的技术垂直整合能力,在全球高端电子制造用靶材市场占据着绝对的领先地位。二、 全球半导体靶材市场规模预测半导体行业已步入新一轮景气周期,预计2025年全球半导体晶圆制造材料销售额预计将达到604亿美元,封装材料销售额将达到248亿美元。根据wind及SEMI数据显示,2011-20
17、20年,全球半导体晶圆制造材料销售额年均复合增长率为4.1%,封装材料销售额年均复合增长率为-1.6%,2020年,因5G普及、新冠肺炎疫情推升宅经济需求,全球半导体需求攀高,全球半导体材料销售额年增4.9%至553亿美元,其中晶圆制造材料占比63%,销售额为349亿美元;半导体封装材料204亿美元。据Gartner,经过2019年的周期性调整,半导体行业已步入新一轮景气周期。假设2020-2025年全球半导体晶圆制造材料销售额CAGR与ICInsights预测全球晶圆制造市场规模CAGR基本保持一致,为11.6%,预计2025年全球半导体晶圆制造材料销售额预计将达到604亿美元,同时假设21
18、-25年全球半导体封测材料销售额CAGR与Frost&Sullivan预测全球封测行业市场规模CAGR保持一致,为4.0%,封装材料销售额将达到248亿美元。三、 提升科技创新能力充分发挥企业创新主体作用。加快构建以企业为主体、市场为导向、产学研用深度融合的科技创新体系,促进各类创新要素向企业集聚。落实企业研发活动优惠政策,鼓励企业研发由应用端向基础端延伸,扩大装备首台套、材料首批次、软件首版次示范应用,探索首购首用风险补偿制度,建立本地优质创新型产品推广机制。支持企业联合高校、科研院所组建创新联合体承担重大科技项目。实施高新技术企业倍增计划、“独角兽企业”“瞪羚企业”培养引进计划。推动产业链
19、上中下游、大中小企业融通创新。做强高端协同创新平台。紧紧抓住国家创新体系战略性重构重大机遇,实施国家级创新平台攻坚行动,加快推进中药国家大科学装置落地建设,推动国家级“大院大所”进南昌,努力创建国家重点实验室、国家技术创新中心等国家级创新平台。支持企业创建国家企业技术中心、国家工程研究中心等重大创新平台。推动创新孵化载体协同发展,打造区域科技创新孵化载体高地。深化区域科技合作,加强与北京、上海、粤港澳大湾区等国际科创中心合作,建设一批协同创新基地。鼓励高校、科研院所、企业在国际创新人才密集区和“一带一路”沿线国家布局国际科技合作网络。 推进关键领域科技攻关。积极承接国家基础科学研究任务,参与战
20、略性科学计划和科学工程,力争在信息科学、生命科学、材料科学、食品科学、医药技术、现代农业等领域攻克若干共性基础技术,推动基础研究、应用研究和技术创新贯通发展。改进科技项目组织管理,积极对接国家重大科技项目,实施关键核心技术攻坚行动,推广运用“揭榜挂帅”、择优委托等方式,力争在航空复合材料、集成电路、智慧视觉、MEMS、中医药新药、新型显示技术、高端精密制造、感知交互技术等领域取得突破。加大创新投入力度。实施全社会研发投入攻坚行动,健全政府引导、多渠道投入机制,完善市县联动财政科技投入稳定增长机制,逐步加大对基础前沿研究支持力度。畅通金融、科技与实体经济的循环,促进新技术产业化规模化应用。全面提
21、升科技金融综合服务能力和专业服务水平。第三章 市场预测一、 应用趋势:下游技术革新,溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发展芯片制程工艺已经从130nm提升至7nm,晶圆尺寸也已实现了8英寸到12英寸的转变,,对溅射靶材性能要求大幅提升。溅射靶材的技术发展趋势与下游应用领域的技术革新息息相关,随着应用市场在薄膜产品或元件上的技术进步,溅射靶材也需要随之变化,随着半导体技术的不断发展,集成电路中的晶体管和线宽的尺寸越来越小。芯片制程工艺已经从130nm提升至7nm,与之对应的晶圆尺寸也已实现了8英寸到12英寸的转变,此外台积电、三星等企业也正在加速推进更高端的芯片制程工艺研发与生产。为了满足现
22、代芯片高精度、小尺寸的需求,对电极和连接器件的布线金属薄膜的性能要求越来越高,这就对溅射靶材的性能提出了更高的要求。推动溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发展。1、趋势1:大尺寸大尺寸是靶材的重要发展方向,但随尺寸增加,靶材在晶粒晶向控制难度呈指数级增加,对技术要求就越高。晶圆尺寸越大,可利用效率越高。.12英寸晶圆拥有较大的晶方使用面积,得以达到效率最佳化,相对于8英寸晶圆而言,12英寸的可使用面积超过两倍。大尺寸晶圆要求靶材也朝着大尺寸方向发展。2、趋势2:多品种半导体芯片行业常用的金属溅射靶材主要种类包括:铜、钽、铝、钛、钴和钨等高纯溅射靶材,以及镍铂、钨钛等合金类的溅射靶材,其中铝
23、与铜为两大主流导线工艺。目前芯片生产所使用的主流工艺中同时存在铝和铜两种导线工艺,一般来说110nm晶圆技术节点以上使用铝导线,110nm晶圆技术节点以下使用铜导线。钛靶和铝靶通常配合起来使用,常作为铝导线的阻挡层的薄膜材料,钽靶则配合铜靶使用,作为铜导线的阻挡层的薄膜材料。随着晶圆制造朝着更小的制程方向发展,铜导线工艺的应用量在逐步增大,因此,铜和钽靶材的需求将有望持续增长。在晶圆制程选择上,从全球晶圆厂产能建设情况来看,12寸晶圆厂是目前主流建设方向。随着晶圆制造朝着更小的制程方向发展,铜导线由于具有更低的电迁移效应,及更低的电阻,有降低功耗、提高运算速度等作用,应用量在逐步增大。据SEM
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