模拟电子技术基础复习资料(6页).doc

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1、-模拟电路基础 复习资料一、填空题1在P型半导体中，多数载流子是（ 空隙 ），而少数载流子是（ 自由电子 ）。2在N型半导体中，多数载流子是（ 电子 ），而少数载流子是（ 空隙 ）。3当PN结反向偏置时，电源的正极应接（ N ）区，电源的负极应接（ P ）区。4当PN结正向偏置时，电源的正极应接（ P ）区，电源的负极应接（ N ）区。5为了保证三极管工作在放大区，应使发射结（ 正向 ）偏置，集电结（ 反向 ）偏置。6根据理论分析，PN结的伏安特性为,其中被称为（ 反向饱和 ）电流，在室温下约等于（ 26mV ）。7BJT管的集电极、基极和发射极分别与JFET的三个电极（ 漏极 ）、（ 栅极

2、）和（ 源极 ）与之对应。8在放大器中，为稳定输出电压，应采用（ 电压取样 ）负反馈，为稳定输出电流，应采用（ 电流取样 ）负反馈。9在负反馈放大器中，为提高输入电阻，应采用（串联电压求和）负反馈，为降低输出电阻，应采用（ 电压取样 ）负反馈。10. 放大器电路中引入负反馈主要是为了改善放大器（ 的电性能 ）。11在BJT放大电路的三种组态中，（ 共集电极 ）组态输入电阻最大，输出电阻最小。（ 共射 ）组态即有电压放大作用，又有电流放大作用。12. 在BJT放大电路的三种组态中，（ 共集电极 ）组态的电压放大倍数小于1，（ 共基 ）组态的电流放大倍数小于1。13差分放大电路的共模抑制比KCMR

3、（ ），通常希望差分放大电路的共模抑制比越（ 大 ）越好。14从三极管内部制造工艺看，主要有两大特点，一是发射区（ 高掺杂 ），二是基区很 （ 薄 ）并掺杂浓度（ 最低 ）。15在差分放大电路中发射极接入长尾电阻后，它的差模放大倍数将（ 不变 ），而共模放大倍数将（ 减小 ），共模抑制比将（ 增大 ）。16多级级联放大器中常用的级间耦合方式有（ 阻容 ），（ 变压器 ）和（ 直接 ）耦合三种。17直接耦合放大器的最突出的缺点是（ 零点漂移 ）。18，集成运放主要由（ 输入级 ），（ 中间放大级 ），（ 输出级 ）和（ 偏置电路 ）4部分组成。19BJT三极管的直流偏置电路通常有（ 固定基流 ）

4、电路和（ 分压式 ）电路两种。20负反馈放大电路增益的一般表达式,当时，这种反馈称为（ 负反馈 ）；当时，这种反馈称为（ 正反馈 ）。21集成运放两个输入端之间的电压通常接近0，即，将这种现象称为（ 虚短路 ）。22集成运放两个输入端的电流通常接近0，即，将这种现象称为（ 虚开路 ）。二选择题1测得三极管各极的电位如图，此三极管工作在（ 截止区 ）。1）饱和区2）放大区3）截止区 2测得三极管各极的电位如图，此三极管工作在（ 放大区 ）。1）饱和区2）放大区3）截止区3测得三极管各极的电位如图，此三极管工作在（ 放大区 ）。1）饱和区2）放大区3）截止区4测得三极管各极的电位如图，此三极管工作

5、在（ 饱和区 ）。1）饱和区2）放大区3）截止区5图示电路中设,的稳定电压,具有理想特性，则（ 4.5mA ）。1）4.0mA2) 4.5mA3) 6.2mA4) 7.0mA6图示电路中设,的稳定电压,则限流电阻R应选择为（ 200W ）。1）160W2) 200W3) 250W4) 300W7图示电路中，当交流电源为正半周时，四个二极管的工作状态为（ 4 ）。1） 导通，截止2）导通，截止3）截止，导通4）截止，导通8图示直流电路中，设晶体管的( 8.88V )。1）5.28V2) 8.88V3) 6.54V4）7.62V9放大电路如图，设晶体管的 则晶体管的微变等效电阻（ 865W ）。1

6、) 865W 2) 1000W3) 1100W4) 1200W10图示镜像电流源的,输出的恒流为（ 1225A ）。 1）11.10A 2）1225A 3）16.51mA 4）20.12A11图示镜像电流源,输出的恒流为（ 16.6mA ）。 1）10.1mA 2）11.2mA 3）14.1mA 4）16.6mA三画出如下各电路图的直流通路、交流通路和微变等效电路,设电路中各电容对交流短路。四电路如图所示，假设运放是理想的，试写出电路输出电压的值。 ( )五请判断图示各电路级间反馈的组态和极性（如电压并联正反馈）？稳定何种输出量（电压量或电流量）？ (电流并联负反馈，稳定输出电流) （电压串联负反馈，稳定输出电压） （电压并联负反馈，稳定输出电压） （电压并联负反馈，稳定输出电压） 六例题 2.4.1 2.4.3 2.4.4 2.5.1 2.6.1 2.6.2 2.7.2 2.7.3七. 例题 4.2.1 5.3.1 5.3.2 5.3.3 6.2.1 7.3.1 7.3.2 八. 习题 2-15 2-16 十. 习题 6-2 6-15十一. 习题 7-10 -第 6 页-