2010-2011大学物理2期中考试2.ppt
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1、1,1.有一无限长通电流的扁平铜片,宽度为a,厚度不计,电流I在铜片上均匀分布,在铜片外与铜片共面,离铜片右边缘为b处的P点的磁感强度 的大小为:,解:, B ,2,2用细导线均匀密绕成长为l、半径为a (l a)、总匝数为N的螺线管,管内充满相对磁导率为 r 的均匀磁介质。若线圈中载有稳恒电流I,则管中任意一点的 (A) 磁感强度大小为B = 0 rNI; (B) 磁感强度大小为B = rNI / l; (C) 磁场强度大小为H = 0NI / l; (D) 磁场强度大小为H = NI / l。,解:无限长螺线管内的磁场:, D ,3,3一矩形线圈,放在一无限长载流直导线附近,开始时线圈与导
2、线在同一平面内,矩形的长边与导线平行.若矩形线圈以图(1)(2)(3)(4)所示的四种方式运动,则在开始瞬间,以哪种方式运动的矩形线圈中的感应电流最大? (A) 以图(1)所示方式运动;(B) 以图(2)所示方式运动; (C) 以图(3)所示方式运动;(D) 以图(4)所示方式运动。,解:, C ,长直导线外的磁场方向如图,,图(1)(2)(4)中矩形线圈各边开始运动时的速度都与外磁场方向接近平行,均不切割磁感线,,4,4一根长度为L的铜棒,在均匀磁场 中以匀角速度绕通过其一端O 的定轴旋转着, 的方向垂直铜棒转动的平面,如图所示。设t =0时,铜棒与Ob成 角(b为铜棒转动的平面上的一个固定
3、点),则在任一时刻t这根铜棒两端之间的感应电动势是:, E ,5,取微元dl,速率v = l, 它产生的动生电动势为:,整个金属棒产生的动生电动势为,方向: A O.,右手定则判断也可。,(转轴均匀 ),解1:,6,均匀金属棒在均匀磁场中旋转(转轴 )产生的.,dt内棒转过d, 扫过的面积为:,dt内磁通量的改变量为:,解2:,7,5在一个塑料圆筒上紧密地绕有两个完全相同的线圈aa和bb,当线圈aa和bb如图(1)绕制时其互感系数为M1,如图(2)绕制时其互感系数为M2,M1与M2的关系是: (A) M1 = M2 0; (B) M1 = M2 = 0; (C) M1 M2,M2 = 0; (
4、D) M1 M2,M2 0。,解:,D ,塑料圆筒为弱磁质,不形成磁路。,两线圈如图(1)绕制时,有漏磁,,两线圈如图(2)绕制时,无漏磁,,M1 M2,,故 M2 0。,图(2)中并未把ab或ab连接在一起,,8,6平板电容器(忽略边缘效应)充电时, 沿环路L1的磁场强度的环流与沿环路L2的磁场强度 的环流两者,必有:,解:, C ,电容器中流有位移电流Id,导线中流有传导电流Ic,根据电流的连续性定理,有Id = Ic,根据安培环路定理:,而 Id Id = Ic,9,7空气中有一无限长金属薄壁圆筒,在表面上沿圆周方向均匀地流着一层随时间变化的面电流i(t),则 (A) 圆筒内均匀地分布着
5、变化磁场和变化电场, (B) 任意时刻通过圆筒内假想的任一球面的磁通量和电通量均为零, (C) 沿圆筒外任意闭合环路上磁感强度的环流不为零, (D) 沿圆筒内任意闭合环路上电场强度的环流为零。,解:,随时间变化的面电流产生随时间变化的磁场和电场,, B ,而随时间变化的电场磁场都是无源场,,电场、磁场通过闭合曲面的通量均为零!,10,8在光栅光谱中,假如所有偶数级次的主极大都恰好在单缝衍射的暗纹方向上,因而实际上不出现,那么此光栅每个透光缝宽度a和相邻两缝间不透光部分宽度b的关系为 (A) a=b; (B) a=b; (C) a=2b; (D) a=3 b。,解:, B ,缺级条件:,所有偶数
6、级次的主极大都恰好在单缝衍射的暗纹方向上,故所有偶数级次缺级。,11,9使一光强为I0的平面偏振光先后通过两个偏振片P1和P2P1和P2的偏振化方向与原入射光光矢量振动方向的夹角分别是 和90,则通过这两个偏振片后的光强I是 (A) I0 cos2 ; (B) 0; (C) I0sin2(2 )/4; (D) I0 sin2 ; (E) I0 cos4 。,解:, C ,12,10半径为 0.5 cm的无限长直圆柱形导体上,沿轴线方向均匀地流着I = 3 A的电流。作一个半径r = 5 cm、长l = 5 cm且与电流同轴的圆柱形闭合曲面S,则该曲面上的磁感强度沿曲面的积分 _。,解:,0,磁
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