模拟电子技术基础A(1)(5页).doc
《模拟电子技术基础A(1)(5页).doc》由会员分享,可在线阅读,更多相关《模拟电子技术基础A(1)(5页).doc(5页珍藏版)》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。
1、-模拟电子技术基础A(1)-第 5 页襄樊学院理工学院期末考试试卷模拟电子技术基础A卷考试范围第一至第十章命题人王正强院系物电学院考试形式闭卷课程类别必修学 期20101专业电子大题号一二三四五六七八九十班级满 分25151545学号得 分姓名阅卷人总分得分评卷人 一、 选择题(从下列3-4个备选答案中选出一个或多个正确答案,并将其代号写在题干后面的括号中,答案选错或未选全者,该题不得分。每小题2.5分,共25分。)1、N型半导体中的多数载流子是( )A自由电子 B空穴 C正离子 2、要使放大电路的输出电压稳定,输入电阻增大,应引入( )负反馈。 A电压并联B电压串联C电流串联3、某晶体管,测
2、得电流I1,I2,I3,则可判断出三个电极为( )A(1)为e极,(2)为c极,(3)为b极B(1)为c极,(2)为e极,(3)为b极C(1)为b极,(2)为c极,(3)为e极4、选用差分放大电路的原因是( )A稳定放大倍数 B提高输入电阻C抑制温漂 D抑制零点漂移5、对于共模抑制比KCMR,以下说法正确的是( )AKCMR越大则电路的放大倍数越稳定 BKCMR越大则电路的对共模信号的抑制能力越强CKCMR越大则电路抑制温漂能力越强 DKCMR越大则电路输入信号中差模成分越大6、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因有( )。A.电源电压不稳定 B.晶体管的老化C.晶体管参数受温度影响 7、某两级
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 模拟 电子技术 基础
限制150内