电子技术基础模拟试卷一(3页).doc

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1、-电子技术基础模拟试卷一-第 3 页平鲁职中2017年对口升学考号 班 姓名 装 订 线 电子技术基础模拟考试试卷一、判断题（10分）1、二极管导通时，电流是从其正极流出，从负极流入的。（ ）2、二极管的反向漏电流越小，其单向导电性越好。（ ）3、在整流电路中，整流二极管只有在截止时，才有可能发生击穿现象。（ ）4、整流电路在加电容滤波后，其输出电压波动性减小，故输出电压也随之减小。（ ）5、稳压二极管正常工作时，其工作点在伏安特性曲线的反向截止区。（ ）6、晶体三极管的输入特性曲线反映BE与iC之间的关系。（ ）7、晶体三极管的主要性能是具有电流和电压放大作用。（ ）8、NPN管处于放大状态

2、时，发射结加正向电压，集电结加反向电压。（ ）9、放大电路通常用ib、ic、ce表示静态工作点。（ ）10、为消除放大电路的截止失真，应将上偏置电阻Rb调小些。（ ）二、填空题（40分）1、半导体中存在着两种载流子，其中带正电的载流子称为 ,带负电的载流子称为 。2、二极管的主要特性是具有 。3、锗二极管的死区电压是 V,硅二极管的死区电压是 V，锗二极管导通时的电压降是 V，硅二极管正向导通时的电压降是 V.4、在二极管的四个主要参数中，反向截止时应注意的参数是 和 。5、半波整流与桥式整流相比，输出电压脉动成分较小的是 电路。6、若半波整流电路负载两端的平均电压为4.5V，则二极管的最高反

3、向电压应大于 V.7、若桥式整流电路中变压器二次单相电压为10V，则二极管的最高反向工作电压就不小于 V，若负载电流为800mA，则每只二极管的平均电流应大于 mA。8、在整流电路与负载之间接入滤波电路，可以把脉动直流电中的 成分滤除掉。当负载功率较小时，采用 滤波方式效果最好。而当负载功率较大时，则应改用 滤波方式较好。9、整流电路的功能是 ，滤波电路的作用是 工作电压。10、发光二极管的功能是 ，光电二极管的功是 。11、三极管具有两个PN结：（1） 结，（2） 结；还有三个区：（1） ,（2） ,(3) 。12、放大电路的基本性能是具有 能力。13、对直流通路而言，放大电路中的电容可视为

4、 ；对于交流通路而言，容抗小的电容器可视作 ，内阻小的电源可视作 。14、在共发射极放大电路中，输入电压i与输出电流io相位 ，与输出电压o相位 。15、通常用放大倍数来表示放大电路的 ，（1）Ai= ;（2）A= ;（3）Ap= ，这三者之间的关系是 。16、通常用 为单位表示放大电路的增益，Gp= Ap,G= A。17、一放大电路的电压放大倍数为1000，转换为分贝数为 。三、选择题（20分）1、基本放大电路最常用的连接方式是 。A、共基极 B、共集电极 C、共发射极 2、NPN三极管工作在放大状态时，其两个结的偏压为（ ）。A、BE0 、BECE、 B、BE0、BE 0、BE CE D、

5、BE0 3、放大电路电压放大倍数A=-40，其中负号代表（ ）。A、放大倍数小于0 B、衰减 C、同相放大 D、反相放大4、若某电路的电压增益为-20dB，该电路是（ ）。A、同相放大电路 B、衰减器 C、跟随器 D、反相放大电路5、在共发射极基本放大电路中，静态工作点Q若设置太高，则容易出现（ ）。A、截止失真 B、饱和失真 C、对称失真 D、交越失真6、用万用表R1K档测二极管，若红表笔接正极，黑表笔接负极时读数为50K；换黑表笔接正极，红表笔接负极时，读数为1K，则这只二极管的情况是（ ）。A、内部已断路不能用 B、内部已短路不能用 C、没有坏，但性能不好 D、性能良好7、某二极管的击穿

6、电压为300V，当直接对220V正弦交流电进行半波整流时，该二极管（ ）。A、会击穿 B、不会击穿 C、不一定击穿 D、完全截止8、在桥式整流电路中，若有一只二极管断开，则负载两端的直流电压将（ ）。A、变为零 B、下降 C、升高 D、保持不变9、画交流通路时，应将输入输出耦合电容视为（ ）A.开路 B.短路 C.照常画10、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（ ）A.增大 B.减小 C.不变四、简答题:1、根据三极管三个极的电压，判断下列三极管的工作状态。（12分）+6V+0.7V0+10.75+10V+10.3V-6v0+0.3-1v-6v-1.3v（）（）（）（）五、计算题：（20分）1、在桥式整流电容滤波电路中，设VL=18V，RL=180，试确定电源变压器二次电压。2、在右图中，基极上偏电阻RB1=30K,下偏电阻RB2=10K,RC=1.5K,RE1=1K,RE2=1K,=50，VCC=16V求：估算静态工作点IBQ、ICQ、VCEQ。Rb1