电子技术基础离线作业(24页).doc
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1、-电子技术基础离线作业-第 22 页浙江大学远程教育学院电子技术基础课程作业 模拟电子技术基础部分题1 在图1电路中,设,试分析二极管的导电情况(假定D均为理想二极管)。图1解:题中的电路是二极限幅电路,对电路(a),当输入电压幅度V时,二极管导电,输出电压为+6V,当输入电压时D截止,输出电压等于输入电压;对电路(b),当输入电压幅度 V时二极管导电,输出电压为,输入电压V时,二极管截止,输出电压为+6V;对电路(c),是一个双向限幅电路,当输入电压V时,D1导电、D2截止,输出为6V,当输入电压V时,D2导电、D1截止,输出电压为+8V。题2 电路如图2所示,分析在下述条件下各二极管的通断
2、情况。设二极管D的导通压降VD=0.7 V,并求出D导通时电流ID的大小。(1)VCC1= 6 V,VCC2= 6 V,R1= 2 k,R2= 3 k;(2)VCC1= 6 V,VCC2= 6 V,R1=R2= 3 k;(3)VCC1= 6 V,VCC2= 6 V,R1= 3 k,R2= 2 k。图2解:(1)求出二极管两端的开路电压,如开路电压使二极管正偏,则二极管导电,然后再求出流过二极管的电流。二极管开路后流过R1和R2的电流:,则二极管两端的开路电压,由于二极管两端开路电压大于0.7V,所以二极管导电,导电后,二极管二端压降为0.7V。此时流过二极管的电流用载维南等效电路计算。(2)当
3、R1=R2=3K时,二极管开路时流过过两电阻电流为:则二极管两端的开路电压,所以二极管截止,流过二极管的电流为零。(3)当R1=3K、R2=2K时,二极管开路时流过过两电阻电流为仍为:则二极管两端的开路电压,二极管两端电压为反偏,二极管截止,流过二极管电流也为零。题3题3 图3(a)所示电路中,D1、D2为硅管,导通压降VD均为0.7 V,图3(b)为输入、的波形,试画出的波形。解:这是一个二极管的与门电路,只有当输入、全为高电平时,D1、D2全导电,输出高电平V,其它情况输出低电平V。电路工作情况表如表所示:输入电压二极管导电情况输出电压D1D200导电导电07V05导电截止07V50截止导
4、电07V55导电导电53V题4 图3电路中,输入端、如按下述各种方法连接时确定相应的输出= ?。(1)接+2V,接+5V;(2)接+2V,接-2V;(3)悬空,接+5V;(4)经3K 电阻接地,悬空。解:电路的工作情况和输出电压见表所示输入电压二极管导电情况输出电压D1D2+2V+5V导电截止27V+2V-2V截止导电-1.4V悬空+5V截止导电57V经3K电阻接地悬空导电截止61V题5 图5所示电路中,设,稳压管和的稳定电压分别为、,正向降压为0.7 V。试画出和的波形(要求时间坐标对齐)。题5解:输入信号是一个有直流分是的正弦信号,对(a)电路,当输入信号幅值大于7.7V,DZ1稳压管正向
5、导电,DZ2稳压管反向击穿,输出电压为7.7V,流过稳压管的电流为:对(b)电路,当输入幅值大于5V后,DZ1击穿,输出电压为5V,然后DZ2不能击穿而截止,流过DZ1的电流为。两种电路的电流和输出电压波形如图。题6 图6所示电路中,稳压管2CW16具有下列特性:稳定电压9 V,耗散功率允许值250 mW,稳压管电流小于1 mA时不能稳压,且动态电阻不大于20。试按电路中的参数计算:(1)当时,电流、的大小;(2)当电源电压变化%时,计算的变化量。题6解:(1)此时稳压管击穿,输出电压为9V,此时:(2)当输入变化时,应该用动态来计算。此时等效电路为 当输入变化4V时,输出只变化0.148V,
6、说明简单的稳压电路也能起到稳压作用。题7 有甲、乙两个三极管一时辨认不出型号,但可从电路中测出它们的三个未知电极X、Y、Z对地电压分别为:甲管,;乙管,。试分析三个电极中,哪个是发射极、基极和集电极?它们分别是NPN型还是PNP型,是锗管还是硅管?解: 甲管为NPN型硅管,其中X为C极,Y为E极,Z为B极; 乙管为PNP型锗管,其中X为C极,Y为E极,Z为B极。题8 从图8所示各三极管电极上测得的对地电压数据中,分析各管的类型和电路中所处的工作状态。注:图中的型号3AX31C等表示的意义为:第1个数字3表示三极管,第2个字母A、D、C等分别表示管子的材料为锗、硅、硅材料,第3个字母G、K、X、
7、D分别表示高频管、开关管、低频管、大功率管等,后面的数字和字母通常表示序号。(1)是锗管还是硅管?(2)是NPN型还是PNP型?(3)是处于放大、截止或饱和状态中的哪一种?或是已经损坏?(指出哪个结已坏,是烧断还是短路?)提示:注意在放大区,硅管,锗管,且;而处于饱和区时,。题8解:该题中的锗管还是硅管,看VBE是0.7V还是0.3V,0.7V是硅管,0.3V左右是锗管,也可以看第二个英文字母,如果第二个字母是D、C则通常为硅管,如果第二个字母是A、则为锗管。第三个英文是高频管还是低频管,还是开关管或是大功率管。(G是高频管、K是开关管、X是低频管、D是大功率管),据此有: (a) NPN硅管
8、,工作在饱和状态;(b) PNP锗管,工作在放大状态;(c) PNP锗管,管子的b-e结已开路;(d) NPN硅管,工作在放大状态;(e) PNP锗管,工作在截止状态;或BE短路;(f) PNP锗管,工作在放大状态;(g) NPN硅管,工作在放大状态;(h) PNP硅管,工作在临界饱和状态。或CB短路。题10 图10所示电路中,设晶体管的,。(1)试估算开关S分别接通A、B、C时的、,并说明管子处于什么工作状态。(2)当开关S置于B时,若用内阻为10 k的直流电压表分别测量和,能否测得实际的数值?试画出测量时的等效电路,并通过图解分析说明所测得的电压与理论值相比,是偏大还是偏小?(3)在开关置
9、于A时,为使管子工作在饱和状态(设临界饱和时的),的值不应小于多少?题10解: (1) S接A点;mA,mA,V,说明管子已经饱和了。IC和VCE应重新计算如下:mA, VCE0.3V。S接B点时:mA,mA,V,管子处于放大状态。S接C点时:发射极反偏,所以,IB0,IC0,VCE=15V,管子截止。题11 图11(a)(c)所示均为基本放大电路,设各三极管的,。 (1)计算各电路的静态工作点;(2)画出交流通路,说明各种放大电路的组态。解:图(a):IBQ18.5A,ICQ0.93mA,VCEQ8.2V;图(b)电路:图(C)电路:ICQ=IBQ=0.9 mAVCEQ=15-(Rc+Re)
10、ICQ=9.5 V (2) 交流通路如下图所示。图(a)、图(b)为CE组态,图(c)为CB组态。题12 双极型晶体管组成的基本放大电路如图题12(a)、(b)、(c)所示。设各BJT的,。 (1)计算各电路的静态工作点; (2)画出各电路的微变等效电路,指出它们的电路组态; (3)求电压放大倍数、输入电阻和输出电阻; (4)当逐步加大输入信号时,求放大电路(a)将首先出现哪一种失真(截止失真或饱和失真),其最大不失真输出电压幅度为多少?图12解:对图(a)电路:(1) 求静态工作点(2) CE组态,微变等效电路为:(3) 动态指标计算Ri=rbe=0.56 kRo=Rc=2 k(4) 当截止
11、失真时,Vom1=ICQRc=7.3 V当饱和失真时,Vom2=VCEQVCES=5.65-0.75.0 V所以,首先出现饱和失真。Vom=5.0V图(b)电路:(1) 求静态工作点ICQ=IBQ=0.9 mAVCEQ=15-(Rc+Re)ICQ=9.5 V(2) CB组态,微变等效电路为:(3) 动态指标计算RoRc=5.1 k图(c)电路:(1) 求静态工作点ICQ=IBQ=2 mAVCEQ=1.5-ICQRe=15-23=9 V(2) CC组态,微变等效电路为:(3) 动态指标计算题13 在图13所示的两级放大电路中,若已知T1管的、和T2管的、,且电容C1、C2、Ce在交流通路中均可忽
12、略。 (1)分别指出T1、T2组成的放大电路的组态; (2)画出整个放大电路简化的微变等效电路(注意标出电压、电流的参考方向); (3)求出该电路在中频区的电压放大倍数、输入电阻和输出电阻的表达式。图13解:(1) T1管组成共射(CE)组态,T2管组成共集(CC)组态。(2) 整个放大电路的微变等效电路如图所示。(3) 第一级的电压放大倍数为:Ri2是第二级放大电路的输入电阻,Ri2 = rbe2+(1+b2)(R4/RL)。第二级放大电路为射极跟随器,所以 所以,Ri= Ri1 =R1rbe1题14 在图14所示的差动放大电路中,设T1、T2管特性对称,b1=b2=100,VBE=0.7V
13、,且rbb=200W,其余参数如图中所示。(1) 计算T1、T2管的静态电流ICQ和静态电压VCEQ,若将Rc1短路,其它参数不变,则T1、T2管的静态电流和电压如何变化?(2) 计算差模输入电阻Rid。当从单端(c2)输出时的差模电压放大倍数=?;(3) 当两输入端加入共模信号时,求共模电压放大倍数和共模抑制比KCMR;(4) 当vI1=105 mV,vI2=95 mV时,问vC2相对于静态值变化了多少?e点电位vE变化了多少?图14解:(1) 求静态工作点:若将Rc1短路,则(不变)(不变)(2) 计算差模输入电阻和差模电压放大倍数:(3) 求共模电压放大倍数和共模抑制比:(即36.5dB
14、)(4) 当vI1=105 mV,vI2=95 mV时,所以,VO2相对于静态值增加了285 mV。由于E点在差模等效电路中交流接地,在共模等效电路中VE随共模输入电压的变化而变化(射极跟随器),所以,即e点电位增加了100 mV。题15 在图15所示电路中,设各晶体管均为硅管,b = 100,rbb=200 W。(1) 为使电路在静态时输出直流电位VOQ=0,Rc2应选多大?(2) 求电路的差模电压放大倍数;(3) 若负电源(-12V)端改接公共地,分析各管工作状态及VO的静态值。图15解:(1) 当VOQ=0时,ICQ3Rc3=Vcc, ICQ3=VCC/Rc3=12/12=1 mAIRc
15、2=ICQ2-IBQ3=0.12-0.01=0.11 mA(2) 求差模电压放大倍数:第二级(CE反相放大级)输入电阻为Ri2:Ri2=rbe3+(1+3)Re3=2.83+1010.25=28.1 k差模放大级:反相放大级:(3) 若负电源(-12V)端改为接地,则因静态时VB1=VB2=0,故T1、T2管处于截止状态,ICQ2=0,VB3=12V,所以T3管也处于截止状态。故VOQ=0。题16 在图16中,设集成运放为理想器件,求下列情况下vO与vS的的关系式:(1) 若S1和S3闭合,S2断开,vO=?(2) 若S1和S2闭合,S3断开,vO=?(3) 若S2闭合,S1和S3断开,vO=
16、?(4) 若S1、S2、S3都闭合,vO=?图16解:(1) 当S1和S3闭合,S2断开时,电路为反相输入放大器,o=-s(2) 当S1和S2闭合,S3断开时,(+)=s,(-)(+)=s,故R中无电流通过,o=(-)=s(3) S2闭合,S1和S3断开,则0=(-)=(+)=s(4) S1、S2和S3都闭合时,(+)=(-)=0 0=-(s/R)R=-s题17 用集成运放和普通电压表可组成性能良好的欧姆表,电路如图17所示。设A为理想运放,虚线方框表示电压表,满量程为2V,RM是它的等效电阻,被测电阻Rx跨接在A、B之间。(1) 试证明Rx与VO成正比;(2) 计算当要求Rx的测量范围为01
17、0k时,R1应选多大阻值?图17解:(1) 证:运放A构成反相比例运算放大器Vo=-(RX/R1)(-V)=-(-V)/R1)Rx(2) 要求Rx的测量范围为010k,即RX=10k时,Vo达到满量程2V, 代入上式,得2V=-(10k/R1)(-2V) R1=10k题18 图18(a)为加法器电路,R11=R12=R2=R。图18(1) 试求运算关系式:vO= f(vI1,vI2);(2) 若vI1、vI2分别为三角波和方波,其波形如图题2.4.11(b)所示,试画出输出电压波形并注明其电压变化范围。解:(1) 0= -(R2/R11)I1-(R2/R12)I2=-(I1+I2) (2) 见
18、图所示。题19 由四个电压跟随器组成的电路如图19所示,试写出其输出电压的表达式:vO= f (vI1,vI2,vI3)。图19解: 01=I1 02=12 03=I3 0=(-)=(+)题20 试写出图20加法器对vI1、vI2、vI3的运算结果:vO= f (vI1、vI2、vI3)。图20解:A2的输出O2=-(10/5)I2-(10/100)I3=-2I2-0.1I3 0=-(100/20)I1-(100/100)o2=-5I1+2I2+0.1I3题21 积分电路如图21(a)所示,其输入信号vI波形如图题21(b),并设t=0时,vC(0)=0,试画出相应的输出电压vO波形。图21解
19、:在t=010ms区间,I=2V o=-(i/RC)t=-2/(1010310-6)t= -200t 当t=0时,o=0V,当t=10ms时,o=-2V 当t=10ms20ms区间,I= -2V o=o(10) - (i/RC)t=-2+0.2(t-10ms)t=20ms时,o=0V,波形见图题22 图22电路中,A1、A2为理想运放,电容的初始电压vC(0)=0。(1) 写出vO与vS1、vS2和vS3之间的关系式;(2) 写出当电路中电阻R1=R2=R3=R4=R5=R6=R7=R时,输出电压vO的表达式。图22解:(1) A1构成双端输入的比例运算电路,A2构成积分运算电路。 (2) R
20、1=R2=R3=R4=R5=R6=R时,o1=S2-S1题23 由运放组成的三极管电流放大系数的测试电路如图23所示,设三极管的VBE=0.7V。(1) 求出三极管的c、b、e各极的电位值;(2) 若电压表读数为200 mV,试求三极管的值。图23解:(1) VB=0V VE=-0.7V VC=6V (2) IB=200mV/R2=0.02(mA)Ic=(VI-V(-)/R1=(12V-6V)/6K=1(mA) =IC/IB=50题24电路如图24所示。图24(1)为使电路产生正弦振荡,标明集成运放中的同相和反相输入端符号“+”、“-”;并说明电路属于哪种正弦波振荡电路。(2)若R1短路,则电
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