2022年半导体器件原理简明教程习题答案傅兴华.docx
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1、精品_精品资料_资料word 精心总结归纳 - - - - - - - - - - - -半导体器件原理简明教程习题答案傅兴华1.1 简述单晶、多晶、非晶体材料结构的基本特点.解 整块固体材料中原子或分子的排列出现严格一样周期性的称为单晶材料;原子或分子的排列只在小范畴出现周期性而在大范畴不具备周期性的是多晶材料;原子或分子没有任何周期性的是非晶体材料.1.6 什么是有效质量, 依据 Ek 平面上的的能带图定性判定硅鍺和砷化镓导带电子的迁移率的相对大小 .E12解 有效质量指的是对加速度的阻力.1km *hk由能带图可知 ,Ge 与 Si 为间接带隙半导体,Si的 Eg 比 Ge的 Rg 大,
2、所以Ge Si .GaAs 为直接带隙半导体, 它的跃迁不与晶格交换能量, 所以相对来说GaAs Ge Si .1.10 假定两种半导体除禁带宽度以外的其他性质相同, 材料 1 的禁带宽度为1.1eV, 材料 2的禁带宽度为3.0eV, 运算两种半导体材料的本征载流子浓度比值, 哪一种半导体材料更适 合制作高温环境下工作的器件.解 本征载流子浓度: n4.821015 mdnmdp exp Eg 2im0kT两种半导体除禁带以外的其他性质相同可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_n1expn2exp1 .1k T3.0k Texp1.9kT1.90kTn1n2在高温环境下n2 更合适
3、可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_1.11 在 300K下硅中电子浓度n02103 cm3 ,运算硅中空穴浓度p0 ,画出半导体能带图,可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_判定该半导体是n 型仍是 p 型半导体 .可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_n2n0 p0i解2pni1.50n021010 21031.1251017 cm 3p0n0是 p 型半导体可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_1.16 硅中受主杂质浓度为1017 cm3 ,运算在 300K 下的载流子浓度n0 和p0 ,运算费米能
4、级相可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_2对于本征费米能级的位置,画出能带图 .可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_解p0N1017 cm 3n0 p0niT=300K ni1.51010 cm 3可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_A2nni02.25103 cm 3p0n0该半导体是p 型半导体可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_p0EEKTlnp0 0.0259ln1017可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_iFPni1.51010可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_学
5、习资料 名师精选 - - - - - - - - - -第 1 页,共 9 页 - - - - - - - - - -可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_资料word 精心总结归纳 - - - - - - - - - - - -可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_1.27 砷化镓中施主杂质浓度为1016 cm3,分别运算T=300K 、400K 的电阻率和电导率.可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_T300 Kni2106 cm 3可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_解nN1016 cm 3T400
6、 Kn2n pnpni可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_0Diooi0in0可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_电导率qn0nqp0p ,电阻率1可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_1.40 半导体中载流子浓度n1014 cm3 ,本征载流子浓度n1010 cm 3 ,可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_0非平稳空穴浓度p1013 cm3,非平稳空穴的寿命n0106 s ,运算电子 -空穴的复合率,计可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_算载流子的费米能级和准费米能级.解 由于是 n 型
7、半导体1可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_n0C p NtRCo N tpp1019 cm n0可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_EFnEikT ln n0p E niE FpkT ln pop ni可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_i2.2 有两个 pn 结,其中一个结的杂质浓度N D51015 cm3 , N51017 cm3,另一个结的可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_杂质浓度N D51017 cm3 , N51019 cm3 , 在室温
8、全电离近似下分别求它们的接触电可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_A势差 ,并说明为什么杂质浓度不同接触电势差的大小也不同.可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_解 接触电势差VDkT ln N A N D qni可知 VD 与N A 和N D 有关 ,所以杂质浓度不同接触电势可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_2差也不同 .2.5 硅 pn 结 N D51016 cmA3, N1017 cm3 ,分别画出正偏0.5V 、反偏 1V 时的能带图 .可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_解T300Kni1
9、.51010 cm 3可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_VkTlnN A N D 1.3810 23300 ln 5101610 6101710 6= 8.0210 2V可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_D2qni1.610 191.51010 2可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_q VDV 0.3710 19可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_正偏 : qV0.810 19可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_q VDVR 1.72810 19可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_反偏 :q VR1.610 19可编辑
10、资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_2.12 硅 pn 结的杂质浓度分别为N D31017 cm3 , N11015 cm3 ,n 区和 p 区的宽度大可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_AA学习资料 名师精选 - - - - - - - - - -第 2 页,共 9 页 - - - - - - - - - -可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_资料word 精心总结归纳 - - - - - - - - - - - -可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_于少数载流子扩散长度,np1s,结面积=1600m2,取可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资
11、料_可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_pnD25cm2 / s, D13cm2/ s ,运算可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_1 在 T=300K 下,正向电流等于1mA 时的外加电压.2 要使电流从1mA 增大到 3mA, 外加电压应增大多少.3 维护 1的电压不变 ,当温度T 由 300K 上升到 400K 时,电流上升到多少.可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_解 1 T300 Kni1.561010 cm 32JI dd52A可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_np1s10sAs1600m1.610cms可编辑资料 - - - 欢迎下
12、载精品_精品资料_可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_JdJ0exp qV J kTqD p p n0L pqD nn p 0L pLnD ppLnD n n可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_0VkT qln JdJ 0可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_(2) VkT ln q3 J dJ0kT ln Jd qJ0kT ln 3 q可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_(3) T400Kn1013 cm
13、3. .可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_i2.14 依据抱负的pn 结电流电压方程,运算反向电流等于反向饱和电流的70%时的反偏电压值.可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_J dJo解expqV kT1, J dJ0.7可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_o2.22 硅 pn 结的杂质浓度,运算 pn 结的反向击穿电压,假如要使其反向电压提高到300V,n 侧的电阻率应为多少.可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_3解 1 反向击穿电压VB133N610D 460V可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_可编辑资料 - - - 欢迎下载
14、精品_精品资料_2VB61013 N4300V ,N D2105223 cm可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_D11由得nqnn1350cm2 /D s可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_2.24 硅突变pn 结 N A51018 cm3 , N1.51016 cm3 ,设 pn 结击穿时的最大电场为可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_Ec5105V/ cm ,运算 pn 结的击穿电压.可编辑资料 - - - 欢迎
15、下载精品_精品资料_解 突变结反向击穿电压VB1r02E0 , NN A N D可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_2qNN AND可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_学习资料 名师精选 - - - - - - - - - -第 3 页,共 9 页 - - - - - - - - - -可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_资料word 精心总结归纳 - - - - - - - - - - - -可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_2.25 在杂质浓度N D21015 cm3 的硅衬底上扩散硼形成pn 结 ,硼扩散的便面浓度为可编辑资料 - - -
16、 欢迎下载精品_精品资料_可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_AN1018cm3 ,结深 5m ,求此 pn 结 5V 反向电压下的势垒电容.可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_解CTAqa21o 3可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_12VDV 可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_2.26 已知硅p n 结 n 区电阻率为 1 cm ,求 pn 结的雪崩击穿电压,击穿时的耗尽区宽度和最可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_大电场强度 .(硅
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