功率场效应晶体管.ppt

《功率场效应晶体管.ppt》由会员分享，可在线阅读，更多相关《功率场效应晶体管.ppt（11页珍藏版）》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。

1、关于功率场效应晶体管1现在学习的是第1页，共11页第三章第三章 电力场效应晶体管电力场效应晶体管电力电力MOSFET的种类的种类 按导电沟道可分为P沟道沟道和N沟道沟道。 耗尽型耗尽型当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道。 增强型增强型对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道。 电力MOSFET主要是N沟道增强型沟道增强型。1）电力）电力MOSFET的结构和工作原理的结构和工作原理2现在学习的是第2页，共11页第三章第三章 电力场效应晶体管电力场效应晶体管电力电力MOSFET的结构的结构是单极型晶体管。导电机理与小功率MOS管相同，但结构上有较大区别。采用多元集成结构，

2、不同的生产厂家采用了不同设计。N+GSDP沟道b)N+N-SGDPPN+N+N+沟道a)GSDN沟道图1-19图1-19 电力MOSFET的结构和电气图形符号3现在学习的是第3页，共11页2.3 电力场效应晶体管电力场效应晶体管小功率MOS管是横向导电器件。电力MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET（Vertical MOSFET）。按垂直导电结构的差异，分为利用V型槽实现垂直导电的VVMOSFET和具有垂直导电双扩散MOS结构的VDMOSFET（Vertical Double-diffused MOSFET）。这里主要以VDMOS器件为例进行讨论。电力电力MOSFET的结构的

3、结构4现在学习的是第4页，共11页2.3 电力场效应晶体管电力场效应晶体管 截止截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。 P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过。 导电导电：在栅源极间加正电压UGS 当UGS大于UT时，P型半导体反型成N型而成为反型层反型层，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电。N+GSDP沟道b)N+N-SGDPPN+N+N+沟道a)GSDN沟道图1-19图1-19 电力MOSFET的结构和电气图形符号电力电力MOSFET的工作原理的工作原理5现在学习的是第5页，共11页2.3 电力场效应晶体管电力场效应晶体管 (1) 静态特性静态

4、特性漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特转移特性性。ID较大时，ID与与UGS的关系近似线性，曲线的斜率定义为跨导跨导Gfs。010203050402468a)10203050400b)1020305040饱和区非饱和区截止区ID/AUTUGS/VUDS/VUGS=UT=3VUGS=4VUGS=5VUGS=6VUGS=7VUGS=8VID/A图1-20电力MOSFET的转移特性和输出特性 a)转移特性b)输出特性2）电力）电力MOSFET的基本特性的基本特性6现在学习的是第6页，共11页2.3 电力场效应晶体管电力场效应晶体管截止区截止区（对应于GTR的截止区）饱和区饱

5、和区（对应于GTR的放大区）非饱和区非饱和区（对应GTR的饱和区）工作在开关状态，即在截止区和非饱和区之间来回转换。漏源极之间有寄生二极管，漏源极间加反向电压时器件导通。 通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。图1-20电力MOSFET的转移特性和输出特性 a)转移特性b)输出特性MOSFET的漏极伏安特性的漏极伏安特性：010203050402468a)10203050400b)1020 305040饱和区非饱和区截止区ID/AUTUGS/VUDS/VUGS=UT=3VUGS=4VUGS=5VUGS=6VUGS=7VUGS=8VID/A7现在学习的是第7页，共11页2.3 电力场效

6、应晶体管电力场效应晶体管 开通过程开通过程开通延迟时间开通延迟时间td(on) 上升时间上升时间tr 开通时间开通时间ton开通延迟时间与上升时间之和 关断过程关断过程 关断延迟时间关断延迟时间td(off)下降时间下降时间tf关断时间关断时间toff关断延迟时间和下降时间之和a）b)RsRGRFRLiDuGSupiD信号+UEiDOOOuptttuGSuGSPuTtd(on)trtd(off)tf图1-21电力MOSFET的开关过程a)测试电路b)开关过程波形up脉冲信号源，Rs信号源内阻，RG栅极电阻，RL负载电阻，RF检测漏极电流(2)动态特性动态特性8现在学习的是第8页，共11页2.3

7、 电力场效应晶体管电力场效应晶体管 MOSFET的开关速度和Cin充放电有很大关系。 可降低驱动电路内阻Rs减小时间常数，加快开关速度。 不存在少子储存效应，关断过程非常迅速。 开关时间在10100ns之间，工作频率可达100kHz以上，是主要电力电子器件中最高的。 场控器件，静态时几乎不需输入电流。但在开关过程中需对输入电容充放电，仍需一定的驱动功率。 开关频率越高，所需要的驱动功率越大。MOSFET的开关速度的开关速度9现在学习的是第9页，共11页2.3 电力场效应晶体管电力场效应晶体管3) 电力电力MOSFET的主要参数的主要参数电力MOSFET电压定额(1) 漏极电压漏极电压UDS (2) 漏极直流电流漏极直流电流ID和漏极脉冲电流幅值和漏极脉冲电流幅值IDM电力MOSFET电流定额(3) 栅源电压栅源电压UGSUGS20V将导致绝缘层击穿 。 除跨导Gfs、开启电压UT以及td(on)、tr、td(off)和tf之外还有：(4) 极间电容极间电容极间电容CGS、CGD和CDS10现在学习的是第10页，共11页感谢大家观看感谢大家观看9/2/2022现在学习的是第11页，共11页