邵阳关于成立碳化硅衬底公司可行性报告(模板参考).docx
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1、泓域咨询/邵阳关于成立碳化硅衬底公司可行性报告邵阳关于成立碳化硅衬底公司可行性报告xx投资管理公司目录第一章 拟成立公司基本信息8一、 公司名称8二、 注册资本8三、 注册地址8四、 主要经营范围8五、 主要股东8公司合并资产负债表主要数据9公司合并利润表主要数据9公司合并资产负债表主要数据11公司合并利润表主要数据11六、 项目概况12第二章 背景及必要性15一、 面临的挑战15二、 宽禁带半导体材料简介16三、 碳化硅半导体行业的战略意义18四、 提升产业现代化水平,打造国家重要先进制造业高地19第三章 行业、市场分析23一、 行业发展态势及面临的机遇23二、 碳化硅衬底类型25第四章 公
2、司组建方案26一、 公司经营宗旨26二、 公司的目标、主要职责26三、 公司组建方式27四、 公司管理体制27五、 部门职责及权限28六、 核心人员介绍32七、 财务会计制度33第五章 发展规划分析41一、 公司发展规划41二、 保障措施45第六章 法人治理结构48一、 股东权利及义务48二、 董事51三、 高级管理人员55四、 监事58第七章 环保分析60一、 编制依据60二、 建设期大气环境影响分析61三、 建设期水环境影响分析65四、 建设期固体废弃物环境影响分析66五、 建设期声环境影响分析66六、 环境管理分析67七、 结论68八、 建议68第八章 选址分析70一、 项目选址原则70
3、二、 建设区基本情况70三、 全面融入新发展格局73四、 推进要素市场化改革73五、 项目选址综合评价74第九章 风险风险及应对措施75一、 项目风险分析75二、 项目风险对策77第十章 投资方案79一、 投资估算的依据和说明79二、 建设投资估算80建设投资估算表84三、 建设期利息84建设期利息估算表84固定资产投资估算表86四、 流动资金86流动资金估算表87五、 项目总投资88总投资及构成一览表88六、 资金筹措与投资计划89项目投资计划与资金筹措一览表89第十一章 项目规划进度91一、 项目进度安排91项目实施进度计划一览表91二、 项目实施保障措施92第十二章 项目经济效益93一、
4、 经济评价财务测算93营业收入、税金及附加和增值税估算表93综合总成本费用估算表94固定资产折旧费估算表95无形资产和其他资产摊销估算表96利润及利润分配表98二、 项目盈利能力分析98项目投资现金流量表100三、 偿债能力分析101借款还本付息计划表102第十三章 总结分析104第十四章 附表106主要经济指标一览表106建设投资估算表107建设期利息估算表108固定资产投资估算表109流动资金估算表110总投资及构成一览表111项目投资计划与资金筹措一览表112营业收入、税金及附加和增值税估算表113综合总成本费用估算表113固定资产折旧费估算表114无形资产和其他资产摊销估算表115利润
5、及利润分配表116项目投资现金流量表117借款还本付息计划表118建筑工程投资一览表119项目实施进度计划一览表120主要设备购置一览表121能耗分析一览表121报告说明xx投资管理公司主要由xx(集团)有限公司和xxx投资管理公司共同出资成立。其中:xx(集团)有限公司出资118.00万元,占xx投资管理公司20%股份;xxx投资管理公司出资472万元,占xx投资管理公司80%股份。根据谨慎财务估算,项目总投资29955.78万元,其中:建设投资22671.97万元,占项目总投资的75.68%;建设期利息564.69万元,占项目总投资的1.89%;流动资金6719.12万元,占项目总投资的2
6、2.43%。项目正常运营每年营业收入58300.00万元,综合总成本费用44739.96万元,净利润9936.66万元,财务内部收益率25.58%,财务净现值13184.21万元,全部投资回收期5.55年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。导电型碳化硅衬底主要应用于制造功率器件。与传统硅功率器件制作工艺不同,碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅衬底上,需在导电型衬底上生长碳化硅外延层得到碳化硅外延片,并在外延层上制造各类功率器件。本报告为模板参考范文,不作为投资建议,仅供参考。报告产业背景、市场分析、技术方案、风险评估等内容基于公开信息;项目建设方案、投资估算、经
7、济效益分析等内容基于行业研究模型。本报告可用于学习交流或模板参考应用。第一章 拟成立公司基本信息一、 公司名称xx投资管理公司(以工商登记信息为准)二、 注册资本590万元三、 注册地址邵阳xxx四、 主要经营范围经营范围:从事碳化硅衬底相关业务(企业依法自主选择经营项目,开展经营活动;依法须经批准的项目,经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动;不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。)五、 主要股东xx投资管理公司主要由xx(集团)有限公司和xxx投资管理公司发起成立。(一)xx(集团)有限公司基本情况1、公司简介公司以负责任的方式为消费者提供符合法律规定与标准要求的产品。在提供产
8、品的过程中,综合考虑其对消费者的影响,确保产品安全。积极与消费者沟通,向消费者公开产品安全风险评估结果,努力维护消费者合法权益。公司加大科技创新力度,持续推进产品升级,为行业提供先进适用的解决方案,为社会提供安全、可靠、优质的产品和服务。公司秉承“以人为本、品质为本”的发展理念,倡导“诚信尊重”的企业情怀;坚持“品质营造未来,细节决定成败”为质量方针;以“真诚服务赢得市场,以优质品质谋求发展”的营销思路;以科学发展观纵观全局,争取实现行业领军、技术领先、产品领跑的发展目标。 2、主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额12584.601
9、0067.689438.45负债总额6168.474934.784626.35股东权益合计6416.135132.904812.10公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入46370.1137096.0934777.58营业利润9742.847794.277307.13利润总额8245.426596.346184.07净利润6184.074823.574452.53归属于母公司所有者的净利润6184.074823.574452.53(二)xxx投资管理公司基本情况1、公司简介公司秉承“诚实、信用、谨慎、有效”的信托理念,将“诚信为本、合规经营”作为企业的核心理念,
10、不断提升公司资产管理能力和风险控制能力。公司将依法合规作为新形势下实现高质量发展的基本保障,坚持合规是底线、合规高于经济利益的理念,确立了合规管理的战略定位,进一步明确了全面合规管理责任。公司不断强化重大决策、重大事项的合规论证审查,加强合规风险防控,确保依法管理、合规经营。严格贯彻落实国家法律法规和政府监管要求,重点领域合规管理不断强化,各部门分工负责、齐抓共管、协同联动的大合规管理格局逐步建立,广大员工合规意识普遍增强,合规文化氛围更加浓厚。2、主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额12584.6010067.689438.45负
11、债总额6168.474934.784626.35股东权益合计6416.135132.904812.10公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入46370.1137096.0934777.58营业利润9742.847794.277307.13利润总额8245.426596.346184.07净利润6184.074823.574452.53归属于母公司所有者的净利润6184.074823.574452.53六、 项目概况(一)投资路径xx投资管理公司主要从事关于成立碳化硅衬底公司的投资建设与运营管理。(二)项目提出的理由相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET
12、相比,其尺寸可大幅减小至原来的1/10,导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低70%。到二三五年与全国全省同步基本实现社会主义现代化。到二三五年基本实现社会主义现代化是党的十九大作出的战略安排。到那时,我市经济、科技实力大幅跃升,经济总量和城乡居民人均收入将再迈上新的大台阶,“二中心一枢纽”地位更加凸显;打造国家重要先进制造业高地,基本实现新型工业化、信息化、城镇化、农业现代化,建成现代化经济体系;打造具有核心竞争力的科技创新高地,关键核心技术实现重大突破,“邵阳智造”迈上全球价值链中高端;打造内陆地区改革开放高地,全面建成湘南
13、湘西承接产业转移示范区,形成全面对外开放新格局;基本实现治理体系和治理能力现代化,人民平等参与、平等发展权利得到充分保障,法治政府、法治社会基本建成,平安邵阳建设达到更高水平;文化强市、教育强市、人才强市、体育强市、健康邵阳质量更高,国民素质和社会文明程度达到新高度,文化软实力、影响力显著增强;生态环境根本好转,绿色生产生活方式广泛形成,人与自然和谐共生;大部分群体进入中等收入行列,基本公共服务实现均等化,城乡区域发展差距和居民生活水平差距显著缩小;人民生活更加美好,人的全面发展、全体人民共同富裕取得更为明显实质性进展。(三)项目选址项目选址位于xxx,占地面积约69.00亩。项目拟定建设区域
14、地理位置优越,交通便利,规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备,非常适宜本期项目建设。(四)生产规模项目建成后,形成年产xxx吨碳化硅衬底的生产能力。(五)建设规模项目建筑面积93137.37,其中:生产工程57539.79,仓储工程18463.16,行政办公及生活服务设施9135.94,公共工程7998.48。(六)项目投资根据谨慎财务估算,项目总投资29955.78万元,其中:建设投资22671.97万元,占项目总投资的75.68%;建设期利息564.69万元,占项目总投资的1.89%;流动资金6719.12万元,占项目总投资的22.43%。(七)经济效益(正常经营年份)1、营业收入(S
15、P):58300.00万元。2、综合总成本费用(TC):44739.96万元。3、净利润(NP):9936.66万元。4、全部投资回收期(Pt):5.55年。5、财务内部收益率:25.58%。6、财务净现值:13184.21万元。(八)项目进度规划项目建设期限规划24个月。(九)项目综合评价该项目工艺技术方案先进合理,原材料国内市场供应充足,生产规模适宜,产品质量可靠,产品价格具有较强的竞争能力。该项目经济效益、社会效益显著,抗风险能力强,盈利能力强。综上所述,本项目是可行的。第二章 背景及必要性一、 面临的挑战1、碳化硅衬底制备成本高由于晶体生长速率慢、制备技术难度较大,大尺寸、高品质碳化硅
16、衬底生产成本依旧较高,碳化硅衬底较低的供应量和较高的价格一直是制约碳化硅基器件大规模应用的主要因素之一,限制了产品在下游行业的应用和推广。虽然碳化硅衬底和器件工艺逐渐成熟,衬底和器件的价格呈一定下降趋势,但是目前碳化硅功率器件的价格仍数倍于硅基器件,下游应用领域仍需平衡碳化硅器件的高价格与碳化硅器件优越性能带来的综合成本下降间的关系,短期内一定程度上限制了碳化硅器件在功率器件领域的渗透率,使得碳化硅材料即使在部分相对优势领域的大规模应用仍存较大挑战。2、国内的高端技术和人才的缺乏半导体材料行业属于典型技术密集型行业,对于技术人员的知识背景、研发能力及操作经验积累均有较高要求,国内在高端技术和人
17、才方面与国外龙头企业尚存在差距。缩小技术差距,需要靠国内企业和研究机构持续投入研发,完成前期技术积累工作。国际巨头科锐公司成立于1987年,于1993年在美国纳斯达克上市,贰陆公司成立于1971年,于1987年在美国纳斯达克上市,相比于国际巨头具有数十年的研发和产业化经验,中国由于研发起步较晚,业内人才和技术水平仍然较为缺乏,在一定程度上制约了行业的快速发展。3、通过外延收购方式进行发展的难度较大宽禁带半导体的军事用途使得国外对中国实行技术和产品禁运和封锁。宽禁带半导体是有源相控阵雷达、毫米波通信设备、激光武器、“航天级”固态探测器、耐超高辐射装置等军事装备中的核心组件,因而受到国际上瓦森纳协
18、定的出口管制,并且对外收购相关企业也会受到西方发达国家的严格审查。国内行业通过外延式收购的方式进行发展的难度较大。二、 宽禁带半导体材料简介常见的半导体材料包括硅(Si)、锗(Ge)等元素半导体及砷化镓(GaAs)、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等化合物半导体材料。从被研究和规模化应用的时间先后顺序来看,上述半导体材料被业内通俗地划分为三代。第一代半导体材料以硅和锗等元素半导体为代表,其典型应用是集成电路,主要应用于低压、低频、低功率的晶体管和探测器中。硅基半导体材料是目前产量最大、应用最广的半导体材料,90%以上的半导体产品是用硅基材料制作的。第二代半导体材料是以砷化镓为代表,砷化镓材料
19、的电子迁移率约是硅的6倍,具有直接带隙,故其器件相对硅基器件具有高频、高速的光电性能,因此被广泛应用于光电子和微电子领域,是制作半导体发光二极管和通信器件的关键衬底材料。第三代半导体材料是指以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料,与前两代半导体材料相比,第三代半导体材料禁带宽度大,具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势,因此采用第三代半导体材料制备的半导体器件不仅能在更高的温度下稳定运行,适用于高电压、高频率场景,此外,还能以较少的电能消耗,获得更高的运行能力。值得注意的是,前述三代半导体材料各有利弊,并无绝对的替代关系,而是在特定的应用场景中存在各自的比较优势。1、碳
20、化硅根据中国战略性新兴产业:新材料(第三代半导体材料),与硅相比,碳化硅拥有更为优越的电气特性:耐高压:击穿电场强度大,是硅的10倍,用碳化硅制备器件可以极大地提高耐压容量、工作频率和电流密度,并大大降低器件的导通损耗。耐高温:半导体器件在较高的温度下,会产生载流子的本征激发现象,造成器件失效。禁带宽度越大,器件的极限工作温度越高。碳化硅的禁带接近硅的3倍,可以保证碳化硅器件在高温条件下工作的可靠性。硅器件的极限工作温度一般不能超过300,而碳化硅器件的极限工作温度可以达到600以上。同时,碳化硅的热导率比硅更高,高热导率有助于碳化硅器件的散热,在同样的输出功率下保持更低的温度,碳化硅器件也因
21、此对散热的设计要求更低,有助于实现设备的小型化。实现高频的性能:碳化硅的饱和电子漂移速率大,是硅的2倍,这决定了碳化硅器件可以实现更高的工作频率和更高的功率密度。基于这些优良的特性,碳化硅衬底的使用极限性能优于硅衬底,可以满足高温、高压、高频、大功率等条件下的应用需求,已应用于射频器件及功率器件。2、氮化镓氮化镓具有宽禁带、高电子漂移速度、高热导率、耐高电压、耐高温、抗腐蚀、耐辐照等突出优点。氮化镓器件已有众多应用:在光电子器件领域,氮化镓器件作为LED照明光源已广泛应用,还可制备成氮化镓基激光器;在微波射频器件方面,氮化镓器件可用于有源相控阵雷达、无线电通信、基站、卫星等军事或者民用领域;氮
22、化镓也可用于功率器件,其比传统器件具有更低的电源损耗。三、 碳化硅半导体行业的战略意义碳化硅衬底是新近发展的宽禁带半导体的核心材料,以其制作的器件具有耐高温、耐高压、高频、大功率、抗辐射等特点,具有开关速度快、效率高的优势,可大幅降低产品功耗、提高能量转换效率并减小产品体积。目前,碳化硅半导体主要应用于以5G通信、国防军工、航空航天为代表的射频领域和以新能源汽车、“新基建”为代表的电力电子领域,在民用、军用领域均具有明确且可观的市场前景。同时,我国“十四五”规划已将碳化硅半导体纳入重点支持领域,随着国家“新基建”战略的实施,碳化硅半导体将在5G基站建设、特高压、城际高速铁路和城市轨道交通、新能
23、源汽车充电桩、大数据中心等新基建领域发挥重要作用。因此,以碳化硅为代表的宽禁带半导体是面向经济主战场、面向国家重大需求的战略性行业。全球宽禁带半导体行业目前总体处于发展初期阶段,相比硅和砷化镓等半导体而言,在宽禁带半导体领域我国和国际巨头公司之间的整体技术差距相对较小。另外,由于宽禁带半导体的下游工艺制程具有更高的包容性和宽容度,下游制造环节对设备的要求相对较低,投资额相对较小,制约宽禁带半导体行业快速发展的关键之一在上游材料端。因此,我国若能在宽禁带半导体行业上游衬底材料行业实现突破,将有望在半导体行业实现换道超车。四、 提升产业现代化水平,打造国家重要先进制造业高地坚持把发展经济的着力点放
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