模拟电子技术复习提纲资料.pdf

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1、模拟电子技术复习提纲（各章重点及公式汇编）第三章第三章半导体掺杂 N 型5 价 P 型3 价1. 半导体施主杂质受主杂质多子少子电子空穴空穴电子2PN 结正偏时：反偏时 ：削弱内电场增强内电场 PN 结变窄，导通； PN 结变宽，截止第四章第四章1、三极管工作在放大区 2、电流分配关系条件BE 结正偏BC 结反偏关系式Ic=Ib放大功能NPN 型PNP 型V= (Si) (Ge)U1VV=- (Si) (Ge)U-1V I= I+I3、三极管热稳定性差; I II反向饱和电流 I；穿透电流 I = (1+) IICI;C;IBIE14、共射放大器（2）最大不失真 Vom（振幅）计算（1）图解方

2、法：不产生截止失真U不产生饱和失真UUom取Uomomom ICQRLUCEQUCES和Uom中小值U 为饱和压降Vcc VBE RC/RLIBQ;RLRb（3）NPN 管共射放大的失真及消除方法 U（t）截止失真波形 U（t）饱和失真波形（4）直流通路和交流通路要求能熟练掌握（5）三极管小信号等效电路（6）放大电路的计算共射放大(固定偏置)共射放大(分压式偏置)共集放大动态计算电路静态工作点的计算QAVRi Rb/rbeRo RcVoRiASAVVsRi RsVO(Rc/RL)VirbeAVVO(Rc/RL)VirbeAVRi Rb1/Rb2/rbeRo RcVoRiASAVVsRi RsR

3、i rbe1Re/RL/RbrbeRsRo Re/1R Rs/RbVO(1)(Re/RL)1Virbe(1)Re/RL特点和应用Av1； Vo 与 Vi 反相；Av1 电压跟随Ai= Io/Ii1Ai=1+Ri，Ro 中等. Ri 大，Ro 小应用于中间放大级应用于输入级,输出级,中间隔离级共基放大等点: Av1； Vo 与 Vi 同相, Ai=1, Ri 小，Ro 大应用于高频放大（8）增益的 db 表示方法第五章第五章 FETFET N 沟道 JFET耗尽型 N-MOS增强型 N-MOS1、符号及等性（包括转移特性和输出特）2、FET 的特点： Ri 大(I=0); V 控制 I;多子导电

4、为单极型晶体管,噪声小,热稳定性好.3、参数及等效电路第第 8 8 章章Po1、功放主要指标：输出功率Po 效率非线性失真小；功放安全工作。PV(电源功率 )2、电路及指标计算：类型电路一般情况指标计算尽限运用选管原则2VomPO(VomVim)22ROCLLVccVCESVCCPomICMVP2RL甲乙类omPVORL24VccV cc双电源OTL乙类单电源1单管功耗PT1PV PO22RLV(BR)CEO 2VCCPCM 0.2POMm 78.5%ICmVCC/2RLV(BR)CEOVCCPCM 0.2POM第六章第六章1、差分放大电路特点克服温漂抑制共模 Vic； 放大差模信号 VidI

5、= I= Io/22、四种差分放大电路指标计算 3、FET 差分式放大器特点：输入电阻高，输入偏置电流小。4、集成运放的符号和组成框图第七章第七章直流负反馈用于稳定静态工作点 1、负反馈交流负反馈电压串联负反馈；输入端输出端类型（改善性能）电压并联负反馈；（V=0）串联电压 Uo; (XfUo)电流串联负反馈；电流串并负反馈；（I=0）并联电流 Io; (XfIo)2、负反馈放大框图3、负反馈电路4、交流负反馈对放大器性能的影响：以牺牲增益为代价，换来以下各项性能的改善。第二章第二章1、理想运放应满足： 2、理想运放线性运用时(电路上有负反馈)A=; R= ;有：虚短 V=V (Vid=Vo/

6、A= 0)Ro= 0 ; K= ;虚断 I=I= 0 (Rid=) V= 0 及温漂为 0 ; I= 03、基本电路第九章第十章1、整流（半波整流、全波整流和桥式整流）2、滤波（电容滤波和电感滤波）模拟电子技术模拟试卷分析回答计算题12345总分6题号及题型得分一二判别题填空题选择题12一、填空题（20 分）1、N 型半导体是在本征半导体中掺入_价元素,其多数载流子是 _。2、 （图 13）所示电路，二极管D 的工作状态为_,输出电压 Uo =_。3、某三极管已知=，当 IE=2mA 时，IB=_, =_。（图 13）4、测得某三极管 VBE= ，VCE=，则该管工作在_区，管型和材料为_。测

7、得某三极管 VE= 3V，VB=，VC=6V，则该管工作在_区，管型和材料为_。5、三种基本组态的放大电路中，既有电压增益又有电流增益的是_放大电路；带负载能力最强的是_放大电路。6、已知某放大电路，电压增益AV=1000，折合分贝数为_db，其上限频率 fH处电压增益为_db。7、 （图 17）所示放大电路，由Uo（t）波形可知产生了_失真，消除失真的办法是_。（图 17）8、 （图 18）示运放构成的是_电路，通带增益等于_。9、晶体振荡器的特点是_-_高，在并联型晶振电路中，晶体等效为_元件。（图 18）二、单项选择题（10 分）1、 已知某 FET 的转移特性如（图 21）所示，该管的

8、符号为_。2、已知某 FET 的输出特性如（图 22）所示，可求得 gm等于_。（图 21）（图 22） 2ms， 6ms， 3ms， 4ms3、为获得输入电压控制的电流源，应引入_负反馈。电压串联电压并联电流串联电流并联4、放大电路中，其信号源内阻RS较大，为使负反馈效果好，且带负载能力强应引入_负反馈。电流串联电流并联电压串联电压并联、下列电路中组成 NPN 型复合管的是_。（图 26） 6、如（图 26）所示电路，输出电压UO 等于_。12V12V12V12V9V9V9V9V7、 （图 27） 所示， 由理想运放构成的 “电流电压” 变换电路， 已知 IS=1mA，则 VO等于_。+10

9、V+10V10V10V5V5V+5V+5V（图 27）8、 （图 28）所示振荡电路，变压器同名端和振荡频率fo 应为上述_所示。1fo1fo2LC2LCfo11fo2LCLC（图 28）9、理想运放构成的电路如（图29）所示，VO等于_。10V10V10、互补对称功率放大电路选择甲乙类工作状态的主要原因是为了_。输出功率大保护功放管提高效率消除交越失真（图 29）三、判断题（10 分）1、判别下开列电路的级间反馈类型（a）_（b）_（c）_2、用瞬时极性法判别下列电路是否满足相位平衡条件能够振荡(a)_ (b)_四、问答计算题（60 分）1、2、图示放大电路，电容 C1，C2Ce 对交流可视

10、作短路； 画出直流通路静态 ICQ，IBQ，VCEQ 值； 画出交流通路和小信号模型等效电路求AV=VO/Vi；输入电阻 Ri，输出电阻 RO 求 AVS=VO/VS； 如将 Rb2逐渐减小，首先出现何种非线性失真输入正弦波时画VO（t）失真波形图。3、理想运放构成的电路如图所示 A1，A2，A3各组成何种电路 求 VO1，VO2，VO3值。3、理想运放构成的求和积分电路如图所示 写输出电压 UO的表达式设 UC（t=0）=0 已知二个输入信号 Vi1（t） ，Vi2（t）波形如图所示。试画出输出电压波形。4、放大电路如图所示 判断图（a） （b）电路级间反馈的类型 图（a）电路满足深度负反馈时，估算AVFVO值Vi5、如图所示电路，已知 R=100K，C=F，R1=10 K， 求输出电压 UO的频率 fo值； 电路正常工作时电阻 R2选多大若要求 UO1幅度稳定，电阻 R2可选哪种热敏电阻代用（正温度系数或负温度系数）若忽略三极管 UCES，求最大输出功率和相应的效率；二极管 D1，D2的作用是什么6、图（a）所示的直流电路，已知UBE=，稳压管 VZ=，求 UO 的调节范围；若要求调整管 UCE14V，求变压器次级 U2 有效值至少为多大图（b）所示电路，求 VO 值；求 W7812 耗损功率 P 为多大