延边存储器项目建议书（参考模板）.docx

《延边存储器项目建议书（参考模板）.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《延边存储器项目建议书（参考模板）.docx（133页珍藏版）》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。

1、泓域咨询/延边存储器项目建议书目录第一章 项目背景分析8一、 行业发展面临的机遇与挑战8二、 行业发展现状及未来发展趋势10三、 持续深化开发开放10第二章 项目概况12一、 项目名称及建设性质12二、 项目承办单位12三、 项目定位及建设理由13四、 报告编制说明14五、 项目建设选址16六、 项目生产规模17七、 建筑物建设规模17八、 环境影响17九、 项目总投资及资金构成17十、 资金筹措方案18十一、 项目预期经济效益规划目标18十二、 项目建设进度规划19主要经济指标一览表19第三章 市场分析22一、 半导体存储器简介22二、 产业链上游存储晶圆市场格局及技术路线24三、 产业链下

2、游应用场景丰富，市场需求广阔26第四章 选址方案分析31一、 项目选址原则31二、 建设区基本情况31三、 增强科技创新能力33四、 项目选址综合评价34第五章 产品方案分析35一、 建设规模及主要建设内容35二、 产品规划方案及生产纲领35产品规划方案一览表35第六章 建筑工程方案分析37一、 项目工程设计总体要求37二、 建设方案39三、 建筑工程建设指标40建筑工程投资一览表40第七章 SWOT分析42一、 优势分析（S）42二、 劣势分析（W）44三、 机会分析（O）44四、 威胁分析（T）45第八章 运营模式分析49一、 公司经营宗旨49二、 公司的目标、主要职责49三、 各部门职责

3、及权限50四、 财务会计制度53第九章 法人治理结构61一、 股东权利及义务61二、 董事65三、 高级管理人员71四、 监事73第十章 组织机构及人力资源76一、 人力资源配置76劳动定员一览表76二、 员工技能培训76第十一章 安全生产分析79一、 编制依据79二、 防范措施82三、 预期效果评价86第十二章 原辅材料成品管理87一、 项目建设期原辅材料供应情况87二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理87第十三章 项目实施进度计划88一、 项目进度安排88项目实施进度计划一览表88二、 项目实施保障措施89第十四章 投资计划90一、 投资估算的编制说明90二、 建设投资估算90建设投资估

4、算表92三、 建设期利息92建设期利息估算表93四、 流动资金94流动资金估算表94五、 项目总投资95总投资及构成一览表95六、 资金筹措与投资计划96项目投资计划与资金筹措一览表97第十五章 经济效益及财务分析99一、 基本假设及基础参数选取99二、 经济评价财务测算99营业收入、税金及附加和增值税估算表99综合总成本费用估算表101利润及利润分配表103三、 项目盈利能力分析104项目投资现金流量表105四、 财务生存能力分析107五、 偿债能力分析107借款还本付息计划表108六、 经济评价结论109第十六章 风险风险及应对措施110一、 项目风险分析110二、 项目风险对策112第十

5、七章 项目招投标方案114一、 项目招标依据114二、 项目招标范围114三、 招标要求115四、 招标组织方式117五、 招标信息发布119第十八章 项目总结120第十九章 补充表格121营业收入、税金及附加和增值税估算表121综合总成本费用估算表121固定资产折旧费估算表122无形资产和其他资产摊销估算表123利润及利润分配表124项目投资现金流量表125借款还本付息计划表126建设投资估算表127建设投资估算表127建设期利息估算表128固定资产投资估算表129流动资金估算表130总投资及构成一览表131项目投资计划与资金筹措一览表132报告说明非易失性存储主要指只读存储器（ROM），无

6、需持续通电亦能长久保存数据的存储器。早期的ROM产品信息首次写入后即固定下来，以非破坏性读出方式工作，只能读出而无法修改或再次写入信息，故称“只读”存储器。ROM经过不断演变发展，经过掩膜只读存储器（MaskROM）、可编程只读存储器（PROM）、可编程可擦除只读存储器（EPROM）、电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）和快闪存储器（Flash）等阶段，已经突破原有的“只读”限制。Flash主要包括NANDFlash和NORFlash。NANDFlash是使用电可擦技术的高密度非易失性存储。NANDFlash每位只使用一个晶体管，存储密度远高于其他ROM；在正常使用情况下，Flash所存的

7、电荷（数据）可长期保存；同时，NANDFlash能够实现快速读写和擦除。NANDFlash为大容量数据存储的实现提供了廉价有效的解决方案，是目前全球市场大容量非易失存储的主流技术方案。根据谨慎财务估算，项目总投资41063.25万元，其中：建设投资30970.39万元，占项目总投资的75.42%；建设期利息744.08万元，占项目总投资的1.81%；流动资金9348.78万元，占项目总投资的22.77%。项目正常运营每年营业收入92800.00万元，综合总成本费用79979.21万元，净利润9341.36万元，财务内部收益率14.68%，财务净现值5903.73万元，全部投资回收期6.82年。

8、本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。该项目符合国家有关政策，建设有着较好的社会效益，建设单位为此做了大量工作，建议各有关部门给予大力支持，使其早日建成发挥效益。本报告基于可信的公开资料，参考行业研究模型，旨在对项目进行合理的逻辑分析研究。本报告仅作为投资参考或作为参考范文模板用途。第一章 项目背景分析一、 行业发展面临的机遇与挑战1、行业机遇（1）国家政策高度重视集成电路行业发展集成电路产业是现代信息产业的基础和核心产业之一。近年来，为加快推进我国集成电路及封装测试产业发展，国务院、国家发改委、工信部等政府部门从投资、融资、财政、税收、技术和人才等多方面推出了一系

9、列法规和产业政策，国家层面也设立相应产业投资基金，给行业注入新动力。（2）下游应用行业蓬勃发展，国内市场对存储器芯片需求较大存储器行业的发展主要取决于下游的终端应用领域。随着一系列国家战略的持续深入实施，下游制造业的升级换代进程加快，其中消费电子、云计算、大数据、物联网、汽车电子等存储器应用的重要领域维持较快增速。下游市场处于蓬勃发展的态势，直接推动存储器产业链的持续扩张，有利于维持存储器行业需求端的规模增长。（3）存储产业链向大陆转移带来的机遇随着国内集成电路行业的发展，全球集成电路行业经历了向中国转移的过程，中国已经成为世界最大的集成电路芯片市场。在这一趋势带动下，存储晶圆厂和主控芯片代工

10、厂商如台积电、三星电子、日月光等纷纷在大陆投资建厂和扩张生产线，下游晶圆加工工艺持续改进，国内封装测试企业技术水平达到国际先进水平，为存储器厂商提供了充足的产能基础和完整的产业链配套。（4）信创产业助力存储行业发展近年来，国家大力推动信创产业发展，从最上游的半导体材料到核心芯片、元器件、基础软件，再到整机、应用软件全面实现自主安全可控。而存储是信创产业的关键一环，当前信创产业处于全面提速阶段，必将对整个国产存储产业链起到带动作用。2、行业挑战（1）高端技术人才不足在市场需求增长、国家政策支持、产业中心转移等利好因素下，高端技术才是企业抓住机遇、发展壮大的关键。国内具备战略视野和产业运营经验的领

11、军型人才和国际高端技术人才相对稀缺。（2）国内存储晶圆制造能力仍需进一步实现突破存储晶圆制造能力是存储产业实力的重要体现，当前世界先进的存储晶圆制造工艺及主要市场份额仍掌握在国外存储原厂手中，国内存储晶圆制造仍处于起步阶段，专利和技术积累相对薄弱，虽然长江存储、合肥长鑫等存储原厂已经实现量产，但与国外存储原厂在技术和市场份额方面仍存在较大差距。（3）我国集成电路基础技术有待提升国际市场上主流的集成电路公司大都经历了四十年以上的发展。国内同行业的厂商仍处于一个成长的阶段，与国际大厂依然存在技术差距，尤其是制造及封装测试环节所需的高端技术支持存在明显的短板，目前我国集成电路行业中的部分高端市场仍由

12、国外企业占据主导地位。因此，产业链上下游的技术水平也在一定程度上限制了我国集成电路行业的发展。二、 行业发展现状及未来发展趋势集成电路产业是现代信息产业的基础，集成电路主要分为存储芯片、逻辑芯片、模拟芯片、微处理器芯片等。根据世界半导体贸易统计组织（WSTS）数据，2020年全球集成电路产业规模为3,612.26亿美元，其中存储芯片规模为1,174.82亿美元，约占集成电路产业总体规模的32.52%，与逻辑芯片共同构成集成电路产业的两大支柱。三、 持续深化开发开放释放区域发展潜能，融入国内国际双循环格局。畅通开放通道。深化“滨海2号”等国际运输通道过境运输合作，用好扎鲁比诺港、斯拉夫扬卡港等周

13、边港口。加强与宁波舟山港、青岛港深度合作，保持内贸外运航线常态化双向运输。突出延吉空港枢纽作用，适时增开延吉经武汉至西安等国内航线，积极恢复至俄罗斯、日本等国际航线，争取延吉至韩国仁川货运包机常态化运营。完成珲春铁路口岸扩能改造，启用圈河口岸新联检楼，完善南坪、双目峰口岸基础设施。推行提前申报、预约通关服务，争取实行中俄海关货物监管结果互认。夯实开放平台。深化与宁波合作，加快珲春海洋经济发展示范区建设。完成开发区人事薪酬制度和招商工作改革试点任务，年底前全面铺开。支持敦化经开区建设省级医药高新区、汪清工业集中区晋升省级经开区。加快边境县（市）边合区和互贸区建设。争创延吉重点开发开放试验区和吉林

14、自贸区延边片区。举办第二届图们江区域自由贸易区研讨会。确保延吉保税物流中心（B型）封关运行，延吉快件监管中心常态化运营。用足珲春综合保税区、跨境电商综试区政策。扩大珲春互市贸易进口商品落地加工规模。第二章 项目概况一、 项目名称及建设性质（一）项目名称延边存储器项目（二）项目建设性质本项目属于新建项目二、 项目承办单位（一）项目承办单位名称xxx（集团）有限公司（二）项目联系人闫xx（三）项目建设单位概况公司不断推动企业品牌建设，实施品牌战略，增强品牌意识，提升品牌管理能力，实现从产品服务经营向品牌经营转变。公司积极申报注册国家及本区域著名商标等，加强品牌策划与设计，丰富品牌内涵，不断提高自主

15、品牌产品和服务市场份额。推进区域品牌建设，提高区域内企业影响力。公司全面推行“政府、市场、投资、消费、经营、企业”六位一体合作共赢的市场战略，以高度的社会责任积极响应政府城市发展号召，融入各级城市的建设与发展，在商业模式思路上领先业界，对服务区域经济与社会发展做出了突出贡献。 公司满怀信心，发扬“正直、诚信、务实、创新”的企业精神和“追求卓越，回报社会” 的企业宗旨，以优良的产品服务、可靠的质量、一流的服务为客户提供更多更好的优质产品及服务。公司在“政府引导、市场主导、社会参与”的总体原则基础上，坚持优化结构，提质增效。不断促进企业改变粗放型发展模式和管理方式，补齐生态环境保护不足和区域发展不

16、协调的短板，走绿色、协调和可持续发展道路，不断优化供给结构，提高发展质量和效益。牢固树立并切实贯彻创新、协调、绿色、开放、共享的发展理念，以提质增效为中心，以提升创新能力为主线，降成本、补短板，推进供给侧结构性改革。三、 项目定位及建设理由存储器厂商面向下游细分行业客户的客制化需求，进行晶圆分析、主控芯片选型与定制、固件开发、封装设计、芯片测试、提供后端的技术支持等，将标准化存储晶圆转化为存储产品，扩展了半导体存储器的应用场景，提升了半导体存储器在各类应用场景的适用性，推动实现存储晶圆的产品化，是半导体存储产业链承上启下的重要环节。领先的存储器厂商在存储晶圆产品化的过程中形成品牌声誉，推动存储

17、产品企业塑造自身的品牌形象，进而巩固其市场地位并改善利润空间，推动其增加研发投入，形成良性循环。“十四五”时期坚定不移贯彻新发展理念，坚持稳中求进工作总基调，以推动高质量发展为主题，以深化供给侧结构性改革为主线，以改革创新为根本动力，以满足人民日益增长的美好生活需要为根本目的，积极融入新发展格局，统筹发展和安全，紧紧抓住推进东北振兴发展的历史机遇，深入落实省委“三个五”战略部署和“一主六双”产业空间布局，大力实施产业强州战略，扎实推进绿色转型，全面深化改革开放，不断夯实生态基础，持续提升治理效能，构筑“一核、两极、多点支撑”的产业空间布局，加快追赶跨越步伐，打造绿色转型发展示范区、开发开放示范

18、区、生态文明建设示范区、民族团结进步示范区，努力走出一条质量更高、效益更好、结构更优、优势充分释放的发展新路，巩固发展延边团结和谐稳定的良好局面，全面开启延边社会主义现代化建设新征程。主要发展目标是：经济实力再上新台阶，创新发展迈出新步伐，协调发展取得新进步，绿色发展实现新提升，开放发展实现新突破，共享发展呈现新气象。四、 报告编制说明（一）报告编制依据1、承办单位关于编制本项目报告的委托；2、国家和地方有关政策、法规、规划；3、现行有关技术规范、标准和规定；4、相关产业发展规划、政策；5、项目承办单位提供的基础资料。（二）报告编制原则坚持以经济效益为中心，社会效益和不境效益为重点指导思想，以

19、技术先进、经济可行为原则，立足本地、面向全国、着眼未来，实现企业高质量、可持续发展。1、优化规划方案，尽可能减少工程项目的投资额，以求得最好的经济效益。2、结合厂址和装置特点，总图布置力求做到布置紧凑，流程顺畅，操作方便，尽量减少用地。3、在工艺路线及公用工程的技术方案选择上，既要考虑先进性，又要确保技术成熟可靠，做到先进、可靠、合理、经济。4、结合当地有利条件，因地制宜，充分利用当地资源。5、根据市场预测和当地情况制定产品方向，做到产品方案合理。6、依据环保法规，做到清洁生产，工程建设实现“三同时”，将环境污染降低到最低程度。7、严格执行国家和地方劳动安全、企业卫生、消防抗震等有关法规、标准

20、和规范。做到清洁生产、安全生产、文明生产。（二） 报告主要内容1、项目背景及市场预测分析；2、建设规模的确定；3、建设场地及建设条件；4、工程设计方案；5、节能；6、环境保护、劳动安全、卫生与消防；7、组织机构与人力资源配置；8、项目招标方案；9、投资估算和资金筹措；10、财务分析。五、 项目建设选址本期项目选址位于xx园区，占地面积约83.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。六、 项目生产规模项目建成后，形成年产xxx件存储器的生产能力。七、 建筑物建设规模本期项目建筑面积92834.31，其中：生产工程57834.

21、07，仓储工程15730.06，行政办公及生活服务设施11083.11，公共工程8187.07。八、 环境影响本项目符合产业政策、符合规划要求、选址合理；项目建设具有较明显的社会、经济综合效益；项目实施后能满足区域环境质量与环境功能的要求，但项目的建设不可避免地对环境产生一定的负面影响，只要建设单位严格遵守环境保护“三同时”管理制度，切实落实各项环境保护措施，加强环境管理，认真对待和解决环境保护问题，对污染物做到达标排放。从环保角度上讲，项目的建设是可行的。九、 项目总投资及资金构成（一）项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资41063

22、.25万元，其中：建设投资30970.39万元，占项目总投资的75.42%；建设期利息744.08万元，占项目总投资的1.81%；流动资金9348.78万元，占项目总投资的22.77%。（二）建设投资构成本期项目建设投资30970.39万元，包括工程费用、工程建设其他费用和预备费，其中：工程费用25982.35万元，工程建设其他费用4029.43万元，预备费958.61万元。十、 资金筹措方案本期项目总投资41063.25万元，其中申请银行长期贷款15185.35万元，其余部分由企业自筹。十一、 项目预期经济效益规划目标（一）经济效益目标值（正常经营年份）1、营业收入（SP）：92800.00

23、万元。2、综合总成本费用（TC）：79979.21万元。3、净利润（NP）：9341.36万元。（二）经济效益评价目标1、全部投资回收期（Pt）：6.82年。2、财务内部收益率：14.68%。3、财务净现值：5903.73万元。十二、 项目建设进度规划本期项目按照国家基本建设程序的有关法规和实施指南要求进行建设，本期项目建设期限规划24个月。十四、项目综合评价本项目符合国家产业发展政策和行业技术进步要求，符合市场要求，受到国家技术经济政策的保护和扶持，适应本地区及临近地区的相关产品日益发展的要求。项目的各项外部条件齐备，交通运输及水电供应均有充分保证，有优越的建设条件。，企业经济和社会效益较好

24、，能实现技术进步，产业结构调整，提高经济效益的目的。项目建设所采用的技术装备先进，成熟可靠，可以确保最终产品的质量要求。主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积55333.00约83.00亩1.1总建筑面积92834.311.2基底面积33199.801.3投资强度万元/亩354.222总投资万元41063.252.1建设投资万元30970.392.1.1工程费用万元25982.352.1.2其他费用万元4029.432.1.3预备费万元958.612.2建设期利息万元744.082.3流动资金万元9348.783资金筹措万元41063.253.1自筹资金万元25877.903.2银行

25、贷款万元15185.354营业收入万元92800.00正常运营年份5总成本费用万元79979.216利润总额万元12455.157净利润万元9341.368所得税万元3113.799增值税万元3047.0110税金及附加万元365.6411纳税总额万元6526.4412工业增加值万元22134.2013盈亏平衡点万元45163.94产值14回收期年6.8215内部收益率14.68%所得税后16财务净现值万元5903.73所得税后第三章 市场分析一、 半导体存储器简介存储器是指利用磁性材料或半导体等材料作为介质进行信息存储的器件，半导体存储器利用半导体介质贮存电荷以实现信息存储，存储与读取过程体

26、现为电荷的贮存或释放，半导体存储是集成电路的重要分支。1、易失性存储易失性存储主要指随机存取存储器（RAM）。RAM需要维持通电以临时保存数据供主系统CPU读写和处理。由于RAM可以实现对数据的高速读写，因此通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介。RAM根据是否需要周期性刷新以维持数据存储，进一步分为动态随机存取存储器（DRAM）和静态随机存取存储器（SRAM）。动态随机存取存储器（DRAM）需要在维持通电的同时，通过周期性刷新来维持数据，故称“动态”存储器。DRAM结构简单，因此单位面积的存储密度显著高于SRAM，但访问速度慢于SRAM；此外，由于DRAM需要周期性刷新以维

27、持正确的数据，因此功耗较SRAM更高。DRAM作为一种高密度的易失性存储器，主要用作CPU处理数据的临时存储装置，广泛应用于智能手机、个人电脑、服务器等主流应用市场。2、非易失性存储非易失性存储主要指只读存储器（ROM），无需持续通电亦能长久保存数据的存储器。早期的ROM产品信息首次写入后即固定下来，以非破坏性读出方式工作，只能读出而无法修改或再次写入信息，故称“只读”存储器。ROM经过不断演变发展，经过掩膜只读存储器（MaskROM）、可编程只读存储器（PROM）、可编程可擦除只读存储器（EPROM）、电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）和快闪存储器（Flash）等阶段，已经突破原有的“

28、只读”限制。Flash主要包括NANDFlash和NORFlash。NANDFlash是使用电可擦技术的高密度非易失性存储。NANDFlash每位只使用一个晶体管，存储密度远高于其他ROM；在正常使用情况下，Flash所存的电荷（数据）可长期保存；同时，NANDFlash能够实现快速读写和擦除。NANDFlash为大容量数据存储的实现提供了廉价有效的解决方案，是目前全球市场大容量非易失存储的主流技术方案。NORFlash特点在于允许CPU直接从存储单元中读取代码执行（eXecuteInPlace,XIP），即应用程序可直接在Flash内运行，而不必再读到系统RAM中；但NORFlash写入和擦

29、除速度慢，因此不适宜作为大容量存储器，仅在小容量场景具有成本效益。二、 产业链上游存储晶圆市场格局及技术路线存储晶圆的设计与制造产业具有较高的技术和资本门槛，早期进入存储器领域的全球领先企业通过巨额资本投入不断积累市场竞争优势，全球存储晶圆市场被韩国、美国和日本的少数企业主导。国际领先的存储原厂凭借多年技术积累，不断提升晶圆制程以提高单位面积的存储密度和降低存储芯片功耗，随着制程工艺不断逼近极限，芯片设计与晶圆制造的研发门槛不断提高，研发资本投入不断增加。同时，主要存储原厂还需通过持续大额资本支出来投放成熟制程产能，维持规模优势和市场份额。1、NANDFlash市场竞争格局及技术路线NANDF

30、lash全球市场高度集中，根据Omdia（IHSMarkit）数据，2020年全球NANDFlash市场规模为571.95亿美元，由三星电子、铠侠、西部数据、美光科技、SK海力士、英特尔六家公司主导，其中三星电子全球市场份额约34%，此外，SK海力士收购英特尔NANDFlash业务已于2021年获得主要市场监管当局批准，全球NANDFlash市场将进一步集中。技术路线方面，主要存储原厂在激烈竞争中不断提升NANDFlash存储密度。目前，存储密度提升的主要技术路径包括提高存储单元的可存储数位（bit）量和提升3DNANDFlash的堆叠层数。根据每个存储单元存储的可存储数位量，NANDFlas

31、h分为SLC、MLC、TLC、QLC。SLC（Single-levelCell）为每个存储单元存储的数据只有1位，而MLC（Multi-levelCell）、TLC（Triple-levelCell）和QLC（Quad-LevelCell）每个存储单元存储的数据分别为2位、3位与4位，存储密度梯度提升。传统NANDFlash为平面闪存（2DNAND），3DNAND使用多层垂直堆叠技术，拥有更大容量、更低功耗、更优耐用性以及更低成本的优势。三星电子2013年率先开发出可以商业化应用的24层3DNAND，2020年3DNAND高端先进制程进入176层阶段。2、DRAM市场竞争格局及技术路线DRAM

32、全球市场相较于NANDFlash更为集中，2020年全球DRAM市场规模为663.83亿美元，由三星电子、SK海力士和美光科技三家公司主导。技术路线方面，行业龙头三星电子于2014年率先实现20纳米制程量产（4GbDDR3DRAM），将技术路线竞争引入20nm时代，此后DRAM制程大约每两年实现一次突破，从1Xnm（16nm-19nm）到1Ynm（14nm-16nm）到1Znm（12-14nm）。2021年1月，美光科技率先宣布量产1nm（接近10nm）DRAM产品，主流原厂开始进入1nm制程阶段。目前市场高端制程为1Znm，该制程生产的芯片主要标准规格包括DDR4X/5及LPDDR4X/5。

33、3、中国大陆存储晶圆仍处于发展初期近年来，在集成电路产业政策和国家集成电路基金等市场资本的扶持推动下，中国在DRAM与NANDFlash两大存储核心领域均取得关键技术突破，以长江存储和长鑫存储为代表的本土存储晶圆原厂技术实力与国际主流原厂快速缩小；依托中国市场广阔需求，市场份额取得实质进展。尽管国产晶圆生产取得实质进展，但是国产晶圆在技术实力和市场规模方面与国际存储原厂仍有显著差距。三、 产业链下游应用场景丰富，市场需求广阔存储器产业链下游涵盖智能手机、平板电脑、计算机、网络通信设备、可穿戴设备、物联网硬件、安防监控、工业控制、汽车电子等行业以及个人移动存储等领域。不同应用场景对存储器的参数要

34、求复杂多样，涉及容量、读写速度、可擦除次数、协议、接口、功耗、尺寸、稳定性、兼容性等多项内容。半导体存储器根据下游应用场景形成了不同的产品形态，NANDFlash主要包括嵌入式存储（用于电子移动终端低功耗场景）、固态硬盘（大容量存储场景）、移动存储（便携式存储场景）等，其中嵌入式存储与固态硬盘是NANDFlash的主要产品类别，市场规模占NANDFlash市场85%以上。NANDFlash中，嵌入式存储市场主要受智能手机、平板等消费电子行业驱动，固态硬盘下游市场主要包括服务器、个人电脑，移动存储广泛应用于各类消费者领域。DRAM中，LPDDR主要与嵌入式存储配合应用于智能手机、平板等消费电子产

35、品，近年来亦应用于功耗限制严格的个人电脑产品，DDR主要应用于服务器、个人电脑等。1、智能手机市场随着移动通信技术的发展和移动互联网的普及，作为半导体存储下游重要的细分市场，智能手机的景气度是NANDFlash，特别是嵌入式存储市场发展的核心驱动力。全球智能手机市场得益于3G/4G通信网络的建设，出货量自2010年的3.05亿台迅速攀升至2016年的14.73亿台。2017年开始智能手机趋向饱和，主要是随着4G通信普及，4G智能手机增量市场触及天花板，智能手机整体出货量主要受存量市场手机单位容量增长驱动。2019年是5G商用化元年，随着5G逐渐普及，新一轮的换机周期开启。据Omida（IHSM

36、arkit）预测，2020-2025年，5G智能手机出货量年均复合增长率（CAGR）将达到约44.95%。同时，智能手机对于NANDFlash需求不仅取决于手机出货量，同时取决于单台手机的存储容量。根据Omdia（IHSMarkit）数据，单台智能手机的RAM模块（LPDDR）和ROM模块（嵌入式NANDFlash）均在经历持续、大幅的提升。随着5G手机渗透率的逐步提升，智能手机的性能进一步升级，RAM扩容是CPU提升处理速率的必要条件。功能更为强大的移动终端将允许手机搭载功能更为复杂、占据存储容量更大的软件程序，且消费者通过移动终端欣赏更高画质、音质内容物的消费习惯亦会进一步持续推动智能手机

37、ROM扩容。2、数据中心市场近年来，云计算、大数据、物联网、人工智能等市场规模不断扩大，数据量呈现几何级增长，数据中心固定投资不断增加。据国际数据公司（IDC）预测，全球数据总量预计2020年达到44ZB，我国数据量将达到8,060EB，占全球数据总量的18%。数据爆发式增长为存储行业带来巨大的需求空间。一方面互联网巨头纷纷自建数据中心，同时传统企业上云进程加快，两者共同带动服务器数据存储市场规模快速增长。根据国际数据公司（IDC）统计，2019年第四季度全球服务器出货量340万台，同比增长14%，服务器厂商收入同比增长7.5%至254亿美元。在数据中心作为新型基础设施加快建设的背景下，服务器

38、/数据存储的市场规模将继续快速增长，该细分领域的需求将大幅增加。3、个人电脑（PC）市场个人电脑（PC）市场曾是磁性存储器的主要市场之一，由于NANDFlashSSD的制造成本较高，PC端数据存储过去主要使用机械硬盘（HDD）。HDD是以磁性材料为存储载体的存储器，在平整的磁性表面存储和检索数字数据。近年来，随着NANDFlash单位存储经济效益持续凸显，同时笔记本电脑，特别是轻薄笔记本电脑对存储物理空间限制严格，SSD对HDD的替代效应显著。同时，PC与其他消费电子产品相同，正在经历性能和数据存储需求的持续增长。随着消费者处理数据的需求不断增加，单台设备的存储容量需求亦持续增加。4、移动存储

39、消费市场用户对于可靠的存储解决方案的需求是移动存储消费市场存在的前提，经过多年的发展，移动存储消费市场已经充分发展，产品形态以U盘、存储卡以及移动便携SSD产品为主，产品形态趋于成熟，需求稳中有降，整体市场进入成熟期，移动存储消费市场的品牌作用日益凸显。5、汽车电子市场随着汽车消费升级、新能源汽车的推广以及相关政策推动，汽车电动化和智能化将成为新趋势。随着智能化程度的不断加深，汽车正逐步完成由交通工具到移动终端的转变，同时也给存储行业带来新的市场机遇。当前，汽车产品中主要是信息娱乐系统、动力系统和高级驾驶辅助（ADAS）系统中需要使用存储设备，随着自动化程度提高，所需的存储容量也随之增长。根据

40、Gartner的数据显示，2019年全球ADAS中的NANDFlash存储消费达到2.2亿GB，同比增长214.29%，未来几年增速有所放缓但仍将保持强劲增长，预计至2024年，全球ADAS领域的NANDFlash存储消费将达到41.5亿GB，2019年-2024年复合增速达79.9%。第四章 选址方案分析一、 项目选址原则项目建设区域以城市总体规划为依据，布局相对独立，便于集中开展科研、生产经营和管理活动，并且统筹考虑用地与城市发展的关系，与当地的建成区有较方便的联系。二、 建设区基本情况延边朝鲜族自治州，首府驻延吉市，是吉林省的9个地级行政区之一。延边州地处中国东北吉林省东部中朝边境，整个

41、地势西高东低，自西南、西北、东北三面向东南倾斜，地处北半球的中温带，属中温带湿润季风气候。全州总面积4.33万平方千米，辖6市2县；2020年末户籍总人口204.66万人，比上年末减少2.55万人，其中城镇人口142.16万人，占总人口比重（户籍人口城镇化率）为69.5%，比上年末提高0.1个百分点。全年出生人口10730人，出生率为5.21；死亡人口23572人，死亡率为11.45，自然增长率为-6.24。年末总人口中，汉族人口123.08万人，占总人口的60.14%；朝鲜族人口73.03万人，占比为35.68%。根据第七次人口普查数据，延边朝鲜族自治州常住人口为1941700人。延边朝鲜族

42、自治州有11个对朝、对俄口岸，口岸过货量占吉林省的90%以上；有1个国际机场，航线直达“北上广深”一线城市和环日本海各国；图们江是中国内陆进入日本海的唯一水上通道。延边是中国唯一的朝鲜族自治州和最大的朝鲜族聚居地区，中国朝鲜族人口的42.3%居住在这里。同时享受国家西部大开发计划政策，是单列的三个地级行政区享受相关政策的地区之一。延边是满族及其祖先肃慎人的发祥地、清朝的“龙兴之地”。预计地区生产总值年均增长3%。种植业产值保持稳定增长，畜牧业占比提高8个百分点，农业产业结构不断优化。食品（烟草）、医药两大高附加值主导产业产值年均增长4.5%和5.7%，钢铁、水泥、煤炭等行业落后产能全部出清，万

43、元GDP能耗下降15.6%，规上工业增加值年均增长3.7%，工业上缴税金年均增长5.7%，工业加快向质量效益型转变。服务业企业发展到30460户、增长61.8%，“旅游兴州”深入推进，市场主体蓬勃发展。顺应国家统计制度改革，抓住“四经普”契机，经济数据质量夯实。三次产业结构优化为7.6:34.3:58.1。医药、矿泉水等重点产业项目加速集群，交通、能源、水利等重大基础设施项目相继实施，投资在经济社会发展中发挥出重要支撑作用。经济的平稳转型，为高质量发展奠定了坚实基础。同时，我们也清醒地看到存在的问题和不足：产业项目支撑力不强，科技进步贡献率较低，城乡发展不均衡，边境地区“三化”现象突出，开发开

44、放没有实现大突破，生态优势转化为经济优势的步伐不快。对此，将增强机遇意识、危机意识，直面问题不回避，敢于尽责勇担当，采取有力措施加以解决。三、 增强科技创新能力加快补齐科技短板，激发高质量发展内生动力。实施“科技+产业”提升工程。推进关键共性技术和“761”人工智能与实体经济深度融合攻关项目，加快敖东大健康等工业互联网平台建设进程。新增上云企业100户。实施“智能信息网”项目9个。建设“双创”示范基地、科技企业孵化器、众创空间、星创天地8个。争取省级以上科技计划项目30项。新增高新技术企业6家、国家科技型中小企业12家。高新技术产业增加值占GDP比重达4.6%。深化科技创新多元合作。加强与中科

45、院、吉林大学、延边大学、自然资源部海洋一所二所等院所合作，继续深化与浙江科技合作，利用国家国际科技合作基地等平台深化国际合作，举办东北亚科技创新高峰论坛，促成合作项目20项。加强知识产权创造、运用、保护，建设东北亚知识产权服务平台。激发人才创新活力。弘扬工匠精神，鼓励发明创造，每万人有效发明专利拥有量达到1.92件。鼓励各类人才在延返延就业创业。启动50名高层次人才编制池，做好急需紧缺人才安置工作。推进职称评审制度综合改革，开展基层博士和硕士职称认定工作。实施专业技术人才知识更新工程。职业技能培训2万人次以上。完善科技创新体制机制。拓宽政府、企业、社会多元化投入渠道，力争全社会研发（R&D）经

46、费投入占GDP比重达0.4%。发挥科技奖励制度导向作用，评定第四届州科技奖，举办第三届州创新创业大赛暨第一届东北亚区域国际创新创业邀请赛。推动延边大学科技园和东北亚（延边）科技大市场升级为国家级技术转移示范机构。四、 项目选址综合评价项目选址所处位置交通便利、地势平坦、地理位置优越，有利于项目生产所需原料、辅助材料和成品的运输。通讯便捷，水资源丰富，能源供应充裕。项目选址周围没有自然保护区、风景名胜区、生活饮用水水源地等环境敏感目标，自然环境条件良好。拟建工程地势开阔，有利于大气污染物的扩散，区域大气环境质量良好。项目选址具备良好的原料供应、供水、供电条件，生产、生活用水全部由项目建设地提供，完全可以保障供应。第五章 产品方案分析一、 建设规模及主要建设内容（一）项目场地规模该项目总占地面积55333.00（折合约83.00亩），预计场区规划总建筑面积92834.31。（二）产能规模根据国内外市场需求和xxx（集团）有限公司建设能力分析，建设规模确定达产年产xxx件存储器，预计年营业收入92800.00万元。二、 产品规划方案及生产纲领本期项目产品主要从国家及地方产业发展政策、市场需求状况、资源供应情况、企业资金筹措能力、生