电子电路.ppt
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1、2020/10/30,北京航空航天大学202教研室,1,1.2.3 PN结的反向击穿特性与高稳定性埋层齐纳稳压管,2020/10/30,北京航空航天大学202教研室,2,Izmin为稳压管DZ的最小允许电流,Izmax为最大允许电流,输入电压vI在VIminVImax变化时,要使DZ正常工作,则限流电阻R必须满足下列关系:, 在VImax和Ilmin时,IZ应不超过最大允许电流Izmax:, 在VImin和Ilmax时,IZ应不低于最小允许电流Izmin:,2020/10/30,北京航空航天大学202教研室,3,稳压二极管,U,IZ,稳压误差,曲线越陡,电压越稳定。,-,UZ,动态电阻:,rz
2、越小,稳压性能越好。,2020/10/30,北京航空航天大学202教研室,4,齐纳击穿与雪崩击穿:,齐纳击穿:掺杂浓度很高(例如ND=NA=1018/cm3)的PN结 很薄,例如宽度只有0.04m,只要对PN结加上 不大的反向电压,就可以产生很强的电场,例如 反压4V,场强可达106V/cm。强电场可强耗尽区 内原子共价键中的电子拉出,自由电子和空穴成 对产生,反向电流剧增。齐纳击穿电压较低。,雪崩击穿:掺杂浓度较低的PN结较厚,在较大的反向电压时 形成漂移电流的少子在耗尽区内获得加速,动能 越来越大,在反向电压大到漂移少子的动能足以 撞击出耗尽区内原子的共价键电子,产生自由电子 和空穴,新生
3、电子又撞击出其他自由电子,反向 电流剧增。雪崩击穿电压较高(6V)。,2020/10/30,北京航空航天大学202教研室,5,埋层齐纳击穿稳压管:,齐纳管被掩埋在顶层硅晶体下面,噪声很小,温度稳定性很高,2020/10/30,北京航空航天大学202教研室,6,(5)最大允许功耗,稳压二极管的参数:,(1)稳定电压 VZ,(3)动态电阻,(4)稳定电流IZ、最大、最小稳定电流Izmax、Izmin。,2020/10/30,北京航空航天大学202教研室,7,1.2.4 PN结的结电容特性与变容二极管,PN结电容CJ包括势垒电容CT和扩散电容CD 即:CJ=CTCD,1.2.4.1 势垒电容CT,反
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