模电试卷题库(含答案)(13页).doc
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1、-1.2.3.4. 模电试卷题库(含答案)-第 13 页5. 某个处于放大状态的电路,当输入电压为10mV,输出电压为6.5V,输入电压为15mV时,输出电压为7V(以上均为直 流电压),它的电压增益为( C )a、700 b、650 c、100 d、-1006. 当输入信号频率为f L或f H时,电压增益的幅值约下降为中频时的( B )a、05. b、0.7 c、0.9 d、17. 当输入信号频率为fL或fH时, 电压增系下降了( B )。A、2 dB B、3dB C、4dB D、6dB8. 某放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接3K的负载电阻后输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻
2、为( C )a、10K b、2K c、1 K d、0.5K9. 用两个AU相同的放大电路A和B分别对同一个具有相同内阻的电压信号进行放大,测试结果输出电压VOAVOB,由此可知A比B( B )a、一样 b、差 c、好 d、无法判别10. 用两个放大电路A和B分别对同一电压信号进行放大。当输出端开路时VOA=VOB ,都接入负载RL时,测得VOAVOB ,由此必须A比B( C )a、输入电阻高 b、输入电阻小 c、输出电阻高 d、输出电阻低理想运放11. 在线性区内,分析理想运放二输入间的电压时可采用( A )a、虚短 b、虚断 c、虚地 d、以上均否12. 如图示,运放A为理想器件,则其输出电
3、压V0为( A )a、0V b、3V c、6V d、9V13. 如图示,运放A为理想器件,则其输出电压VO为( C )a、9V b、6V c、0V d、3V14. 设VN、VP和V0分别表示反相输入端、同相输入端和输出端,则V0与VN、VP分别成( D )a、同相、同相 b、反相、反相 c、同相、反相 d、反相、同相15. 若要将幅度为Um的矩形波转变为三角波,则应选用( D ) A、反相比例运算电路 B、同相比例运算电路 C、微分运算电路 D、积分运算电路半导体16. N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的( D )。a、电子 b、空穴 c、三价硼元素 d、五价磷元素17. 半导体中
4、有两种载流子,它们分别是( C )a、电子和受主离子 b、空穴和施主离子 c、电子和空穴 d、受主离子和施主离子18. 在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( B )a、温度 b、杂质浓度 c、掺杂工艺 d、晶体缺陷19. 在室温附近,当温度升高时,杂质半导体中浓度明显增加是( C )a、载流子 b、多数载流子 c、少数载流子 d、正负离子20. 温度升高后,在纯半导体中,其电子、空穴变化为( A )a、自由电子和空穴数目都增多,且增量相同 b、空穴增多,自由电子数目不变c、自由电子增多,空穴数目不变 d、自由电子和空穴数目都不变二极管21. PN结不加外部电压时,PN结中的电流为( B
5、 )a、只从P区流向N区 b、等于零c、只从N区流向P区 d、无法判别22. 流过二极管的电流一定,而温度升高时,二极管的正向电压( A )a、减小 b、增大 c、基本不变 d、无法确定23. 当PN结外加正向电压时,耗尽层将( C )a、不变 b、变宽 c、变窄 d、无法判别24. 二极管正向电压从0.7V增大5%时,流过的电流增大为( B )a、5% b、大于5% c、小于5% d、不确定25. 温度升高时,二极管的反向伏安特性曲线应( A )a、上移 b、下移 c、不变 d、以上均有可能26. 利用二极管组成整流电路,是应用二极管的( D )a、反向击穿特性 b、正向特性 c、反向特性
6、d、单向导电性27. PN结形成后,PN结中含有( D )a、电子 b、空穴 c、电子和空穴 d、杂质离子28. PN结不加外部电压时,扩散电流与漂移电流应( A )a、相等 b、大于 c、小于 d、无法确定29. 稳压管能够稳定电压,它必须工作在( D )a、正向状态 b、反向状态 c、单向导电状态 d、反向击穿状态30. 以下四种半导体器件中,为硅稳压管的是( C )a、2CZ11 b、2AP6 c、2CW11 d、2CP1031. 在一般电路分析计祘时,常将二极管简化为理想模型、恒压降模型、折线模型和小信号模型。如图所示符号为( C )。A、理想模型 B、恒压降模型 C、折线模型 D、小
7、信号模型三极管32. 放大电路的静态是指( A )a、输入端短路 b、输入端开路 c、交流信号短路 d、交流信号为零33. 三极管能起放大作用的内部条件之一是发射区掺杂浓度( C )a、低 b、中 c、高 d、以上均可34. 三极管工作在饱和区时,b-e极间,b-c极间分别为( D )a、反偏,反偏 b、反偏,正偏 c、正偏,反偏 d、正偏,正偏35. 三极管工作在放大区时,b-e极间、b-c极间分别为( D )a、正编、正编 b、反编、反编 c、反编、正编 d、正编、反编36. NPN型和PNP型三极管的区别是( C )a由两种不同的材料硅或锗构成 b、掺入的杂质不同c、P区和N区的位置不同
8、 d、以上均否37. 温度升高时,三极管的输出特性曲线将( A )a、上移 b、下移 c、不变 d、以上均有可能38. 温度升高时,三极管极间反向电流将( A )a、增大 b、减小 c、不变 d、无法确定39. 某三极管的极限参数PcM=150mW,IcM=100mA,V(BR)CEo=30V,若它的工作电压VcE=10V, 则工作电流Ic不得超过( C )a、100mA b、50mA c、15mA d、1mA40. 某三极管的极限参数PCM=150mw,ICM=100mA,V(BR)c EO=30V,若它的工作电压VCE=1V,则工作电流不得超过( D )a、1mA b、15 mA c、40
9、 mA d、100 mA41. 某三极管的极限参数PCM=150mw , ICM=100mA , V(BR)CE0=30V , 若工作电流IC=1mA , 则工作电压不得超过( A )a、30V b、15V c、10V d、1V42. 用两个Au相同放大电路A和B分别对同一个具有内阻的电压信号进行放大,测试结果为VoAVoB,这是由于( C )a、输出电阻小 b、输出电阻高 c、输入电阻高 d、输入电阻小43. 三极管输入电阻rbe与静态电流I E的大小有关,因而rbe是( C )a、交、直流电阻 b、直流电阻 c、交流电阻 d、以上均否44. 如图示Us2=0,从集电极输出,则该电路属于(
10、C )a、无法确定 b、共集 c、其基 d、共发45. 检修某台无使用说明书的电子设备时,测得三极管各电极对地电压数据为VB=-0.2V, VC=-5V, VE=0, 则该三极管为( B )a、NPN 型,锗管 b、PNP型,锗管 c、NPN型,硅管 d、PNP型,硅管 46. 某放大电路,IA=1.5mA,IB=0.03mA, Ic=-1.53 mA ,则A,B,C中极性分别是( D )a、(e、b、c) b、(b、c、e) c、(c、e、b) d、(c、b、e)47. 有二只半导体三极管,A管子的=200,IcEo=240A,B管子的=100,IcEo =20A其他参数一样,则管子的好坏为
11、( C )a、均一样 b、A管好 c、B管好 d、无法判别48. 三极管能起放大作用的内部条件之一是基区宽度( A )a、窄 b、中 c、宽 d、以上均可49. 在单管共射极电路中,换上减小的管子,VCEQ将( C )a、不变 b、减小 c、增大 d、无法确定50. 三极管放大电路的三种组态( D )a、都有电压放大 b、都有电流放大 c、只有共射极才有功率放大 d、都有功率放大51. 如图示,US1=0,US20从集电极输出,则该电路属于( )a共射 b、共基 c、共集 d、无法判别52. 如图所示,US1=0,US20,从发射极输出,则该电路属于( C )a、共射 b、共基 c、共集 d、
12、无法判别53. 检修某台无使用说明书的电子设备时,VB=2.73V,VC=2.3V,VE=2V,则该三管类型为( D )a、NPN型,锗管 b、PNP型,硅管 c、PNP型锗管 d、NPN型硅管54. 某放大电路,IA=-1.8mA ,IB=-0.06mA ,Ic=1.86mA,则A、B、C中极性分别为( A )a、(c、b、e ) b、(b、e、c ) c、(c、e、b) d、(e、c、b )55. 三极管能起放大作用的内部条件之一是集电结面积比发射结面积( C )a、小 b、一样 c、大 d、无法确定56. 三极管工作在放大区时,流过发射结电流和流过集电结的电流主要是( D )a、均为扩散
13、电流 b、均为漂移电流 c、漂移电流、扩散电流 d、扩散电流、漂移电流57. 温度升高时,VBE随温度上升而发生( A )a、减小 b、增大 c、不变 d、无法确定58. 某三极管各极对地的电压为VB= -0.3V,VC= -5.1V,VE= -0.1V,则该三极管结构及工作状态为( D )a、NPN型放大 b、PNP型饱和 c、NPN型饱和 d、PNP型放大59. 晶体三极管的关系式iB = f (uBE)VCE , 它代表三极管( D )a、共基极输入特性 b、共集电极输入特性 c、共射极输出特性 d、共射极输入特性60. 对于基本共射放大电路,当RC增大时,其输出电阻( C )a、不变
14、b、减小 c、增大 d、无法确定61. 单管共射极电路中,输入f = 1KHZ的正弦电压信号后,分别用示波器观察输入信号和输出信号,则二者波形应该是( A )a、相差180 b、相差90 c、相差45 d、同相62. 对于基本共射放大电路,负载RL减小时,输出电阻( C )a、增大 b、减小 c、不变 d、无法确定63. 在单管射极放大电路,Rb、Rc分别是基极和集电极偏置电阻,用直流电压表测出VCEQVCC,有可能因为( B )a、Rb短路 b、Rb开路 c、 RC开路 d、过大场效应管64. 场效应管控制漏极电流的大小是利用外加电压产生的( A )a、电场 b、磁场 c、电流 d、以上均否
15、65. 场效应管漏极电流是由载流子的漂移动形成,这种载流子是( B )a、少子 b、多子 c、两种载流子 d、正负离子66. 三极管和场效应管应分别是( A )a电流和电压控制器件 b、电压和电流控制器件c、均为电流控制器件 d、均为电压控制器件67. N沟道场效应管的漏极电流是由载流子的漂移形成的,这种载流子是( D )a、正负离子 b、电子和空穴 c、空穴 d、电子68. 一场效应管的转移特性曲线如图示,则它属于类型为( A )a、N沟道结型管 b、P沟道结型管 c、P沟道MOS管d、N沟道MOS管69. 一场效应管的转移特性曲线如上图,则它的VT或VP、DSS分别为( B )a、VP=-
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