2022年半导体物理学期末复习试题及答案一 .pdf

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1、一、选择题1. 与绝缘体相比，半导体的价带电子激发到导带所需要的能量（B ） 。A. 比绝缘体的大 B.比绝缘体的小 C. 和绝缘体的相同2. 受主杂质电离后向半导体提供（B ） ，施主杂质电离后向半导体提供（C ） ，本征激发向半导体提供（A ） 。A. 电子和空穴 B.空穴 C. 电子3. 对于一定的 N 型半导体材料，在温度一定时，减小掺杂浓度，费米能级会（B ） 。A.上移 B.下移 C.不变4. 在热平衡状态时， P 型半导体中的电子浓度和空穴浓度的乘积为常数，它和（B ）有关A.杂质浓度和温度 B.温度和禁带宽度C.杂质浓度和禁带宽度 D.杂质类型和温度5. MIS结构发生多子积累

2、时，表面的导电类型与体材料的类型（B ） 。A.相同 B.不同 C.无关6. 空穴是( B )。A.带正电的质量为正的粒子 B.带正电的质量为正的准粒子C.带正电的质量为负的准粒子 D.带负电的质量为负的准粒子7. 砷化稼的能带结构是（A ）能隙结构。A. 直接 B.间接精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 1 页，共 5 页8. 将 Si 掺杂入 GaAs中，若 Si取代 Ga 则起（A ）杂质作用，若 Si取代 As则起（B ）杂质作用。A.施主 B.受主 C.陷阱 D.复合中心9. 在热力学温度零度时， 能量比FE小的量子态被电子占

3、据的概率为（D ） ，当温度大于热力学温度零度时，能量比FE小的量子态被电子占据的概率为（A ） 。A.大于 1/2 B.小于 1/2 C.等于 1/2 D.等于 1 E.等于 010. 如图所示的 P 型半导体 MIS 结构的 C-V 特性图中， AB 段代表（A ） ，CD 段代表（ B ） 。A.多子积累 B.多子耗尽C.少子反型 D.平带状态11. P 型半导体发生强反型的条件（B ） 。A. iASnNqTkVln0 B. iASnNqTkVln20C. iDSnNqTkVln0 D. iDSnNqTkVln2012. 金属和半导体接触分为： （ B ） 。A.整流的肖特基接触和整流

4、的欧姆接触B.整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触C.非整流的肖特基接触和整流的欧姆接触D.非整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 2 页，共 5 页13. 一块半导体材料，光照在材料中会产生非平衡载流子，若光照忽 然 停 止t后 ， 其 中 非 平 衡 载 流 子 将 衰 减 为 原 来 的（A ） 。A. 1/e B. 1/2 C. 0 D. 2/e 14. 载流子的漂移运动是由（A ）引起的，反映扩散运动强弱的物理量是（B ） 。A.电场 B.浓度差 C.热运动 D. E. PD F.15. 对掺杂的

5、硅等原子半导体，主要散射机构是：（ B ） 。A.声学波散射和光学波散射 B.声学波散射和电离杂质散射C.光学波散射和电离杂质散射 D.光学波散射二、证明题对于某 n 型半导体，试证明其费米能级在其本征半导体的费米能级之上。即EFnEi。精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 3 页，共 5 页三、计算画图题1. 三 块半 导 体Si室 温 下电 子 浓 度分 布 为 ，163103430102031.0 10,1.0 10,1.0 10ncmncmncm,（NC=3*1019cm-3，NV=1*1019cm-3，ni=1010cm-3，l

6、n30008,ln10006.9）则（1） 、计算三块半导体的空穴浓度（2） 、画出三块半导体的能带图（3） 、计算出三块半导体的费米能级相对与CVEE或的位置（要求 n 型半导体求 ECEF， p 型半导体求 EFEv） （15 分）2. 室温下，本征锗的电阻率为47cm，试求本征载流子浓度。若锗原子的浓度为2234.4 10cm，掺入施主杂质，使每610个锗原子中有一个杂质原子， 计算室温下电子浓度和空穴浓度(设杂质全部电离)。试求 该掺杂 锗材料的电阻率 。设sVcmn/36002，sVcmp/17002且认为不随掺杂而变化。精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结

7、 - - - - - - -第 4 页，共 5 页若流过样品的电流密度为252.3/mA cm，求所加的电场强度。3. 画出金属和 N 型半导体接触能带图（msWW，且忽略间隙），并分别写出金属一边的势垒高度和半导体一边的势垒高度表达式。4. 如图所示，为 P 型半导体 MIS 结构形成的能带图， 画出对应的电荷分布图。（6 分）5. 光均匀照射在电阻率为6cm的 n 型 Si 样品上，电子空穴对的产生率为41021cm-3s-1，样品寿命为8 s。试计算光照前后样品的电导率。（sVcmn/36002，sVcmp/17002）精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 5 页，共 5 页