计算机组成原理第3章习题参考答案(同名23851).pdf
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1、第 3 章习题参考答案第第 3 3 章习题参考答案章习题参考答案1、设有一个具有 20 位地址和 32 位字长的存储器,问(1) 该存储器能存储多少字节的信息?(2) 如果存储器由 512K8 位 SRAM 芯片组成,需要多少片?(3) 需要多少位地址作芯片选择?解:32 4M字节(1) 该存储器能存储:2208220322203219 8片(2) 需要512K 828(3) 用 512K8 位的芯片构成字长为 32 位的存储器, 则需要每 4 片为一组进行字长的位数扩展, 然后再由 2 组进行存储器容量的扩展。所以只需一位最高位地址进行芯片选择。2、已知某 64 位机主存采用半导体存储器,其
2、地址码为 26 位,假设使用 4M8位的 DRAM 芯片组成该机所允许的最大主存空间, 并选用内存条结构形式,问;(1) 假设每个内存条为 16M64 位,共需几个内存条?(2) 每个内存条内共有多少 DRAM 芯片?(3) 主存共需多少 DRAM 芯片? CPU 如何选择各内存条?解:22664 4条内存条(1) 共需16M 64(2) 每个内存条内共有16M 64 32个芯片4M 82266464M 64128个 RAM 芯片,(3) 主存共需多少共有 4 个内存条, 故4M 84M 8CPU 选择内存条用最高两位地址 A24和 A25通过 2:4 译码器实现;其余的24 根地址线用于内存
3、条内部单元的选择。3、用16K8位的DRAM芯片构成64K32位存储器,要求:(1) 画出该存储器的组成逻辑框图。(2) 设存储器读/写周期为S,CPU 在 1S 内至少要访问一次。试问采用哪种刷新方式比较合理?两次刷新的最大时间间隔是多少 ?对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间是多少?解:(1)用 16K 8 位 的 DRAM 芯 片 构 成 64K 32 位 存 储 器 , 需 要 用64K 32 44 16个芯片,其中每4片为一组构成16K32位进行字长位16K 8数扩展(一组内的4个芯片只有数据信号线不互连分别接 D0D7、D8D15、1第 3 章习题参考答案D16D23和D24D
4、31,其余同名引脚互连),需要低14位地址(A0A13)作为模块内各个芯片的内部单元地址分成行、列地址两次由 A0A6引脚输入;然后再由4组进行存储器容量扩展,用高两位地址A14、A15通过2:4译码器实现4组中选择一组。画出逻辑框图如下。A0A13A0A6A0A6(5)(5)(6)(6)(7)(7)(8)(8)WERASD07D815D1623D2431A0A6(9)(9)(10)(10)(11)(11)(12)(12)WERASD07D815D1623D2431A0A6(13)(13)(14)(14)(15)(15)(16)(16)WERASD07D815D1623D2431CPUCPUR
5、AS(1)(1)(2)(2)(3)(3)(4)(4)D07D815D1623D2431WED0D31A14A15WE2-4译码RAS0RAS1RAS2RAS3(2) 设刷新周期为 2ms,并设 16K8 位的 DRAM 结构是 1281288 存储阵列,则对所有单元全部刷新一遍需要 128 次(每次刷新一行,共 128 行)假设采用集中式刷新,则每 2ms 中的最后 128s=64s 为集中刷新时间,不能进行正常读写,即存在 64s 的死时间假设采用分散式刷新,则每 1s 只能访问一次主存,而题目要求 CPU 在 1S 内至少要访问一次,也就是说访问主存的时间间隔越短越好,故此方法也不是最适合
6、的比较适合采用异步式刷新:2ms15.625s,采用异步刷新方式, 则两次刷新操作的最大时间间隔为可取s;128对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间为: s128=1.984mss 用于刷新,其余的时间用于访存(大部分时间中 1s 可以访问两次内存)。4、有一个1024K32位的存储器,由128K8位的DRAM芯片构成。问:(1) 总共需要多少DRAM芯片?(2) 设计此存储体组成框图。(3) 采用异步刷新方式,如单元刷新间隔不超过8ms,则刷新信号周期是多少?解:1024K 32 84 32片,每4片为一组,共需8组(1) 需要128K 8(2) 设计此存储体组成框图如下所示。2第 3
7、章习题参考答案A0A16A0A8RASD07D815D1623D2431D07D815D1623D2431D07D815D1623D2431D07D815D1623D2431CPUCPU(1)(1)(2)(2)(3)(3)(4)(4)(5)(5)(6)(6)(7)(7)(8)(8)RAS1WE(9)(9)(10)(10)(11)(11)(12)(12)RAS2WE(13)(13)(14)(14)(15)(15)(16)(16)RAS3WEWED0D31RAS0WE(17)(17)D07D815D1623D2431(21)(21)(22)(22)(23)(23)(24)(24)RAS5D07D8
8、15D1623D2431(25)(25)(26)(26)(27)(27)(28)(28)RAS6D07D815D1623D2431(29)(29)(30)(30)(31)(31)(32)(32)RAS7D07D815D1623D2431CPUCPU(18)(18)(19)(19)(20)(20)RAS4WEWEA0A16A17A18A193-8译码RAS0RAS1RAS2RAS3RAS4RAS5RAS6RAS7(3) 设该 128K8 位的 DRAM 芯片的存储阵列为 5122568 结构, 则如果选择一个行地址进行刷新,刷新地址为 A0A8,那么该行上的 2048 个存储元同时进行刷新,要求
9、单元刷新间隔不超过 8ms,即要在 8ms 内进行 512 次刷新操作。采用8ms15.625ss。异步刷新方式时需要每隔5125、 要求用256Kl6位SRAM芯片设计1024K32位的存储器。 SRAM芯片有两个控制端:当CS有效时,该片选中。当W/R1时执行读操作,当W/R=0时执行写操作。解:1024K 32 42 8片,共需8片,分为4组,每组2片256K 16即所设计的存储器单元数为 1M,字长为32,故地址长度为20 位A19A0 ,所用芯片存储单元数为 256K, 字长为 16 位, 故占用的地址长度为 18 位 A17A0 。由此可用字长位数扩展与字单元数扩展相结合的方法组成
10、组成整个存储器字长位数扩展字长位数扩展:同一组中 2 个芯片的数据线,一个与数据总线的 D15D0相连,一个与 D31D16相连;其余信号线公用(地址线、片选信号、读写信号同名引脚互3第 3 章习题参考答案连)字单元数扩展字单元数扩展:4 组 RAM 芯片,使用一片 2:4 译码器,各组除片选信号外,其余信号线公用。其存储器结构如下图D16D31D1631CPUCPUCS256K256K 1616A0A17W/RCS256K256K 1616CS256K256K 1616CS256K256K 1616W/RA0A17W/R256K256K 1616D0D15D015256K256K 16162
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