效率计算公式.pdf

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1、其物理含义如下：IL：光生电流；Id：饱和暗电流；Rsh：并联电阻电池边缘漏电和结区漏电会降低并联电阻值；Rs： 串联电阻 金属浆料电阻、 烧结后的接触电阻、 半导体材料电阻和横向电阻 ；PN 结：单二极管理想因子 n=1或双二极管另一个并联的二极管 n=2。由此，我们可以得出电流的输出为： 或注：在表达式 q/(nkT)中理想因子为 n，可取 1 或者 2。n=1 反映体内或外表通过陷阱能级的复合；n=2 描述载流子在电荷耗尽区也就是结区复合。3太阳电池的电特性测量：测出的太阳电池的电特性为一曲线，相当于外接一个 0变化的电阻时太阳电池的电流电压输出曲线。具体如以下图所示：同时可根据该曲线计

2、算出开路电压 Voc、 短路电流 Isc、 最正确工作点电压 Vmp、最正确工作点电流 Imp、最大功率点 Pmax、填充因子 FF 和光电转换效率 Eff 及串联电阻 Rs、并联电阻 Rsh。其中，Rs 和 Rsh 采用近似计算。计算 Rsh 时，忽略 ID,并取 Rs600分解生成五氯化磷PCl5和五氧化二磷P2O5，其反应式如下：5POCl3 = 3PCl5 + P2O5生成的 P2O5 在扩散温度下与硅反应，生成二氧化硅SiO2和磷原子，其反应式如下：2P2O5 + 5Si = 5SiO2 + 4P由上面反应式可以看出， POCl3 热分解时， 如果没有外来的氧 O2 参与其分解是不充

3、分的，生成的 PCl5 是不易分解的，并且对硅有腐蚀作用，破坏硅片的外表状态。但在有外来O2存在的情况下，PCl5 会进一步分解成 P2O5 并放出氯气Cl2其反应式如下：4PCl5 + 5O2 = 2P2O5 + 10Cl2生成的 P2O5 又进一步与硅作用，生成SiO2 和磷原子，由此可见，在磷扩散时，为了促使POCl3 充分的分解和防止 PCl5 对硅片外表的腐蚀作用，必须在通氮气的同时通入一定流量的氧气，在有氧气的存在时，POCl3 热分解的反应式为：4POCl3 + 3O2 = 2P2O5 + 6Cl2POCl3 分解产生的 P2O5 淀积在硅片外表， P2O5 与硅反应生成 SiO

4、2 和磷原子， 并在硅片外表形成一层磷-硅玻璃，然后磷原子再向硅中进行扩散，反应式如前所示：2P2O5 + 5Si = 5SiO2 + 4PPOCl3 液态源扩散方法具有生产效率较高， 得到 PN 结均匀、 平整和扩散层外表良好等优点，这对于制作具有大的结面积的太阳电池是非常重要的。磷扩散装置如附图 2-1 所示，源瓶要严加密封，切勿让湿气进入源瓶， 因为 POCl3 易吸水汽而变质，使扩散外表浓度上不去，其反应式如下：2POCl3 + 3H2O = P2O5 + 6HCl所以如果发现 POCl3 出现淡黄色时就不能再用了。图 2-1 三氯氧磷扩散装置示意图磷扩散的系统应保持清洁干燥，如果石英

5、管内有水汽存在，就会使管内P2O5 水解生成偏磷酸HPO3， 使扩散管炉口内出现白色沉积物和粘滞液体， 粘滞液体的会在工艺运行进舟和出舟时滴落在硅片上，造成返工片， 粘滞液体的吸附性还比较强，会吸附杂质，而对扩散管内的洁净度产生影响，因此，长时间扩散后对扩散管定期进行HF 浸泡清洗。3、什么是 PN 结PN 结是太阳能电池的心脏。需要强调指出，PN 结是不能简单地用两块不同类型p 型和 n型的半导体接触在一起就能形成的。要制造一个PN 结，必须使一块完整的半导体晶体的一部分是P型区域， 另一部分是N型区域。 也就是在晶体内部实现P型和N型半导体的接触。制造 PN 结，实质上就是想方法使受主杂质

6、在半导体晶体内的一个区域中占优势P 型，而使施主杂质在半导体内的另外一个区域中占优势N 型，这样就在一块完整的半导体晶体中实现了 P 型和 N 型半导体的接触。我们制作太阳电池的硅片是P 型的，也就是说在制造硅片时，已经掺进了一定量的硼元素，使之成为 P 型硅片。 如果我们把这种硅片放在一个石英容器内， 同时将含磷的气体通入这个石英容器内，并将此石英容器加热到一定的温度，这时施主杂质磷可从化合物中分解出来，在容器内充满着含磷的蒸汽， 在硅片周围包围着许许多多的磷的分子。 我们用肉眼观察硅片时，认为硅片是密实的物体， 实际上硅片也是像海绵一样充满着许多空隙， 硅原子并不是排列得非常严实，它们的之

7、间存在着很大的缝隙。 因此磷原子能从四周进入硅片的外表层， 并且通过硅原子之间的空隙向硅片内部渗透扩散。 当硅晶体中掺入磷后， 磷原子就以替代的方式占据着硅的位置。理想晶体中原子的排列是很整齐的， 然而在一定的温度下， 构成晶体的这些原子都围绕着自己的平衡位置不停地振动， 其中总有一些原子振动的比较厉害， 可以具有足够高的能量，克服周围原子对它的作用， 离开原来的位置跑到其它地方去， 这样就在原来的位置上留下一个空位。 替位或扩散是指杂质原子进入晶体后， 沿着晶格室位跳跃前进的一种扩散。 这种扩散机构的特征是杂质原子占据晶体内晶格格点的正常位置， 不改变原材料的晶体结构。 在靠近硅晶片外表的薄

8、层内扩散进去的磷原子最多， 距外表愈远， 磷原子愈少。也就是说，杂质浓度磷浓度随着距硅外表距离的增加而减少。从以上分析中我们可以看到， 浓度差异的存在是产生扩散运动的必要条件， 环境温度的高低则是决定扩散运动快慢的重要因素。环境温度愈高，分子的运动越激烈，扩散过程进行得就越快。当然，扩散时间也是扩散运动的重要因素，时间愈长，扩散浓度和深度也会增加。硅晶片是 P 型的， 如果扩散进去的磷原子浓度高于P 型硅晶片原来受主杂质浓度， 这就使得P 型硅晶片靠近外表的薄层转变成为N 型了。由于愈靠近硅晶片外表，硼原子的浓度愈高，因此可以想象：在距离外表为的地方， 那里扩散进去的磷原子浓度正好和硅晶体中原

9、来的硼原子浓度相等。 在与外表距离小于的薄层内，磷原子浓度高于原来硅晶片的硼原子浓度， 因此这一层变成了 N 型硅半导体。在与外表距离大于的地方，由于原来硅晶片中的硼原子浓度大于扩散进去的磷原子浓度， 因此仍为 P 型。由此可见，在与外表距离处，形成了 N 型半导体和 P 型半导体的交界面，也就是形成了PN 结。即为 PN 结的结深。这样我们就可以利用杂质原子向半导体晶片内部扩散的方法， 改变半导体晶片外表层的导电类型，从而形成 P、N 结，这就是用扩散法制造P-N 结的基本原理。4、结深m。5、恒定源扩散与恒量源扩散固体中的扩散方程可写成下式：5-1式中的 表示杂质浓度，是坐标 和时间 的函

10、数。坐标 指杂质原子进入硅中的深度， 即距离外表的距离，单位取厘米，时间 单位取秒，上式已假定D 是一个常数。事实上，扩散系数D 是表征扩散速度的物理常数，随着固体的温度上升而变大，同时还受到杂质浓度、晶体结构等因素的影响。在扩散过程中，硅片周围的杂质浓度恒定，不随时间而改变，硅片外表的杂质浓度Ns 保持不变，始终等于源相中的杂质浓度，称这种情况为恒定源扩散，根据边界条件，(5-1)式的解为：5-2只要知道杂质在硅中的扩散系数D 和外表浓度 ，利用5-2式可作出该杂质在硅中的分布曲线，如图 5-5 所示，称这种分布为余误差分布。图 5-5 余误差分布根据 5-2式， 当距离 = 时， 浓度为

11、。 如果浓度 等于基体晶片的掺杂浓度N0，此时的 即为 PN 结的深度，简称为结深 。设外表浓度 Ns=1020个/cm3，基体浓度 N0=1016个/cm3代入5-2式得到 与 D，t 之间的关系为：=5.45-35-30/Ns的比值而变化，近似计算时，N0/Ns=10-3-10-5内皆可采用上式。在扩散前，用预扩散或沉积法，使硅片外表具有一定量的杂质源Q，整个扩散过程中不再加源，因而整个扩散过程中杂质源总量Q 保持不变，随着扩散深度增加，外表浓度不断下降，称这种情况为恒量源扩散。根据边界条件，5-1式的解为：5-4根据5-4式作出该杂质在硅中的分布曲线，如图5-6 所示，称这种分布为高斯分

12、布。因为 处的掺杂浓度等于基体掺杂浓度，5-4式变为：=5-5上式给出恒量源情况下 与 D、t 之间的关系。图 5-6 高斯分布实际扩散过程常介于上述两种分布之间，根据不同工艺或近似高斯分布或近似余误差分布。常规太阳电池工艺中，因为扩散较浅，常采用余误差分布近似计算。6、方块电阻在扩散工艺中，方块电阻是反映扩散层质量是否符合设计要求的重要标志之一。对应于一对确定数值的结深和薄层电阻， 扩散层的杂质分布就是确定的。 也就是说，把薄层电阻的测量同结深的测量结合起来， 我们就能够了解到扩散入硅片内部杂质的具体分布。 深入了解薄层电阻的定义和测试方法， 对我们控制扩散条件和提高产品质量具有十分现实的意

13、义。 薄层电阻的定义扩散层的薄层电阻也称方块电阻，常用Rs 或 R表示，所谓薄层电阻，就是外表为正方形的半导体薄层在电流方向电流方向平等于正方形的边，见图6-1所呈现的电阻。我们知道金属导体的电阻公式R=l/s，R 是电阻， 电阻率，s 面积，l 长度。与之类似薄层电阻的大小应为： Rs=l/l =/ ， 可见， 薄层电阻的大小与薄层的平均电阻率成正比，与薄层的厚度成反比一般电阻的大小与边长成正比， 而与正方形的边长无关，其单位为欧姆。为了表示薄层电阻不同于一般电阻，其单位常用欧姆/方块或/口表示。图6-1 薄层电阻的物理定义在半导体中，电阻率与杂质浓度之间关系为：当我们对掺杂浓度取平均值时：

14、所以：注意：为单位外表积扩散薄层内的净杂质总量。Rs 的大小就直接反映了扩入硅片内部的净杂质总量的多少。薄层电阻越小，表示扩入硅片的净杂质越多，反之，扩入的就越少。还要注意的是：不同的杂质分布和结深可获得同样的Rs，这是实际设计和工艺中常遇到的问题。例如以下图中的两个分布曲线，可获得同样的Rs。 扩散层薄层电阻的测试硅片外表扩散层的薄层电阻可用四探针法测量。 测量装置如以下图所示。 测量头是由彼此相距为 s 的钨丝探针组成，针尖要在同一平面同一直线上。测量时，将探针压在硅片的外表，外面两根探针通电流 I，测量中间两根探针间的电压V。薄层电阻为：C 称做修正因子， 其数值的大小除与样品形状和大小

15、有关， 还与样品是单层扩散还是双层扩散等因素有关。7、扩散温度与时间扩散时的温度和时间是控制电池结深的主要因素，在不影响PN 结特性的前提下，扩散温度选择高一些，可以缩短扩散时间，有利于生产。对于浅扩散的情况，温度选择要适当，既不能使温度过高，使扩散时间过短，以致难于控制工艺，又不宜温度过低，而使扩散时间延长到不适当的地步，但是扩散的温度较高， 这对结深和硅片的少子寿命影响比较大， 导致转换效率大幅度降低， 所以在制备晶体硅太阳电池还是要防止太高的扩散温度， 我们现在的扩散温度一般控制在 830-870 度之间。在一定的温度下， 扩散时间与结深的关系如图7-1 所示。 在恒定外表浓度扩散时，

16、时间增加 ，扩散进入硅中的杂质总量Q 相应增加，结深增加了 。在恒量外表杂质源扩散时，扩散进入硅中的杂质总量 Q 始终不变，扩散时间增加，外表浓度 下降，结深增加。图 7-1 扩散时间对于结深的影响8、扩散温度和扩散时间对方块电阻的影响根据恒定源扩散理论，扩散入硅片单位外表的杂质总量为：8-1根据方块电阻的定义：8-2式中 为单位面积扩散薄层内的净掺杂杂质总量，即 =将式8-1代入式8-2得：(8-3)由于外表杂质浓度 、扩散系数 D 都是温度 T 的函数，所以只要调整扩散温度和扩散时间两个参数，就可得到确定的方块电阻值。9、方块电阻大小对电性能的影响方块电阻偏低，扩散浓度大，则引起重掺杂效应

17、，使电池开路电压和短路电流均下降；方块电阻偏高，扩散浓度低，则横向电阻高，使Rs 上升；因此，实际电池制作中，考虑到各个因素，方块电阻控制在3565/Emitter Wrap Through - EWTEmitter wrap-through” (EWT) and “Metallisation wrap through” (MWT) arehigh-efficiency back-contact solar cell technologies. Vias allow theemitter on the front of the cell to be “wrapped -through” to

18、the backsurface. This takes the metallization for the bus bars (MWT) or themetallization for both bus bars and fingers (EWT) to the back of the cell,Metallisation is moved to the back of the cell reducing shadowingEWT also increases emitter area (n doped regions of the back side)A high power IR lase

19、r with low M2 is ideal for silicon drillingEWT: 300 wafer/module/hour, MWT: 1200 wafer/module/hour15mm 3s via position available with the MSV-Wx system to enablecorrect contacting to iterdigitated rear electrodes.Laser micro machined emitter wrap through technology is the creation ofvias to wrap the

20、 emitter on the front surface to contacts on the back ofthe cell. Before the n-dopant diffusion process lasers are used to drillvia holes using pulsed laser ablation.The process of laser via drilling creates minor surface damage(micro-defects) which may subsequently be removed by flash etchingmateri

21、al away from the via hole. Sodium Hydroxide (NaOH) is one of severaletchants that may be usedin the process of clearing debrisfrom exposedsurfaces.The n-doped emitter is allowed to wrap through the vias during theimplantation process, the area of p-type material on the back of the cellis minimised a

22、nd therefore maximises the collector area aftern-doping, The technique can be used with lower quality and thinnersilicon without significant losses in efficiency. Having the provisionof a large cost advantage over conventional cell configurations thissystem has the potential to be implemented in a c

23、ost effective processflow.EWTEWT 太阳电池技术进展太阳电池技术进展摘要：摘要：介绍了 EWT 太阳电池发展历史、 研究现状及国内外 EWT 太阳电池的技术研究进展，指出了 EWT 太阳电池研究中的难点，提出了 EWT 太阳电池的发展方向，并对 EWT 太阳电池的发展前景进行了展望。关键词：关键词：EWT 太阳电池；技术进展；激光打孔；PN 区域的界定目前大规模生产的常规硅太阳电池，为了提高载流子的收集效率，PN 结的发射区处于电池的正面，电池的受光面都有栅线电极。栅线电极的存在阻挡了部分阳光，降低了电池的效率。另一方面，由于电池的正负电极分别位于电池的两面，在电

24、池进行串联封装时，要从一块电池的正面焊接到另一块电池的反面Emitterwrap-through硅太阳电池。这种电池将金属电极栅线完全转移到了电池的反面， 使正负电极的主栅分布在电池反面的两侧， 成功的解决了上述难题。1EWT1EWT 硅太阳电池的结构及特点硅太阳电池的结构及特点EWT 硅太阳电池是一种前结背接触电池。它的 PN 结依然位于电池的正面，以有利于提高载流子的收集效率，通过重扩散或者镀有金属的孔目前用的最多的是激光打孔 把电池正面发射区和反面局部发射区连接在一起，将前外表发射区引入反面， 实现把前后外表收集的电子传导到反面电极上，正负电极细栅全部交叉排列在电池反面，主栅排列在电池反

25、面的两侧。前外表依然采用优良的金字塔结构和减反射膜，以减少光的反射损失。EWT 硅太阳电池的结构如图 1 所示。EWT 硅电池具有以下显著优点：1由于正面完全没有电极栅线，增加了有效受光面积，故可以提高光生电流的密度，从而获得较高的效率。2由于正负电极均位于电池反面，可简化光伏组件的封装，使自动化生产更容易实现。3电池反面采用定域合金制背场的方法，既产生了内建电场，同时减少电极与基体的接触面积，使金属与半导体界面的高复合速率区大大减少，降低了反面的外表复合，因而可更好地提高电池性能；4可实现从电池的前结和背结共同收集电荷，故有很高的电荷收集率。而且，薄的硅片因为减少了电荷的传输路径，降低了孔电

26、阻，故也可以提高电池的填充因子。因此，低品质的薄基硅片更能表达 EWT 太阳电池结构的优越性。目前，硅基电池已经成为市场的主流，基于 EWT 硅太阳电池的以上优点，并且随着人们对进一步提高电池效率和降低电池成本的要求，EWT 硅太阳电池正越来越受到人们的重视。2EWT 太阳电池的国内外研究现状国外对于 EWT 电池的研究较为深入，主要的代表机构有：德国 Fraunhofer 实验室、美国 Sandia 国家实验室、德国UniversityofKonstanz、美国 Advent 太阳能公司等。德国 FraunhoferISE 采用SiO2钝化及光刻技术，在 4cm2的 Fz-Si 衬底上制作出

27、实验室效率为 21.4%的 EWT 电池，成为目前EWT 电池的最高效率保持者。但光刻技术复杂，成本高，不适宜规模化生产。美国 Sandia 国家实验室采用光刻发射极图案结合丝网印刷接触技术在 41cm2的FzSi 上获得了 15,6%的效率。2electrolessplatingmetallizationtechnology2，填充因子到达 74.6%，并预计如果能优化打孔工艺进一步去除激光损伤的话，效率将能到达17.3%。但该技术大大的增多了工艺步骤，关键步骤 P-Al 共同扩散又不易控制。2，填充因子为 71.3%。在国内，北京科技大学材料学院的刘维和中科院电工研究所的周春兰曾对EWT

28、背结电池中的激光刻槽及腐蚀工艺进行过研究。云南师范大学太阳能研究所深入研究了激光打孔对单晶硅材料性能的影响， 并对 EWT 硅电池的结构进行了设计与性能模拟。3EWT3EWT 太阳电池的关键技术进展太阳电池的关键技术进展31 激光打孔EWT 太阳电池完全去除了正外表的栅线电极，依靠电池中的无数导电小孔来将收集到的载流子传递到反面的发射区电极上。导电孔的制作，早期主要采用光刻和湿法化学腐蚀法，目前最常用的方法是激光打孔。激光打孔方便易行，适合大规模化生产， 但初期激光打孔精度不高，包括激光打出的孔是不是精确地排列在一条直线上、激光打孔的精确定位、激光打孔后的机械损伤等等问题，曾经是EWT 太阳电

29、池无法用激光打孔技术大规模化生产的主要原因。故激光打孔是实现EWT 太阳电池的一个关键技术。随着近几年激光技术的飞速发展，现在这些问题已经得到了较好的解决。云南师范大学太阳能研究所的研究还发现， 打孔激光进行打孔作用后，使得硅材料本身的性质趋向于好的方向发展， 对下一步太阳电池的制作提供了较好条件。这是因为，在制备硅太阳电池材料的过程中，机械加工往往使材料表层微结构产生缺陷；掺杂时杂质离子能量高，进入基片后会使基片形成错位、层错及各种类型的缺陷，注入层遭到了破坏，加之，注入的杂质未进入晶格位置，导电性能较差。在激光的作用下，破坏的外表层再结晶，部分消除了材料外表的缺陷，改善了晶格结构；恢复了注

30、入杂质的电活性，增加了 P 型杂质的固溶度，改善了晶格的质量，同时使杂质离子进入了晶格的位置，使得硅的电阻率下降，少子寿命提高。32 电池反面 PN 区域的界定与常规硅太阳电池不同，EWT 太阳电池的型区域和型区域间隔排列在电池的反面， 导电孔和反面的型区域相连，并且要求 P 型区域和型区域要靠的很近，而且还不能够短路，这就对电池反面 PN 区域的界定提出了很高的要求，故电池反面 PN 区域的界定是实现 EWT 太阳电池的一个关键技术。 目前， 实现 EWT太阳电池反面 PN 区域的界定的方法主要有以下几种：早期的 EWT 太阳电池反面的制备多采用光刻的方法，其优点是设计精度高，缺点是成本高，

31、制备工艺较复杂，容易引入对人体有毒的化学物质，不利于大规模工业化生产。从上世纪九十年代末开始，随着丝网印刷技术的成熟，丝网印刷法逐渐成了界定反面 P 型区域和 N 型区域常用的方法。 丝网印刷法的主要原理是通过丝网印刷设备在硅片上间隔印刷扩散阻挡层或耐腐蚀浆料， 已用来阻挡扩散或腐蚀液的腐蚀，使电池反面的 P 型区域和 N 型区域间隔分布。在扩散之前， 直接在电池的反面 P 型区域丝网印刷上扩散阻挡层浆料，见图2 所示。硅片反面丝网印刷上浆料后，在红外炉里250-300快速热退火 60秒， 可以得到高质量的扩散阻挡层。该阻挡层能在磷扩散时完全可以阻挡磷的扩散而保持 P 型，而没有印刷浆料的区域

32、则被磷扩散为型。扩散结束后，再将阻挡层去除， 以便以后的工序中在原阻挡层的区域做型电极。但阻挡层不太容易去除，AdventSolarCorporation 采用了在丝网印刷前开一个细槽的方法来去除阻挡层，在 1mm 宽的阻挡区域开一个 0.35mm 宽的细槽，开槽后虽然细槽在扩散时能形成型层，但在制作电极工序中，通过印刷 Al 去补偿，如图 3 所示。此法虽然大大简化了工序，可取得较好的效果，但整个电池工序就必须有三次丝网套印，这对丝网印刷工艺精确定位提出了更高的要求。按常规硅太阳电池的制作工艺扩散以后，在硅片的前面和反面的间隔的 N型区域丝网印刷上耐腐蚀浆料或者是油墨，然后用 HF 等腐蚀液

33、腐蚀硅片，去除没有印刷上耐腐蚀浆料或者是油墨区域的 n 型层， 这样就形成了反面 P 型区域和N 型区域的交叉间隔分布，最后用溶剂将耐腐蚀浆料或者是油墨去除，见图4 所示。 这种方法界定反面 P 型区域和 N 型区域简单易行，但由于 P 型区域和 N 型区域是在交叉和间隔中直接相邻，容易造成短路而导致电池制作失败。用激光刻槽法实现 EWT 太阳电池反面 PN 区域的界定相比照较简单、效率较高，可降低电池的成本，适合于 EWT 太阳电池的大规模生产。激光刻槽的精度虽然比光刻技术低的多，但由于太阳电池对精度的要求不是很高，并且随着激光技术近些年的不断发展，现在已经可以较好解决这个问题。激光刻槽容易

34、给硅片带来新的辐射损伤，特别是在型电极周边形成高复合区，增加了少数载流子的复合中心， 降低了载流子的收集，但通过优化刻槽和化学腐蚀工艺参数可减少其对太阳电池性能的影响。 由于激光刻槽的槽中的部分区域将用来制做 EWT 太阳电池的电极， 由于要形成良好的欧姆接触，这就要求硅片外表平整光滑而侧壁垂直陡峭。中科院电工所的研究发现，当 NaOH 刻蚀溶液浓度为 12%，温度为 80，时间为 20-35min 时，可以得到较好的槽面结构，能较好的满足欧姆接触电极的制备以及反面结构的设计要求。 根据激光刻槽和扩散的先后顺序， 此法又分为两类。先对硅片进行干氧氧化， 形成双面的SiO2层， 再进行前面的去除

35、氧化层和制绒，接着进行激光打孔和激光刻槽，用碱溶液刻蚀损伤层，然后进行P 扩散，再在前面镀上减反射膜，反面用 Al 蒸镀电极，最后进行 PN 相邻区域 Al 的去除，这样就实现了 EWT 电池反面 PN 区域的界定。此法的优点是用SiO2做了反面 PN区域的相互绝缘，不容易短路，成功率很高，适合大规模化生产，缺点是由于反面SiO2层的存在，P 型电极和型栅线之间必须用激光烧烛接触技术LFC来形成良好的欧姆接触。先将硅片的两面都扩散成型， 然后通过在反面丝网印刷 Ag/Al 浆料共烧的方法补偿电池的 n 型层， 烧结后， 直接用激光开槽实现电池反面 PN 区域的界定，见图 5 所示。用此种方法，

36、还有个优点，可以选择把电池的周边结一起去除。但这种方法，又会给硅片带来新的辐射损伤，降低了载流子的收集。所以，刻槽后如何较好的除去槽区辐射损伤部分和堆积物，一直是人们研究的一个重点。4EWT4EWT 硅太阳电池面临的问题和发展方向硅太阳电池面临的问题和发展方向随着人们对电池成本降低的要求， 硅片的厚度正变得越来越薄，虽然低寿命的薄基硅片更能表达 EWT 太阳电池的优越性，但硅片厚度过薄，本身的机械强度就不高， 激光打孔特别是激光刻槽更加降低了硅片的机械强度，使硅片变的很容易破碎。 这就对生产工艺和封装技术提出了更高的要求。由于 EWT 硅太阳电池本身的特殊结构， 决定了电池的开路电压和填充因子

37、不高，故提高电池的开路电压和填充因子是下一步 EWT 太阳电池研究的重点。另外，EWT 硅太阳电池的制造工艺与常规硅太阳电池相比，技术还是比较复杂，特别是反面 PN 区域和正负栅线都比较容易短路，这就需要继续改进生产工艺和栅线设计，使 EWT 硅太阳电池向简单化、工业化方向发展。5 5 结论结论本文通过对 EWT 太阳电池技术进展的研究，得到了以下结论：1低品质的硅材料更能表达 EWT 电池结构的优越性。2激光打孔作用后，使得硅材料本身的性质趋向于好的方向发展， 对下一步太阳电池的制作提供了较好条件。3激光打孔和电池反面 PN 区域的界定是实现 EWT 硅太阳电池的关键技术，但还有一些问题需要人们继续研究。