电子显微结构分析.pptx

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1、一、概述 电子显微分析就是利用聚焦电子束与物质相互作用产生的各种物理信号来分析试样中物质的微区形貌、晶体结构、化学组成等。这中间包括电子扫描电镜、电子透射电镜、电子探针微区分析，随着分析手段的发展，环境扫描电镜、扫描隧道显微分析、原子力扫描显微分析也渐渐成为分析手段的重要组成部分。 第1页/共205页一、概述第2页/共205页一、概述第3页/共205页一、概述第4页/共205页一、概述 电子显微分析与其他的形貌、结构、成分分析方法对比，具有以下非常重要的优点： 1、直接在高倍镜下观察试样的形貌、结构，可选择特定的区域进行分析； 2、可直接分辨原子，能进行纳米尺度的晶体结构与化学组成分析； 3、

2、可以进行形貌、结构、物相及化学组成的综合分析； 在固体科学、材料科学、地质、医学、生物等各领域的研究用途都很广。第5页/共205页Si衬底上衬底上一、概述第6页/共205页电子显微镜下的液晶分子形态第7页/共205页电子显微镜下的液晶分子形态第8页/共205页扫描电子显微镜第9页/共205页一、概述 （一）、光学显微镜的局限 光学显微镜的分辨能力，是光学显微镜能看到且区分开的最小物质。Abbe根据衍射理论导出了光学透镜的分辨本领的公式为： nm。在式中，r为分辨本领，为照明光源的波长，n为透镜的折射率，为透镜孔径半角，习惯把nsin称为透镜的数值孔径。因此可以看出，要增加透镜的分辨本领，即减小

3、r值有三个途径： 增加介质的折射率； 2、增大物镜的数值孔径； 3、采用短波长的照明光源。sin61. 0nr 第10页/共205页一、概述 当使用可见光作为光源，采用组合透镜、大的孔径角、高折射率的介质浸没物镜时，物镜的数值孔径最大可提高到1.6，在最佳的情况下，透镜的极限分辨率可达到200nm。要进一步提高显微镜的分辨率，必须使用更短波长的照明源。即是这样使用波长为275nm的紫外光作为照明源，显微镜的极限分辨率也只能达到100nm。虽然X射线的波长可达0.0510nm，但是不知道什么物质可使其改变方向，能进行有效的折射和聚焦成像。 因电子束也具有波动性，波长也很短，使用电子束作为照明源制

4、成的电子显微镜具有更高的分辨率。且电子束在电场与磁场中可以方便的加以控制，应用前途更广。 第11页/共205页K 光 学 显 微 镜J 电 子 显 微 镜眼晴：准确性、灵敏性、适应性和精密的分辨能力。人眼观察物体的粒度极限为0.1mm！ 局限性可以看到那样小的物体。但光学显微镜超过一定放大率后就失去作用，最好的光学显微镜的放大极限是：第12页/共205页 利用聚焦电子束与试样物质相互作用产生的各种物理信号，分析试样物质的 微区形貌 、 显微结构 、 晶体结构 和 化学组成 。 电子显微分析的定义电子显微分析的定义: 透射电子显微镜（TEM） 扫描电子显微镜（SEM） 电子探针（EPMA）第13

5、页/共205页电子显微分析的特点： 放大倍数高：5倍 100万倍；且连续可调； （现代TEM可达 200万倍 以上） 分辨率高：0.20.3nm （现代TEM线分辨率可达0.1040.14） 多功能、综合性：形貌 + 物相 + 晶体结构 +化学组成第14页/共205页二、 电子光学基础 电子光学是研究带电离子在电场与磁场中运动，其产生偏转、聚焦、成像等规律的一门科学。与光学在光学介质中传播规律有很多相似的地方： 1、光线通过透镜聚焦，电子束则通过磁场与电场聚焦，磁场与电场是电子束的电子透镜； 2、在几何光学中，光线都利用旋转对称面作为折射面；在电子光学中，在旋转对称的电场及磁场产生的等位面作为

6、折射面。 3、电子光学可以仿照几何光学把电子束的运动轨迹看作是射线，并引入几何光学参量来表征电子透镜对电子的聚焦成像作用。第15页/共205页 电子光学与几何光学相似：l聚焦成像：几何光学利用光学透镜 会聚 光线 电子光学利用电场、磁场 会聚 电子束l几何光学利用旋转对称面（如球面）作为折射面 电子光学利用旋转对称电磁场产生的等位面 作折射面l几何光学光传播路径光线焦点、焦距等表征 电子光学电子运动轨迹射线焦点、焦距等表征第16页/共205页 电镜中电子光学系统的附加限制条件：电子轨迹相对于旋转对称轴斜率极小，即张角很小，一般为10-210-3rad0|2r12dzrdr电子径向位置坐标矢量z

7、旋转对称轴的坐标电子轨迹离轴距离很小，远小于电子束沿轴距离l 电、磁场与时间无关，且处于真空中，即真空中静场；l 忽略电子束本身的空间电荷和电流分布；l 入射电子束轨迹必须满足离轴条件：第17页/共205页r 分辨率 （r小，分辨能力越高）照明光的波长n透镜所处环境介质的折射率透镜孔径半角（）nsin数值孔径 用N.A表示 p 分辨能力（分辨率、分辨本领）： 一个光学系统能分开两个物点的能力，数值上是刚能清楚地分开两个物点间的最小距离。 （一）、光学显微镜的局限性0.610.61sinrnmnaN A第18页/共205页 可见光作光源，N.A可提高到1.51.6 -得 紫外线（100-400n

8、m）： =275nm， 100nm X射线（0.1-100nm）：难以使之改变方向、折射、聚焦成像 电子束： =0.03880.00087nm r=0.1nm 电子在电、磁场中易改变运动方向，且电子波的波长比可见光短得多，所以电子显微镜在高放大倍数时所能达到的分辨率比光学显微镜高得多。 阿贝定律的意义：减小 r值 的途径有： (1)N.A， 即n和 (2) 0.610.61sinrnmnaN A第19页/共205页二、 电子光学基础 （二）、电子的波动性与波长 根据De Broglie提出的运动着的微观粒子具有波粒二象性的观点，任何运动着的微观粒子也伴随着一个波，这就是物质波或德布罗意波。 粒

9、子的能量E与动量P和波长、频率的关系如下： ， 。式中h是普朗克常数，h6.62610-34JS，这与光子与光波的关系是一样的。从晶体对入射电子波的衍射也证实了德布罗意波的观点。 电子在电场中得到加速运动，其动能与运动速度v之间的关系为： 。在式中，V称为加速电压，m是电子的质量。hvE /hP 22/1mveVE第20页/共205页二、 电子光学基础 当加速电压较低时，电子的运动速度很小，它的质量近似于电子的静止质量，由此计算电子的波长为： ；把电子的静止质量、电荷与普朗克常数都代入，则 。因此，电子的波长与加速电压平方根成反比。 当电子加速电压较高时，电子的运动速度很大，电子的质量也变大，

10、须引入相对论校正，则电子波的波长为： ， c为光速，把电子的静止质量、电荷与普朗克常数都代入， 。一般上，电镜的加速电压为50200Kv，则电子波长为0.005360.00251nm，是可见光的十万分之一，可极大地提高显微镜的分辨率。Vemh02V150)21 (2200cmeVVemh)109875. 01 (25.126VV第21页/共205页 加速电压(kV)电子波长(nm)加速电压(kV)电子波长(nm)10.0388800.00418100.01221000.0037200.008592000.00251300.006985000.00142500.0053610000.00087

11、表表 电子波长（经相对论较正）电子波长（经相对论较正） 比可见光的波长小几十万倍。比结构分析中常用的X射线的波长也小12个数量级。 与X射线比较：X射线常用： = 0.050.25nm 电子波常用： = 0.00250.0054nm第22页/共205页&（三）、电子在电磁场中的运动和电（三）、电子在电磁场中的运动和电子透镜子透镜 电子光学折射定律&1. 1. 电子在静电场中的运动电子在静电场中的运动&2. 2. 静电透镜静电透镜&3. 3. 电子在磁场中的运动电子在磁场中的运动&4. 4. 磁透镜磁透镜&5. 5. 磁透镜与光学透镜的比较磁透镜与光学透镜的比较&6. 6. 磁透镜与静电透镜的比

12、较磁透镜与静电透镜的比较二、 电子光学基础第23页/共205页二、 电子光学基础 1、电子在电磁场中的运动 电子在静电场受到电场力的作用，产生加速度。从初速度为0的自由电子达到V电位时，电子的运动速度为v 。当电子的初速度不为0、运动方向与电场方向不在一条直线上时，则电场力不仅改变电子运动的能量，也改变电子运动的方向。 一般可以把电场看成由一系列等电位面分割的等电位区构成，当一个初速度为v1的电子e以与等电位面法线成一定角度的方向运动时，等电位上方与下方的电位分别为V1、V2，电子在等电位上方与下方的速度分别为v1、v2，运动轨迹为直线。但电子通过等电位面时，在交界点上电子的运动方向发生突变，

13、电子的运动速度也从v1变为v2。 meV2第24页/共205页二、 电子光学基础 这是因为电场对电子的作用力总是沿着电子所处点等电位面的法线，从低电位指向高电位。所以沿电子所处点的等电位面法线方向电场力的分量为0，电子沿该方向的运动速度保持不变。 若电子在等电位面两边的速度分别为v1、v2，与等电位面法线的夹角分别为、，则有： 或 假设初始电位点为0，电子的初速度为0，电子经V1、V2加速后的运动速度分别为 和meVv112sinsin21vv12sinsinvvmeVv222第25页/共205页二、 电子光学基础 所以： 这与光的折射率中的表达式十分相似，相当于折射率n，这说明电场中等电位面

14、是对电子折射率相同的表面，与光学系统中介质界面的作用相同。 当电子由低电位进入较高电位区时，折射角小于入射角，电子的轨迹趋向于法线；反之，电子的轨迹将离开法线。 实际上，电场的电位是连续变化的，当V0时，电子的折射轨迹变成曲线轨迹。122112sinsinVVvv第26页/共205页V1V2ABv2v12121sinsin=sinsinvvvv112 e Vvm222 e Vvm2(11122nnnnUenUe 几何光学中的折射定律sina1为介质的折射律）sina2电位为电场中的电子光学折射律电位为电场中的电子光学折射律12VVV1VV2 相当于是折射率：电位为电场中的电子光学折射律电位为电

15、场中的电子光学折射律2211sinsinVvvV第27页/共205页二、 电子光学基础 2、静电透镜 一定形状的光学介质面可以使光线聚焦成像，一定形状的等电位面也可以使电子束聚焦成像，产生这种旋转对称等电位曲面族的电极装置称为静电透镜。 静电透镜有二极和三极，分别是由两个或三个具有同轴圆孔的电极组成。下图是三极式静电透镜的电极电位、等电位曲面族的形状示意图。第28页/共205页 阴极尖端附近的自由电子在阳极作用下获得加速度； 控制极附近的电场( (推着电子) )对电子起会聚作用； 阳极附近的电场对电子有“拉”作用，即有发散作用，但因这时电子的速度很大，所以发散作用较小。静电透镜结构由电极组成

16、第29页/共205页二、 电子光学基础从静电透镜主轴上一物点a的散射电子，以直线轨迹向电场运动，当电子射入电场的作用范围并通过等电位面族时，将受到折射，最后被聚焦在轴上一点a， a成为a的像。第30页/共205页AB电子在阳极附近，如B点： FFz,Fr (Fr背离对称轴的方向)发散作用。但由于电子的速度已经很大，故发散作用较小。静电透镜受力分析电子在控制极附近时(A点)：电场强度矢量E垂直于电场等位面，指向电位低的方向，电子受到的作用力F与E的方向相反： FFz,Fr (Fz 平行轴, Fr指向轴)电场力使电子向轴靠近，会聚作用。 第31页/共205页 静电透镜结论l 会聚作用大于发散作用：

17、静电透镜总是会聚透镜；l 静电透镜需要强电场，在镜筒内容易导致击穿和弧光放电：因此电场强度不能太高，静电透镜焦距较长，不能很好的矫正球差；l 主要用于电子枪中，使电子束会聚成形。l 在早期的电子显微镜中使用静电透镜，由于电子透镜需要很强的电场，在镜筒内易形成击穿和弧光，因此静电透镜的焦距不能做的很短，不能很好的校正球差。在现代电子显微镜中，除了使用电子枪使电子束汇聚成形外，大多使用磁透镜代替静电透镜。第32页/共205页-=sin()FevBFvBFevBvB力垂直于运动电荷速度 和磁感应强度 所决定的平面的大小电子在磁场中运动，受到磁场的作用力电子在磁场中运动，受到磁场的作用力洛仑兹力洛仑兹

18、力(左手定则左手定则)：vB与电子在磁场中的受力和运动有以下三种情况： 平行：电子不受磁场影响；vB与垂直：电子在与磁场垂直的平面做匀速圆周运动；vB与交角：电子运动轨迹是一螺旋线。& 3. 电子在磁场中的运动第33页/共205页二、 电子光学基础因为洛仑兹力在电荷运动方向上的分量为0，磁场不能改变运动电荷的能量，不改变电荷运动速度的大小。即电子在磁场中运动，仅发生偏转。如图a所示，电子在与磁场垂直的平面内作匀速圆周运动，洛伦兹力起到向心力的作用；当电子的运动速度与磁场方向成一定的夹角时，电子的一定速度可分为两个方向的分矢量，平行于磁场方向的分矢量不受任何影响；而垂直于磁场方向的分矢量则作圆周

19、运动，其合成的运动轨迹是一个螺线。 第34页/共205页& 4. 磁透镜 短线圈磁透镜 包壳磁透镜 极靴磁透镜 特殊磁透镜例如：轴对称磁场系统(通电流的圆柱形线圈)旋转对称的磁场对电子束有聚焦成像作用，产生这种旋转对称磁场的线圈装置。在电子光学系统中用于使电子束聚焦成像的磁场是非均匀磁场，其等磁位面的形状与等电位面或光学透镜的界面相似， 第35页/共205页 短磁透镜 磁场沿轴延伸的范围远小于焦距的透镜，称短磁透镜。 通电流的短线圈及带有铁壳的线圈都可以形成短磁透镜： 短线圈磁透镜 包壳磁透镜第36页/共205页二、 电子光学基础第37页/共205页包壳磁透镜和极靴磁透镜第38页/共205页对

20、于短磁透镜：对于短磁透镜： f0，表明磁透镜总是会聚透镜 焦距f与加速电压U有关，加速电压不稳定将使图象不清晰。 f 1 / I2：表明当励磁电流稍有变化时，焦距f 变化。p为物距，q为像距，f为透镜的焦距； A是与透镜结构有关的常数(A0)； U是加速电压；NI为透镜线包的安匝数；R为线包的半径。 111pqf22UfARN I第39页/共205页 极靴磁透镜特点：极靴附近磁场很强，对电子的折射能力大，可以使透镜的 f 变得更短。 极靴磁透镜是在包壳磁透镜中再增加一组特殊形状的极靴。 一组极靴由具有同轴圆孔的上下极靴和连接筒组成。 常用的极靴材料：Fe-Co合金，Fe-Co-Ni合金第40页

21、/共205页轴向磁场强度分布曲线 有极靴的磁透镜的磁场强度比短线圈或包铁壳磁透镜更为集中和增强。短线圈磁场中有一部分磁力线在线圈外侧，它对电子束的聚焦不起作用，因此短线圈磁透镜的磁场强度小，焦距长。第41页/共205页 特殊磁透镜特点： 焦距很短，约等于透镜磁场的半宽度； 球差可比普通磁透镜小一个数量级， 有利于提高透镜的分辨本领。 有的电镜是将试样放在透镜上、下极靴中间的位置，上极靴附近磁场起会聚电子束的作用，下极靴附近磁场起物镜作用， 单场磁透镜。 上下极靴的孔径不相同的磁透镜称不对称磁透镜。 如用于透射电镜的物镜，上极靴孔要大些，使试样能放在透镜的焦点位置附近，并便于试样的倾斜和移动。

22、扫描电镜中物镜的下极靴孔比上极靴孔大，以便于在其附近安放某些附件。 第42页/共205页& 5. 磁透镜与光学透镜的比较 磁透镜场深大（2002000nm）；焦深长（80cm） FVDKfIN2 f与（IN）2成反比 磁透镜是 可变焦距 和 可变倍率 透镜 磁透镜对电子有旋转作用，所得到的电子光学像相对于物来说旋转了一个角度磁转角焦距像距；物距；fLLffLfLfLLM212112第43页/共205页虽然静电透镜也是会聚透镜，但现代电子显微镜中几乎都采用磁透镜，用于使电子束聚焦、成像。其主要原因有两点： 静电透镜要求高电压，但高压总是危险的！ 磁透镜的焦距可以做得很短，可获得较高的放大倍数和较

23、小的球差。& 6. 磁透镜与静电透镜的比较第44页/共205页602012.2510.9785 10212hhmvVVeVeVmm c上面讨论的电子透镜的聚焦成像问题有限制条件，即假定： (透镜电磁场)具有理想的轴对称性 轨迹满足旁轴条件 电子波的波长(速度)相同 实际情况与理想条件偏离，造成电子透镜各种像差 像差的存在，影响图像的清晰度和真实性，决定了透镜只具有一定的分辨本领，从而限制了电子显微镜的分辨本领。电子透镜的缺陷 第45页/共205页像像 差：差：图像模糊不清像与物的几何形状不完全相似导 致l 球差l 色差 l 轴上像散l 畸变l物面上一点散射出电子束，不能全部会聚在一点l物面上的

24、各点不按比例成像于同一平面四、电磁透镜的像差和理论分辨本领第46页/共205页 是由于电磁透镜磁场的近轴区和远轴区对电子是由于电磁透镜磁场的近轴区和远轴区对电子束的会聚能力不同而造成的。束的会聚能力不同而造成的。假设张角最大电子的像落在P点,张角最小电子的像落在P点,透镜光阑有一定大小同是P点发出的电子当张角不同时, 落在不同点上透镜透镜光阑光阑1.球 差 无论像平面在什么位置，都不能得到一清晰的点像，而是一个一定大小的弥散圆斑。第47页/共205页n 正球差正球差远轴区对电子束的会聚能力比近轴区大。远轴区对电子束的会聚能力比近轴区大。n 负球差负球差远轴区对电子束的会聚能力比近轴区小。远轴区

25、对电子束的会聚能力比近轴区小。第48页/共205页 341aMCSsmr球差最小弥散圆：在球差最小弥散圆：在PP间某一位置可获得最小的弥散圆斑。间某一位置可获得最小的弥散圆斑。M M放大倍数；放大倍数；C Cs s球差系数；球差系数；孔径半角孔径半角 球差是电子显微镜最主要的像差之一，它往往决定球差是电子显微镜最主要的像差之一，它往往决定了显微镜的分辨率。了显微镜的分辨率。 球差几乎是一种无法克服的像差。球差几乎是一种无法克服的像差。最小弥散圆最小弥散圆半径为：半径为：第49页/共205页 几何光学中由于光颜色(波长)不同，经过透镜折射率不同，在不同点聚焦而产生的像差称色差。 电子光学中，电子

26、透镜成像也有色差。 加速电压的波动 及阴极逸出电子能量 的起伏，使得成像电子的波长不完全相同，使透镜的焦距发生变化。 这种色差使得一个物点变成为某种散射图形，影响了图像的清晰度。 2.色 差 第50页/共205页 色色 差：是由于电磁透镜磁场对不同波长的电子的差：是由于电磁透镜磁场对不同波长的电子的会聚能力不同而造成的。会聚能力不同而造成的。一个物点散射的具有不同波长的电子，进入透镜磁场后将沿着各自的轨迹运动，不能一个物点散射的具有不同波长的电子，进入透镜磁场后将沿着各自的轨迹运动，不能聚焦在一个像点上聚焦在一个像点上第51页/共205页 EECCcr引起电子束波长（能量）变化的原因：引起电子

27、束波长（能量）变化的原因：加速电压不稳定，引起电子束能量波动。加速电压不稳定，引起电子束能量波动。电子受到一次或多次非弹性散射，致使能量受损。电子受到一次或多次非弹性散射，致使能量受损。 减小试样厚度利于减小色差。减小试样厚度利于减小色差。色差最小弥散圆半径：色差最小弥散圆半径：Cc透镜的色差系数（随激磁电流增大而减小）透镜的色差系数（随激磁电流增大而减小）孔径半角孔径半角 E/E成像电子束能量变化率成像电子束能量变化率60201 2 .2 510 .9 7 8 51 0212hhm vVVe Ve V mmc第52页/共205页 由于透镜磁场不是理想旋转对称磁场而引起的像差。由于透镜磁场不是

28、理想旋转对称磁场而引起的像差。 实际的透镜磁场不完全旋转对称，只是近似的双对称场 场分布有两个互相垂直的对称面（XZ面、YZ面） 透镜在不同对称面方向的焦距不同3. 轴上像散第53页/共205页 物点P在XZ平面上成象于P点, 在YZ平面上成象于P点 一物点所成像是椭圆斑，图像不清晰 产生原因：极靴材料不均匀、加工精度、装配误差、污染等 轴上像散是影响电镜分辨本领的主要像差之一 电镜配置有消像散器，尽量校正像散 最小弥散圆半径：frAA21fA像散引起的最大焦距差像散引起的最大焦距差第54页/共205页枕型畸变枕型畸变桶型畸变桶型畸变旋转畸变旋转畸变正方形物正方形物球差系数随激磁电流减小而增大

29、低放大倍数时易产生畸变小电流，球差严重4.畸 变 正球差枕型畸变 负球差桶型畸变 磁转角旋转畸变第55页/共205页受衍射效应、球差、色差、轴上像散等因素的影响 4321SthACrl 理论分辨本领为0.2nml 随高压电子束做照明源及用低球差透镜，理论可达0.1nm仅考虑衍射效应和球差时，电磁透镜的理论分辨本领为 A常数，约0.40.5，决定于推导时的不同假设条件。5. 电磁透镜的分辨本领第56页/共205页五、电磁透镜的场深和焦深1. 场 深不影响分辨本领的前提下，物平面可沿透镜轴移动的距离(Df )。场深反映： 试样在物平面上下移动的距离； 试样的允许厚度。第57页/共205页 当r=1

30、nm =10-310-2rad时，Df2002000nm 在在不影响成像分辨率条件下（不影响成像分辨率条件下（Xr），场深），场深 Df ：对于加速电压为对于加速电压为100KV的电镜，样品厚度一般控制的电镜，样品厚度一般控制200nm以下以下在透镜场深范围内，试样各部位均能调焦成像在透镜场深范围内，试样各部位均能调焦成像rDf2第58页/共205页2.2.焦 深在不影响透镜成像分辨本领的前提下， 像平面可沿镜轴移动的距离（Di）。焦深反映：像平面可上下移动的距离。观察屏或照相底片可上下移动的距离及安装位置。第59页/共205页 焦深焦深 Di：当当r=1nm =10-2rad M=2000倍

31、时倍时 Di=80cm当用倾斜的观察屏观察，或照相底片位于当用倾斜的观察屏观察，或照相底片位于观察屏下方时，同样可得到清晰的图像。观察屏下方时，同样可得到清晰的图像。MDMDfir222第60页/共205页 小 结l 电子显微分析的内容；l 电子显微分析的特点；l 分辨率（分辨能力、分辨本领）；l 电子波长；l 电子在电场中的运动、静电透镜、特点；l 电子在磁场中的运动、磁透镜、特点；l 电磁透镜的像差和理论分辨率；l 电磁透镜的场深和焦深。第61页/共205页2.2 电子与固体物质的相互作用电子束与物质相互作用，可以产生背散射电子、二次电子、吸收电子、俄歇电子、透射电子、荧光X射线等各种信号

32、。利用这些信号可以进行透射电镜、扫描电镜、电子探针、俄歇电子能谱、 X射线光电子能谱分析。第62页/共205页 一、电子散射 二、内层电子激发后的驰豫过程 三、自由载流子 四、各种电子信号 五、相互作用体积与信号产生的深度和广度第63页/共205页 热 - 光 X射线 二次电子等散散 射射弹性散射弹性散射非弹性散射非弹性散射只变方向，不变能量既变方向，也变能量散射截面()： 表征原子对电子散射作用的大小 一个电子被一个试样原子散射后偏转角等于或大于角的几率一、电子散射聚焦电子束沿一定方向射入试样时, 在原子库仑电场作用下，入射电子方向改变散射。第64页/共205页原子对电子的散射原子对电子的散

33、射1. 原子核对电子的弹性散射原子核对电子的弹性散射2. 原子核对电子的原子核对电子的非非弹性散射弹性散射3. 核外电子对电子的核外电子对电子的非非弹性散射弹性散射 单电子激发单电子激发 等离子激发等离子激发 声子激发声子激发第65页/共205页2.2 2.2 电子与固体物质的相互作用 1、原子核对电子束的弹性散射 入射电子束与试样中原子核发生碰撞时，由于原子核的质量远大于电子的质量，入射电子束产生散射，只改变方向而不改变能量。这个模型可由卢瑟福的经典散射模型演示。 弹性散射由于其能量等于或接近于入射电子束的能量，是透射电镜中成像和衍射的基础。 2、原子核对电子束的非弹性散射 当入射电子束运动

34、到原子核附近时，入射电子束还受到原子核库仑力制动而减速，成为非弹性散射。入射电子束的能量损失产生X射线，能量损失越大，X射线波长越短；但由于能量损失不是固定的，其波长是连续变化而无特征波长，称为连续辐射或韧致辐射，不能用来分析，反而会产生连续背底影响分析的灵敏度和准确度。第66页/共205页2.2 2.2 电子与固体物质的相互作用 3、核外电子对入射电子的非弹性散射 此时，入射电子束的运动方向改变，且产生能量损失，原子核外电子受到激发。非弹性散射机制主要有： （1）单电子激发，是入射电子与核外电子碰撞，将核外电子激发到空能级或脱离原子核称为二次电子，原子变为离子，这个过程叫电离。 二次电子的能

35、量较低，仅在试样表面10nm层内产生、且需要克服电子逸出功才能逸出。他的主要特点是：对试样表面状态非常敏感，显示表面微区的形貌结构非常有效。二次电子像的分辨率非常高，是扫描电镜的主要成像手段。 （2）等离子激发，我们可以把晶体看作是点阵固定的正离子与漫散在整个空间的价电子云组成的电中性体，即等离子体。入射电子可引起价电子的集体振荡，在入射电子路径附近产生带正电的区域及在较远区域产生带负电的区域。瞬间破坏晶体局部的电中性，随后正电与负电的区域反复变化，称为价电子的集体振荡。价电子的集体振荡是可离子化的，这种能量量子称为等离子。第67页/共205页2.2 2.2 电子与固体物质的相互作用 等离子振

36、荡波长较长，动量小，入射电子激发等离子后一般不会产生大角度散射。 （3）声子激发 由于晶格振动的能量也是量子化的，称为声子。声子的能量较低，通常的热运动都可以激发声子。声子的波长很小动量较大，当入射电子与声子碰撞时，可看作是电子激发声子或吸收声子的碰撞过程，虽然碰撞后入射电子的能量变化不大，但动量改变大，可以产生大角度散射。 第68页/共205页Z试样原子序数试样原子序数E0入射电子能量入射电子能量r电子与核的距离电子与核的距离Z大大, E0小小, r0小小 -大大散射角散射角rEenZ021. 原子核对电子的弹性散射l 入射电子运动到核附近，受核散射l 由于 m原子核 m电子l 电子只变方向

37、，不变能量弹性散射(相当于弹性碰撞)第69页/共205页chhE被库仑电势制动而减速2. 原子核对电子的非弹性散射入射电子运动到核附近，受核散射，方向改变、能量受损，损失的能量EX射线因E不固定-X射线波长无特征值，波长连续 连续辐射 或 韧致辐射 会在X射线谱上产生连续背底，不能用来进行成分分析第70页/共205页3.核外电子对入射电子的非弹性散射入射电子的运动方向改变，能量受损，入射电子的运动方向改变，能量受损，原子则受到激发原子则受到激发（1）单电子激发（2）等离子激发（3）声子激发第71页/共205页p 入射电子与核外电子碰撞，将核外电子激发到空能级 或 脱离原子核成为二次电子（此过程

38、称为电离）。 电离：入射电子把某个核外电子打出去，成为二次电子，原子变成离子的过程。p 二次电子的级联过程：入射电子产生的二次电子还有足够能量继续产生二次电子.直至最后能量很低，不足以维持此过程为止。p 二次电子信号：试样 表面 和 深处 都能产生二次电子，但仅在试样表面10nm层内产生且能克服逸出功的二次电子才有可能逸出成为信号。p 二次电子特点: 能量低: 50ev 对试样表面状态非常敏感，显示表面微区的形貌结构非常有效。p 二次电子应用分辨率较高，是SEM的主要成像手段 p 单电子激发的对象：价电子 原子的核外电子：最外层的价电子能量高，易被激发价电子激发使入射电子产生小角度散射 内层电

39、子能量低，激发所需能量大，至少为结合能产生大角度散射（1）单电子激发）单电子激发二次电子二次电子第72页/共205页晶体是由正离子和漫散在整个空间的价电子云构成的电中性体可以把晶体看成是等离子体。等离子体：是由正离子、负电子及中性粒子组成的电中性体。当入射电子经过晶体时，在其路径近旁，价电子受排斥而作径向发散运动则在入射电子路径附近产生带正电的区域 路径较远处为带负电区域电中性被破坏电中性被破坏正、负电区域的静电作用又使负电区域多余的价电子向正电区域运动当运动超过平衡位置后，负电区变为正电区，再重复上面动作 -如此往复不已这种纵波式的往复振荡是许多原子价电子参加的长程作用，称为价电子的集体振荡

40、。（2）等离子激发：电子入射到晶体中，引起价电子集体振荡，过程如下：第73页/共205页pphE2l 振荡的能量Ep是量子化的 这种能量量子称为等离子。l 入射电子激发等离子后就要损失能量Ep, Ep是固定值，且随不同元素而变化特征能量损失l 特征能量损失电子：损失了Ep能量后的电子。 应用： 电子能量损失谱能量分析电子显微术 有特征能量的电子成像能量选择电子显微术第74页/共205页（3）声子激发l 声子：晶格振动的能量也是量子化的，它的能量量子称为声子。l 入射电子和晶格的作用可以看作是电子激发声子（或吸收声子）的碰撞过程。l 碰撞后，电子发生大角度散射，能量变化甚微，动量改变可以相当大。

41、第75页/共205页二、内层电子激发后的驰豫过程前面讲了电子散射，主要从原子核、核外电子两方面讲述了它们对电子能量和方向改变所起到的作用。通常，电子入射到试样中，使价电子激发的几率较大，但也有可能使内层电子激发。第76页/共205页俄歇电子发射转为晶格振动驰豫过程驰豫过程辐射跃迁辐射跃迁非辐射跃迁非辐射跃迁特征特征X射线射线都具有特征能量都具有特征能量可进行成分分析可进行成分分析当内层电子被入射电子轰击脱离了原子后，原子处于高度激发状态，它将跃迁回到能量较低状态驰豫注意“跃迁” ：指其他较高能级电子填补内层空穴，而把能量放出一部分，从而使整个原子的能量降下来。第77页/共205页三、自由载流子

42、 当高能量的入射电子照射到半导体、绝缘体和磷光体上时，不仅可使内层电子激发产生电离，还可使满带中的价电子激发到导带中去，在满带和导带内产生大量空穴和电子等自由载流子。 自由载流子可进一步产生阴极荧光、电子束电导和电子生伏特效应等。第78页/共205页1. 阴极荧光阴极荧光自由载流子在半导体的局部电场作用下，各自运动到一定的区域（如p-n结）积累起来，形成净空间电荷而产生电位差。2. 电子束电导电子束电导3. 电子生伏特电子生伏特高能电子束照射半导体材料，将产生自由载流子，若此时在试样两端建立电位差，自由载流子将向异性电极移动，产生附加电导。是指物质在高能电子束照射下发出可见光（或红外、紫外）的

43、现象。（PP112页 图2-15） 第79页/共205页四、电子与物质相互作用产生的各种电子信号弹性散射电子 & 弹性背散射电子背散射电子 & 二次电子 & 俄歇电子弹性背散射电子 单次非弹性背散射电子 多次非弹性背散射电子第80页/共205页如前所述“原子核对电子的弹性散射” -产生弹性散射电子，其能量等于或接近入射电子的能量E0。 1. 弹性散射电子“初次初次”电子电子注意这种电子的涵盖面:只要是电子在入射及传播过程中，发生的散射过程都是弹性的，能量未改变，就都在此定义范围内。从发生弹性散射的次数来说：单次弹性散射电子 + 多次弹性散射电子只关注次数，不强调它发生弹散后，向什么方向运动（即

44、不关心它是从表面逸出了，还是留下了，还是透射了）从发生弹性散射后，电子最终的去向来说： 一部分的总散射角90，从试样表面逸出 弹性背散射电子 一部分的方向改变小，在试样中继续传播或从试样另一面透射（总之没有从入射面逸出）只关注能量只关注能量第81页/共205页 2. 背散射电子“初次初次”电子电子电子射入试样后，将受到原子的弹性和非弹性散射，就要改变运动方向。经历数次方向改变后，一部分电子的总散射角90，重新从试样表面逸出，称 。从定义来看，只要是受到试样散射后，从试样表面逸出的，就统统划归为背散射电子，而并不考虑这些电子的散射经历，比如：经过多少次碰撞？所发生的碰撞是弹性的还是非弹性的？最后

45、返回到入射方向的电子能量是否有损失？损失多少？等等背散射电子 弹性背散射电子：能量接近或等于E0，E=0 单次非弹性背散射电子：能量损失，但只损失 一次， E与E0相差不多，E小 多次非弹性背散射电子：能量损失，且损失多次， E与E0相差多，E大 且随次数n不同， E不同， E不同（是变量）只关注方向只关注方向第82页/共205页在背散射电子中，EE0的弹性背散射电子最多，其次是E稍小的单次非弹，多次非弹非常少。因此实际在试样上方接收到的背散射电子是能量接近于E0的弹性背散射电子占主导地位。背背背背背背背背第83页/共205页l 特点： 背散射电子的产额随原子序数Z的增大而增大 背散射电子图像

46、的衬度与成分密切相关 背散射电子像元素的定性分布情况l 应用： SEM和电子探针仪第84页/共205页二次电子是“单电子激发”过程中被入射电子轰出的试样原子的核外电子。 3. 二次电子“二次二次”电子电子 级联过程 二次电子信号：在试样表面10nm层内产生且能克服逸出功的 电子谱中，探测器只能探测不同能量电子的数目，而并不能把能量相近的二次电子和背散射电子区分开。 习惯上50ev，当成真正的二次电子 50ev，归入背散射电子 特点及应用：二次电子像分辨率高，是SEM主要成像信号。第85页/共205页 4. 特征 X 射线 产生的根本原因是原子内层电子的跃迁。 化学元素有特定波长特征 X 射线成

47、分分析 应用： SEM（增加X射线谱仪附件）第86页/共205页 5. 俄歇电子属于“二次”电子类别原子内壳层电子被打出后，内层出现空位，当较外层电子填补时，能量传给另一外层电子，使它被打出去双电离。Auger电子仅在表面 1nm层内产生Auger电子能量一般几十几百eV特点及应用：Auger电子对表面微量元素有很高的灵敏度，且分析速度快，可进行定性分析、定量分析、表面状态分析。“二次二次”电子电子第87页/共205页 6. 特征能量损失电子“等离子激发” 后，损失了特征能量EP后的入射电子应用：TEM 电子能量损失谱能量分析电子显微术“初次初次”电子电子第88页/共205页当试样厚度小于入射

48、电子的穿透深度时，入射电子将穿透试样，从另一表面射出，称为透射电子。 7. 透射电子 是TEM的成像电子 若试样较薄（10-20nm）透射电子主要是弹性散射电子成像比较清晰，电子衍射斑点较明锐 若试样较厚（但仍小于穿透深度）透射电子包含大量非弹性散射电子，且能量是变量由于色差，成像模糊第89页/共205页入射电子经多次非弹性散射后，能量耗尽，不再产生其他效应，称被试样吸收，这种电子称吸收电子。 8. 吸收电子 连接纳安表测试样吸收电子产生的吸收电流。 试样厚度越大，密度越大，原子序数Z越大，吸收电子越多，吸收电流越大。 应用：SEM和电子探针仪 可得原子序数不同的元素的定性分布第90页/共20

49、5页五、相互作用体积与信号产生的深度和广度 扩散：入射电子射入固体试样，经多次散射后，完全失掉方向性，即各方向散射几率相等，称为。 相互作用体积：扩散作用使电子与物质相互作用不限于电子入射方向，而具有一定体积范围，称。 蒙特一卡洛 电子弹道模拟技术显示1.相互作用体积第91页/共205页 试样原子序数：轻元素试样，相互作用体积呈 梨形 重元素试样，相互作用体积呈 半球形入射电子能量：能量，体积，但形状基本不变电子束入射方向：倾斜入射，试样表面处相互作用体积横向尺寸增加2.相互作用体积 形状和大小的影响因素：相互作用体积形状和大小决定各种物理信号产生的深度和广度相互作用体积形状和大小决定各种物理

50、信号产生的深度和广度第92页/共205页信号深广度：俄歇电子 二次电子 背散射电子 1000kV1000kV），），亮度大，能量分散性小，有利亮度大，能量分散性小，有利于提高分辨率。于提高分辨率。第102页/共205页 发叉式钨丝阴极三级电子枪 相当于阴极(发叉式热钨丝) 、栅极(控制极)和阳极组成的静电透镜发叉式钨丝阴极三级电子枪示意图发叉式钨丝阴极三级电子枪示意图阴极阴极加负高压（加负高压（-50200KV）阳极阳极接地（接地（0电位）电位）控制栅极控制栅极加比阴极负几百加比阴极负几百几千伏的偏压几千伏的偏压其电位大小决定了阴极和阳极之间等电位面的分其电位大小决定了阴极和阳极之间等电位面的