晶体管的特性与应用.ppt

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1、现在学习的是第1页，共34页l正向特性 当所加的正向电压达到某一数值（称为“门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V）后，二极管才能真正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为0.3V，硅管约为0.7V），称为二极管的“正向压降”。l反向特性 二极管两端加反向电压时，二极管处于截止状态，但仍然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。反向电压增大到某一数值，反向电流会急剧增大，二极管将失去单方向导电特性，这种状态称为二极管的击穿。现在学习的是第2页，共34页l按半导体材料可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。l根据其不同用途 又可分为:普通二极管和特殊二极管。普通二极

2、管包括快速二极管、整流二极管、稳压二极管、检波二极管等；特殊二极管包括变容二极管、发光二极管、隧道二极管、触发二极管等。l按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。现在学习的是第3页，共34页l正向电压降 VF 导通后二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为0.3V，硅管约为0.7V）l正向工作电流Iav平均电流,是指二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值。因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度超过容许限度（硅管为140左右，锗管为90左右）时，就会使管芯过热而损坏。所以，二极管使用中不要超过二极管额定正向工作电流值。l最大浪涌电流IFSM 允许流过的过

3、量的正向电流。它不是正常电流，而是瞬间电流，这个值相当大。现在学习的是第4页，共34页l反向峰值电压(VRRM最大周期性反向电压)二极管正向工作时所能承受的周期浪涌电流的最大值。l反向饱和漏电流IR 指二极管在规定的温度和最高反向电压作用下，流过二极管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。但反向电流受温度的影响较大，一般硅管比锗管在高温下具有较好的稳定性。l开关速度Trr和最高工作频率 fm 当工作电压从正向电压变成反向电压时，二极管工作的理想情况是电流能瞬时截止。实际上，一般要延迟一点点时间。决定电流截止延时的量，就是反向恢复时间。开关速度和最高工作频率取决于二极管的反向恢复时

4、间，一般高频开关管的反向回复时间为几十nS,甚至几个nS。现在学习的是第5页，共34页现在学习的是第6页，共34页l快速二极管 快速二极管的工作原理与普通二极管是相同的 ,普通二极管工作在开关状态下的反向恢复时间较长，约5us以上，不能适应高频开关电路的要求。快速二极管主要应用于高频整流电路、高频开关电源、高频阻容吸收电路、逆变电路等，其反向恢复时间可达10ns。快速二极管主要包括快恢复二极管和肖特基二极管。现在学习的是第7页，共34页1）、快恢复二极管(PIN型二极管)（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路

5、中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。在制造上采用掺金、单纯的扩散等工艺，可获得较高的开关速度，同时也能得到较高的耐压。快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN结型二极管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。因基区很薄，反向恢复电荷很小，所以快恢复二极管的反向恢复时间较短，正向压降高于普通二极管（12V)，反向击穿电压（耐压值）较高(多在1500V以下）。目前快恢复二极管主要应用在开关电源中作整流元件，高频电路中的限幅、嵌位等。现在学习的是第8页，共34页CHARGER电路中的Snubber，主要作用是吸收变压器漏感产生的尖峰电压，箝位二

6、极管应选择反向击穿电压高于开关管的漏源击穿电压且反向恢复时间尽可能短的超快恢复二极管。如图，D2选用UF4007(1A 1KV).从性能，可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向回复时间为数百纳秒或更长，后者则在100ns以下。现在学习的是第9页，共34页2）、肖特基（Schottky）二极管 由金属与半导体接触形成的势垒层为基础制成的二极管，是一种低功耗、超高速半导体器件，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用肖特基二极管在结构原理上与PN结二极管有很大区别，它的内部是由阳极金属（用钼或铝等材料制成的阻挡层）、二氧化硅（SiO2）

7、电场消除材料、N-外延层（砷材料）、N型硅基片、N+阴极层及阴极金属等构成。在N型基片和阳极金属之间形成肖特基势垒。当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。现在学习的是第10页，共34页 肖特基二极管其主要特点是正向导通压降小（约0.45V），反向恢复时间短和开关损耗小，存在的问题是耐压比较低，反向漏电流比较大。目前应用在功率变换电路中的肖特基二极管的大体水平是耐压在150V以下，平均电流在100A以下，反向恢复时间在1040ns。肖特基二极管应用在高频低压

8、电路中，是比较理想的。现在学习的是第11页，共34页l整流二极管 利用二极管单向导电性，可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉动直流电。广泛应用于处理频率不高的电路中。整流的方式也分为多种：主要有半波、全波、桥式。整流分为工频和高频整流，表现为频率的不同。D1为工频整流二极管，D2为高频整流二极管。现在学习的是第12页，共34页 工频整流一般用在对市电进行整流，厂内UPS电路中以CHARGER电路为例，输入一般为桥式整流，须考虑的主要参数有：Iav=Pomax/VO ；Vpeak=2 Uin;-VRRM MAX repetitive reverse voltage 在选取整流二极管会加一

9、定的裕量，以防出现特殊情况。此外还必须考虑到厂内现有物料以及通用性。厂内常用的工频整流桥有：2W10G（2A 1KV）；GBU6M（6A 1KV）现在学习的是第13页，共34页 高频整流管一般用于高频输出整流，须考虑的主要参数有：Iav=Po/Vo;IMAX=2PO/VO(1-DMAX)（电流临界）;Vrmax=Vo+N*Vin max N变压器匝比；正向压降VF二极管功率越大，VF相对较小；选用超快恢复二极管。负载功率大的，还须通过测量温升，再调整晶体管参数。现在学习的是第14页，共34页左图为CHARGER电路中输出部分，其中高频整流管为D3，所用晶体管为ER8020(8A 200V)。D

10、4，D6起反向隔离作用。现在学习的是第15页，共34页l继流二极管 在开关电源的电感中和继电器等感性负载中起继流作用。左图，通过BST.DRV来驱动RELAY，电流的跳变时，使RELAY中线圈产生反向感应电动势，通过二极管IN4148(0.15A 75V)来继流，泄放能量，保护驱动管。也可不加二极管，但须保证驱动管耐压足够高，不被击穿。现在学习的是第16页，共34页l限幅元件 正向压降基本保持不变（硅管为0.7V，锗管为0.3V）。利用这一特性，在电路中作为限幅元件，可以把信号幅度限制在一定范围内。用于电压波动较大的地方。UPS中电压波动较大的地方有市电侦测，电池电压侦测，温度侦测等，所以在送

11、入单片机检测端时须限幅，厂内一般使用IN4148(0.15A 75V)、作为限幅元件。现在学习的是第17页，共34页l发光二极管 厂内所使用的LED主要分绿色，红色，黄色，橙色的单色和双色发光二极管，其驱动电流，会影响发光强度，所以在选择限流电阻时须注意LED的正向电压（typ.:2V)及正向电流约20mA。同样结构也有多种，具体选用何种，须结合PCB，外壳的要求来选择。现在学习的是第18页，共34页l稳压二极管 利用二极管反向击穿后的伏安特性十分陡峭，也就是说，二极管两端的电压随通过的电流变化而变化很小，通过电阻来限流，以至于二极管不被烧毁。稳压管的误差较大（5、10，也有2）。一般不用于精

12、密稳压电路。现在学习的是第19页，共34页稳压管的主要参数有：（1）稳压值VZ。指当流过稳压管的电流为某一规定值时，稳压管两端的压降。（2）电压温度系数。稳压管的稳压值VZ的温度系数在VZ低于4V时为负温度系数值；当VZ的值大于7V时，其温度系数为正值；而VZ的值在6V左右时，其温度系数近似为零。目前低温度系数的稳压管是由两只稳压管反向串联而成，利用两只稳压管处于正反向工作状态时具有正、负不同的温度系数，可得到很好的温度补偿。（3）动态电阻rZ。表示稳压管稳压性能的优劣，一般工作电流越大，rZ越小。（4）允许功耗PZ。由稳压管允许达到的温升决定，小功率稳压管的PZ值为1001000mW,大功率

13、的可达50W。（5）稳定电流IZ。测试稳压管参数时所加的电流。实际流过稳压管的电流低于IZ时仍能稳压，但rZ较大。现在学习的是第20页，共34页 特性 适用范围超快速二极管反向恢复时间较短，正向压降较低，反向击穿电压（耐压值）较高主要应用在开关电源中作高频整流、续流元件，高频电路中的限幅、嵌位等萧特基二极管耐压比较低，反向漏电流比较大，反向恢复时间较短，开关损耗小主要应用在高频低压电路中 整流二极管允许通过的电流比较大，反向击穿电压比较高，但PN结电容比较大 广泛应用于处理频率不高的电路中 稳压二极管既具有普通二极管的单向导电特性，又可工作于反向击穿状态。缺点是存在噪声 在要求精度不高、电流变

14、化范围不大的情况下，起稳压作用发光二极管工作电压低，工作电流小，发光均匀、寿命长。主要用于状态指示现在学习的是第21页，共34页 在了解二极管的特性与应用后，在设计电路过程中，根据二极管在电路中的功用选取合适的元件，需注意：l选择合适的参数l选择常用的二极管l价格的考量 现在学习的是第22页，共34页 晶体三极管又称双极器件（Bipolar Junction Transistor,用BJT表示），它的基本组成部分是两个靠得很近且背对背排列的PN结。根据排列的方式不同，晶体三极管分为NPN和PNP两种类型。晶体三极管和晶体二极管一样都是非线性器件，但它们的主要特性却截然不同。晶体二极管的主要特性

15、是单向导电性，而晶体三极管的主要特性则与其工作模式有关。现在学习的是第23页，共34页l放大模式 三极管工作在放大模式的条件：发射结加正偏、集电结加反偏。呈现的主要特性时正向受控作用，l饱和模式 三极管工作在饱和模式的条件：发射结、集电结均加正偏。l截止模式 三极管工作在截止模式的条件：发射结、集电结均加反偏。饱和与截止模式呈现受控开关特性，是实现开关电路的基础 现在学习的是第24页，共34页BE结在由正向电压转为反向时，内建电场建立的时间与电流现在学习的是第25页，共34页如图（a）所示，当基极回路输入一幅值为UP（UPUBB）的正脉冲信号，基极电流立即上升IB=(UP-UBB-UBE)/R

16、B,在IB的作用下，发射结逐渐由反偏变为正偏，BJT由截止状态变为导通状态，集电结为零偏甚至正偏，集电极于发射极之间压降UCE0,BJT工作在饱和状态，BJT相当于闭合开关。如图（b）当基极输入脉冲为负或零时，BJT的发射结和集电结都处于反偏，集电极电流逐渐下降到IC=ICEO0,因此负载电阻RL上的压降可以忽略不计，集电极与发射极之间的压降UCEUCC,即BJT工作在截止状态,BJT相当于一断开的开关。现在学习的是第26页，共34页 晶体管开关损耗 P ic*uc 图可明显看出晶体管开关损耗取决与开通时间ton和关断时间toff。ton和toff越小，即开关波形越趋于方波，开关损耗越小，温度

17、越低。现在学习的是第27页，共34页l共发射极电流增益，反映了三极管的放大能力。l集电极最大工作电流IC l集电极最大直流峰值电流ICM，由集电极允许承受的最大电流决定。l集电极允许最高电压UCEO 随着VCE的增大，加在集电结的反偏电压VCB相应增大。当VCE增大到一定值时，集电结发生反向击穿，造成电流IC剧增。产生反向击穿的主要时雪崩击穿。现在学习的是第28页，共34页l集电极最大允许耗散功率PCM 在晶体三极管中。两个结上的消耗的功率分别等于通过结的电流与加在结上的电压的相乘积。由于VCE中绝大部分降在集电结上，因此，加到集射极间的功率PC=VCE*IC主要消耗在集电结上，这个功率降导致

18、集电结发热而使其结温度升高。为保证管子安全工作，PC必须小于或等于PCM。l饱和导通时集电极发射极电压VCE(SAT).由于存在着体电阻合引线电阻，电流越大，其产生的压降就越大，晶体管开始饱和的VCE也就越大。因此，大功率管开始饱和的VCE大于小功率管。现在学习的是第29页，共34页l功率三极管 一般功率晶体管是指壳温25时功耗大于1W的晶体管。功率开关管在开关电路的运用，以FLYBACK电路为例，功率三极管最主要的几个参数：Iav=变压器一次侧Iav，IPEAK=变压器一次侧Ipeak VMAX=VIN+N*(VOUT+VF)开关速度(一般15微秒）参考以上参数加上一定得裕量，经过测试，调整

19、参数现在学习的是第30页，共34页l功率晶体管的驱动电路功率晶体管的驱动电路由于三极管反向回复时间较长，若加一反电压，可加速晶体管的截止。左图C2在3843输出为低时，C2放电，提供晶体管的反向电压。现在学习的是第31页，共34页l驱动管 三极管常用作MOSFET等功率元件的驱动电路。Q23为MOSFET的驱动管，目的是减小MOSFET的关断时间。现在学习的是第32页，共34页l一般开关管 三极管在电路中作信号开关管，一般来说，信号控制电压电流都较小，所以对三极管的选取也没那么严格，往往会考虑到电路的通用性。左上图Q41作为开关管来控制关断3843。现在学习的是第33页，共34页感谢大家观看感谢大家观看现在学习的是第34页，共34页