核磁共振课件.ppt
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1、关于核磁共振第1页,此课件共71页哦特点:特点:适合含有长碳链或含碳原子化合物的分析适合含有长碳链或含碳原子化合物的分析,特别可以得到特别可以得到1H谱不能谱不能直接测得的羰基、腈基和季碳的信息直接测得的羰基、腈基和季碳的信息。由于由于13C核的化学位移范围(核的化学位移范围(c=0240 ppm)远大于)远大于H核的化核的化学位移范围(学位移范围(H=015 ppm),因此),因此13C谱分辨率高。谱分辨率高。由于自然界中由于自然界中13C核的丰度太低,另外核的丰度太低,另外13C的旋磁比只有的旋磁比只有1H核的核的1/4,13C NMR的灵敏度比的灵敏度比1H NMR要低得多。要低得多。1
2、3C NMR由于邻近质子的偶合作用使谱峰变得复杂,必须采用由于邻近质子的偶合作用使谱峰变得复杂,必须采用相应的技术相应的技术(去偶技术去偶技术),实际上,实际上13C NMR谱图若不去偶就不能解析谱图若不去偶就不能解析,不能用积分高度计算碳数目。不能用积分高度计算碳数目。4.1 13C核磁共振碳谱的特点核磁共振碳谱的特点第2页,此课件共71页哦13C NMR实验方法:1、13C NMR灵敏度的提高(1)配置较高浓度的试样溶液(2)增大磁场强度Bo,改善信噪比2、脉冲傅立叶变换核磁共振技术3、氘锁和溶剂(1)保证多次扫描时,磁场的稳定(2)常见氘代试剂的13C的化学位移值4、13C NMR化学位
3、移参照标准第3页,此课件共71页哦一、质子宽带去偶法一、质子宽带去偶法 质子宽带去偶法又称噪声去偶法,可消除因质子宽带去偶法又称噪声去偶法,可消除因1H偶合偶合形成的形成的13C谱峰的裂分,使每个磁等价的谱峰的裂分,使每个磁等价的13C核成为一个信核成为一个信号。号。1、特点:、特点:(1)图谱简化图谱简化,所有信号均呈单峰,所有信号均呈单峰,分辨率高,每分辨率高,每 个碳原个碳原子对应一个峰子对应一个峰;(2)裂分峰合并后,强度增加)裂分峰合并后,强度增加;(3)不能区分伯,仲,叔,季碳。)不能区分伯,仲,叔,季碳。4.2 核磁共振碳谱的测定方法核磁共振碳谱的测定方法第4页,此课件共71页哦
4、52、质子非去偶谱谱图、质子非去偶谱谱图第5页,此课件共71页哦6 3、质子宽带去偶谱、质子宽带去偶谱(BBD)或全氢去偶谱或全氢去偶谱(COM)或噪音去偶谱或噪音去偶谱(PND)第6页,此课件共71页哦二、偏共振二、偏共振去偶去偶(OFR)2、偏共振、偏共振去偶的特点去偶的特点:(1)消除了远程偶合,保留了与)消除了远程偶合,保留了与13C相连相连1H核的偶合核的偶合;(2)1JC-H变小,裂分峰相互靠近形成峰簇变小,裂分峰相互靠近形成峰簇;(3)能够区分伯,仲,叔,季碳;如)能够区分伯,仲,叔,季碳;如CH3(四重峰),(四重峰),CH2 (三重峰),(三重峰),CH(二重峰二重峰),季碳
5、(单峰)。,季碳(单峰)。偏共振去偶法可以显示与偏共振去偶法可以显示与13C直接相连的直接相连的1H和和13C核之间的偶核之间的偶合信息,而合信息,而2JCCH和和3JCCCH偶合常数极小,则不再表现出来偶合常数极小,则不再表现出来。偶合峰数符合。偶合峰数符合n+1规则。规则。1、n+1规则第7页,此课件共71页哦8第8页,此课件共71页哦P238第9页,此课件共71页哦10用很弱的能量选择性地照射特定氢核,消除它对相关碳的用很弱的能量选择性地照射特定氢核,消除它对相关碳的偶合影响,使峰简化。偶合影响,使峰简化。第10页,此课件共71页哦11四、四、DEPT谱谱1、方法:改变照射氢核的脉冲角度
6、(、方法:改变照射氢核的脉冲角度()所测定的)所测定的13C-NMR图谱。图谱。2、特点:、特点:(1)不同类型)不同类型13C信号呈单峰分别朝上或向下信号呈单峰分别朝上或向下,可识别可识别CH3、CH2、CH、C。(2)脉冲角度=135:CH3,CH,CH2(常用)=90:CH,其它碳核不出峰 =45:CH3,CH2,CH,季碳不出峰第11页,此课件共71页哦12(全氢去耦谱)全氢去耦谱)第12页,此课件共71页哦CH CH3 ,CH ,CH2 第13页,此课件共71页哦P239第14页,此课件共71页哦五、门控去偶法五、门控去偶法1、质子宽带去偶谱得不到质子宽带去偶谱得不到C-H的偶合信息
7、;的偶合信息;2、质子偏共振去偶仅能看到与、质子偏共振去偶仅能看到与13C直接相连的直接相连的1H和和13C核核之间的偶合裂分,看不到远程偶合;之间的偶合裂分,看不到远程偶合;3、为了得到真正的为了得到真正的CH偶合或远程偶合则需要对质子偶合或远程偶合则需要对质子不去偶,但一般偶合谱费时太长,需要累加多次,为此不去偶,但一般偶合谱费时太长,需要累加多次,为此采用带采用带NOE的不去偶技术的不去偶技术,叫门控去偶法(或交替脉冲法,叫门控去偶法(或交替脉冲法)。接收的)。接收的FID信号即有偶合,又有呈现信号即有偶合,又有呈现NOE增强的信号增强的信号。第15页,此课件共71页哦六、反转六、反转-
8、门控去偶法门控去偶法它的目的是得到它的目的是得到宽带去偶谱,但消除宽带去偶谱,但消除 NOE,保持碳数与信号强度成比例的方法,可以,保持碳数与信号强度成比例的方法,可以用于用于碳核的定量碳核的定量。一般的宽带去偶信号强度与碳原子个数不成比例一般的宽带去偶信号强度与碳原子个数不成比例,不能用于碳核的定量。不能用于碳核的定量。第16页,此课件共71页哦第17页,此课件共71页哦小结:小结:13C NMR的去耦技术:的去耦技术:一、质子宽带去偶法一、质子宽带去偶法1、所有信号均呈单峰,、所有信号均呈单峰,每个碳原子对应一个峰每个碳原子对应一个峰;2、不能区分伯,仲,叔,季碳。、不能区分伯,仲,叔,季
9、碳。二、偏共振二、偏共振去偶去偶(OFR)1、n+1规则(规则(13C相连相连1H核的偶合)核的偶合)2、能够区分伯,仲,叔,季碳;如能够区分伯,仲,叔,季碳;如CH3(四重峰),(四重峰),CH2 (三重峰),(三重峰),CH(二重峰二重峰),季碳(单峰)。,季碳(单峰)。四、四、DEPT谱谱脉冲角度脉冲角度 =135:CH3 ,CH ,CH2 (常用)(常用)=90:CH ,其它碳核不出峰其它碳核不出峰 =45:CH3,CH2,CH ,季碳不出峰季碳不出峰五、门控去偶法(得到真正的五、门控去偶法(得到真正的CH偶合或远程偶合)偶合或远程偶合)六、反转六、反转-门控去偶(碳核的定量)门控去偶
10、(碳核的定量)第18页,此课件共71页哦4.3 13C的化学位移及影响因素的化学位移及影响因素一、屏蔽常数一、屏蔽常数二、影响二、影响13C化学位移的因素化学位移的因素三、各类化合物的三、各类化合物的13C化学位移化学位移第19页,此课件共71页哦13C-NMR满足关系式:满足关系式:)1(20BCC的屏蔽系数是四项因数的加和的屏蔽系数是四项因数的加和:=抗磁抗磁+顺磁顺磁+介质介质NBNB 核外电子云密度大,核外电子云密度大,抗磁抗磁大大,C在高场共振,在高场共振,值小。值小。一、一、屏蔽常数屏蔽常数 抗磁抗磁为核外局部电子环流产生的抗磁屏蔽,与外磁场方向相反。为核外局部电子环流产生的抗磁屏
11、蔽,与外磁场方向相反。顺磁顺磁为各项异性的非球形电子环流产生的顺磁屏蔽,与外场方向相同。为各项异性的非球形电子环流产生的顺磁屏蔽,与外场方向相同。NB为邻近核为邻近核B的各向异性对核的屏蔽作用,取决于的各向异性对核的屏蔽作用,取决于B的性质和几何位置。的性质和几何位置。介质介质表示溶剂和介质的影响。表示溶剂和介质的影响。第20页,此课件共71页哦二、化学位移二、化学位移 及影响因素及影响因素 用四甲基硅用四甲基硅(TMS)的信号的的信号的 C作为零,把出现在作为零,把出现在TMS低场一低场一侧侧(左边左边)的信号的的信号的 C值规定为正值,在值规定为正值,在TMS右侧即高场的信号规右侧即高场的
12、信号规定为负值。定为负值。13C-NMR谱化学位移的分布范围约为谱化学位移的分布范围约为400ppm,因此对分子构型、构象的微小差异也很敏感。因此对分子构型、构象的微小差异也很敏感。一般情况下,对于宽带去偶的常规谱,几乎化合物的每个一般情况下,对于宽带去偶的常规谱,几乎化合物的每个不同的种类的碳均能分离开。不同的种类的碳均能分离开。第21页,此课件共71页哦1、影响化学位移的因素、影响化学位移的因素 C受分子间影响较小。由于碳原子处在分子骨架上,因此分子受分子间影响较小。由于碳原子处在分子骨架上,因此分子内部的相互作用较为明显。内部的相互作用较为明显。(1)杂化状态杂化状态 杂化状态是影响杂化
13、状态是影响 C的重要因素,一般说的重要因素,一般说 C与该碳上的与该碳上的 H 次序次序基本上平行基本上平行。SP3 CH3CH2CHC=O 在最低场在最低场 150220PPm第22页,此课件共71页哦(2)诱导效应诱导效应 有电负性取代基、杂原子以及烷基连接的碳,都能使其有电负性取代基、杂原子以及烷基连接的碳,都能使其 C信号向低场位移,位移的大小随取代基电负性的增大而增信号向低场位移,位移的大小随取代基电负性的增大而增加,这叫诱导效应。加,这叫诱导效应。第23页,此课件共71页哦取代基电负性取代基电负性取代基取代基 碳碳 X-CHCH-CH-CH2.1 H 0 0 02.5 CH3+9
14、+10 -22.5 SH +11 +12 -63.0 NH2+29 +11 -53.0 Cl +31 +11 -44.0 F +68 +9 -4表表4-1 取代基对正烷烃的诱导效应取代基对正烷烃的诱导效应诱导效应对诱导效应对-C影响较大,但对影响较大,但对-C和和-C影响较小,而且它们的诱导位移随取代基的电负性影响较小,而且它们的诱导位移随取代基的电负性变化而变化。变化而变化。第24页,此课件共71页哦(3)共轭效应)共轭效应(b)若苯氢被拉电子基团若苯氢被拉电子基团-CN、-NO2取代后,则使苯环上取代后,则使苯环上 电子离域到这些吸电子基团上,减少了邻对位碳的电子离域到这些吸电子基团上,减
15、少了邻对位碳的电荷密度,电荷密度,屏蔽减小屏蔽减小。(a)若苯氢被若苯氢被-NH、-OH取代后,则取代后,则 这些基团的孤对电这些基团的孤对电子将离域到苯环的子将离域到苯环的 电子体系上,增加了邻位和对位碳电子体系上,增加了邻位和对位碳上的电荷密度,上的电荷密度,屏蔽增加屏蔽增加;NH2CNabcdabcd 128.5 a147.7,b116.1 a112.5,b132.0 c129.8,d119.0 c129.0,d132.8第25页,此课件共71页哦(c)在)在不饱和不饱和羰基化合物和具有羰基化合物和具有孤对电子孤对电子的取代基系统中的取代基系统中,这些基团使羰基碳正电荷分散,使其共振向高
16、场位移(化学,这些基团使羰基碳正电荷分散,使其共振向高场位移(化学位移值小的方向)。位移值小的方向)。-CHO -CO-CH3 COOH CONH2 -COCl -COBr c=O 201 204 177 172 170 167OOO c=O 201.5 192.4 190.7第26页,此课件共71页哦(4)空间效应空间效应 化学位移对分子的几何形状非常敏感,相隔几个键的碳,化学位移对分子的几何形状非常敏感,相隔几个键的碳,如果它们空间非常靠近,则互相发生强烈的影响,这种短程如果它们空间非常靠近,则互相发生强烈的影响,这种短程的非成键的相互作用叫空间效应。的非成键的相互作用叫空间效应。COCH
17、3CH3OCCOCH3CH3CH3CH3 C=195.7 C=199.0 C=205.5第27页,此课件共71页哦(5)重原子效应重原子效应 大多数电负性基团的作用主要是去屏蔽的诱导效应。但大多数电负性基团的作用主要是去屏蔽的诱导效应。但对于较重的卤素,除了诱导效应外,还存在一种所谓对于较重的卤素,除了诱导效应外,还存在一种所谓“重重原子原子”效应。随着原子序数的增加,抗磁屏蔽增大,这是效应。随着原子序数的增加,抗磁屏蔽增大,这是因为重原子的核外电子数增多,便因为重原子的核外电子数增多,便抗磁屏蔽项增加抗磁屏蔽项增加而产生而产生的。的。第28页,此课件共71页哦 这主要是由于诱导效应引起的去屏
18、蔽作用和重原子效应的屏蔽作用的这主要是由于诱导效应引起的去屏蔽作用和重原子效应的屏蔽作用的综合作用结果。对于碘化物,随着综合作用结果。对于碘化物,随着n的增大,表现出屏蔽作用。的增大,表现出屏蔽作用。卤代甲烷中碳的卤代甲烷中碳的 c值值化合物化合物ClBrICH3XCH2X2CHX3CX425.154.277.796.710.221.612.3-28.5-20.5-53.8-139.7-292.3第29页,此课件共71页哦(6)分子内氢键分子内氢键 邻羟基苯甲醛及邻羟基苯乙酮中分子内氢键的形成,使羰邻羟基苯甲醛及邻羟基苯乙酮中分子内氢键的形成,使羰基碳基碳去屏蔽去屏蔽,c增大。增大。c=O 1
19、91.5 196.9 195.7 204.1OOOOHOOH第30页,此课件共71页哦(7)介质位移介质位移 介质对介质对 c有一定的影响,但一般比较小。介质位移主要是有一定的影响,但一般比较小。介质位移主要是:稀释稀释位移,溶剂位移和位移,溶剂位移和PH位移。介质位移。介质PH值对胺、羧酸盐、氨基值对胺、羧酸盐、氨基酸等化合物有影响。酸等化合物有影响。(8)位移试剂位移试剂 稀土元素如稀土元素如Eu(II)、Pr(II)、Yb(II)的络合物常用作位移试剂的络合物常用作位移试剂。这些位移试剂加入试样后,由于稀土元素离子的孤对电子与。这些位移试剂加入试样后,由于稀土元素离子的孤对电子与试样中的
20、极性基团如试样中的极性基团如-OH、-NH2、-SH、-COOH、C=O等作等作用,使样品的用,使样品的 c产生诱导的、附加的化学位移,可以把谱带拉产生诱导的、附加的化学位移,可以把谱带拉开。开。第31页,此课件共71页哦13C-NMR中的中的 C与诸多因素有关,主要是杂化轨道状态和化与诸多因素有关,主要是杂化轨道状态和化学环境。学环境。sp3-C在在-2.560ppm,sp2-C在在100165 ppm,sp-C在在7090ppm。各类碳的化学位移顺序与氢谱中各类碳上对应质子的化学位移顺各类碳的化学位移顺序与氢谱中各类碳上对应质子的化学位移顺序有很好的一致性。序有很好的一致性。若氢质子在高场
21、,则该质子连接的碳也在高场;反之,若氢质子若氢质子在高场,则该质子连接的碳也在高场;反之,若氢质子在低场,则该质子连接的碳也在低场。在低场,则该质子连接的碳也在低场。三、各类化合物的化学位移三、各类化合物的化学位移第32页,此课件共71页哦第33页,此课件共71页哦1、烷烃、烷烃 在直链烷烃中每一个碳的在直链烷烃中每一个碳的 C与它直接相连的碳原子数和相近与它直接相连的碳原子数和相近的碳原子有关。的碳原子有关。(1)饱和碳的)饱和碳的 C在在-2.660ppm。其中。其中CH4屏蔽最大,屏蔽最大,C 在在-2.6 ppm。(2)长链烷烃中,末端)长链烷烃中,末端CH3的的 C为为1314ppm
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