核磁共振波谱法 (3)课件.ppt
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1、关于核磁共振波谱法(3)第1页,此课件共83页哦第一节第一节 核磁共振基本原理核磁共振基本原理 用无线电频率区域的电磁波照射分子,它们会吸收某频率的能量,产用无线电频率区域的电磁波照射分子,它们会吸收某频率的能量,产生原子核的自旋能级跃迁,使原子核从低能态跃迁到高能态,产生核磁共生原子核的自旋能级跃迁,使原子核从低能态跃迁到高能态,产生核磁共振信号,即产生振信号,即产生核磁共振核磁共振(NMR),吸收信号的强度对照射频率(或磁场,吸收信号的强度对照射频率(或磁场强度)作图即为核磁共振波谱图。利用核磁共振波谱进行结构测定、定强度)作图即为核磁共振波谱图。利用核磁共振波谱进行结构测定、定性及定量分
2、析的方法,称为性及定量分析的方法,称为核磁共振波谱法。核磁共振波谱法。第2页,此课件共83页哦一、一、原子核的自旋原子核的自旋 若原子核存在自旋,产生核磁矩:若原子核存在自旋,产生核磁矩:自旋角动量:自旋角动量:I:自旋量子数;h:普朗克常数;核磁子=eh/2M c;自旋量子数(自旋量子数(I)不为零的核都具有磁矩,原子的不为零的核都具有磁矩,原子的自旋情况可以用(自旋情况可以用(I)表征:表征:质量数质量数 原子序数原子序数 自旋量子数自旋量子数I I偶数偶数 偶数偶数 0 0偶数偶数 奇数奇数 1 1,2 2,3 3.奇数奇数 奇数或偶数奇数或偶数 1/2 1/2;3/23/2;5/25/
3、2.(1)2hPI IP核核 磁磁 矩:矩:第3页,此课件共83页哦讨论讨论:(1)I=0 的原子核的原子核 O(16);C(12););S(22)等等,无自旋,没有磁矩,不产生共振吸收。无自旋,没有磁矩,不产生共振吸收。(2)I=1 或或 I 0的原子核的原子核 I=1 :2H,14N I=3/2:11B,35Cl,79Br,81Br I=5/2:17O,127I 这类原子核的核电荷分布可看作一个椭圆体,电荷分布不均这类原子核的核电荷分布可看作一个椭圆体,电荷分布不均匀,共振吸收复杂,研究应用较少;匀,共振吸收复杂,研究应用较少;(3)1/2的原子核的原子核 1H,13C,19F,31P 原
4、子核可看作核电荷均匀分布的球体,并象陀螺一样自旋,有磁矩产原子核可看作核电荷均匀分布的球体,并象陀螺一样自旋,有磁矩产生,是核磁共振研究的主要对象,生,是核磁共振研究的主要对象,C,H也是有机化合物的主要组成元素也是有机化合物的主要组成元素。第4页,此课件共83页哦二、二、核磁共振现象核磁共振现象 自旋量子数自旋量子数 I=1/2的原子核(氢的原子核(氢核),可当作电荷均匀分布的球核),可当作电荷均匀分布的球体,绕自旋轴转动时,产生磁场体,绕自旋轴转动时,产生磁场,类似一个小磁铁。,类似一个小磁铁。当置于外加磁场当置于外加磁场H0中时,中时,相对于外磁场,可以有(相对于外磁场,可以有(2I+1
5、)种取向:种取向:氢核(氢核(I=1/2),),两种取向(两种取向(两个能级):两个能级):(1)与外磁场平行,能量低,磁量与外磁场平行,能量低,磁量子数子数1/2;(2)与外磁场相反,能量高,与外磁场相反,能量高,磁量子数磁量子数1/2;第5页,此课件共83页哦 两种取向不完全与外磁场平行,两种取向不完全与外磁场平行,5424 和和 125 36 相互作用相互作用,产生进动产生进动(拉莫进动拉莫进动)进动进动频率频率 0;角速度角速度 0;0=2 0=H0 磁旋比;磁旋比;H0外磁场强度;外磁场强度;两种进动取向不同的氢核之间的两种进动取向不同的氢核之间的能级差:能级差:E=H0(磁矩)磁矩
6、)第6页,此课件共83页哦三、核磁共振条件三、核磁共振条件 在外磁场中,原子核能级在外磁场中,原子核能级产生裂分,由低能级向高能级产生裂分,由低能级向高能级跃迁,需要吸收能量。跃迁,需要吸收能量。能级量子化。射频振荡线圈产能级量子化。射频振荡线圈产生电磁波。生电磁波。对于氢核,能级差:对于氢核,能级差:E=H0 (磁矩)磁矩)产生共振需吸收的能量:产生共振需吸收的能量:E=H0=h 0由拉莫进动方程:由拉莫进动方程:0=2 0=H0 ;共振条件:共振条件:0=H0/(2 )第7页,此课件共83页哦(1)核有自旋核有自旋(磁性核磁性核)(2)外磁场外磁场,能级裂分能级裂分;(3)照射频率与外磁场
7、的比值照射频率与外磁场的比值 0/H0=/(2 )第8页,此课件共83页哦讨论讨论:共振条件:共振条件:0=H0/(2 )(1)对于同一种核)对于同一种核,磁旋比,磁旋比 为定值,为定值,H0变,射频频率变,射频频率 变。变。(2)不同原子核,磁旋比)不同原子核,磁旋比 不同,产生共振的条件不同,需要的磁不同,产生共振的条件不同,需要的磁场强度场强度H0和射频频率和射频频率 不同。不同。(3)固定固定H0,改变,改变(扫频)(扫频),不同原子核在不同频率处发生共振(,不同原子核在不同频率处发生共振(图)。也可固定图)。也可固定 ,改变,改变H0(扫场)。扫场方式应用较多。(扫场)。扫场方式应用
8、较多。氢核(氢核(1H):):1.409 T 共振频率共振频率 60 MHz 2.305 T 共振频率共振频率 100 MHz 磁场强度磁场强度H0的单位:的单位:1高斯(高斯(GS)=10-4 T(特拉斯)特拉斯)第9页,此课件共83页哦讨论讨论:在在1950年,年,Proctor等人研究发现:质子的共振频率与其结构(化学等人研究发现:质子的共振频率与其结构(化学环境)有关。在高分辨率下,吸收峰产生化学位移和裂分,如右图所示。环境)有关。在高分辨率下,吸收峰产生化学位移和裂分,如右图所示。由有机化合物的核磁共振图,可获得质子所处化学环境的信息由有机化合物的核磁共振图,可获得质子所处化学环境的
9、信息,进一步确定化合物结构。,进一步确定化合物结构。第10页,此课件共83页哦四、弛豫过程四、弛豫过程由高能态返回到低能态,由不平衡状态恢复到平衡状态而不发射原由高能态返回到低能态,由不平衡状态恢复到平衡状态而不发射原来所吸收的能量的过程称为弛豫过程。来所吸收的能量的过程称为弛豫过程。自旋自旋-晶格弛豫晶格弛豫指的是处于高能态的氢核将能量转移给周围的分子指的是处于高能态的氢核将能量转移给周围的分子(固体为晶格,液固体为晶格,液体则为周围的溶剂分子或同类分子体则为周围的溶剂分子或同类分子)变成热运动,氢核就回到低能态。变成热运动,氢核就回到低能态。于是对于所有的氢核而言,总的能量是下降了,故又称
10、之为纵向弛豫。于是对于所有的氢核而言,总的能量是下降了,故又称之为纵向弛豫。自旋自旋-自旋弛豫自旋弛豫指的是两个进动频率相同、进动取向不同的同种磁性核,在一定距离内指的是两个进动频率相同、进动取向不同的同种磁性核,在一定距离内时会互相交换能量,改变进动方向,这就是自旋时会互相交换能量,改变进动方向,这就是自旋-自旋弛豫,也称横向驰自旋弛豫,也称横向驰豫。豫。第11页,此课件共83页哦一、连续波核磁共振波谱仪一、连续波核磁共振波谱仪第二节第二节 核磁共振波谱仪核磁共振波谱仪1永久磁铁永久磁铁:提供外磁场,要求提供外磁场,要求稳定性好,均匀,不均匀性小于六稳定性好,均匀,不均匀性小于六千万分之一。
11、扫场线圈。千万分之一。扫场线圈。2 射频振荡器射频振荡器:线圈垂直于外线圈垂直于外磁场,发射一定频率的电磁辐射信磁场,发射一定频率的电磁辐射信号。号。60MHz或或100MHz。3 射频信号接受器射频信号接受器(检测器):(检测器):当质子的进动频率与辐射频率相匹当质子的进动频率与辐射频率相匹配时,发生能级跃迁,吸收能量,配时,发生能级跃迁,吸收能量,在感应线圈中产生毫伏级信号。在感应线圈中产生毫伏级信号。4样品管样品管:外径外径5mm的玻璃管的玻璃管,测测量过程中旋转量过程中旋转,磁场作用均匀。磁场作用均匀。第12页,此课件共83页哦二、脉冲傅里叶变换核磁共振波谱仪二、脉冲傅里叶变换核磁共振
12、波谱仪脉冲傅里叶变换核磁共振波谱仪不是用扫场或扫频的方式来采集不同化学脉冲傅里叶变换核磁共振波谱仪不是用扫场或扫频的方式来采集不同化学环境的磁核的共振信号,而是环境的磁核的共振信号,而是采用在外磁场保持不变条件下,使用一个强采用在外磁场保持不变条件下,使用一个强而短的射频脉冲照射样品,这个射频脉冲中包括所有不同化学环境的同类而短的射频脉冲照射样品,这个射频脉冲中包括所有不同化学环境的同类磁核的共振频率,这样在给定的谱宽范围内所有的氢核(不同化学环境)磁核的共振频率,这样在给定的谱宽范围内所有的氢核(不同化学环境)都被激发而跃迁。都被激发而跃迁。低能态跃迁到高能态后弛豫逐步恢复波尔兹曼平低能态跃
13、迁到高能态后弛豫逐步恢复波尔兹曼平衡。这时在感应线圈中可接收到一个随时间衰减的信号,称为自由衡。这时在感应线圈中可接收到一个随时间衰减的信号,称为自由感应衰减信号感应衰减信号FID,在,在FID信号中包含了各个激发核的时间域上的波信号中包含了各个激发核的时间域上的波谱信号,经快速傅里叶变换后得到频域上的谱图,这就是常见的谱信号,经快速傅里叶变换后得到频域上的谱图,这就是常见的NMR谱。谱。第13页,此课件共83页哦第三节第三节 化学位移和核磁共振图谱化学位移和核磁共振图谱要想实现核磁共振,必须把磁性核放到外加磁场中,且射频电磁波要想实现核磁共振,必须把磁性核放到外加磁场中,且射频电磁波频率要等
14、于核的进动频率即满足于:频率要等于核的进动频率即满足于:002vH一、屏蔽效应与屏蔽常数一、屏蔽效应与屏蔽常数原子外层带有电子,当氢核置于外加磁场中,外层电子会产生环形电流,进原子外层带有电子,当氢核置于外加磁场中,外层电子会产生环形电流,进而产生一个与外加磁场相反的感应磁场。这种对抗外磁场的作用成为屏蔽效而产生一个与外加磁场相反的感应磁场。这种对抗外磁场的作用成为屏蔽效应。屏蔽作用的大小与核外电子云密度有关,用屏蔽常数应。屏蔽作用的大小与核外电子云密度有关,用屏蔽常数表示。电子云密表示。电子云密度愈大,屏蔽作用也愈大,共振时所需的外加磁场强度也愈强,而电度愈大,屏蔽作用也愈大,共振时所需的外
15、加磁场强度也愈强,而电子云密度又和氢核所处的化学环境(也就是分子的结构特征)有关。子云密度又和氢核所处的化学环境(也就是分子的结构特征)有关。第14页,此课件共83页哦当氢核处于外磁场当氢核处于外磁场H0中时,在中时,在H0的作用下电子的绕核运动将会产生的作用下电子的绕核运动将会产生感应磁场感应磁场H,H的方向与外加磁场的方向与外加磁场H0相反,因而核外电子云产生感应相反,因而核外电子云产生感应磁场磁场H起到了对起到了对H0的抗磁作用。那么氢核实际所受的场强的抗磁作用。那么氢核实际所受的场强H为:为:0HHH 那么相对应的实际使氢核产生共振所需频率也要相应变化,即:那么相对应的实际使氢核产生共
16、振所需频率也要相应变化,即:0(1)2H若固定射频频率,由于电子的屏蔽效应,则必须增加外磁场强度若固定射频频率,由于电子的屏蔽效应,则必须增加外磁场强度才能达到共振条件;若固定外磁场强度,则需要降低射频频率才才能达到共振条件;若固定外磁场强度,则需要降低射频频率才能达到共振条件。能达到共振条件。第15页,此课件共83页哦二、化学位移二、化学位移 理想化的、裸露的氢核;满足共振条件:理想化的、裸露的氢核;满足共振条件:0=H0/(2 )产生单一的吸收峰;产生单一的吸收峰;实际上,氢核受周围不断运动着的电子影响。在外磁场作用下,运动着的实际上,氢核受周围不断运动着的电子影响。在外磁场作用下,运动着
17、的电子产生相对于外磁场方向的感应磁场,起到屏蔽作用,使氢核实际受到的外电子产生相对于外磁场方向的感应磁场,起到屏蔽作用,使氢核实际受到的外磁场作用减小:磁场作用减小:H=(1-)H0 :屏蔽常数。屏蔽常数。越大,屏蔽效应越大。越大,屏蔽效应越大。0=/(2 )(1-)H0 由于屏蔽作用的存在,氢核产生共振需要更大的外磁场强度(相对由于屏蔽作用的存在,氢核产生共振需要更大的外磁场强度(相对于裸露的氢核),来抵消屏蔽影响。于裸露的氢核),来抵消屏蔽影响。第16页,此课件共83页哦化学位移:化学位移:0=/(2 )(1-)H0 由于屏蔽作用的存在,氢核产生共振需要更由于屏蔽作用的存在,氢核产生共振需
18、要更大的外磁场强度(相对于裸露的氢核),来抵消大的外磁场强度(相对于裸露的氢核),来抵消屏蔽影响。屏蔽影响。在有机化合物中,各种氢核在有机化合物中,各种氢核 周围的电子云密度不同(结构中周围的电子云密度不同(结构中不同位置)共振频率有差异,即不同位置)共振频率有差异,即引起共振吸收峰的位移,这种现引起共振吸收峰的位移,这种现象称为象称为化学位移。化学位移。第17页,此课件共83页哦三、化学位移的表示方法三、化学位移的表示方法1 1位移的标准位移的标准没有完全裸露的氢核,没有绝对没有完全裸露的氢核,没有绝对的标准。的标准。相对标准:相对标准:四甲基硅烷四甲基硅烷Si(CH3)4 (TMS)()(
19、内标)内标)位移常数位移常数 TMS=02 2为什么用为什么用TMSTMS作为基准作为基准?(1)12个氢处于完全相同的化学环境,只产生一个尖峰;个氢处于完全相同的化学环境,只产生一个尖峰;(2)屏蔽强烈,位移最大。与有机化合物中的质子峰不重迭;)屏蔽强烈,位移最大。与有机化合物中的质子峰不重迭;(3)化学惰性;易溶于有机溶剂;沸点低,易回收。)化学惰性;易溶于有机溶剂;沸点低,易回收。第18页,此课件共83页哦位移的表示方法位移的表示方法 与裸露的氢核相比,与裸露的氢核相比,TMS的化的化学位移最大,但规定学位移最大,但规定 TMS=0,其其他种类氢核的位移为负值,负号不他种类氢核的位移为负
20、值,负号不加。加。=(样样-TMS)/TMS 106 (ppm)小,屏蔽强,共振需要的小,屏蔽强,共振需要的磁场强度大,在高场出现,图右侧磁场强度大,在高场出现,图右侧;大,屏蔽弱,共振需要大,屏蔽弱,共振需要的磁场强度小,在低场出现,的磁场强度小,在低场出现,图左侧;图左侧;第19页,此课件共83页哦常见结构单元化学位移范围常见结构单元化学位移范围0123456789101112131415化学位移HCCHCOHCOOHH3CO3.7H3CN3.0H3CC2.1OH3CC1.8CH3CC0.9(ppm)第20页,此课件共83页哦6624010460 1066400104100 10例例13-
21、1 在在60MHz的仪器上,某化合物的质子共振率与的仪器上,某化合物的质子共振率与TMS的频率差的频率差值为值为240Hz,求其化学位移,求其化学位移;如在;如在100MHz的仪器上测定,其与的仪器上测定,其与TMS差值为差值为400Hz,求其化学位移,求其化学位移。解:解:60MHz时时 100MHz时时 结论:结论:不同仪器测定同一化合物,其化学位移不同仪器测定同一化合物,其化学位移值相同,并且不受值相同,并且不受外磁场的影响。外磁场的影响。第21页,此课件共83页哦四、影响化学位移的因素四、影响化学位移的因素 1.1.电负性电负性 与质子相连元素的电负性越强,与质子相连元素的电负性越强,
22、吸电子作用越强,价电子偏离质子吸电子作用越强,价电子偏离质子,屏蔽作用减弱,信号峰在低场出,屏蔽作用减弱,信号峰在低场出现。现。-CH3,=1.62.0,高场;高场;-CH2I,=3.0 3.5,-O-H,-C-H,大大 小小低场低场 高场高场第22页,此课件共83页哦目标氢核相连的元素电负性越大,氢核的化学位移也越大。电负性还有加目标氢核相连的元素电负性越大,氢核的化学位移也越大。电负性还有加和性,目标氢核相连的较大电负性原子越多,氢核化学位移也越大。和性,目标氢核相连的较大电负性原子越多,氢核化学位移也越大。第23页,此课件共83页哦2.共轭效应共轭效应共轭效应同样会使电子云的密度发生变化
23、。如苯环上的氢被共轭效应同样会使电子云的密度发生变化。如苯环上的氢被推电推电子基子基(如(如CH3O)取代,由于)取代,由于p-共轭,共轭,使苯环的电子云密度增大,使苯环的电子云密度增大,值高场位移;值高场位移;拉电子基拉电子基(如(如CO,NO2等)取代,由于等)取代,由于-共轭,共轭,使使苯环的电子云密度降低,苯环的电子云密度降低,值低场位移。值低场位移。OCH36.817.116.86 7.278.217.457.66NO2第24页,此课件共83页哦3.磁的各向异性磁的各向异性磁各向异性是指化学键磁各向异性是指化学键(尤其是尤其是键键)在外磁场作用下,环电流所产在外磁场作用下,环电流所产
24、生的感应磁场,其强度和方向在化学键周围具各向异性,使在分生的感应磁场,其强度和方向在化学键周围具各向异性,使在分子中所处空间位置不同的质子,受到的屏蔽作用不同的现象。子中所处空间位置不同的质子,受到的屏蔽作用不同的现象。叁键叁键CC碳碳叁键的碳碳叁键的电子以键轴为中心呈对称分布,在外磁场电子以键轴为中心呈对称分布,在外磁场H0的诱导作用下的诱导作用下,形成围绕键轴的电子环流。此环流所产生的感应磁场,形成围绕键轴的电子环流。此环流所产生的感应磁场H使处在使处在键轴方向上下的质子受屏蔽,键轴方向上下的质子受屏蔽,H与与H0反向,使氢核实际所受反向,使氢核实际所受H减小,减小,1H核共振频率变小,核
25、共振频率变小,向高场移动。向高场移动。第25页,此课件共83页哦 双键双键CC、CO双键中的双键中的电子云,在外磁场电子云,在外磁场H0作用下产生环流进而产生作用下产生环流进而产生感应磁场。在双键平面上的质子周围,感应磁场的方向与外磁场相同而产生感应磁场。在双键平面上的质子周围,感应磁场的方向与外磁场相同而产生去屏蔽,去屏蔽,向低场位移变大。然而在双键上下方向则是屏蔽区域,向低场位移变大。然而在双键上下方向则是屏蔽区域,因而处在此区域的质子共振信号将向高场位移。因而处在此区域的质子共振信号将向高场位移。第26页,此课件共83页哦 苯环苯环苯环可视为三个共轭双键,它的电子云可看作是上下两个面包圈
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