桂林碳化硅项目投资计划书范文.docx
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1、泓域咨询/桂林碳化硅项目投资计划书桂林碳化硅项目投资计划书xx(集团)有限公司报告说明SiC二极管方案可实现效率提升及输出功率增加。根据英飞凌,在48kHz下,采用SiC二极管替代Si二极管,可显著降低损耗从而提升0.8%的充电效率,可实现最多80%输出功率的提升。根据谨慎财务估算,项目总投资16390.55万元,其中:建设投资13591.29万元,占项目总投资的82.92%;建设期利息191.39万元,占项目总投资的1.17%;流动资金2607.87万元,占项目总投资的15.91%。项目正常运营每年营业收入31200.00万元,综合总成本费用26247.77万元,净利润3606.10万元,财
2、务内部收益率16.22%,财务净现值3846.18万元,全部投资回收期6.14年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。综上所述,本项目能够充分利用现有设施,属于投资合理、见效快、回报高项目;拟建项目交通条件好;供电供水条件好,因而其建设条件有明显优势。项目符合国家产业发展的战略思想,有利于行业结构调整。本报告基于可信的公开资料,参考行业研究模型,旨在对项目进行合理的逻辑分析研究。本报告仅作为投资参考或作为参考范文模板用途。目录第一章 行业、市场分析9一、 新能源汽车:800V架构下的甜蜜时刻,SiC渗透的核心驱动力9二、 衬底:碳化硅产业链最关键环节,技术壁垒较高
3、10三、 碳化硅材料:全球加速扩产“跑马圈地”,关注稀缺的有效产能12第二章 项目绪论15一、 项目概述15二、 项目提出的理由17三、 项目总投资及资金构成17四、 资金筹措方案18五、 项目预期经济效益规划目标18六、 项目建设进度规划18七、 环境影响18八、 报告编制依据和原则19九、 研究范围20十、 研究结论20十一、 主要经济指标一览表21主要经济指标一览表21第三章 项目背景分析23一、 射频:5G推动GaN-on-SiC需求提升23二、 工控:SiC模块有望在轨交、智能电网、风电等领域实现全方位渗透23三、 高水平推进开放合作,为服务构建新发展格局提供强大动力24四、 激发企
4、业创新活力25第四章 建设内容与产品方案26一、 建设规模及主要建设内容26二、 产品规划方案及生产纲领26产品规划方案一览表27第五章 建筑工程方案28一、 项目工程设计总体要求28二、 建设方案30三、 建筑工程建设指标31建筑工程投资一览表32第六章 发展规划分析34一、 公司发展规划34二、 保障措施35第七章 运营模式分析38一、 公司经营宗旨38二、 公司的目标、主要职责38三、 各部门职责及权限39四、 财务会计制度42第八章 法人治理结构46一、 股东权利及义务46二、 董事48三、 高级管理人员53四、 监事55第九章 进度计划57一、 项目进度安排57项目实施进度计划一览表
5、57二、 项目实施保障措施58第十章 原辅材料及成品分析59一、 项目建设期原辅材料供应情况59二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理59第十一章 项目节能分析61一、 项目节能概述61二、 能源消费种类和数量分析62能耗分析一览表62三、 项目节能措施63四、 节能综合评价64第十二章 组织机构及人力资源66一、 人力资源配置66劳动定员一览表66二、 员工技能培训66第十三章 项目环境保护69一、 环境保护综述69二、 建设期大气环境影响分析70三、 建设期水环境影响分析71四、 建设期固体废弃物环境影响分析72五、 建设期声环境影响分析72六、 环境影响综合评价73第十四章 投资计划74
6、一、 投资估算的编制说明74二、 建设投资估算74建设投资估算表76三、 建设期利息76建设期利息估算表77四、 流动资金78流动资金估算表78五、 项目总投资79总投资及构成一览表79六、 资金筹措与投资计划80项目投资计划与资金筹措一览表81第十五章 经济收益分析83一、 经济评价财务测算83营业收入、税金及附加和增值税估算表83综合总成本费用估算表84固定资产折旧费估算表85无形资产和其他资产摊销估算表86利润及利润分配表88二、 项目盈利能力分析88项目投资现金流量表90三、 偿债能力分析91借款还本付息计划表92第十六章 风险分析94一、 项目风险分析94二、 项目风险对策96第十七
7、章 项目综合评价说明98第十八章 附表附件100主要经济指标一览表100建设投资估算表101建设期利息估算表102固定资产投资估算表103流动资金估算表104总投资及构成一览表105项目投资计划与资金筹措一览表106营业收入、税金及附加和增值税估算表107综合总成本费用估算表107利润及利润分配表108项目投资现金流量表109借款还本付息计划表111第一章 行业、市场分析一、 新能源汽车:800V架构下的甜蜜时刻,SiC渗透的核心驱动力SiC功率器件主要包括SBD、JFET、MOSFET和模块,在新能源汽车相关应用场景主要为逆变器、OBC、及直流充电桩。当前碳化硅渗透仍处于早期,主要器件类型为
8、SiC二极管,以及在高端车系应用,目前渗透率较低。未来随着:1)特斯拉、比亚迪等头部新能源车厂带来的“示范效应”,更多车企将会逐步采用SiC方案;2)碳化硅器件价格逐步下降,成本经济效益不断提升;3)800V架构时代来临,SiC在高压下较IGBT性能优势更为明显,损耗降低幅度更大。SiC在新能源车主逆变器及OBC中渗透率将快速提升。碳化硅器件在新能源汽车中应用进入快速渗透期。2018年,特斯拉Model3率先使用由意法半导体提供的SiCMOSFET,开启电动汽车使用SiC先河,随后比亚迪、保时捷、丰田等汽车制造商陆续推出应用碳化硅器件新车型。其中,在2020年比亚迪汉搭载自主研发制造的SiCM
9、OSFET控制模块,整体加速性能及续航能力均得到显著提升。2021年,碳化硅器件在新能源汽车中应用进入快速增长阶段,国内外众多车型均开始应用碳化硅器件。根据各公司公告信息,在未来几年,小鹏、捷豹、路虎、雷诺等越来越多的厂商将在其新车型中使用SiC器件,新能源汽车中应用SiC器件以提升性能、实现轻量化为大势所趋。二、 衬底:碳化硅产业链最关键环节,技术壁垒较高碳化硅衬底应用逐步成熟,主要分为导电型碳化硅衬底和半绝缘型碳化硅衬底。据工信部发布重点新材料首批次应用示范指导目录(2021年版),碳化硅衬底可分为两类,一类是具有高电阻率(电阻率105cm)的半绝缘型碳化硅衬底,经GaN外延生长可制成射频
10、器件。半绝缘型碳化硅衬底的制备过程追求“绝对纯净”,去除晶体中的各种杂质对实现碳化硅晶体本征高电阻率十分重要。另一类为低电阻率(电阻率1530mcm)的导电型碳化硅衬底,经SiC外延生长可进一步制成SiC二极管、SiCMOSFET等功率器件。导电型碳化硅衬底以良好导电性为追求目标,在PVT法下,相较半绝缘型衬底其生产难度更低,但在生产过程中,电阻率易发生分布不均情况,仍需更好扩径及掺杂控制技术。国产碳化硅衬底质量在部分参数上比肩国际龙头,但在单晶性能一致性、成品率、成本等方面仍存在不小差距。评估碳化硅衬底产品质量的核心参数主要有直径、微管密度、多型面积、电阻率范围、总厚度变化、弯曲度、翘曲度、
11、表面粗糙度等。通过比较国产碳化硅企业与海外龙头企业的产品技术参数,可以发现在产品直径、总厚度变化、电阻率、表面粗糙度等多项指标上国产4英寸和6英寸碳化硅衬底与海外厂商产品基本相同。制备器件中微管的存在可能导致器件过高的漏电流甚至器件击穿,各厂商都在致力于未来降低微管密度,部分龙头碳化硅企业如II-VI可将4-6寸产品的微管密度稳定控制在0.1cm-2以下,国内厂商的产品微管密度基本在0.5-5cm-2,存在差距。同时,国内公司在单晶性能一致性、成品率、成本等单晶质量指标方面仍存在较大差距。未来随着大尺寸产品的研发生产和中小尺寸碳化硅生产技艺的不断成熟,预计国产碳化硅产品种类不断丰富,产品质量将
12、比肩国际龙头企业。国内外厂商大规模扩产,但国内有效产能不足致中短期仍将维持供不应求目前全球碳化硅材料行业处于加速扩产、跑马圈地的阶段,海内外厂商均加速扩产,但应避免重复建设的问题,造成产能无序扩张。本土企业持续加大衬底投入迈进扩产步伐,投资金额超240亿元、规划年产能超420万片。中国企业呈现小而散的局面,综合Yole等第三方机构数据,2020年国内碳化硅衬底龙头厂商山东天岳和天科合达在全球市场份额合计约为8%。但受电动车、光伏等下游应用驱动,我国本土企业也开始紧追国际厂商步伐,积极投资扩产以实现衬底供应国产化。根据统计,截至21年底国内厂商对衬底环节的投资超过240亿元,规划产能超过420万
13、片/年(等效6寸),对比CASA的数据,2020年底国内衬底产能仅为25.8万片/年(等效6寸)。国内目前仅山东天岳、天科合达、三安光电、世纪金光、同光晶体、中电科材料、中科钢研等具备量产能力,且以4寸衬底为主。虽然国内企业大幅扩产,但受衬底良率及质量等因素影响,实际产能或严重不足。三、 碳化硅材料:全球加速扩产“跑马圈地”,关注稀缺的有效产能SiC衬底和外延技术壁垒较高,存在长晶速度慢、扩径难度高、杂质控制难度高等难点。目前行业处于寡头垄断局面,Wolfspeed占据全球SiC材料超过60%市场份额(根据Yole)。2020年SiC材料市场规模5.92亿美元,2025年将达29.90亿美元,
14、CAGR为38.2%。1)目前全球SiC材料处于跑马圈地阶段,海内外加速扩产,国内远期规划年产能超400万片/年,建议关注重复建设问题;2)虽然国内产能规划量很大,但是由于良率及衬底质量原因,国内有效产能仍然稀缺,尤其是导电型衬底,中长期行业能达到45%-50%毛利率,建议关注具备优质产能的龙头。碳化硅为第三代半导体材料,碳化硅器件较传统硅基器件可具备耐高压、低损耗和高频三大优势。碳化硅具备禁带宽度大、热导率高、临界击穿场强高、电子饱和漂移速率高等特点,可以满足高温、高压、高频、大功率等条件下的应用需求,广泛应用于新能源汽车、光伏、工控、射频通信等领域。SiCMOSFET较IGBT可同时具备耐
15、高压、低损耗和高频三大优势。此外,据Wolfspeed研究显示,相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比,其尺寸可大幅减少至原来的1/10。在新能源汽车方面,基于上述性能优势,碳化硅可助力新能源汽车实现轻量化及降低损耗,增加续航里程,特斯拉、比亚迪等车企已率先开始应用SiC方案。全球碳化硅市场处于高速成长阶段,25年市场规模有望较20年翻5倍。2020年全球SiC器件市场规模达11.84亿美元,预计到2025年有望增长至59.79亿美元,对应CAGR为38.2%。根据测算,在碳中和趋势下,受益于SiC在新能源汽车、光伏、风电、工控等领域的持续渗透,SiC功率器件市场规模有望从202
16、0年的2.92亿美元增长至2025年的38.58亿美元,对应CAGR为67.6%;5G、国防驱动GaN-on-SiC射频器件加速渗透,逐步取代硅基LDMOS,SiC射频器件市场规模有望从2020年的8.92亿美元增长至2025年的21.21亿美元,对应CAGR为18.9%。下游SiC功率及射频器件高速增长的需求也将带动SiC材料市场规模快速成长,预计将由2020年的5.92亿美元增长至2025年的29.90亿美元,对应CAGR为38.2%。碳化硅加速渗透的核心驱动力为新能源汽车。根据测算,2020年全球新能源汽车SiC器件及模块市场规模为2.7亿美元,预计到2025年达30.1亿美元,对应CA
17、GR为62.3%,占全球碳化硅器件市场规模将达到50%。目前应用碳化硅的包括特斯拉、比亚迪中高端车型等,主要场景为主逆变器/OBC,预计至2025年SiC渗透率有望达38/43%,其主要驱动力为1)特斯拉、比亚迪、蔚来、小鹏等头部新能源车厂的“示范效应”;2)碳化硅器件价格下降后带来系统经济效益;3)800V架构有望成为重要催化剂,1200VSiC在高压下较IGBT性能优势更为明显。衬底和外延SiC为产业链核心环节,国内有效产能不足致中短期供不应求态势。据CASAResearch数据显示,在传统硅基器件中,硅片前道处理附加价值量达到80%,衬底和外延环节仅占11%;而在碳化硅器件的成本构成中,
18、衬底和外延占比分别为50%和25%,合计达到75%,为产业链中价值量最高环节。国内厂商国产碳化硅衬底质量在部分参数上比肩国际龙头,但在单晶性能一致性、成品率、成本等方面仍存在不小差距,此外积极进行衬底迭代,开始研发8英寸衬底。Wolfspeed、ROHM等海外龙头厂商加速扩产,国内厂商远期规划年产能超过420万片。但在另一方面,受衬底良率及质量等因素影响,国内实际产能尤其是导电型衬底或严重不足,中短期内全球SiC衬底市场仍将维持供不应求的态势。第二章 项目绪论一、 项目概述(一)项目基本情况1、项目名称:桂林碳化硅项目2、承办单位名称:xx(集团)有限公司3、项目性质:技术改造4、项目建设地点
19、:xxx(待定)5、项目联系人:杨xx(二)主办单位基本情况经过多年的发展,公司拥有雄厚的技术实力,丰富的生产经营管理经验和可靠的产品质量保证体系,综合实力进一步增强。公司将继续提升供应链构建与管理、新技术新工艺新材料应用研发。集团成立至今,始终坚持以人为本、质量第一、自主创新、持续改进,以技术领先求发展的方针。公司按照“布局合理、产业协同、资源节约、生态环保”的原则,加强规划引导,推动智慧集群建设,带动形成一批产业集聚度高、创新能力强、信息化基础好、引导带动作用大的重点产业集群。加强产业集群对外合作交流,发挥产业集群在对外产能合作中的载体作用。通过建立企业跨区域交流合作机制,承担社会责任,营
20、造和谐发展环境。企业履行社会责任,既是实现经济、环境、社会可持续发展的必由之路,也是实现企业自身可持续发展的必然选择;既是顺应经济社会发展趋势的外在要求,也是提升企业可持续发展能力的内在需求;既是企业转变发展方式、实现科学发展的重要途径,也是企业国际化发展的战略需要。遵循“奉献能源、创造和谐”的企业宗旨,公司积极履行社会责任,依法经营、诚实守信,节约资源、保护环境,以人为本、构建和谐企业,回馈社会、实现价值共享,致力于实现经济、环境和社会三大责任的有机统一。公司把建立健全社会责任管理机制作为社会责任管理推进工作的基础,从制度建设、组织架构和能力建设等方面着手,建立了一套较为完善的社会责任管理机
21、制。公司满怀信心,发扬“正直、诚信、务实、创新”的企业精神和“追求卓越,回报社会” 的企业宗旨,以优良的产品服务、可靠的质量、一流的服务为客户提供更多更好的优质产品及服务。(三)项目建设选址及用地规模本期项目选址位于xxx(待定),占地面积约38.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越,交通便利,规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备,非常适宜本期项目建设。(四)产品规划方案根据项目建设规划,达产年产品规划设计方案为:xxx吨碳化硅/年。二、 项目提出的理由SiCMOSFET可简化直流充电桩AC/DC及DC/DC电路结构,减少器件数量实现充电效率提升。根据英飞凌,在DC/DC中,使用4颗120
22、0VSiCMOSFET替代8颗650V硅基MOSFET,在同样功率下,可将原来的两相全桥LLC电路简化为单相全桥LLC电路,所用器件数量减少50%,提升电路整体效率。同样在AC/DC中,使用SiCMOSFET可将三相Vienna整流器拓扑电路简化为两相结构,器件数量减少50%实现效率提升。同时,SiCMOSFET的整体损耗也更小。综上,SiC方案能使得整体充电器体积更小、功率密度更高、充电效率更高,更好的满足快充要求。三、 项目总投资及资金构成本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算,项目总投资16390.55万元,其中:建设投资13591.29万元,占项目总投资的8
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