2022年2022年集成电路命名方法 .pdf

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1、1 国外集成电路命名方法缩写字符：AMD 译名：先进微器件公司（美）器件型号举例说明AM29L509PCBAMD 首标器件编号封装形式温度范围分类L：低功耗；D：铜焊双列直插C：商用温度，没有标志的S：肖特基；（多层陶瓷）；（0-70）或为标准加工LS：低功耗肖特基；L：无引线芯片载体：（0-75）；产品，标有21：MOS 存储器；P：塑料双列直插；M：军用温度，B 的为已25：中规范（MSI）；E：扁平封装（陶瓷扁平）；（-55-125）；老化产品。26：计算机接口；X：管芯；H：商用，27：双极存储器或EPROM；A：塑料球栅阵列；（0-110）；28：MOS 存储器理；B：塑料芯片载体I

2、：工业用，29：双极微处理器；C、D：密封双列；（-40 85）；54/74：同 25；E：薄的小引线封装；N：工业用，60、61、66：模拟，双极；G：陶瓷针栅陈列；（-25 85）；79：电信；Z、Y、U、K、H：塑料K：特殊军用，80：MOS 微处理器；四面引线扁平；（-30 125）；81、82：MOS 和双极处围电路；J：塑料芯片载体（PLCC）；L：限制军用，90：MOS；L：陶瓷芯片载体（LCC）；（-55-85）91：MOS RAM：V、M：薄的四面125。92：MOS；引线扁平；93：双极逻辑存储器P、R：塑料双列；94：MOS；S：塑料小引线封装；95：MOS 外围电路；W

3、：晶片；1004：ECL存储器；也用别的厂家的符号：104：ECL存储器；P：塑料双列；PAL：可编程逻辑陈列；NS、N：塑料双列；98：EEPROM；JS、J：密封双列；99：CMOS 存储器。W：扁平；R：陶瓷芯片载体；A：陶瓷针栅陈列；NG：塑料四面引线扁平；Q、QS：陶瓷双列。名师资料总结-精品资料欢迎下载-名师精心整理-第 1 页，共 21 页 -2 缩写字符：ANA译名：模拟器件公司（美）器件型号举例说明()AD 644ASH/883BANA首标器件附加说明温度范围封装形式筛选水平AD：模拟器件编号A：第二代产品；I、J、K、L、M：D：陶瓷或金属气MIL-STD-HA：混合DI：

4、介质隔离产（0-70）；密双列封装883B 级。A/D；品；A、B、C：（多层陶瓷）；HD：混合Z：工作在+12V（-25-85）；E：芯片载体；D/A。的产品。（E：ECL）S、T、U：F：陶瓷扁平；（-55-125）。G：PGA封装（针栅阵列）；H：金属圆壳气密封装；M：金属壳双列密封计算机部件；N：塑料双列直插；Q：陶瓷浸渍双列（黑陶瓷）；CHIPS：单片的芯片。同时采用其它厂家编号出厂产品。缩字字符：BUB 译名：布尔-布朗公司（美）通用器件型号举例说明()ADC803XXXX首标器件编号通用资料温度范围封装筛选水平A：:改进参数性能；J、K、L：M：铜焊的金属壳封装；Q：高可L：自销

5、型；（0-70）；L：陶瓷芯片载体；靠产品；Z：+12V 电源工作；A、B、C：N：塑料芯片载体；/QM：HT：宽温度范围。（-25-85）；P：塑封（双列）；MIL R、S、T、V：H：铜焊的陶瓷封装STD（-55-125）。（双列）；883 产品。G：普通陶瓷（双列）；U：小引线封装。模拟器件产品型号举例说明-XXX首标器件编号温度范围封装筛选水平H、J、K、L：M：铜焊金属壳封装；Q：高可靠产品；（0-70）；P：塑封；/QM：MIL-STD-名师资料总结-精品资料欢迎下载-名师精心整理-第 2 页，共 21 页 -3 A、B、C：（-25-85）；G：陶瓷。883 产品。R、S、T、V

6、：（-55-125）。军用器件产品型号举例说明（放大器/多路转换器/ADC/VFC）OPA105 XM/XXX首标器件编号温度范围封装高可靠性等级V：（-55-125）；M：金属的；MIL-STD-883B。U：（-25-85）；L：芯片载体。W：（-55-125）。DAC的型号举例说明DAC87XXXXX/XXX首标器件编号温度范围输入代码输出MIL-STD-883B 表示V:(-55-125)；CBI：互补二进制V：电压输出；U：（-25-85）。输入；I：电流输出。COB：互补余码补偿二进制输入；CSB：互补直接二进制输入；CTC：互补的两余码输入。首标的意义：放大器转换器ADC：A/D

7、 转换器；OPA：运算放大器；ADS：有采样/保持的 A/D转换器；INA：仪用放大器；DAC：D/A 转换器；PGA：可编程控增益放大器；MPC：多路转换器；ISO：隔离放大器。PCM：音频和数字信号处理的A/D 和 D/A 转换器。模拟函数MFC：多功能转换器；SDM：系统数据模块；MPY：乘法器；SHC：采样/保持电路。DIV：除法器；LOG：对数放大器。混杂电路PWS：电源（DC/DC转换器）；PWR：电源（同上）；频率产品VFC：电压-频率转换器；REF：基准电压源；UAF：通用有源滤波器。XTR：发射机；RCV：接收机。缩写字符：CYSC译名：丝柏（CYPRESS）半导体有限公司器

8、件型号举例说明()名师资料总结-精品资料欢迎下载-名师精心整理-第 3 页，共 21 页 -4 CY7C128-45 CMB首标系列及速度封装温度范围加工器件编号B：塑料针栅阵列；C：（0-70）；B：高可靠。D：陶瓷双列；L：（-40-85）；F：扁平；M：（-55-125）。G：针栅阵列（PGA）；H：密封的 LCC（芯片载体）；J：PLCC（密封芯片载体）；K：CERPAK；L：LCC；P：塑封；Q：LCC；R：PGA；S：小引线封装（SOIC）；T：CERPAK；V：SOJ；W：CERDIP（陶瓷双列）；X：小方块（dice）；HD：密封双列；HV：密封直立双列；PF：塑料扁平单列(S

9、IP)；PS：塑料单列（SIP）；PZ：塑料 ZIP。缩写字符：FSC译名：仙童公司（美）A741TCFSC首标器件封装形式温度范围F：仙童（快捷）电路编号D：密封陶瓷双列封装C：商用温度（0-70/75）；SH：混合电路；（多层陶瓷双列）；CMOS：（-40-85）A：线性电路。E：塑料圆壳；M：军用温度（-55-125）F：密封扁平封装（陶瓷扁平）；L：MOS 电路（-55-85）；H：金属圆壳封装；混合电路（-20-85）；J：铜焊双列封装（TO-66）；V：工业用温度（-20-85），K：金属功率封装（TO-3）（-40-85）。（金属菱形）；P：塑料双列直插封装；R：密封陶瓷8 线双

10、列封装；S：混合电路金属封装（陶瓷双列，F6800 系列）；T：塑料 8 线双列直插封装；名师资料总结-精品资料欢迎下载-名师精心整理-第 4 页，共 21 页 -5 U：塑料功率封装（TO-220）；U1：塑料功率封装；W：塑封（TO-92）；SP：细长的塑料双列；SD：细长的陶瓷双列；L：陶瓷芯片载体；Q：塑料芯片载体；S：小引线封装（SOIC）。该公司与 NSC合作，专门生产数字集成电路。除原有的 54/74TTL、HTTL、STTL、LSTTL、ASTTL、ALSTTL、FAST等外，还有 CMOS的 FACT，内含 54/74AC、ACT、ACQ、ACTQ、FCT等系列。缩写字符：H

11、AS 译名：哈里斯公司（美）器件型号举例说明HM16508B2HAS 系列封装器件种类/产品温度范围音标A：模拟电路；0：芯片编号等级种类:1:(-55-200)；C：通信电路；1：陶瓷双列;COMS:2:(-55-125)；D：数字电路；1B：铜焊的陶瓷双列；A:10V 类;4:（-25-85）；F：滤波器；2：金属圆壳(TO-5);B:高速-低功耗;5：（0-75）；I：接口电路；3：环氧树脂双列;D:商用的;没标6：100%25 抽测M：存储器；4：芯片载体;的为一般产品。（小批）；V：高压模拟电路；4P：塑料芯片载体；双极:7：表示 5 温度范围PL：可编程逻辑；5：LCC混合电路A:

12、再设计,双金属的的高可靠产品；Y：多片组合电路。(陶瓷衬底);P:有功率降额选择的;8：MIL-STD-883B 产品；7：小型陶瓷双列；R:锁定输出的;9：（-40-85）；9：扁平封装。RP:有功率降额限9+：（-40-85），制的锁定输出已老化产品；没标的为一般产品.RH：抗辐射产品。产品等级:A:高速;B:甚高速;没标的为一般速度.部分器件编号：0：二极管矩阵；61：微处理器；63：CMOS ROM；64：CMOS 接口；65：CMOS RAM；66；CMOS PROM；67：COMS EPROM；76；双极 PROM；77：可编程逻辑。80C86 系列型号举例说明名师资料总结-精品资

13、料欢迎下载-名师精心整理-第 5 页，共 21 页 -6 M D 82C59A S/B 温度封装器件速度（MHz）高可靠产品C：商用（0-70）；P：塑封；编号外围电路：B：已老化，8 次冲击的I：工业用（-40-85）；D：陶瓷双列；5：5MHz；+：已老化，M：军用（-55-125）；X：芯片；空白：8MHz；工业温度等级；X：25。R：芯片载体（陶瓷）；CPU电路：/883：（-55-125）；S：塑料芯片载体。空白：5MHz；MIL-STD-883 产品。2：8MHz。微波电路产品的通用符号系列：系列：封装：A：放大器（GaAsFET）；1：32 线金属密封扁平封装；D:数字电路（Ga

14、As）；2：16 线金属密封扁平封装；F:FET(GaAs)；3：48 线金属密封扁平封装M:单片微波集成电路；P：高功率 FET（GaAs）；R：模拟电路（GaAs）；同时生产其它厂家相同型号的产品。缩写字符：INL 译名：英特希尔公司（美）器件型号举例说明ICL8038CCPD器件系列器件编号电温度范围封装外引线数符号D：混合驱动器；存储器件特（除 D、DG、G外）A：TO-237；A：8；G：混合多路FET；命名法性M：（-55125）B：塑料扁平封装B：10；ICL：线性电路；首位数表示：I：（-2085）；C：TO-220；C：12；ICM：钟表电路；6：CMOS 工艺；C：（070

15、）。D：陶瓷双列；D：14；IH：混合/模拟门；7：MOS 工艺；D、DG、G的温度E：小型 TO-8；E：16；IM：存储器；第二位数表示：范围：F：陶瓷扁平封装F：22；AD：模拟器件；1：处理单元；A：（-55125）H：TO66；I：16 G：24；DG：模拟开关；3：ROM；B：（-2085）；线（跨距为 0.6X0.7)H：42；DGM：单片模拟开关；4：接口单元；C：（070）。密封混合双列；I：28；ICH：混合电路；5：RAM；J：陶瓷浸渍双列J：32；LH：混合 IC；6：PROM；（黑瓷）；K；35；LM：线性 IC；第三、四位数表K：TO-3；L：40；MM：高压开关；

16、示：L：无引线陶瓷载体；M：48；NE：SIC 产品；芯片型号。P：塑料双列；N：18；SE：SIC 产品。S：TO-52；P：20；名师资料总结-精品资料欢迎下载-名师精心整理-第 6 页，共 21 页 -7 T：TO-5（亦是Q：2；TO-78,TO-99 R：3；TO-100）S：4；U：TO-72（亦是T：6；TO-18,TO-71）U：7；V：TO-39；V：8（引线径 0.2）；Z：TO-92；W：10（引线径 0.23）/W：大圆片；Y：8（引线径/D：芯片。0.2，4 端与壳接)；z：10（引线径 0.23，5 端与壳接）。该公司已并入HAS公司。缩写字符：MOTA 译名：摩托

17、罗拉公司（美）器件型号举例说明MC1458P首标器件编号封装MC：有封装的IC；15001599；L：陶瓷双列直插（14 或 16 线）；MCC：IC 芯片；（-55125）军用线性U：陶瓷封装；MFC：低价塑封功能电路；电路；G：金属壳 TO-5 型；MCBC：梁式引线的IC 芯片；14001499、34003499：R：金属功率型封装TO-66 型；MCB：扁平封装的梁式引线IC；（070）线性电路；K：金属功率型TO-3 封装；MCCF：倒装的线性电路；13001399、33003399：F：陶瓷扁平封装；MLM：与 NSC线性电路消费工业线性电路。T：塑封 TO-220 型；引线一致的

18、电路；P：塑封双列；MCH：密封的混合电路；P1：8 线性塑封双列直插；MHP：塑封的混合电路；P2：14 线塑料封双列直插；MCM：集成存储器；PQ：参差引线塑封双列MMS：存储器系统。（仅消费类器件）封装；SOIC：小引线双列封装。与封装标志一起的尚有：C：表示温度或性能的符号；A：表示改进型的符号。缩写符号：MPS 译名：微功耗系统公司（美）器件型号举例说明MP4136CYMPS 器件编号分档和温度范围D：陶瓷及陶瓷浸渍双列；R：SOIC（8 线）名师资料总结-精品资料欢迎下载-名师精心整理-第 7 页，共 21 页 -8 首标（用文字和J、K、L：商用/工业用N：塑封双列及TO-92；

19、S：SOIC；数字表示）温度；Y：14 线陶瓷双列；L：LCC；S、T、U：军用温度。Z：8 线陶瓷双列；G：PGA；J：TO-99 封装；Q：QFP；T：TO-52 封装；CHIP：芯片或小片。P：8 线塑封双列及PLCC；K、H、M：TO-100 型封装。同时生产其它厂家相同型号的产品。NECJ译名：日本电气公司（日）NECE日本电气公司美国电子公司（美）器件型号举例说明PD7220DNEC首标系列器件编号封装A：混合元件；A：金属壳类似TO-5 型封装；B：双极数字电路；B：陶瓷扁平封装；C：双极模拟电路；C：塑封双列；D：单极型数字电路D：陶瓷双列；（MOS）。G：塑封扁平；H：塑封单

20、列直插；J：塑封类似TO-92 型；M：芯片载体；0 V：立式的双列直插封装；L：塑料芯片载体；K：陶瓷芯片载体；E：陶瓷背的双列直插。缩写字符：NSC译名：国家半导体公司（美）器件型号举例说明LM101AF系列器件编号封装AD：模拟对数字；（用 3、4 或 5 位数字符号表示）D：玻璃/金属双列直插；AH：模拟混合；A：表示改进规范的；F：玻璃/金属扁平；AM：模拟单片；C：表示商业用的温度范围。H：TO-5（TO99，TO-100，TO-46）；CD：CMOS 数字；其中线性电路的1、2、3J：低温玻璃双列直插（黑陶瓷）；DA：数字对模拟；表示三种温度，分别为：K：TO-3（钢的）；DM：

21、数字单片；（-55125）KC：TO-3（铝的）；LF：线性 FET；（-2585）N：塑封双列直插；名师资料总结-精品资料欢迎下载-名师精心整理-第 8 页，共 21 页 -9 LH：线性混合；（070）。P：TO-202（D-40，耐热的）；LM：线性单片；S：SGS型功率双列直插；LP：线性低功耗；T：TO-220 型；LMC：CMOS 线性；W：低温玻璃扁平封装（黑瓷扁平）；LX：传感器；Z：TO-92 型；MM：MOS 单片；E：陶瓷芯片载体；TBA：线性单片；Q：塑料芯片载体；NMC：MOS 存储器。M：小引线封装；L：陶瓷芯片载体。该公司同时生产其它厂家相同型号的产品。缩写字符：

22、PHIN 译名：菲利浦公司（荷兰）器件型号举例说明MAB8400-A-DP系列温度范围器件表示两层意义封装（用两位符号表示）A：没规定范围编号第一层表示改进型；（用两位符号表示）1.数字电路用两B：（070）第二层表示封装；第一位表示封装形式：符号区别系列。C：（-55125）C：圆壳；C：圆壳封装；2.单片电路用两D：（-2570）D：陶瓷双列；D：双列直插；符号表示。E：（-2585）F：扁平封装；E：功率双列（带散热片）；第一符号：F：（-4085）P：塑料双列；F：扁平（两边引线）；S：数字电路；G：（-5585）Q：四列封装；G：扁平（四边引线）；T：模拟电路；如果器件是在别U：芯片

23、。K：菱形（TO-3 系列）；U：模拟/数字混合电路。的温度范围，可M：多列引线（双、三、四第二符号：不标，亦可标 A 列除外）；除H 表示混合电路Q：四列直插；外，其它无规定；R：功率四列（外散热片）；3.微机电路用两位符号S：单列直插；表示。T：三列直插。MA：微计算机和CPU；第二位表示封装材料：MB：位片式处理器；C：金属-陶瓷；MD：存储器有关电路；G：玻璃-陶瓷（陶瓷浸渍）；ME：其它有关电路（接M：金属；口，时钟，外围控P：塑料。制，传感器等）。（半字符以防与前符号混淆）该公司同时生产与其它厂家相同型号的产品。缩写字符：PMI 译名：精密单片公司（美）器件型号举例说明名师资料总结

24、-精品资料欢迎下载-名师精心整理-第 9 页，共 21 页 -10 DAC08EX器件系列器件电特性等级封装ADC：A/D 转换器；编号H：6 线圆壳 TO-78；AMP：测量放大器；J：8 线圆壳 TO-99；BUF：缓冲器（电压跟随器）；K：10 线圆壳 TO-100；CMP：电压比较器；P：环氧树脂双列直插；DAC：D/A 转换器；Q：16 线陶瓷双列；DMX：信号分离器；R：20 线陶瓷双列；FLT：滤波器；RC：20 线芯片载体；GAP：通用模拟信息处理器；T：28 线陶瓷双列；JAN：M38510产品；TC：28 线芯片载体；MAT：对管；V：24 线陶瓷双列；MLT：乘法器；X：

25、18 线陶瓷双列；MUX：多路转换器；Y：14 线陶瓷双列；OP：精密运算放大器；Z：8 线陶瓷双列；PKD：峰值检波器；W：40 线陶瓷双列；PM：仿制的工业规范产品；L：10 线密封扁平；REF：电压基准；M：14 线密封扁平；RPT：PCM 线转发器；N：24 线密封扁平。SMP：采样/保持放大器；SLC：用户线接口电路；SW：模拟开关；SSS：优良的仿制提高规范产品。该公司并入ANA公司。缩写字符：PRSC译名：特性半导体有限公司器件型号举例说明P74FCTXXXXX首标温度产品系列器件封装温度范围P：performance；74：（0-70）；编号P：塑料双列；C：（0-70）；P4

26、C：静态存储器；54：（-55125）J：J 型小引线塑料M：（-55125）；9：适于特殊SRAM。双列（SOJ）；MB：883C的 B级。D：陶瓷双列；C：侧面铜焊双列；L：芯片载体；S：小引线塑料双列（SOIC）；DW：600mil 陶瓷双列。名师资料总结-精品资料欢迎下载-名师精心整理-第 10 页，共 21 页 -11 缩写符号：QSI 译名：高级半导体公司器件型号举例说明QS8XXXXXXXXX首标器件编号速度封装加工8XXX：SRAM；（存取时间）P：塑料双列；没标：标准工业用7XXX：FIFO。D：陶瓷双列；（0-70）；L：陶瓷芯片载体；B：883 的SO：小引线封装双列；（

27、-55125）；Z：塑料单列(双线)(ZIP)；M：工业用Q：四面引线封装(QSOP)；（-55125）。V：(SOJ)J 型小引线双列。QSXXFCTXXXXX首标温度系列器件封装加工54：（-55 FCT：快编号P：塑料双列；没标：标准工业用125）；捷 CMOS；D：陶瓷双列；（070）；74：（070）。QST：快L：陶瓷芯片载体；B：883 的速开关。SO：小引线双列封装；（-55125）；Z：塑料 ZIP；M：工业用Q：QSOP。（-55125）。缩写字符：ZIL 译名：吉劳格公司（美）器件型号举例说明Z8400BPS首标器件编号速度封装温度范围空白：C：陶瓷；E：（-4085）；

28、2.5MHz；D：陶瓷浸渍；M：（-55125）A：4.0MHz；P：塑料；S：（070）。B：6.0MHz；Q：陶瓷四列；H：8.0MHz；R：陶瓷背的。L：低功耗的。缩写字符：RCA译名：美国无线电公司（现为GE RCA 公司）器件型号举例说明CD4070AD类型器件编号封装CA：线性电路；A：改型，代替原型；D：陶瓷双列（多层陶瓷）；CD：CMOS 数字电路；B：改型，代替A或E：塑料双列；COM：CMOS LSI；原型；EM：变形的塑料双列（有散热板）；名师资料总结-精品资料欢迎下载-名师精心整理-第 11 页，共 21 页 -12 COP：CMOS LSI；C：改型；F：陶瓷双列，烧

29、接密封；CMM：CMOS LSI；UB：不带缓冲。H：芯片；MWS：CMOS LSI；J：三层陶瓷芯片载体；LM：线性电路；K：陶瓷扁平封装；PA：门阵。L：单层陶瓷芯片载体；M：TO-220 封装（有散热板）；P：有散热板的塑料双列封装；Q：四列塑料封装；QM：变形的四列封装S：TO-5 封装（双列型）；T：TO-5 封装（标准型）；V1：TO-5 封装（射线型引线）；W：参差四列塑料封装。该公司并入Harris公司。缩写符号：SGL 译名：硅通用公司（美）器件型号举例说明SG108ATSGL 器件编号说明封装首标A：改进性能；F：扁平封装；C：缩小温度范围。J：陶瓷双列（14、16、18

30、线）；K：菱形 TO-3；L：芯片载体；M：8 线小型塑料双列；N：塑料双列（14、16 线）；P：TO-220 封装；R：TO-66（2 线、9 线金属壳）；T：TO-型（5、39、96、99、100、101 型）；W：16 线带散热片的陶瓷双列；Y：8 线陶瓷双列；S：大于 15W的功率封装。缩写字符：SGSI 译名：意大利国家半导体公司器件型号举例说明（采用欧洲共同体、PRO、ELECTRON的符号）TDA1200XX(X/X)首标器件编号封装及封装材料质量等级首位字母表示：封装：T：模拟电路；单字母表示：U：模拟/数字混合电路；C：圆壳；名师资料总结-精品资料欢迎下载-名师精心整理-第

31、 12 页，共 21 页 -13 第二位字母表示：D：双列直插；没规定含义。E：功率双列；双字母表示：F：扁平封装。FAFZ、两字母表示：GAGZ：数字电路，系列有别。首位（表示封装）：单字母表示：C：圆壳；S：单片数字电路。D：双列直插；另外的首标含义：E：功率双列（带散热板）；H：高电平逻辑；F：扁平封装；HB、HC：CMOSIC；G：四边引线扁平封装；L、LS：线性电路；K：菱形（TO-3 型）；M：MOS 电路；M：多列直插；TAA、TBA、TCA、TDA：Q：四列直插；线性控制电路。R：功率四列（带散热板）；第二位字母表示温度范围：S：单列直插；A：没规定范围，或非下列温度范围；T：

32、三列直插。B：（070）；第二位（表示封装材料）；C：（-55125）；C：金属-陶瓷；D：（-2570）；G：玻璃-陶瓷（双列）；E：（-2585）；M：金属；F：（-4085）；P：塑料。G：（-5585）。该公司与法国THOMSON公司联合组成SGS-THOMSON公司，产品型号有所变化。除采用ST首标外，还生产与别的厂家型号完全相同的产品。缩写符号：SANYO（TSAJ）译名：三洋公司（日）器件型号举例说明LA1230首标器件编号LA：双极线性电路；LB：双极数字电路；LC：CMOS 电路；LE：MNMOS 电路；LM：PMOS、NMOS 电路；STK：厚腊电路；LD：薄膜电路。缩写符

33、号：SIC 译名：西格尼蒂克公司（美）器件型号举例说明名师资料总结-精品资料欢迎下载-名师精心整理-第 13 页，共 21 页 -14 NE5534N首标器件编号封装当有第二位字母时表示温度范围：CK：芯片；表示引线数75、N、NE：（070）D：微型（SO）塑料；B：3；（075）；E：金属壳（TO-46，TO-72）C：4；55、S、SE：4 线封装；E：8；（-55125）；F：陶瓷浸渍扁平；F：10；SA：（-4085）；G：芯片载体；H：14；SU：（-2585）。H：金属壳（TO-5）J：16；8、10 线封装；K：18 I：多层陶瓷双列；L：20；K：TO-3 型；M：22；N：

34、塑料双列；N：24；P：有接地端的微型封装；Q：28；Q：多层陶瓷扁平；W：40；R：氧化铍多层陶瓷扁平；X：44；S：功率单列塑封；Y：48；W：陶瓷扁平。Z：50。同时生产与其它公司相同型号的产品。该公司并入PHIN 公司。缩写符号：SIEG 译名：西门子公司（德）器件型号举例说明（与欧共体相一致）TBB1458AGG首标温度范围器件编号改进型封装第一字母表示：A：没规定范围；首位字母表示封装形式：S：单片数字电路；B：（070）；C：圆壳；T：模拟电路；C：（-55125）D：双列直插；U：模拟/数字混合D：（-2570）；E：功率双列（带散热片）；电路。E：（-2585）；F：扁平（两

35、边引线）；第二字母，除 H F：（-4085）。G：扁平（四边引线）；表示混合电路外，K：菱形（TO-3）；其它没明确含义。M：多列引线（双、三、四列电路系列由两字母加以除外）；区分。Q：四列直插；R：功率四列（带散热片）；S：单片直插；T：三列直插。第二位字母表示封装材料：C：金属-陶瓷；G：玻璃-陶瓷（陶瓷浸渍）；名师资料总结-精品资料欢迎下载-名师精心整理-第 14 页，共 21 页 -15 M：金属；P：塑料。（半字符以防前后符号混淆）缩写符号：THEF译名：汤姆逊公司（法）器件型号举例说明（与欧共体相一致）TDB0155ADPXX/XX首标温度范围器件改封装附加资料第一字母表示：A：

36、没规定范围；编号进第一字母表示封装形式：S：数字电路；B：（070）；型C：圆形；T：模拟电路；C：（-55125）；D：双列；U：模拟/数字混D：（-2570）；E：功率双列；合电路。E：（-2585）；F：扁平（两边引线）；第二字母有A、F：（-4085）。G：扁平（四边引线）；B、C或 H。K：TO-3 型；M：多列引线（多于四排）Q：四列引线；R：功率四列引线；S：单列引线；T：三列引线；第二字母表示封装材料；B：氧化铍-陶瓷；C：陶瓷；G：玻璃-陶瓷（陶瓷浸渍）M：金属；P：塑料；X：其它。该公司与意大利SGS公司组成 SGS-THOMSON公司。产品型号有变化，除ST首标的产品外，

37、还生产与别的厂家型号完全相同的产品。老产品型号举例说明SFC2101APMTHEF/CSF的首标系列器件改封装温度范围2：线性电路；编号进D：塑料小型双列（少于10 线）；C：（070）；9：微机系列。型E：塑料双列（多于10 线）；T：（-2585）；G：陶瓷小型双列（小于10 线）；M：（-55125）。J：陶瓷浸渍双列（多于10 线）；K：陶瓷双列；P：扁平金属封装；名师资料总结-精品资料欢迎下载-名师精心整理-第 15 页，共 21 页 -16 R：菱形金属封装；U：塑料小型扁平封装；没标者为金属圆壳封装。汤姆逊公司其它部分首标的型号举例说明EF-68008 V P D 10 C 首标

38、工艺器件温度范围封装质量水平频率用户：编号L：（070）；P：塑料双列；：标准的；范围密码NMOS 或 HMOS；V：PN：塑料芯片载体；D：D 级（STD L：NMOS（-4085）。FP：小引线封装；加老化）。低功耗；R：陶瓷 PGA封装；C：CMOS；E：陶瓷芯片载体；HC：HCMOS。J：陶瓷浸渍双列；C：陶瓷双列。ET C 2716 Q 55 M B/B 首标工艺器件封装响应时间温度范围质量水平：C：陶瓷双列；：（070）；：标准的NMOS；J：陶瓷浸渍双列E：（-2585）；B/B：883B 的.C：CMOS；N：塑料双列；V：（-4085）；L：低功耗。Q：紫外线窗口陶M：（-5

39、5125）。瓷浸渍双列。MK 68901 P 00 首标器件编号封装仪表板编号MK：标准产品；P：镀金铜焊陶瓷双列；MKB：军用高可靠筛选J：陶瓷浸渍双列；883B 产品；N：塑料双列；MKI：工业用高可靠筛选K：镀锡铜焊陶瓷双列；（-4085）产品。T：有透明盖的陶瓷双列；E：陶瓷芯片载体；D：双密度 RAM/PAC；F：扁平封装。ET-68A00 C M B/B 首标工艺器件编号封装温度范围质量水平A：NMOS；C：陶瓷双列；L：（070）；B：CMOS/大部分；E：陶瓷芯片载体；V：（-4085）；G：GMOS/Si gate J：陶瓷浸渍双列；M：（-55125）。（硅栅）；FN：塑料

40、芯片载体；X：（样品）原型。P：塑料双列；R：RGA。名师资料总结-精品资料欢迎下载-名师精心整理-第 16 页，共 21 页 -17 J LM108A 1 V 芯片器件编号硅片背面质量水平大片加工：V：芯片封装前按MIL-STD-883 方法 2010 1：硅；进行 100%目检；2：镀金；N：V水平的加上批量抽样（55 封装的 IC）；3：Si-Ni-Ag。T：N水平的加上批量抽样老化（55 封装 IC）；W：T水平的加上1000 小时批量抽样寿命试验（55 封装 IC）；Z：W水平的接着试验。同时有与欧共体相同的编号。缩写符号：TI 译名：得克萨斯公司（美）器件型号举例说明TL 0728

41、 E JG 首标器件编号温度范围封装LS 183 J 首标温度范围系列器件编号封装首标符号意义AC：改进的双极电路；SN：标准的数字电路；TL：TII的线性控制电路；TIEF：跨导放大器；TIES：红外光源；TAL：LSTTL逻辑阵列；JANB：军用 B级 IC；TAT：STTL逻辑阵列；JAN38510：军用产品；TMS：MOS 存储器/微处理器；JBP：双极 PMOS 883C 产品；TM：微处理器组件；SNC：IV 马赫 3 级双极电路；TBP：双极存储器；SNJ：MIL-STD-883B 双极电路；TC：CCD摄像器件；SNM：IV 马赫 1 级电路；TCM：通信集成电路；RSN：抗辐

42、射电路；TIED：经外探测器；SBP：双极微机电路；TIL：光电电路；SMJ：MIL-STD-883B MOS电路；VM：语音存储器电路；TAC：CMOS 逻辑阵列；TIFPLA：双极扫描编程逻辑阵列；TLC：线性 CMOS电路；TIBPAL：双极可编程阵列逻辑。同时采用仿制厂家的首标。封装符号J、JT、JW、JG：陶瓷双列；PH、PQ、RC：塑料四列扁平封装；T：金属扁平封装；LP：塑料三线；D、DW：小引线封装；DB、DL：缩小的小引线封装；DBB、DGV：薄的超小型封装；DBV：小引线封装；GB：陶瓷针栅阵列；RA：陶瓷扁平封装；KA、KC、KD、KF：塑料功率封装；U：陶瓷扁平封装；P

43、：塑料双列；JD：黄铜引线框陶瓷双列；W、WA、WC、WD：陶瓷扁平封装；N、NT、NW、NE、NF：塑封双列；MC：芯片；DGG、PW：薄的再缩小的小引线封装；PAG、PAH、PCA、PCB、PM、PN、PZ：塑料薄型四列扁平封装；FH、FN、FK、FC、FD、FE、FG、FM、FP：芯片载体。名师资料总结-精品资料欢迎下载-名师精心整理-第 17 页，共 21 页 -18 数字电路系列符号GTL：Gunning Transceiver Logic；SSTL：Seris-Stub Terminated Logic；CBT：Crossbar Technology；CDC：Clock-Distr

44、ibution Circuits；ABTE：先进 BiCMOS 技术/增强收发逻辑；FB：Backplane Transceiver Logic/Futurebust；没标者为标准系列；L：低功耗系列；AC/ACT：先进 CMOS 逻辑；H：高速系列；AHC/AHCT：先进高速CMOS 逻辑；ALVC：先时低压CMOS 技术；S：肖特基二极管箝位系列；LS：低功耗肖特基系列；BCT：BiCMOS 总线-接口技术;AS：先进肖特基系列；F：F 系列（FAST）；CBT：Crossbar Technology；ALS：先进低功耗肖特基系列；HC/HCT：高速 CMOS 逻辑；LV：低压 HCMOS

45、 技术；ABT：先时 BiCMOS 技术。速度标志（MOS 电路用）15：150ns MAX取数；17：170 ns MAX 取数；20：200 ns MAX 取数；25：250 ns MAX 取数；35：350 ns MAX 取数；45：450 ns MAX 取数；2：200 ns MAX 取数；3：350 ns MAX 取数；4：450 ns MAX 取数。温度范围数字和接口电路系列：双极线性电路：MOS 电路：55、54：（-55125）；M：（-55125）；M：（-55125）；75、74：（070）；E：（-4085）；R：（-5585）；CMOS 电路 74 表示（-4085）；

46、I：（-2585）；L：（070）；76：（-4085）。C：（070）。C：（-2585）；E：（-4085）；S：（-55100）；H：（055）。缩写符号：VTC译名：VTC公司器件型号举例说明CMOS集成电路V B 74 ACT 240 P 首标附加处理温度系列器件编号封装(辅助程序)74：商用（-4085）；P：塑料双列；B：168 小时，54：军用（-55125）；PS：塑料双列（细线）；Tj=150；S：陶瓷双列；老化或等效处理；DS：陶瓷双列（细线）；J：833B 级筛选；PL：塑料芯片载体（PLCC）；R：抗辐照。DL：陶瓷芯片载体（LCC）；PO：塑料 SOIC。注：没有不

47、附加处理的。名师资料总结-精品资料欢迎下载-名师精心整理-第 18 页，共 21 页 -19 双极电路V B 空位705 D J 首标附加处理系列部分编号封装温度和特性B：168 小时，P：塑料双列；AI：工业用（-2585）；Tj=150，PS：塑料双列JR：商用（070）；老化或等效处理；（细线）；SZ：军用（-55125）。J：833B 级筛选；D：陶瓷双列；R：抗辐照。J：陶瓷双列（侧面铜焊）；T：金属壳；G：PGA；F：扁平；PL：塑料芯片载体（PLCC）；DL：陶瓷芯片载体（LCC）。注：没有不附加处理的。缩写字符：TOSJ译名：东芝公司（日）器件型号举例说明TA 7173 P 首

48、标器件编号封装TA：双极线性电路；P：塑封；TC：CMOS 电路；M：金属封装；TD：双极数字电路；C：陶瓷封装；TM：MOS 存储器及微处理器F：扁平封装；电路。T：塑料芯片载体（PLCC）；J：SOJ；D：CERDIP（陶瓷浸渍）；Z：ZIP。缩写符号：MATJ译名：松下电气公司（日）器件型号举例说明DN 74LS00 首标表示系列器件编号AN：模拟 IC；DN：双极数字IC；MJ：开发型IC；MN：MOS IC。名师资料总结-精品资料欢迎下载-名师精心整理-第 19 页，共 21 页 -20 缩写符号：HITJ 译名：日立公司（日）器件型号举例说明HA17741P首标系列/器件编号封装H

49、A：模拟电路；C（或不标的）：陶瓷双列直插封装；HD：数字电路（含RAM）；G：陶瓷浸渍双列；HM：RAM；P：塑封双列；HN：ROM；CP：塑料芯片载体；HG：ASIC。F（FP）：扁平塑料封装；SO（SOP）：小引线封装；CG：陶瓷芯片载体（8Bit微机电路）；Y（PG）：PGA（16Bit 微机电路）；Z：陶瓷芯片载体（16Bit 微机电路）；S：收缩型塑料双列。*PGA：PIN GRID ARRAY。缩写符号：IDT 译名：集成器件技术公司器件型号举例说明IDT71681LA35CB首标系列器件功耗速度封装温度范围29：MSI 逻辑电路；编号L 或 LA：P：塑料双列；没标：（070）

50、；39：有限位的微处理器低功耗；TP：塑料薄的双列；B：833B 级，和 MSI逻辑电路；S或 SA：TC：薄的双列（-55125）。49：有限位的微处理器标准功耗。（边沿铜焊）；和 MSI逻辑电路；TD：薄的陶瓷双列；54/74：MSI逻辑电路；D：陶瓷双列；61：静态 RAM；C：陶瓷铜焊双列；71：静态 RAM（专卖的）；XC：陶瓷铜焊缩小72：数字信号处理电路；的双列；79：RISC 部件；G：针栅阵列（PGA）7M/8M：子系统模块SO：塑料小引线IC；（密封的）；J：塑料芯片载体；7MP/8MP：子系统模块L：陶瓷芯片载体；（塑封）。XL：精细树脂芯片载体；ML：适中的树脂芯片载体