2022年2022年量子阱半导体激光器简述 .pdf

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1、上海大学2016 2017 学年秋 季学期研究生课程考试（论文）课程名称：半导体材料(Semiconductor Materials)课程编号：101101911论文题目:量子阱及量子阱半导体激光器简述研究生姓名:陈卓学 号:16722180 论文评语:（选题文献综述实验方案结论合理性撰写规范性不足之处）任课教师:张兆春评阅日期:课程考核成绩考核内容文献阅读、讲述与课堂讨论小论文比例7030成绩总评成绩名师资料总结-精品资料欢迎下载-名师精心整理-第 1 页，共 15 页 -量子阱及量子阱半导体激光器简述陈卓（上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系，上海200444）摘要:本文接续课堂所讲的

2、半导体激光二极管进行展开。对量子阱结构及其特性以及量子阱激光器的结构特点进行阐释。最后列举了近些年对量子阱激光器的相关研究，包括阱层设计优化、外部环境的影响（粒子辐射）、电子阻挡层的设计、生长工艺优化等。关键词：量子阱量子尺寸效应量子阱激光器工艺优化名师资料总结-精品资料欢迎下载-名师精心整理-第 2 页，共 15 页 -一、引言半导体激光器自从1962 年诞生以来，就以其优越的性能得到了极为广泛的应用1，它具有许多突出的优点：转换效率高、覆盖波段范围广、使用寿命长、可直接调制、体积小、重量轻、价格便宜、易集成等。随着新材料新结构的不断涌现和制造工艺水平的不断提高，其各方面的性能也进一步得到改

3、善，应用范围也不在再局限于信息传输和信息存储，而是逐渐渗透到材料加工、精密测量、军事、医学和生物等领域，正在迅速占领过去由气体和固体激光器所占据的市场。20 世纪 70年代的双异质结激光器、80 年代的量子阱激光器和90 年代出现的应变量子阱激光器是半导体激光器发展过程中的三个里程碑。2制作量子阱结构需要用超薄层的薄膜生长技术，如分子外延术（MBE）、金属有机化合物化学气相淀积（MOCVD）、化学束外延（CBE）和原子束外延等。3我国早在 1974年就开始设计和制造分子束外延（MBE）设备，而直到 1986 年才成功的制造出多量子阱激光器，在 1992年中科院半导体所（ISCAS）使用国产的

4、MBE 设备制成的 GRIN-SCH InGaAs/GaAs 应变多量子阱激光器室温下阈值电流为1.55mA，连续输出功率大于30mW，输出波长为 1026nm。4量子阱特别是应变量子阱材料的引入减少了载流子的一个自由度，改变了 K空间的能带结构，极大的提高了半导体激光器的性能，使垂直腔表面发射激光器成为现实，使近几年取得突破的GaN 蓝绿光激光器成为新的研究热点和新的经济增长点，并将使半导体激光器成为光子集成（PIC）和光电子集成（OEIC）的核心器件。减少载流子一个自由度的量子阱已经使半导体激光器受益匪浅，再减少一个自由度的所谓量子线（QL）以及在三维都使电子受限的所谓量子点（QD）将会使

5、半导体激光器的性能发生更大的改善，这已经受到了许多科学家的关注，成为半导体材料的前沿课题。二、量子阱的结构与特性1、态密度、量子尺寸效应与能带量子阱由交替生长两种半导体材料薄层组成的半导体超晶格产生。超晶格结构源于 60 年代末期贝尔实验室的江崎(Esaki)和朱肇祥提出超薄层晶体的量子尺寸效应。当超薄有源层材料后小于电子的德布罗意波长时，有源区就变成了势阱区，两侧的宽带系材料成为势垒区，电子和空穴沿垂直阱壁方向的运动出现量子化特点。从而使半导体能带出现了与块状半导体完全不同的形状与结构。1970年首次在 GaAs 半导体上制成了超晶格结构。江崎(Esaki)等人把超晶格分为两类：成分超晶格和

6、掺杂超晶格。理想超晶格的空间结构及两种材料的能带分布分别如图和图。名师资料总结-精品资料欢迎下载-名师精心整理-第 3 页，共 15 页 -图 1.理想超晶格空间结构图2.超晶格材料能带分布图要想弄清量子阱激光器的工作原理，必须对其结构、量子化能态、态密度分布等作深入的了解，从而弄清量子尺寸效应、粒子数反转等量子阱以及激光器工作的条件。5半导体材料中，当其吸收光子产生电子-空穴对或其电子-空穴对复合发射出光子时，都会涉及载流子跃迁的能态及载流子浓度。载流子的浓度是由半导体材料的态密度和费米能级所决定的，前者表征不同能态的数量的多少，后者表征载流子在具体能级上的占有几率。在半导体的体材料中，导带

7、中电子的态密度可以表达为，（1）式中 me*为电子的有效质量，h 为普朗克常数，E 为电子的能量。由此可见，体材料中的能态密度同能量呈抛物线的关系。在量子阱中，设 x 方向垂直势阱层，则势阱中的电子在y-z 平面上作自由运动(与体材料相同)，而在 x 方向上要受两边势垒的限制。假定势阱层的厚度为Lx，其热势垒高度为无穷大，则量子效应使得波矢kx取分立数值：，（2）式中的 m=1，2，3，是不为零的正整数。对应的能量本征值Em只能取一系列的分立值，第 m 个能级的能量 Emc为，（3）式中 mem*为导带中第 m 个能级上电子的有效质量。m=1时，E1c为导带第一个能级的能量。因此，电子能量小于

8、E1c的能态不复存在，只有那些大于E1c的能态才会存在。对应于E1c量子态的态密度为.（4）依此类推，对于其他量子态Emc也有相应的态密度表达式，因此量子阱中导带的总体态密度为，（5）2/12/3c)2(4)(EhmEexLmxk2*22x*2)(2hk2hExememmcLmmm)()()(1211cxecEEHLhmE)(1d12mcmemxEEHmLhEE）（名师资料总结-精品资料欢迎下载-名师精心整理-第 4 页，共 15 页 -式中 mem*为第 m 个能级上电子的有效质量，H(E-Emc)为 Heaviside 函数，其表达式为（6）从该式可以看出，导带中的电子的态密度呈阶梯状。同

9、样地，我们也可以用类似的方式表达价带中空穴的态密度。由于价带通常是简并的，同时存在有重空穴带和轻空穴带，其有效质量分别以mhh*和 mlh*表示。6又有量子阱中电子的运动服从薛定谔方程。如前文分析，在y-z 平面内，电子不受附加周期势的作用，与体材料中电子的运动规律相同，相应的能量表达式为，（7）其中 ky、kz分别为电子在 y 和 z 方向上的波矢，m/*是电子 y-z 平面上的有效质量。在 x 方向上，电子受到阱壁的限制，能量是量子化的，只能取一些分立的值，即2xxxnEE（nx,2,3,）.（8）所以，电子的总能量为：E=Ex+Eyz，即由于 Eyz的作用，相当于把能级En展宽为能带，称

10、为子能带。即材料能带沿 kx方向分裂为许多子能带（图 4（a）。而且态密度呈现阶梯状分布，同一子能带内态密度为常数，（图 4（b）。由图 4（b）可以看出，尽管量子阱中的电子和空穴态密度为阶梯状，其包络线依然是抛物线。在该图中还可以看到多个子带，对于第一个子带来说，其态密度都是一个常数。正是载流子二维运动的这种特性有效地改变了其能态密度和载流子的分布，因而有效地改进了量子阱中载流子的辐射复合效率。01)mcEH(E,mcmcEEEE)2/()(*/222yzmkkEzyLH Electron)(EE HH nx=3 nx=2 nx=1 nx=1 nx=2 nx=3 Eg-qEg-bHH1HL1

11、HH2k/E HH3名师资料总结-精品资料欢迎下载-名师精心整理-第 5 页，共 15 页 -（a）（b）图 4.(a)量子阱导带和价带中子能带沿k/方向的分布：导带子能带仍是抛物线型分布，价带中子能带却与抛物线型相差很多，这是由于价带中轻重空穴带混合（mixing）所致；（b）体材料与量子阱有源材料态密度（E）对比图：量子阱中能带分裂为子能带（n1，2，），Eg-b与 Eg-q为分裂前后禁带宽度，且Eg-bEg-b，量子阱激光器的输出波长通常要小于同质的体材料激光器。(4)在导带中子能带沿k/的分布仍是抛物线型，而在价带中却远非如此，这是由于重空穴带和轻空穴带混合（mixing）并相互作用所

12、致，这使得价带的能态密度分布并不像右图所示的那样呈现阶梯状，而是使价带的能态密度增大，加剧了价带和导带能态密度的不对称，提高了阈值电流，降低了微分增益，从而使激光器的性能，这种情况要靠后面要提的应变量子阱来改善。2、粒子数反转半导体激光二极管是通过p-n 结注入载流子实现粒子数反转的。将电流通过p-n结注入到有源区，使其导带底附近的电子浓度和价带顶附近的空穴浓度远远大于平衡态时的浓度，从而实现粒子数反转。在平衡态时，我们通常用费米能级F来描述电子和空穴的分布状态。当外加电压注入电流时，可以采用 n 区和 p 区的准费米能级 Fn和 Fp来描述电子和空穴在能级E 上的占有情况，在能量为 E 处的

13、电子和空穴的占据几率分别为，（9），（10）有源区中总的自由载流子电子和空穴的浓度分别为，（11）.（12）事实上，总的自由载流子浓度应当等于平衡时载流子浓度同注入载流子浓度之和，即n=n0+n,p=p0+p。注入载流子的浓度n和 p大于平衡载流子浓度1/exp1)(KTFEEfnn1/exp11)(KTFEEfnpEEEfnd()(nn）dEEEfp)()(pp名师资料总结-精品资料欢迎下载-名师精心整理-第 6 页，共 15 页 -才可能实现粒子数反转，即 nn0，p p0。注入的电流的密度决定准费米能级的位置，因而也决定了电子和空穴的准费米能级间距Fn-Fp的大小。在体材料中，要想实现粒

14、子数反转，n 区和 p 区的准费米能级差必须大于禁带宽度：.（13）在量子阱中，带隙不再是原来体材料的带隙Eg，而应当以 Eg1代之，即，（14）则得到量子阱中粒子数反转的条件为.（15）进一步推广至量子阱中各能级，可以得出量子阱结构受激发射必须满足的条件7为.（16）3、单量子阱（SQW）和多量子阱（MQW）对光子的限制在量子阱激光器中，由于有源层厚度很小，若不采取措施，会有很大一部分光渗出。对 SQW 采取的办法是采用如图5 所示的分别限制（separated confinement heterojunction）结构，在阱层两侧配备低折射率的光限制层（即波导层）。该层的折射率分布可以是突

15、变的（如图 5（b）左图所示）也可以是渐变的（如右图），分别对应波导层带隙的突变和渐变）。图 5.（a）单量子阱激光器的禁带宽度分布；（b）分别限制单量子阱激光器（SCH-SQW）的折射率分布，左边是阶梯型（step index），右边是渐变型（grated index）（对应带隙渐变）MQW 有由多个窄带隙和宽带隙超薄层交替生长而成，在两边最外的势垒层之后再生长底折射率的波导层以限制光子，这等效于加厚了有源层，使激光器的远场特性有大幅度改善，其原理如图6 所示。gEFFpnvcg1EEE11vcgpnEEEFF1111nvmegm npnEEEFFEg厚度图 5（a）grated index

16、 GRINSCH-SQW Step-index SCH-SQW 折射率图 5（b）名师资料总结-精品资料欢迎下载-名师精心整理-第 7 页，共 15 页 -图 6.多量子阱禁带宽度及折射率随厚度分布4、应变量子阱前面提到的量子阱材料的使用大大改善了半导体激光器的性能，与含厚有源层的双异质结一样，要求组成异质结的材料之间在晶体结构和晶格常数是匹配的，否则将会造成悬挂键，对器件性能造成不利的影响。但是只要将超薄层的厚度控制在某一临界尺寸以内，存在于薄层内的应变能可通过弹性形变来释放而不产生失配位错，相反，薄层之间的晶格常数失配所造成的应力能使能带结构发生有利变化，而且，应变的引入降低了晶格匹配的要

17、求，可以在较大的范围内调整化合物材料各成分的比例。（1）压应变与张应变如图 7 所示，设结平面为x-y 平面，晶体生长方向为z 方向，阱层晶格常数为 ao，垒层晶格常数为 as，当在垒层上生长出很薄的阱层材料时，在 x-y 平面内，阱层材料的晶格常数变为a/=as，为保持晶胞体积不变，在z 方向上，阱层材料晶格常数变为 a。若 a/=asaoaoa，则阱层内产生张应变（tensile strain）总的应变可分解为纯的轴向分量和静态分量。图 7.晶格失配引起的应变（2）应变导致的材料能带变化a、先不考虑阱中的量子效应，而只考虑纯粹的应变的影响（图8）。折射率厚度E阱垒波导图 5 多量子阱禁带宽

18、度及折射率随厚ao asaa/Z（）/Energy Egcb lh so hh/kk/kk/kk(a)unstrained(b)under biaxial compression(c)under biaxialtension 名师资料总结-精品资料欢迎下载-名师精心整理-第 8 页，共 15 页 -图 8.（a）无应变时能带分布；（b）压应变下能带变化；（c）张应变下能带变化（a）静态分量将使价带整体上移h1（meV），而使价带整体下移h2（meV）（对于张应力 h10，h20）。即压应变的静态分量将使阱材料的禁带变宽，而张应变的将使其变窄。这会改变激光器的输出波长。（b）更重要的是，应变的轴

19、向分量将会使价带产生更大的变化：价带在整体移动的基础上，重空穴带和轻空穴带分离，分别上移和下移s/2（meV）（对张应力，s Eg。量子阱中首先是E1c和 E1v之间电子和空穴参与的复合，所产生的光子能量h=E1c-E1vEg，即光子能量大于材料的禁带宽度。相应地，其发射波长=1.24/(E1c-E1v)小于 Eg所对应的波长 g，即出现了波长蓝移。其次，量子阱激光器中，辐射复合主要发生在E1c和 E1v之间，这是两个能级之间电子和空穴参与的复合，不同于导带底附近和价带顶附近的电子和空穴参与的辐射复合，因而量子阱激光器的光谱的线宽明显地变窄了。第三，在量子阱激光器中,由于势阱宽度 Lx通常小于

20、电子和空穴的扩散长度Lc和 Lh，电子和空穴还未来得及扩散就被势垒限制在势阱之中，产生很高的注入效率，易于实现粒子数反转，其增益大为提高，甚至可高达两个数量级。此外，还有一个十分有趣的物理现象，即在量子阱结构中,注入载流子通过同声子的相互作用，使较高阶梯能态上的电子或空穴转移到较低能态上,从而出现“声子协助受激辐射”。可见，声子协助载流子跃迁是量子结构的一个重要特性。如果量子阱数为 m，条型宽率为 W，腔长为 L，那么量子阱激光器的阈值电流为.（17）式中 1为垂直方向的光学限制因子，也即此前所描述的光学限制因子，而 2为平行于结平面的光学限制因子，它计入了窄条宽度的影响。由于条宽有限，光场在

21、横向上会扩展至条外。分析可得，阈电流等于Jth同结面积 WL 的乘积。量子阱激光器的 Jth可降至 100A/cm2。条宽通常为 2m 或更窄，如果腔长 L1m，则 Ith仅为微安量级。这种腔长仅为 m 量级的激光器便是现今人们正在热心研究的微腔激光器。众所周知，半导体器件对温度十分灵敏，其特性常常因温度升高而变坏。在激光器中，Ith=Ithoexp(T/T0)，T0为特征温度，它越大则器件性能越稳定。对于 AlGaAs 激光器，T0通常为 120K，而 AlGaAs 量子阱激光器的 T0通常高于 160K，甚至有的高达300K。对于 InGaAsP 激光器，由于其价带的俄歇复合效应，使得电流

22、泄漏较大，通常T050K。而采用量子阱结构之后，其T0可达 150K 甚至更高。因而量子阱使 InGaAsP激光器的温度稳定性大为改善，这21i210th1ln211exp)A(0RRLamJIimWLJ名师资料总结-精品资料欢迎下载-名师精心整理-第 10 页，共 15 页 -在光纤通信等应用中至关重要。四、半导体量子阱激光器相关研究举例1、小发散角量子阱激光器半导体激光器的快轴方向发散角度由外延层的结构决定，确切地说是由波导模式确定，而波导模式又主要由波导的折射率构型决定。在降低量子阱激光垂直发散角方面，已有一些研究机构进行了尝试，研制出采用大光腔、非对称包层、非对称脊波导等结构来减小发散

23、角 11-15。在大功率情况下，目前存在的极窄波导、宽波导、模式扩展波导等结构方法，可将 LD垂直方向的发散角降低到20左右，但这时宽波导结构需要把波导层加厚到3m 左右，这在工艺实现上存在一定困难 16-17。李雅静 18 等使用三层平板波导理论分析了半导体量子阱激光器远场分布。针对大功率激光器讨论了极窄和模式扩展波导结构方法减小垂直方向远场发散角，得到了极窄波导结构量子阱激光器远场分布的简化模型，获得了垂直发散角的理论值；使用传输矩阵方法模拟了模式扩展波导结构量子阱激光器的近场光斑及远场分布，获得垂直方向远场发散角的减小值。实验测试了极窄和模式扩展波导结构量子阱激光器的垂直发散角，理论结果

24、与实验测试获得的发散角基本一致，实现了降低发散角的要求，获得了小发散角量子阱激光器。2、粒子辐射对激光器的影响量子阱激光器凭借优异的特性在卫星激光通信中发挥着作用。但是由于卫星激光通信终端面临着空间粒子辐射的影响，很有可能造成激光器性能下降，严重威胁系统的安全及寿命。因此有必要对量子阱激光器的辐射耐受性进行深入的研究。一般来说，辐射粒子与半导体相互作用主要有两种方式：一种为电离效应，其会引起靶原子电荷的激发，将会在材料中产生瞬时的扰乱和半永久性的影响，只要辐射粒子交给电子的能量大于半导体的禁带宽度，就将使价带的电子激发到导带中去，产生电子空穴对,即非平衡载流子。由于半导体中载流子是可以移动的，

25、这些非平衡载流子最终将会复合，也就是说并不能产生永久的效应。19 辐射与材料的另一种作用方式是位移效应，即入射粒子将其能量的一部分交给靶原子，一旦这个能量足够大，晶格原子将克服周围原子对其的束缚，导致其离开正常的晶格位置，形成位移缺陷，称为位移损伤。半导体激光器的首要损伤模式为位移损伤效应。为了评估辐射环境下激光器的性能的变化，马晶 20 等使用加速器对量子阱半导体激光器进行了总通量1x1016cm-2的电子辐照实验辐射实验。结果表明，在辐射环境下激光器的输出功率下降、阈值电流增加，从理论上分析了位移效应对量子阱激光器的影响，并推导了电子通量与相对闭值电流变化、相对输出功率变化的函数关系式。该

26、公式可用于预测激光器在辐射环境下的性能变化。3、量子阱激光器的高温稳定性作为 Cs 原子钟的核心部件，852nm 半导体激光器需要在高温环境下稳定工作，因此要具有良好的温度稳定性，且其波长温漂越小越好。由于有源区材料的禁带宽度、外延层材料的折射率等都会随温度发生变化，因此激射波长也会随之发生变化。其中，量子阱的禁带宽度随温度发生的变化是最主要的影响因素，所以研究激光器设计中量子阱材料的选择非常重要。目前，852nm 半导体激光器的量子阱材料主要有 AlGaAs，InGaAs，InGaAsP 等。法国的 Alcatel Thales III-V 实验室采用 InGaAsP量子阱，斜率效率达到 0

27、.9W/A，波长随温度漂移为0.26nm/，功率为 280mW 21；德国的 Ferdinand Braun 研究所采用脊形波导结构，量子阱名师资料总结-精品资料欢迎下载-名师精心整理-第 11 页，共 15 页 -采用 InGaAsP 材料，斜率效率达到1W/A，波长随温度漂移为0.25nm/，功率为 250mW 22。量子阱决定了半导体激光器的最终性能，因此精确控制及在线监测量子阱的外延生长非常重要。反射各向异性谱（ReflectanceAnisotropy Spectroscopy，RAS）已经被证明是在线监测并研究外延层组份控制和多量子阱应变影响的有力工具 23-24。徐华伟 25等设

28、计并外延生长了具有高温度稳定性的InAlGaAsAlGaAs 应变量子阱激光器，用于解决852nm 半导体激光器在高温环境下工作时的波长漂移问题。基于理论模型，计算并模拟对比了InAlGaAs，InAlGaP，InGaAs 和 GaAs量 子 阱 的 增 益 及 其 增 益 峰 值 波 长 随 温 度 的 漂 移。结 果 显 示，采 用In0.15Al0.11Ga0.74As 作为 852nm 半导体激光器的量子阱可以使器件同时具有较高的增益峰值和良好的波长温漂稳定性。使用金属有机化合物气相淀积（MOVCD）外延生长了 In0.15Al0.11Ga0.74AsAl0.3Ga0.7As 有源区，

29、通过反射各向异性谱（RAS）在线监测和 PL 谱研究了 InAlGaAsAlGaAs 界面的外延质量，实验证明了通过降低生长温度和在InAlGaAs AlGaAs 界面处使用中断时间，可以有效抑制In析出，从而获得 InAlGaAsAlGaAs 陡峭界面。最后，采用优化后的外延生长条件，研制出了 InAlGaAsAlGaAs 应变量子阱激光器。实验测试结果显示，其光谱半高宽、斜率效率、激射波长随温度漂移的理论计算结果与实验测试结果相吻合，证明器件性能满足在高温环境下工作的要求。4、电子阻挡层的设计InGaAsSb/AlGaAsSb 量子阱激光器是25m 波段的理想光源，在人体组织手术、痕量气体

30、检测以及激光雷达等领域有着重要的应用26-27。但是，高阈值电流和低特征温度一直是限制其转换效率和稳定性的主要因素28-29。Xia30等证明了有源区Auger 复合所造成的高能载流子泄漏是影响激光器阈值电流和温度敏感特性的重要因素之一。另外，电子在 p 型限制层的泄漏产生的热量会使激光器的结温迅速升高，严重影响了器件寿命。31增加阱数可以改善上述情况，但是阱数过多会增加器件的内损耗，激光器室温阈值电流也将随之变大32，器件性能反而降低。安宁33等为了降低2m InGaAsSb/AlGaAsSb 量子阱激光器的阈值电流并获得良好的温度特性，在p 型波导层及限制层之间引入AlGaAsSb 电子阻

31、挡层。采用理论计算方法模拟了电子阻挡层对InGaAsSb/AlGaAsSb LD 输出特性的影响。研究结果表明:电子阻挡层结构可有效减少2m InGaAsSb/AlGaAsSb 量子阱激光器的Auger 复合，抑制量子阱中导带电子向p 型限制层的溢出，降低器件的阈值电流，同时改善了温度敏感特性。5、垒层和阱层厚度对量子阱激光器性能的影响氮化镓(GaN)基材料被称为第三代半导体,在光电子学和微电子学领域有重要的应用价值。作为一种重要的 GaN 基光电子器件，GaN 基激光器在激光显示、激光印刷、激光照明等领域有广阔的应用前景，国际上受到极大关注。要研制出高性能的 GaN 基激光器，难度很大，不仅

32、需要高质量的材料，还需要优化的工艺制作。另外，激光器的结构非常复杂，包括限制层、波导层、有源层等，器件结构设计也非常重要，合理的结构设计能够改善器件性能。InGaN 量子阱是 GaN基激光器的有源层，也是核心区域之一。周梅34等采用 LASTIP 软件研究了 InGaN/GaN(In 组分为 15%)量子阱垒层和阱层厚度对 GaN 基蓝紫光激光器性能的影响及机理。模拟计算结果表明，当阱层太薄或太厚时，GaN 基激光器的阈值电流增加、输出功率下降，最优的阱层厚度名师资料总结-精品资料欢迎下载-名师精心整理-第 12 页，共 15 页 -为 4.0 nm 左右；当阱层厚度太薄时，载流子很容易泄漏，

33、而当阱层厚度太厚时，极化效应导致发光效率降低，研究还发现，与垒层厚度为7 nm 相比，垒层厚度为 15 nm 时激光器的阈值电流更低、输出功率更高，因此适当地增加垒层厚度能显著抑制载流子泄漏，从而改善激光器性能。五、总结本文简要介绍了量子阱结构的一些特性，尤其是其作为半导体激光器有源层的特点，包括：阱中载流子态密度的阶梯状分布、更易实现粒子数反转的条件以及对光子的限制等。还介绍了近些年对量子阱激光器的相关研究，包括阱层设计优化、外部环境的影响（粒子辐射）、电子阻挡层的设计、生长工艺优化等。名师资料总结-精品资料欢迎下载-名师精心整理-第 13 页，共 15 页 -参考文献1 刘恩科等.半导体物

34、理学(第四版).国防工业出版社,1997.2 黄德修,刘雪峰.半导体激光器及其应用.国防工业出版社,1999.5.3Peter S.Zory.Quantum Well Lasers,Jr,1993.4Zhou BingKun.An Overview of Optical Device Research in China.IEEE communications magazine.July,1993.5Gary M,ColeamanJ J.Quantumwell heterostructurelasers.In:Norman G E,William R F eds.Heterostructrues

35、 and quantum devices.Academic press,1994.215-241.6 余金中,王杏华.第六讲半导体量子阱激光器,半导体量子器件物理讲座.中国学术电子出版社,2001,30(11):717-723.7Bernard M G A,Duraffourg G.Phys.Stat.Solidi,1961,1:699.8Cook D D,Nash F R.J.Appl.Phys.,1975,46:1660.9WakaoK,Nakai K,Sanada T,et al.IEEE.J.Quantum Elevtron.1987,QE-23:943.10Bhumbra B S,G

36、lew R W,Greene P D,et al.Electron.Lett.,1990,26:1755.11Ohkubo M,Namiki S,Ijichi T,et al.0.98nm InGaAs-InGaAsP-InGaP GRIN-SCH SL-SQW laser for coupling high optical power into single-mode fiberJ.IEEE J Quantum Electronics,1993,29(6):1932-1935.12Asonen H,Ovtchinnikov A,Zhang G D,et al.Aluminum-free 98

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38、ivergence high-power 980 nm single-mode diode lasers with asymmetric epitaxial structureC.Materials and Devices for Optical and Wireless Communications,Proceedings of SPIE,2002,4905:154-156.15Temmyo J,Sugo M.Design of high-power trained InGaAs/AlGaAs quantum-well lasers with a vertical divergence an

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43、lectance anisotropy spectroscopyJ.Journal of Crystal Growth,2009,311(4):1065-1069.25徐华伟,宁永强,曾玉刚,张星,琴莉.光学精密工程,2013,21(3):590-597.26Shterengas L,Belenky G,Kisin M V,et al.High power2.4 m heavily strained type-I quantum well GaSb-based diode lasers with more than 1W of continuous wave output power and

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45、ese)28Wagner J,Mann C,Rattunde M,et al.Infrared semiconductor lasers for sensing and diagnosticsJ.Appl.Phys.A,2004,78(4):505-51229Reboul J R,Cerutti L,Rodriguez J B,et al.Continuous-wave operation above room temperature of GaSb-based laser diodes grown on SiJ.Appl.Phys.Lett.,2011,99(12):121113-1-330

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