晶体三极管输出特性曲线讲稿.ppt
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1、关于晶体三极管输出关于晶体三极管输出特性曲线特性曲线第一页,讲稿共十五页哦教学设计教学设计第二页,讲稿共十五页哦复习回顾复习回顾 当当V VBEBE大于三极管门坎电压时(大于三极管门坎电压时(硅管约硅管约0.5V,0.5V,锗管约锗管约0.2V0.2V),三极管开始导通。随),三极管开始导通。随后后I IB B在较大的范围内变动时,在较大的范围内变动时,V VBEBE变化很小,近似一个常数,此时变化很小,近似一个常数,此时V VBEBE值称为发射值称为发射结正向压降或导通电压值,硅管为结正向压降或导通电压值,硅管为0.7 V0.7 V,锗管约为,锗管约为0.3 V0.3 V。PNNNPPV V
2、BEBE与与I IB B成非线性关系成非线性关系A输输入入特特性性曲曲线线第三页,讲稿共十五页哦新知引入新知引入v 在电路维修和故障分析中,常常要根据测量的电压,判定三极管是否正常工作,判定是三极管坏了还是电路其他元件坏了。就很有必要掌握三极管的三种工作状态及特点。B第四页,讲稿共十五页哦讲授新知讲授新知v 三极管的输出特性:IB为一定值,VCE和IC之间的相应数量关系,可用三极管的三极管的输出特性曲线表示。输出特性曲线表示。GCGBRPRVCERCICIBVVuAmA以共射电路为例:以共射电路为例:C第五页,讲稿共十五页哦 vCE/v00.30.513510IB=0uA000.10.10.1
3、50.20.3IB=40 uA00.430.520.530.530.530.53IB=80 uA02.12.32.42.42.42.4IB=120 uA04.14.34.44.44.44.4 IC/mA 输出特性曲线族图输出特性曲线族图I IB B一定,一定,V VCECE和和I IC C对应的数据:对应的数据:第六页,讲稿共十五页哦1截止区截止区v I IB B=0=0,三极管处于截止状态。,三极管处于截止状态。v 电流特点:电流特点:I IB B=0=0,I IC C=I=ICEOCEO00,I ICEOCEO为穿透电为穿透电流。流。v 偏置条件:发射结反偏或零偏,集电结反偏置条件:发射结
4、反偏或零偏,集电结反偏。偏。截止状态截止状态以以NPN管为例:管为例:PNNVBE0,VBC 0,VCEVBEICEOVBEVBCVCE第七页,讲稿共十五页哦2饱和区饱和区v V VCE=CE=V VCESCES ,V VCESCES称为饱和压降,硅管约称为饱和压降,硅管约0.3V0.3V,锗管,锗管约为约为0.1V0.1V,三极管处于饱和状态。,三极管处于饱和状态。v电流特点:电流特点:I IC C不随不随I IB B的增大而的增大而线性增大线性增大 。v 偏置条件:发射结正偏,集电结正偏。偏置条件:发射结正偏,集电结正偏。饱和状态饱和状态VBE 0,VBC 0,VCE VBE以以NPN管为
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