第5章光探测及光接收机.ppt
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1、第5章光探测及光接收机现在学习的是第1页,共61页一、选择题一、选择题3.LD和和 LED的主要区别是:的主要区别是:(a)LD本质上是非相干光源,谱线较宽;而本质上是非相干光源,谱线较宽;而 LED 却相反却相反(b)LD是相干光源,它的谱线很窄;而是相干光源,它的谱线很窄;而LED却相反却相反4.直接调制是信息信号直接调制光源的直接调制是信息信号直接调制光源的(a)输出光强输出光强(b)输出光的相位输出光的相位5.光隔离器是一种只允许单方向传输光的器件,通常用于消除光隔离器是一种只允许单方向传输光的器件,通常用于消除:(a)反射光的影响反射光的影响(b)色散的影响色散的影响6.在由四分之一
2、波长厚的多层介质膜组成的电介质镜中,所有从前在由四分之一波长厚的多层介质膜组成的电介质镜中,所有从前后相挨的两个界面上反射的波都具有后相挨的两个界面上反射的波都具有(a)相长干涉的特性相长干涉的特性(相位差为相位差为180度度)(b)相消干涉的特性相消干涉的特性经过几层这样的反射后,透射光强度将很小,而反射系数将达到经过几层这样的反射后,透射光强度将很小,而反射系数将达到 1。现在学习的是第2页,共61页二、填空题二、填空题1.是把两个光纤端面结合在一起,是把两个光纤端面结合在一起,以实现光纤与光纤之间的永久性以实现光纤与光纤之间的永久性(固定固定)连连接。接。2.DFB激光器腔体损耗与激光器
3、腔体损耗与 有关有关3.激光器的阈值电流和输出功率激光器的阈值电流和输出功率对对 很敏感。很敏感。现在学习的是第3页,共61页三、名词解释三、名词解释1.DFB2.光环行器光环行器3.连接器连接器4.耦合器耦合器5.光开关光开关6 波分复用器波分复用器现在学习的是第4页,共61页第五章第五章 光探测及光接收机光探测及光接收机 光电检测器原理、性能和分类光电检测器原理、性能和分类 直接检测接收机的构成、信噪比、灵敏直接检测接收机的构成、信噪比、灵敏度和比特误码率度和比特误码率现在学习的是第5页,共61页光探测器光探测器现在学习的是第6页,共61页前前 言言 发射机发射的光信号经光纤传输后,由第二
4、章我们知发射机发射的光信号经光纤传输后,由第二章我们知道,不仅幅度衰减了,而且脉冲波形也展宽了道,不仅幅度衰减了,而且脉冲波形也展宽了。光接收机的作用就是检测经过传输后的微弱光信光接收机的作用就是检测经过传输后的微弱光信号,并放大、整形、再生成原输入信号。号,并放大、整形、再生成原输入信号。它的主要器件是利用光电效应把光信号转变为电信它的主要器件是利用光电效应把光信号转变为电信号的光电检测器。号的光电检测器。对光电检测器的要求是灵敏度高、响应快、噪声小、对光电检测器的要求是灵敏度高、响应快、噪声小、成本低和可靠性高,并且它的光敏面应与光纤芯径匹成本低和可靠性高,并且它的光敏面应与光纤芯径匹配。
5、配。用半导体材料制成的光电检测器正好满足这些要用半导体材料制成的光电检测器正好满足这些要求。求。现在学习的是第7页,共61页5.1 光探测原理光探测原理 发生受激吸收产生一个电子空穴对发生受激吸收产生一个电子空穴对;在在 PN 结施加反向电压的情况下,受激吸结施加反向电压的情况下,受激吸收过程生成的电子收过程生成的电子 空穴对,在电场的作空穴对,在电场的作用下,在外电路形成光生电流。用下,在外电路形成光生电流。当入射功率变化时,光生电流也随之线性当入射功率变化时,光生电流也随之线性变化,从而把光信号转变成电流信号。变化,从而把光信号转变成电流信号。现在学习的是第8页,共61页 假如入射光子的能
6、量超过禁带能量假如入射光子的能量超过禁带能量 Eg,耗尽耗尽区每次吸收一个光子,将产生一个电子空穴区每次吸收一个光子,将产生一个电子空穴对,发生受激吸收。对,发生受激吸收。光探测原理光探测原理-受激吸收受激吸收Ec c吸收光子后吸收光子后产生电子产生电子Ev光子光子h 输入输入(输出电流)(输出电流)现在学习的是第9页,共61页在在 PN 结施加反向电压的情况下,受激吸收过程生成的电子结施加反向电压的情况下,受激吸收过程生成的电子 空穴对在电场的空穴对在电场的作用下作用下,分别离开耗尽区,电子向分别离开耗尽区,电子向 N 区漂移,空穴向区漂移,空穴向 P 区漂移,空穴和从区漂移,空穴和从负电极
7、进入的电子复合,电子则离开负电极进入的电子复合,电子则离开 N 区进入正电极。从而在外电路形成光区进入正电极。从而在外电路形成光生电流。生电流。当入射功率变化时,光生电流也随之线性变化,从而把光信号转变成电流信号。当入射功率变化时,光生电流也随之线性变化,从而把光信号转变成电流信号。W为禁带宽度,又称为耗尽区宽度。为禁带宽度,又称为耗尽区宽度。图图5.1.1 PN结光电检测原理说明结光电检测原理说明入入射射光光hvEgSiO2P+h+e-+ERIpVoutW抗抗反反射射膜膜电电极极电电极极耗耗尽尽区区Pin空空穴穴h+e-电电子子负负载载电电阻阻RIp光光生生电电流流输输出出电电压压L LL
8、LN(a)反反向向偏偏置置的的 PN 结结,当当光光入入射射时时,光光生生电电子子空空穴穴对对分分别别向向N N区区和和P P区区漂漂移移,在在外外电电路路产产生生光光生生电电流流W=m几几现在学习的是第10页,共61页光电检测器响应度光电检测器响应度现在学习的是第11页,共61页5.2 光电探测器光电探测器光纤通信中最常用的光电检测器是光纤通信中最常用的光电检测器是:PIN 光电二极管光电二极管 雪崩光电二极管雪崩光电二极管(APD)现分别介绍如下现分别介绍如下现在学习的是第12页,共61页5.2.1 PIN光电二极管光电二极管-工作原理工作原理简单的简单的 PN 结光电二极管具有两个主结光
9、电二极管具有两个主要的缺点。要的缺点。首先,它的结电容或耗尽区电容较大,首先,它的结电容或耗尽区电容较大,RC 时间常数较大,不利于高频调制。时间常数较大,不利于高频调制。其次,它的耗尽层宽度最大也只有几微其次,它的耗尽层宽度最大也只有几微米,此时长波长的穿透深度比耗尽层宽米,此时长波长的穿透深度比耗尽层宽度度 W 还大,所以大多数光子没有被耗尽还大,所以大多数光子没有被耗尽层吸收,因此长波长的量子效率很低。层吸收,因此长波长的量子效率很低。现在学习的是第13页,共61页为了克服为了克服 PN 管存在的问题,人们采用管存在的问题,人们采用 PIN 光电二极管光电二极管PIN 二极管与二极管与
10、PN 二极管的主要区别是,在二极管的主要区别是,在 P 和和 N 层之间加入了一个层之间加入了一个 I 层层,作为耗尽层。,作为耗尽层。I 层的宽度较宽,约有(层的宽度较宽,约有(5 50)m,可吸收绝大多数光子可吸收绝大多数光子,使光生电流增加。,使光生电流增加。图图5.2.1 PIN光电二极管光电二极管入入射射光光hvEgSiO2P+h+e-+EIpVout抗抗反反射射膜膜电电极极电电极极耗耗尽尽区区Pin输输出出电电压压RL反反向向偏偏置置的的PIN,因因耗耗尽尽区区较较宽宽,可可以以吸吸收收绝绝大大多多数数光光生生电电子子和和空空穴穴对对,使使量量子子效效率率提提高高I-SiWN+Vr
11、-RLCdIpVout空空穴穴h+e-电电子子负负载载电电阻阻RIp光光生生电电流流L LW=m550EVr/WCdP PI IN N管管分分布布电电容容WACrd0现在学习的是第14页,共61页1.PIN光电二极管的响应时间光电二极管的响应时间由光生载流子穿越耗尽层的宽度由光生载流子穿越耗尽层的宽度 W 所决所决定。增加定。增加 W 可可吸收吸收更多的光子,从而增加更多的光子,从而增加量子效率,但是载流子穿越量子效率,但是载流子穿越 W 的时间增的时间增加,响应速度变慢。载流子在加,响应速度变慢。载流子在 W 区的漂移区的漂移时间为时间为dtrVWt (5.2.2)式中式中dV是漂移速度。为
12、了减小漂移时间,是漂移速度。为了减小漂移时间,可增加施加的电压。可增加施加的电压。现在学习的是第15页,共61页2.光电二极管的响应波长光电二极管的响应波长现在学习的是第16页,共61页 光电二极管的响应波长光电二极管的响应波长响应曲线如下图所示:各种光电探测器的波长工作。,适用于长波长波段范围为光电二极管的波长响应和作;,适用于短波长波段工范围为光电二极管的波长响应响应都有一定的范围。光电二极管对光波长的因此,不同材料制成的降低。,从而使光电转换效率能有效地转换成光电流空穴对不域里产生的电子电场区域,在零电场区层里往往存在着一个零里,光电二极管的表面结的结区附近的耗尽层反向偏压主要是加在二层
13、里被吸收。面光子在光电二极管的表大,结果使大量的入射对光的吸收系数变得很射光波长很短时,材料数是波长的函数。当入因为材料对光的吸收系一:会大大下降。原因有二太短时,光电转换效率波长。当入射光波长止波长外,还有下截止光电二极管除了有上截mInGaAsGemSiPN6.11.10.15.0-.现在学习的是第17页,共61页图图5.2.2 PIN光电二极管光电二极管的波长响应曲线的波长响应曲线6008001000120014001600180000.20.40.60.81.090%70%50%30%10%InGaAsPGeInGaAsSi(nm)波长波长()R响响应应度度量子效率量子效率现在学习的是
14、第18页,共61页3.PIN光电二极管的性能参数光电二极管的性能参数 量子效率量子效率 响应度响应度 R 暗电流暗电流 ,表示无光照时出现的反向电,表示无光照时出现的反向电流,它影响接收机的信噪比流,它影响接收机的信噪比;响应速度响应速度,它表示对光信号的反应能力,它表示对光信号的反应能力,常用对光脉冲响应的上升或下降沿表示常用对光脉冲响应的上升或下降沿表示;结电容结电容 (pF),它影响响应速度。它影响响应速度。RqhvhvPqIinP24.1hvqRdIdC现在学习的是第19页,共61页例题例题 PIN光电二极管的灵敏度光电二极管的灵敏度现在学习的是第20页,共61页5.2.2 雪崩光电二
15、极管雪崩光电二极管 雪崩光电二极管(雪崩光电二极管(APD)是利用雪崩倍增效应使光是利用雪崩倍增效应使光电流得到倍增的高灵敏度探测器。电流得到倍增的高灵敏度探测器。APD的光敏面是的光敏面是 区,紧接着是三个掺杂浓度逐渐区,紧接着是三个掺杂浓度逐渐加大的加大的P区,分别标记为区,分别标记为P,和和 。APD的这种结构设计,使它能承受高的反向偏压,从的这种结构设计,使它能承受高的反向偏压,从而在而在 PN 结内部形成一个高电场区。结内部形成一个高电场区。APD能提供内部增益能提供内部增益,且工作速度高,且工作速度高,已广泛应用于光通信系统中。已广泛应用于光通信系统中。PN现在学习的是第21页,共
16、61页光生的电子光生的电子 空穴对经过高电场区时被加速。从而获得足够的能量,空穴对经过高电场区时被加速。从而获得足够的能量,它们在高速运动中与它们在高速运动中与 P 区晶格上的原子碰撞,使晶格中的原子电离,区晶格上的原子碰撞,使晶格中的原子电离,从而产生新的电子从而产生新的电子 空穴对。这种通过碰撞电离产生的电子空穴对。这种通过碰撞电离产生的电子 空穴对,称为二空穴对,称为二次电子次电子 空穴对。空穴对。新产生的二次电子和空穴在高电场区里运动时又被加速,又可能碰撞别新产生的二次电子和空穴在高电场区里运动时又被加速,又可能碰撞别的原子,这样多次碰撞电离的结果,使载流子迅速增加,反向电流迅速的原子
17、,这样多次碰撞电离的结果,使载流子迅速增加,反向电流迅速加大,形成雪崩倍增效应。加大,形成雪崩倍增效应。1.APD工工作作原原理理SiO2P+h+e-ERIpVout电极电极电电极极耗尽区耗尽区入射光入射光hvEgL L(a)雪崩光电二雪崩光电二极管(APD极管(APD)的结构)的结构WN+Vr-P E()x0 0各区电场分布,各区电场分布,雪崩发生在P区,雪崩发生在P区,吸收发生在 区吸收发生在 区(b)x吸收区吸收区雪崩区雪崩区 EN+Ph+e-雪崩区雪崩区(a)离子碰撞过程释放电子空穴对,离子碰撞过程释放电子空穴对,导致雪崩导致雪崩晶格晶格现在学习的是第22页,共61页2.平均雪崩增益平
18、均雪崩增益通常用通常用平均雪崩增益平均雪崩增益 M 来表示来表示 APD 的的倍增大小,倍增大小,M定义为定义为PMIIM(5.2.4)式中式中PI是初始的光生电流是初始的光生电流,MI是倍增后的是倍增后的总输出电流的平均值。总输出电流的平均值。M也与结上所加的也与结上所加的反向偏压有关。反向偏压有关。现在学习的是第23页,共61页5.2.3 响应带宽响应带宽现在学习的是第24页,共61页光电二极管响应带宽定义光电二极管响应带宽定义光发光发射机射机LD光纤光纤t光接光接收机收机PD 频率为 的频率为 的正弦电信号正弦电信号f调制频率调制频率 f正弦信号正弦信号 f=(a)传输模拟信号的光纤线路
19、(a)传输模拟信号的光纤线路0ff3dB el频率频率Phig f/Plow f1.00.5电带宽电带宽(b)光电二极管(b)光电二极管 响应带宽 响应带宽现在学习的是第25页,共61页 上升时间定义为输入阶跃光功率时,探测器输上升时间定义为输入阶跃光功率时,探测器输出光电流最大值的出光电流最大值的 10%到到 90%所需的时间。所需的时间。上升时间定义上升时间定义090%10%Tr=0.7 00.90.1tVoutTr01.0tVin线线性性系系统统RCVinVouti(a)阶跃脉冲作用于线性系统阶跃脉冲作用于线性系统(b)方波作用于方波作用于 线性系统线性系统现在学习的是第26页,共61页
20、受受 RC 时间常数限制的带宽时间常数限制的带宽现在学习的是第27页,共61页35.035.022.22.2)9(33333dBrdBrdBdBrdBrrrfTfTffTfTRCCRRCRCInTRCfT成反比关系,与即的关系为与带宽该系统的上升时间电路的电阻和电容值。分别是和式中的上升时间为下,该电路电路,在阶跃脉冲作用对于一个成反比。与系统带宽上升时间成反比与系统带宽上升时间fTr现在学习的是第28页,共61页图图5.2.2 APD 波长响应曲线波长响应曲线6008001000 1200140016001800124710010357050403020InGaAsGeSi(nm)波长波长(
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