延安碳化硅公司成立可行性报告_范文模板.docx
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1、泓域咨询/延安碳化硅公司成立可行性报告延安碳化硅公司成立可行性报告xx集团有限公司报告说明碳化硅用于制作功率及射频器件,产业链包括衬底制备、外延层生长、器件及下游应用。根据电化学性质不同,碳化硅晶体材料分为半绝缘型衬底(电阻率高于105cm)和导电型衬底(电阻率区间1530mcm)。不同于传统硅基器件,碳化硅器件不可直接制作于衬底上,需先使用化学气相沉积法在衬底表面生成所需薄膜材料,即形成外延片,再进一步制成器件。通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层制得碳化硅基氮化镓外延片,可制成HEMT等微波射频器件,适用于高频、高温工作环境,主要应用于5G通信、卫星、雷达等领域。在导电型碳化硅衬底上
2、生长碳化硅外延层制得碳化硅外延片,可进一步制成碳化硅二极管、碳化硅MOSFET等功率器件,适用于高温、高压工作环境,且损耗低,主要应用于新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空航天等领域。xx集团有限公司主要由xxx(集团)有限公司和xx(集团)有限公司共同出资成立。其中:xxx(集团)有限公司出资660.00万元,占xx集团有限公司60%股份;xx(集团)有限公司出资440万元,占xx集团有限公司40%股份。根据谨慎财务估算,项目总投资23506.27万元,其中:建设投资17520.70万元,占项目总投资的74.54%;建设期利息455.52万元,占项目总投资的1.94%;流动资金55
3、30.05万元,占项目总投资的23.53%。项目正常运营每年营业收入50000.00万元,综合总成本费用43002.83万元,净利润5093.86万元,财务内部收益率13.80%,财务净现值677.76万元,全部投资回收期6.94年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。项目建设符合国家产业政策,具有前瞻性;项目产品技术及工艺成熟,达到大批量生产的条件,且项目产品性能优越,是推广型产品;项目产品采用了目前国内最先进的工艺技术方案;项目设施对环境的影响经评价分析是可行的;根据项目财务评价分析,经济效益好,在财务方面是充分可行的。本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、
4、技术方案等信息,并依托行业分析模型而进行的模板化设计,其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。目录第一章 拟组建公司基本信息9一、 公司名称9二、 注册资本9三、 注册地址9四、 主要经营范围9五、 主要股东9公司合并资产负债表主要数据10公司合并利润表主要数据10公司合并资产负债表主要数据12公司合并利润表主要数据12六、 项目概况13第二章 行业、市场分析16一、 OBC:SiC助力实现效率提升、轻量化及系统成本降低16二、 衬底:碳化硅产业链最关键环节,技术壁垒较高17第三章 项目背景及必要性20一、 SiC材料:产业链核心环节,国内外厂商积极布局20二、
5、 预计2025年全球新能源汽车SiC市场规模将达到30.1亿美元20三、 碳化硅较硅更能满足高温、高压、高频等需求,下游应用领域广泛21四、 构建具有延安特色的现代产业体系23第四章 公司筹建方案24一、 公司经营宗旨24二、 公司的目标、主要职责24三、 公司组建方式25四、 公司管理体制25五、 部门职责及权限26六、 核心人员介绍30七、 财务会计制度31第五章 发展规划35一、 公司发展规划35二、 保障措施41第六章 法人治理结构43一、 股东权利及义务43二、 董事45三、 高级管理人员50四、 监事52第七章 风险风险及应对措施54一、 项目风险分析54二、 公司竞争劣势57第八
6、章 项目选址可行性分析58一、 项目选址原则58二、 建设区基本情况58三、 优化区域布局59四、 项目选址综合评价62第九章 项目环境影响分析63一、 编制依据63二、 环境影响合理性分析64三、 建设期大气环境影响分析65四、 建设期水环境影响分析66五、 建设期固体废弃物环境影响分析66六、 建设期声环境影响分析66七、 环境管理分析68八、 结论及建议71第十章 项目经济效益73一、 基本假设及基础参数选取73二、 经济评价财务测算73营业收入、税金及附加和增值税估算表73综合总成本费用估算表75利润及利润分配表77三、 项目盈利能力分析77项目投资现金流量表79四、 财务生存能力分析
7、80五、 偿债能力分析81借款还本付息计划表82六、 经济评价结论82第十一章 投资估算及资金筹措84一、 投资估算的依据和说明84二、 建设投资估算85建设投资估算表89三、 建设期利息89建设期利息估算表89固定资产投资估算表91四、 流动资金91流动资金估算表92五、 项目总投资93总投资及构成一览表93六、 资金筹措与投资计划94项目投资计划与资金筹措一览表94第十二章 建设进度分析96一、 项目进度安排96项目实施进度计划一览表96二、 项目实施保障措施97第十三章 总结98第十四章 附表100主要经济指标一览表100建设投资估算表101建设期利息估算表102固定资产投资估算表103
8、流动资金估算表104总投资及构成一览表105项目投资计划与资金筹措一览表106营业收入、税金及附加和增值税估算表107综合总成本费用估算表107固定资产折旧费估算表108无形资产和其他资产摊销估算表109利润及利润分配表110项目投资现金流量表111借款还本付息计划表112建筑工程投资一览表113项目实施进度计划一览表114主要设备购置一览表115能耗分析一览表115第一章 拟组建公司基本信息一、 公司名称xx集团有限公司(以工商登记信息为准)二、 注册资本1100万元三、 注册地址延安xxx四、 主要经营范围经营范围:从事碳化硅相关业务(企业依法自主选择经营项目,开展经营活动;依法须经批准的
9、项目,经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动;不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。)五、 主要股东xx集团有限公司主要由xxx(集团)有限公司和xx(集团)有限公司发起成立。(一)xxx(集团)有限公司基本情况1、公司简介公司以负责任的方式为消费者提供符合法律规定与标准要求的产品。在提供产品的过程中,综合考虑其对消费者的影响,确保产品安全。积极与消费者沟通,向消费者公开产品安全风险评估结果,努力维护消费者合法权益。公司加大科技创新力度,持续推进产品升级,为行业提供先进适用的解决方案,为社会提供安全、可靠、优质的产品和服务。公司始终坚持“人本、诚信、创新、共赢”的经营理念,以“市场
10、为导向、顾客为中心”的企业服务宗旨,竭诚为国内外客户提供优质产品和一流服务,欢迎各界人士光临指导和洽谈业务。2、主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额7942.526354.025956.89负债总额2406.361925.091804.77股东权益合计5536.164428.934152.12公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入23014.3818411.5017260.78营业利润5184.834147.863888.62利润总额4171.503337.203128.63净利润3128.63244
11、0.332252.61归属于母公司所有者的净利润3128.632440.332252.61(二)xx(集团)有限公司基本情况1、公司简介未来,在保持健康、稳定、快速、持续发展的同时,公司以“和谐发展”为目标,践行社会责任,秉承“责任、公平、开放、求实”的企业责任,服务全国。企业履行社会责任,既是实现经济、环境、社会可持续发展的必由之路,也是实现企业自身可持续发展的必然选择;既是顺应经济社会发展趋势的外在要求,也是提升企业可持续发展能力的内在需求;既是企业转变发展方式、实现科学发展的重要途径,也是企业国际化发展的战略需要。遵循“奉献能源、创造和谐”的企业宗旨,公司积极履行社会责任,依法经营、诚实
12、守信,节约资源、保护环境,以人为本、构建和谐企业,回馈社会、实现价值共享,致力于实现经济、环境和社会三大责任的有机统一。公司把建立健全社会责任管理机制作为社会责任管理推进工作的基础,从制度建设、组织架构和能力建设等方面着手,建立了一套较为完善的社会责任管理机制。2、主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额7942.526354.025956.89负债总额2406.361925.091804.77股东权益合计5536.164428.934152.12公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入23014.3818
13、411.5017260.78营业利润5184.834147.863888.62利润总额4171.503337.203128.63净利润3128.632440.332252.61归属于母公司所有者的净利润3128.632440.332252.61六、 项目概况(一)投资路径xx集团有限公司主要从事碳化硅公司成立的投资建设与运营管理。(二)项目提出的理由全SiCMOSFET方案降低OBC系统尺寸、重量和成本,同时提高运行效率。根据Wolfspeed的研究,采用全SiCMOSFET方案的22kW双向OBC,可较Si方案实现功率器件和栅极驱动数量都减少30%以上,且开关频率提高一倍以上,实现系统轻量化
14、和整体运行效率提升。SiC系统在3kW/L的功率密度下可实现97%的峰值系统效率,而SiOBC仅可在2kW/L的功率密度下实现95%的效率。同时,进一步拆分成本,由于SiC器件的性能可减少DC/DC模块中所需大量的栅极驱动和磁性元件。因此,尽管相比单个Si基二极管和功率晶体管,SiC基功率器件的成本更高,但整体全SiC方案的OBC成本可节约15%左右。(三)项目选址项目选址位于xxx(待定),占地面积约56.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越,交通便利,规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备,非常适宜本期项目建设。(四)生产规模项目建成后,形成年产xx吨碳化硅的生产能力。(五)建设规模项目
15、建筑面积62854.49,其中:生产工程44746.74,仓储工程7406.86,行政办公及生活服务设施5735.97,公共工程4964.92。(六)项目投资根据谨慎财务估算,项目总投资23506.27万元,其中:建设投资17520.70万元,占项目总投资的74.54%;建设期利息455.52万元,占项目总投资的1.94%;流动资金5530.05万元,占项目总投资的23.53%。(七)经济效益(正常经营年份)1、营业收入(SP):50000.00万元。2、综合总成本费用(TC):43002.83万元。3、净利润(NP):5093.86万元。4、全部投资回收期(Pt):6.94年。5、财务内部收
16、益率:13.80%。6、财务净现值:677.76万元。(八)项目进度规划项目建设期限规划24个月。(九)项目综合评价本期项目技术上可行、经济上合理,投资方向正确,资本结构合理,技术方案设计优良。本期项目的投资建设和实施无论是经济效益、社会效益等方面都是积极可行的。第二章 行业、市场分析一、 OBC:SiC助力实现效率提升、轻量化及系统成本降低OBC典型电路结构由前级PFC电路和后级DC/DC输出电路两部分组成。二极管和开关管(IGBT、MOSFET等)是OBC中主要应用的功率器件,采用SiC替代可实现更低损耗、更小体积及更低的系统成本。OBC中采用SiC二极管整体损耗低且耐高温能力更强。OBC
17、的前级PFC电路和后级DC/DC输出电路中会使用到快恢复硅基二极管。1)影响二极管损耗的指标包括正向导通压降(VF)、反向恢复电流(IR)、输入电容(QC)和开通关断速度等。相比于硅基SBD,SiCSBD的最大优势在于IR可以忽略不计,使得反向恢复损耗极低,在PFC电路使用SiCSBD可有效提升PFC电路效率。同时,QC、VF两个主要参数相比硅基二极管也具有优势,在后级输出电路中使用SiCSBD可以进一步提升输出整流的效率。同时,由于SiC材料的优势,SiC二极管的结温更高,其可在更高温度下保持正常工作状态,在高温环境下较硅基二极管更有优势。此外,SiC二极管可实现更高频率及功率密度,从而提升
18、系统整体效率。全SiCMOSFET方案降低OBC系统尺寸、重量和成本,同时提高运行效率。根据Wolfspeed的研究,采用全SiCMOSFET方案的22kW双向OBC,可较Si方案实现功率器件和栅极驱动数量都减少30%以上,且开关频率提高一倍以上,实现系统轻量化和整体运行效率提升。SiC系统在3kW/L的功率密度下可实现97%的峰值系统效率,而SiOBC仅可在2kW/L的功率密度下实现95%的效率。同时,进一步拆分成本,由于SiC器件的性能可减少DC/DC模块中所需大量的栅极驱动和磁性元件。因此,尽管相比单个Si基二极管和功率晶体管,SiC基功率器件的成本更高,但整体全SiC方案的OBC成本可
19、节约15%左右。二、 衬底:碳化硅产业链最关键环节,技术壁垒较高碳化硅衬底应用逐步成熟,主要分为导电型碳化硅衬底和半绝缘型碳化硅衬底。据工信部发布重点新材料首批次应用示范指导目录(2021年版),碳化硅衬底可分为两类,一类是具有高电阻率(电阻率105cm)的半绝缘型碳化硅衬底,经GaN外延生长可制成射频器件。半绝缘型碳化硅衬底的制备过程追求“绝对纯净”,去除晶体中的各种杂质对实现碳化硅晶体本征高电阻率十分重要。另一类为低电阻率(电阻率1530mcm)的导电型碳化硅衬底,经SiC外延生长可进一步制成SiC二极管、SiCMOSFET等功率器件。导电型碳化硅衬底以良好导电性为追求目标,在PVT法下,
20、相较半绝缘型衬底其生产难度更低,但在生产过程中,电阻率易发生分布不均情况,仍需更好扩径及掺杂控制技术。国产碳化硅衬底质量在部分参数上比肩国际龙头,但在单晶性能一致性、成品率、成本等方面仍存在不小差距。评估碳化硅衬底产品质量的核心参数主要有直径、微管密度、多型面积、电阻率范围、总厚度变化、弯曲度、翘曲度、表面粗糙度等。通过比较国产碳化硅企业与海外龙头企业的产品技术参数,可以发现在产品直径、总厚度变化、电阻率、表面粗糙度等多项指标上国产4英寸和6英寸碳化硅衬底与海外厂商产品基本相同。制备器件中微管的存在可能导致器件过高的漏电流甚至器件击穿,各厂商都在致力于未来降低微管密度,部分龙头碳化硅企业如II
21、-VI可将4-6寸产品的微管密度稳定控制在0.1cm-2以下,国内厂商的产品微管密度基本在0.5-5cm-2,存在差距。同时,国内公司在单晶性能一致性、成品率、成本等单晶质量指标方面仍存在较大差距。未来随着大尺寸产品的研发生产和中小尺寸碳化硅生产技艺的不断成熟,预计国产碳化硅产品种类不断丰富,产品质量将比肩国际龙头企业。国内外厂商大规模扩产,但国内有效产能不足致中短期仍将维持供不应求目前全球碳化硅材料行业处于加速扩产、跑马圈地的阶段,海内外厂商均加速扩产,但应避免重复建设的问题,造成产能无序扩张。本土企业持续加大衬底投入迈进扩产步伐,投资金额超240亿元、规划年产能超420万片。中国企业呈现小
22、而散的局面,综合Yole等第三方机构数据,2020年国内碳化硅衬底龙头厂商山东天岳和天科合达在全球市场份额合计约为8%。但受电动车、光伏等下游应用驱动,我国本土企业也开始紧追国际厂商步伐,积极投资扩产以实现衬底供应国产化。根据统计,截至21年底国内厂商对衬底环节的投资超过240亿元,规划产能超过420万片/年(等效6寸),对比CASA的数据,2020年底国内衬底产能仅为25.8万片/年(等效6寸)。国内目前仅山东天岳、天科合达、三安光电、世纪金光、同光晶体、中电科材料、中科钢研等具备量产能力,且以4寸衬底为主。虽然国内企业大幅扩产,但受衬底良率及质量等因素影响,实际产能或严重不足。第三章 项目
23、背景及必要性一、 SiC材料:产业链核心环节,国内外厂商积极布局相比于Si,SiC衬底和外延为制造产业链核心环节,合计价值量占比超60%。在传统硅基器件制造过程中,需要在硅片基础上进行氧化、涂层、曝光、光刻、刻蚀、清洗等多个前道处理步骤,从而产生更高附加值。SiC材料则仅用于分立器件制造,其前端工艺难度不大,而衬底和外延需在高温、高压环境中生成,生长速度缓慢,为关键技术难点,占据产业链主要价值量。据CASAResearch数据显示,在传统硅基器件中,硅片前道处理附加价值量达到80%,衬底和外延环节仅占11%;而在碳化硅器件的成本构成中,衬底和外延占比分别为50%和25%,合计达到75%,为产业
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