景德镇碳化硅项目申请报告参考范文.docx
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1、泓域咨询/景德镇碳化硅项目申请报告目录第一章 背景及必要性9一、 直流充电桩:大功率充电占比提升,SiC将加速替代9二、 乘碳中和之东风,2025年市场规模有望较2020年翻5倍10三、 碳化硅材料:全球加速扩产“跑马圈地”,关注稀缺的有效产能11四、 激发创新活力14五、 支持非公有制经济高质量发展15六、 项目实施的必要性16第二章 行业发展分析17一、 SiC较IGBT具备耐高压、低损耗和高频三大核心优势17二、 OBC:SiC助力实现效率提升、轻量化及系统成本降低18三、 海外厂商普遍看好SiC市场空间,相关业务业绩展望乐观19第三章 项目总论21一、 项目名称及建设性质21二、 项目
2、承办单位21三、 项目定位及建设理由23四、 报告编制说明24五、 项目建设选址26六、 项目生产规模26七、 建筑物建设规模27八、 环境影响27九、 项目总投资及资金构成27十、 资金筹措方案28十一、 项目预期经济效益规划目标28十二、 项目建设进度规划28主要经济指标一览表29第四章 产品规划与建设内容31一、 建设规模及主要建设内容31二、 产品规划方案及生产纲领31产品规划方案一览表31第五章 选址可行性分析33一、 项目选址原则33二、 建设区基本情况33三、 对接融入国家开放发展战略34四、 搭建创新平台34五、 项目选址综合评价35第六章 发展规划37一、 公司发展规划37二
3、、 保障措施43第七章 SWOT分析45一、 优势分析(S)45二、 劣势分析(W)47三、 机会分析(O)47四、 威胁分析(T)49第八章 运营管理57一、 公司经营宗旨57二、 公司的目标、主要职责57三、 各部门职责及权限58四、 财务会计制度61第九章 环境影响分析67一、 编制依据67二、 建设期大气环境影响分析67三、 建设期水环境影响分析69四、 建设期固体废弃物环境影响分析69五、 建设期声环境影响分析69六、 环境管理分析70七、 结论72八、 建议72第十章 工艺技术分析73一、 企业技术研发分析73二、 项目技术工艺分析76三、 质量管理77四、 设备选型方案78主要设
4、备购置一览表79第十一章 原辅材料供应80一、 项目建设期原辅材料供应情况80二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理80第十二章 组织机构管理82一、 人力资源配置82劳动定员一览表82二、 员工技能培训82第十三章 项目节能方案84一、 项目节能概述84二、 能源消费种类和数量分析85能耗分析一览表86三、 项目节能措施86四、 节能综合评价87第十四章 项目投资分析89一、 投资估算的依据和说明89二、 建设投资估算90建设投资估算表92三、 建设期利息92建设期利息估算表92四、 流动资金94流动资金估算表94五、 总投资95总投资及构成一览表95六、 资金筹措与投资计划96项目投资计划
5、与资金筹措一览表97第十五章 项目经济效益分析98一、 基本假设及基础参数选取98二、 经济评价财务测算98营业收入、税金及附加和增值税估算表98综合总成本费用估算表100利润及利润分配表102三、 项目盈利能力分析102项目投资现金流量表104四、 财务生存能力分析105五、 偿债能力分析106借款还本付息计划表107六、 经济评价结论107第十六章 项目招投标方案109一、 项目招标依据109二、 项目招标范围109三、 招标要求110四、 招标组织方式110五、 招标信息发布114第十七章 风险风险及应对措施115一、 项目风险分析115二、 项目风险对策117第十八章 项目总结分析12
6、0第十九章 补充表格122主要经济指标一览表122建设投资估算表123建设期利息估算表124固定资产投资估算表125流动资金估算表126总投资及构成一览表127项目投资计划与资金筹措一览表128营业收入、税金及附加和增值税估算表129综合总成本费用估算表129利润及利润分配表130项目投资现金流量表131借款还本付息计划表133报告说明充电焦虑逐渐成为当前电动车产业化关键的问题,800V架构是解决充电焦虑的主流方案。电动车普及过程中主要面临续航和充电两大问题。续航里程目前已不是最大阻碍,根据蔚来、特斯拉、小鹏等的官网,主流品牌电动车续航里程约在500公里左右,即将推出的蔚来ET7、理想X01等
7、预计续航里程超800公里。对于提升充电效率,方案包括换电及大功率快充。由于各品牌各车型电池差异,换电站推广较为依赖车企自建,普适性低且成本高。大功率充电包括大电流和高电压两种方案,大电流方案代表企业为特斯拉,根据焦耳定律,该方案将显著增加充电过程中的热量,需要更粗的线束同时对系统散热要求更高。此外,根据新出行测评,特斯拉大电流V3超充桩在大部分时间内并不能达到最大功率充电。根据谨慎财务估算,项目总投资27910.19万元,其中:建设投资23323.30万元,占项目总投资的83.57%;建设期利息290.17万元,占项目总投资的1.04%;流动资金4296.72万元,占项目总投资的15.39%。
8、项目正常运营每年营业收入50600.00万元,综合总成本费用40470.07万元,净利润7394.74万元,财务内部收益率19.90%,财务净现值11577.82万元,全部投资回收期5.68年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。项目建设符合国家产业政策,具有前瞻性;项目产品技术及工艺成熟,达到大批量生产的条件,且项目产品性能优越,是推广型产品;项目产品采用了目前国内最先进的工艺技术方案;项目设施对环境的影响经评价分析是可行的;根据项目财务评价分析,经济效益好,在财务方面是充分可行的。本报告基于可信的公开资料,参考行业研究模型,旨在对项目进行合理的逻辑分析研究。本
9、报告仅作为投资参考或作为参考范文模板用途。第一章 背景及必要性一、 直流充电桩:大功率充电占比提升,SiC将加速替代大功率直流充电桩需求旺盛,SiC协力实现高效快充。政策方面,2020年政府工作报告中已将充电基础设施纳入新基建七大产业之一;2020年能源工作指导意见中指出要加强充电基础设施建设,提升新能源汽车的充电保障能力。直流充电方式相较家用标准交流电充电方式速度大幅提高,一个150kW的直流充电器可以在大约15分钟内为电动汽车增加200公里续航,随电动汽车渗透率进一步提高,直流电充电方案需求将同步提升。Yole预计2020-2025年,全球200kW及以上的大功率直流充电桩数量将以超过30
10、%的CAGR增长,高于平均的15.6%。SiC器件和模块具备耐高温、耐高压以及低损耗等优势,可被广泛应用于电动车直流充电方案中AD-DCPFC、DC-DC以及闸门驱动器等环节中,实现更高效电动车直流充电方案。SiCMOSFET可简化直流充电桩AC/DC及DC/DC电路结构,减少器件数量实现充电效率提升。根据英飞凌,在DC/DC中,使用4颗1200VSiCMOSFET替代8颗650V硅基MOSFET,在同样功率下,可将原来的两相全桥LLC电路简化为单相全桥LLC电路,所用器件数量减少50%,提升电路整体效率。同样在AC/DC中,使用SiCMOSFET可将三相Vienna整流器拓扑电路简化为两相结
11、构,器件数量减少50%实现效率提升。同时,SiCMOSFET的整体损耗也更小。综上,SiC方案能使得整体充电器体积更小、功率密度更高、充电效率更高,更好的满足快充要求。SiC二极管方案可实现效率提升及输出功率增加。根据英飞凌,在48kHz下,采用SiC二极管替代Si二极管,可显著降低损耗从而提升0.8%的充电效率,可实现最多80%输出功率的提升。二、 乘碳中和之东风,2025年市场规模有望较2020年翻5倍2020年全球SiC器件市场规模达11.84亿美元,预计到2025年有望增长至59.79亿美元,对应CAGR为38.2%。根据测算,在碳中和趋势下,受益于SiC在新能源汽车、光伏、风电、工控
12、等领域的持续渗透,SiC功率器件市场规模有望从2020年的2.92亿美元增长至2025年的38.58亿美元,对应CAGR为67.6%;5G、国防驱动GaN-on-SiC射频器件加速渗透,逐步取代硅基LDMOS,SiC射频器件市场规模有望从2020年的8.92亿美元增长至2025年的21.21亿美元,对应CAGR为18.9%。下游SiC功率及射频器件高速增长的需求也将带动SiC材料市场规模快速成长,按照SiC材料在SiC器件中价值量占比50%计算(根据CASA),预计将由2020年的5.92亿美元增长至2025年的29.90亿美元,对应CAGR为38.2%。从下游领域来看,新能源汽车为SiC市场
13、的核心驱动力。新能源汽车逐步向800V架构时代迈进,SiC相比于IGBT在耐高压、耐高温、频率、损耗、质量体积等方面优势更加明显。同时随着全球产能开出及良率提升,SiC价格下探将驱动其在新能源车中的逆变器、OBC等部件中加速渗透。根据Wolfspeed测算,2020年全球SiC器件市场规模中,新能源汽车领域占比约为22.51%,随着SiC在主逆变器和OBC中的加速渗透,预计到2025年占比将提升至50.26%,为第一大驱动力。此外,基于SiC较IGBT的性能优势,随着SiC器件及模块成本的下降,预计SiC在光伏、风电等新能源发电领域渗透率也将逐步提升,预计市场规模占比到2025年提升至8.84
14、%;工控市场规模占比到2025年提升至5.43%。三、 碳化硅材料:全球加速扩产“跑马圈地”,关注稀缺的有效产能SiC衬底和外延技术壁垒较高,存在长晶速度慢、扩径难度高、杂质控制难度高等难点。目前行业处于寡头垄断局面,Wolfspeed占据全球SiC材料超过60%市场份额(根据Yole)。2020年SiC材料市场规模5.92亿美元,2025年将达29.90亿美元,CAGR为38.2%。1)目前全球SiC材料处于跑马圈地阶段,海内外加速扩产,国内远期规划年产能超400万片/年,建议关注重复建设问题;2)虽然国内产能规划量很大,但是由于良率及衬底质量原因,国内有效产能仍然稀缺,尤其是导电型衬底,中
15、长期行业能达到45%-50%毛利率,建议关注具备优质产能的龙头。碳化硅为第三代半导体材料,碳化硅器件较传统硅基器件可具备耐高压、低损耗和高频三大优势。碳化硅具备禁带宽度大、热导率高、临界击穿场强高、电子饱和漂移速率高等特点,可以满足高温、高压、高频、大功率等条件下的应用需求,广泛应用于新能源汽车、光伏、工控、射频通信等领域。SiCMOSFET较IGBT可同时具备耐高压、低损耗和高频三大优势。此外,据Wolfspeed研究显示,相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比,其尺寸可大幅减少至原来的1/10。在新能源汽车方面,基于上述性能优势,碳化硅可助力新能源汽车实现轻量化及降低损耗,增
16、加续航里程,特斯拉、比亚迪等车企已率先开始应用SiC方案。全球碳化硅市场处于高速成长阶段,25年市场规模有望较20年翻5倍。2020年全球SiC器件市场规模达11.84亿美元,预计到2025年有望增长至59.79亿美元,对应CAGR为38.2%。根据测算,在碳中和趋势下,受益于SiC在新能源汽车、光伏、风电、工控等领域的持续渗透,SiC功率器件市场规模有望从2020年的2.92亿美元增长至2025年的38.58亿美元,对应CAGR为67.6%;5G、国防驱动GaN-on-SiC射频器件加速渗透,逐步取代硅基LDMOS,SiC射频器件市场规模有望从2020年的8.92亿美元增长至2025年的21
17、.21亿美元,对应CAGR为18.9%。下游SiC功率及射频器件高速增长的需求也将带动SiC材料市场规模快速成长,预计将由2020年的5.92亿美元增长至2025年的29.90亿美元,对应CAGR为38.2%。碳化硅加速渗透的核心驱动力为新能源汽车。根据测算,2020年全球新能源汽车SiC器件及模块市场规模为2.7亿美元,预计到2025年达30.1亿美元,对应CAGR为62.3%,占全球碳化硅器件市场规模将达到50%。目前应用碳化硅的包括特斯拉、比亚迪中高端车型等,主要场景为主逆变器/OBC,预计至2025年SiC渗透率有望达38/43%,其主要驱动力为1)特斯拉、比亚迪、蔚来、小鹏等头部新能
18、源车厂的“示范效应”;2)碳化硅器件价格下降后带来系统经济效益;3)800V架构有望成为重要催化剂,1200VSiC在高压下较IGBT性能优势更为明显。衬底和外延SiC为产业链核心环节,国内有效产能不足致中短期供不应求态势。据CASAResearch数据显示,在传统硅基器件中,硅片前道处理附加价值量达到80%,衬底和外延环节仅占11%;而在碳化硅器件的成本构成中,衬底和外延占比分别为50%和25%,合计达到75%,为产业链中价值量最高环节。国内厂商国产碳化硅衬底质量在部分参数上比肩国际龙头,但在单晶性能一致性、成品率、成本等方面仍存在不小差距,此外积极进行衬底迭代,开始研发8英寸衬底。Wolf
19、speed、ROHM等海外龙头厂商加速扩产,国内厂商远期规划年产能超过420万片。但在另一方面,受衬底良率及质量等因素影响,国内实际产能尤其是导电型衬底或严重不足,中短期内全球SiC衬底市场仍将维持供不应求的态势。四、 激发创新活力牢固树立人才是第一资源的观念,破除束缚创新和成果转化的制度障碍,优化创新制度供给,营造良好的创新生态。(一)坚持人才优先发展加大重点人才的引进和培养力度,建立有效的人才激励机制。深化与高等院校、科研机构等人才培养合作,以“景漂”人才服务中心为依托,用好人才扶持政策,为人才创新创业创造条件。支持企业在岗人员培训,着力培养技能型人才和应用型人才,提升创新发展能力。引导鼓
20、励高校毕业生到基层干事创业,实现人才队伍的可持续发展。激励企业引进各类专业人才,有计划地选送一些优秀业务骨干学习深造,培养一支高素质人才队伍,为珠山创新发展提供智力支持。(二)强化企业创新主体地位以增强企业自主创新能力为核心,引导和激励企业加大知识产权创造、转化力度,提高企业影响力和竞争力。依托大型骨干企业,开展产学研联合攻关,努力在高新技术领域实现突破,形成一批自主知识产权。充分发挥龙头企业带动作用,引导建立产业技术创新战略联盟,加快培育一批掌握关键核心技术、引领行业发展、有较强竞争力的科技领军企业和小巨人企业,发展壮大一批创新型小微企业。(三)完善创新体制机制进一步增强政府统筹科技创新的作
21、用,通过制定发展规划、创造保障条件、优化政策环境、提高服务水平,将科技资源投入到事关经济社会发展、事关可持续发展、事关核心竞争力的产业上,构建完善、互动、高效的科技创新环境和体制机制。加强知识产权保护,完善技术成果信息共享互动机制,加强与国内外高等院校、科研院所、科技人员合作,鼓励和支持企业与高校院所联合开展多种形式的科研攻关和成果转化。建立持续、稳定增长的科技投入机制,形成政府投入为引导,企业投入为主体,金融资本、社会资本广泛参与的多渠道科技投入机制。充分发挥公益性服务机构的作用,完善中小企业创新服务体系,健全中小企业公共服务体系。五、 支持非公有制经济高质量发展全面落实支持非公有制经济发展
22、的政策措施,支持非公有制经济健康发展。优化非公有制经济发展环境,进一步破除制约非公有制经济发展的各种显性和隐性壁垒,保障各种所有制主体平等使用资源要素、公开公平公正参与竞争、同等受到法律保护。健全支持中小企业发展制度,增加面向中小企业的金融服务供给,加大融资增信力度,降低综合融资成本。实施新一代民营企业家健康成长促进计划,推动民营企业合法合规经营,积极履行社会责任。积极构建“亲”“清”政商关系,建立规范化机制化政企沟通渠道。六、 项目实施的必要性(一)提升公司核心竞争力项目的投资,引入资金的到位将改善公司的资产负债结构,补充流动资金将提高公司应对短期流动性压力的能力,降低公司财务费用水平,提升
23、公司盈利能力,促进公司的进一步发展。同时资金补充流动资金将为公司未来成为国际领先的产业服务商发展战略提供坚实支持,提高公司核心竞争力。第二章 行业发展分析一、 SiC较IGBT具备耐高压、低损耗和高频三大核心优势SiCMOSFET较IGBT可同时具备耐高压、低损耗和高频三大优势。1)碳化硅击穿电场强度是硅的十余倍,使得碳化硅器件耐高压特性显著高于同等硅器件。2)碳化硅具有3倍于硅的禁带宽度,使得SiCMOSFET泄漏电流较硅基IGBT大幅减少,降低导电损耗。同时,SiCMOSFET属于单极器件,不存在拖尾电流,且较高的载流子迁移率减少了开关时间,开关损耗因此得以降低。根据Rohm的研究,相同规
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