成都碳化硅项目投资计划书模板范文.docx
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1、泓域咨询/成都碳化硅项目投资计划书目录第一章 项目背景及必要性6一、 主逆变器:800V系统下SiCMOSFET大显身手,降低主逆变器损耗及体积6二、 新能源汽车:800V架构下的甜蜜时刻,SiC渗透的核心驱动力7三、 积极融入更好服务新发展格局8四、 形成引领高质量发展的动力源11第二章 行业、市场分析14一、 预计2025年全球新能源汽车SiC市场规模将达到30.1亿美元14二、 SiC材料:产业链核心环节,国内外厂商积极布局14第三章 项目概述16一、 项目名称及投资人16二、 编制原则16三、 编制依据17四、 编制范围及内容18五、 项目建设背景18六、 结论分析19主要经济指标一览
2、表21第四章 产品规划与建设内容24一、 建设规模及主要建设内容24二、 产品规划方案及生产纲领24产品规划方案一览表26第五章 项目选址可行性分析27一、 项目选址原则27二、 建设区基本情况27三、 加快推动成渝地区双城经济圈建设29四、 项目选址综合评价31第六章 建筑工程技术方案33一、 项目工程设计总体要求33二、 建设方案35三、 建筑工程建设指标36建筑工程投资一览表36第七章 法人治理38一、 股东权利及义务38二、 董事41三、 高级管理人员45四、 监事47第八章 SWOT分析说明50一、 优势分析(S)50二、 劣势分析(W)52三、 机会分析(O)52四、 威胁分析(T
3、)53第九章 劳动安全分析57一、 编制依据57二、 防范措施58三、 预期效果评价61第十章 进度规划方案62一、 项目进度安排62项目实施进度计划一览表62二、 项目实施保障措施63第十一章 原材料及成品管理64一、 项目建设期原辅材料供应情况64二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理64第十二章 节能说明66一、 项目节能概述66二、 能源消费种类和数量分析67能耗分析一览表68三、 项目节能措施68四、 节能综合评价69第十三章 投资计划71一、 投资估算的依据和说明71二、 建设投资估算72建设投资估算表76三、 建设期利息76建设期利息估算表76固定资产投资估算表78四、 流动资金
4、78流动资金估算表79五、 项目总投资80总投资及构成一览表80六、 资金筹措与投资计划81项目投资计划与资金筹措一览表81第十四章 经济效益评价83一、 经济评价财务测算83营业收入、税金及附加和增值税估算表83综合总成本费用估算表84固定资产折旧费估算表85无形资产和其他资产摊销估算表86利润及利润分配表88二、 项目盈利能力分析88项目投资现金流量表90三、 偿债能力分析91借款还本付息计划表92第十五章 项目招标方案94一、 项目招标依据94二、 项目招标范围94三、 招标要求94四、 招标组织方式95五、 招标信息发布98第十六章 项目总结99第十七章 附表附件101营业收入、税金及
5、附加和增值税估算表101综合总成本费用估算表101固定资产折旧费估算表102无形资产和其他资产摊销估算表103利润及利润分配表104项目投资现金流量表105借款还本付息计划表106建设投资估算表107建设投资估算表107建设期利息估算表108固定资产投资估算表109流动资金估算表110总投资及构成一览表111项目投资计划与资金筹措一览表112第一章 项目背景及必要性一、 主逆变器:800V系统下SiCMOSFET大显身手,降低主逆变器损耗及体积目前已有多家车企在主逆变器中采用SiCMOSFET方案替代IGBT方案,如特斯拉Model3、比亚迪汉高性能版等。Model3共用到48颗意法半导体的S
6、iCMOSFET,如果仍采用ModelX的英飞凌的IGBT,则需要54-60颗。即使成本上升370美金左右(按照艾睿供应商网站价格计算,实际大批量采购价格更低),但特斯拉考虑到损耗降低及体积节约等因素而选择SiC方案。800V架构下SiCMOSFET在新能源车的主逆变器中渗透率将进一步提升。考虑到成本因素,会率先在中高端车型上使用。1)损耗更低:根据ST的数据,800V系统下,1200VSiCMOSFET较IGBT总损耗更低,在常用的25%负载下,SiCMOSFET损耗最多低于IGBT80%,在100%负载下,SiCMOSFET损耗最多低于IGBT60%。2)高压下性能优势更加明显:在400V
7、左右的直流母线电压下,需要最大工作电压在650V左右的IGBT模块或单管。在800V的系统电压下,功率器件耐压需要提高到1200V以上。英飞凌、赛美控、罗姆、富士电机等均推出了1200V的车规级IGBT,但对比之下,SiC器件在高压下性能更好。根据ST的数据,在400V电压平台下,SiCMOSFET能够比IGBT器件拥有2-4%的效率提升;而在750V电压平台下其提升幅度则可增大至3.5-8%。对比市场上的领先SiCMOSFET和IGBT器件参数可知,1200VSiC产品优势较650V产品优势更加明显,主要体现为损耗降低幅度更大。3)耐高温:SiC的结温更高,能够在超过175度的高温下正常工作
8、,较IGBT更加适合高温环境。4)体积节约:根据ST,在10kHz工作频率和800V架构的情况下,对于一个210kW的逆变器,若采用全SiCMOSFET方案替代原先IGBT及二极管方案:1)使用总功率器件体积可从600mm2缩小5倍至120mm2;2)开关损耗和总损耗分别缩小为原来的3.9/1.9倍。3)损耗的降低使得PCU(电源控制单元)的尺寸得以减少,相对应的冷却系统体积也将得以简化。二、 新能源汽车:800V架构下的甜蜜时刻,SiC渗透的核心驱动力SiC功率器件主要包括SBD、JFET、MOSFET和模块,在新能源汽车相关应用场景主要为逆变器、OBC、及直流充电桩。当前碳化硅渗透仍处于早
9、期,主要器件类型为SiC二极管,以及在高端车系应用,目前渗透率较低。未来随着:1)特斯拉、比亚迪等头部新能源车厂带来的“示范效应”,更多车企将会逐步采用SiC方案;2)碳化硅器件价格逐步下降,成本经济效益不断提升;3)800V架构时代来临,SiC在高压下较IGBT性能优势更为明显,损耗降低幅度更大。SiC在新能源车主逆变器及OBC中渗透率将快速提升。碳化硅器件在新能源汽车中应用进入快速渗透期。2018年,特斯拉Model3率先使用由意法半导体提供的SiCMOSFET,开启电动汽车使用SiC先河,随后比亚迪、保时捷、丰田等汽车制造商陆续推出应用碳化硅器件新车型。其中,在2020年比亚迪汉搭载自主
10、研发制造的SiCMOSFET控制模块,整体加速性能及续航能力均得到显著提升。2021年,碳化硅器件在新能源汽车中应用进入快速增长阶段,国内外众多车型均开始应用碳化硅器件。根据各公司公告信息,在未来几年,小鹏、捷豹、路虎、雷诺等越来越多的厂商将在其新车型中使用SiC器件,新能源汽车中应用SiC器件以提升性能、实现轻量化为大势所趋。三、 积极融入更好服务新发展格局坚持服务国家战略赋能城市发展,充分发挥国家中心城市对畅通国民经济循环的引领支撑作用,不断增强国际门户枢纽城市辐射、集散和资源配置功能,提升城市发展战略优势,在形成新发展格局中率先突破。提高全球资源配置能力。发挥“一带一路”、长江经济带和西
11、部陆海新通道重要节点的区位优势,用好“双机场”和国际铁路港的比较优势,畅通全球人流、物流、资金流、技术流、信息流循环。完善立体大通道体系,建强亚蓉欧航空枢纽和泛欧泛亚陆港枢纽“双支撑”,加快构建“欧盟成渝日韩”“成渝东盟”开放通道,推动中欧班列(成渝)高质量发展,高效联通国际主要市场。增强促进双循环的综合运输能力,构建“四向多廊”全球物流网络,提升航空枢纽客货量级和货运能力,积极培育货运基地航空公司,完善国际多式联运集疏系统。打造国际供应链枢纽,鼓励发展高铁货运、智慧仓配、跨境电商物流等新模式新业态,构筑面向“一带一路”供应链核心节点和供应链资源配置中心。提高科技创新策源能力。坚持服务国家重大
12、战略、城市未来发展、企业成长需要、市民生命健康,构建以西部(成都)科学城“一核四区”为主平台、高品质科创空间多点支撑的创新供给网络,打造科技自立自强的创新策源新高地。增强原始创新能力,布局建设世界一流重大科技基础设施集群、前沿科学交叉研究平台,组织实施国家重大科技项目,强化战略性、前沿性技术创新。增强产业创新能力,聚焦集成电路、航空装备、生物医药等优势领域,推进创新链与产业链深度融合,加速科技成果向现实生产力转化。增强创新成果保护能力,建立完善全市全链条知识产权保护体系,加快建设知识产权保护典范城市。增强开放创新能力,健全与“一带一路”沿线国家科技合作机制,构建国际科技交流合作平台,办好“一带
13、一路”科技交流大会,主动融入全球创新网络。提高高端要素集成能力。聚焦推动高质量发展,强化高端人才集聚、多维信息交互、优质资本运筹、前沿技术转化等核心功能,加快形成全球性大规模集聚高端先进要素的引力场。增强人才要素吸引力,打造多要素汇集的协同应用场景,巩固提升创新创业资源优势、人才获取成本优势、宜业宜居环境优势,加快建设国际人才枢纽。增强信息要素交互力,打造“一带一路”重要信息通信节点、数据中心和国际信息港,推动信息资源整合共享,加快建设国际性区域通信枢纽。增强技术要素集聚力,健全技术交易服务体系,提升产业项目与技术资源供需对接水平,打造成渝地区一体化技术交易市场。增强资本要素运筹力,建设知识产
14、权融资服务平台,发展壮大科技和产业投资基金规模,提升各类基金专业化规范化运营水平,提高直接融资比重。提高投资消费辐射能力。坚持引进来、走出去并重,做优做强成都创造、成都服务、成都消费、成都休闲“四大品牌”,推动国家中心城市经济边界持续拓展、区域带动力全面提升。增强“成都创造”投资辐射力,聚焦先进制造业重点领域,培育若干以成都为中心、有能力在全国全球协同配置资源要素和组织生产销售的区域生态圈。增强“成都服务”投资辐射力,加快培育“在成都、链欧亚、通全球”的生产性服务业集群,打造国家先进生产性服务业标杆城市、全球服务资源配置战略枢纽。增强“成都消费”“成都休闲”消费辐射力,提高西南生活中心美誉度,
15、拓展“买全球、卖全球”消费供给网络,加快建设服务于扩大内需、畅通循环的国际消费中心城市。四、 形成引领高质量发展的动力源坚持创新驱动发展战略,把科技自立自强作为促进发展大局的根本支撑,聚焦科学新发现、技术新发明、产业新方向,抢占创新制高点,优化创新生态,形成人才优势,提升策源能力,为构建现代产业体系提供科技支撑。(一)高水平建设西部(成都)科学城紧扣科技前沿、国家战略和城市发展,着力增强创新策源能力,打好关键核心技术攻坚战,建设引领高质量发展的创新极核。以成都科学城为核心争创综合性国家科学中心,加快建设天府实验室并力争纳入国家实验室体系。建设国家川藏铁路技术创新中心及成果转化基地、国际深地科学
16、研究中心等重大创新平台,聚集全球知名大学、科研机构和创新型企业。联合中科院、国内外知名高校在新一代信息技术、智能制造、生物医药等领域打造新型研发机构。超前布局量子互联网、太赫兹通信、合成生物等前沿技术,实现原创性成果和颠覆性技术重大突破。(二)构建以企业为主体的技术创新体系强化企业创新主体地位,推动创新要素向企业聚集,着力打造创新型企业集群。将研发投入纳入国有企业负责人经营业绩考核,推动国有企业研发投入稳步增长。支持科技型企业设置特殊股权结构,探索“同股不同权”治理。组建成都科技创新投资集团。鼓励科技型领军企业联合行业上下游组建创新联合体,支持科技型中小企业联合高校、科研院所、行业专业培训机构
17、共建产学研联合实验室、概念验证中心。大力引导天使投资、风险投资和战略投资在蓉集聚,孵化培育科技型企业。搭建一体化综合科技创新服务平台,支持创新产品市场验证、技术迭代、应用推广、首购首用。(三)大力提升高知识高技能人口比例构建与城市发展战略和高质量发展要求相匹配的人力资源协同体系,大力集聚高知识高技能人口。健全支持高知识高技能人口就业、创业、创新、户籍、居住保障等政策体系,构建有机会、有温度、有保障的人才成长环境。弘扬科学精神和工匠精神。实施“蓉漂计划”“产业生态圈人才计划”“成都城市猎头行动计划”,依托西部(成都)科学城招引全球高端人才,加快聚集国际一流的战略科技人才、科技领军人才、青年科技人
18、才、基础研究人才和高水平创新创业团队。鼓励在蓉大学生留蓉发展。深入推进产业工人队伍建设改革,打造高素质产业工人队伍。建好蓉漂人才发展学院,加强与科研院校联合培养高层次应用型、技能型人才。搭建“共享人才”平台,引导新职业人群灵活就业,提升人力资源配置效率、使用效益。(四)推动科技创新和协同创新示范区建设构建创新合作网络,促进政产学研用紧密结合,建设区域协同创新共同体,加快科技资源互联互通和开放共享。促进企业、高校院所、创业资本、应用场景高效集成,支持有条件的高校、科研机构和企业共建联合实验室或新型研究机构。培育以研发设计、成果转移转化、检验检测、数据服务、科技金融等为重点的高技术服务业,打造高技
19、术服务业集聚区。深化成德绵国家科技成果转移转化示范区建设,推动成德眉资落实新一轮全面创新改革试验部署。建设天府国际技术转移中心,引育高水平科技经纪组织,构建辐射全国、链接全球的技术交易和成果转化服务体系。深化科技体制改革,实行重大科技项目“揭榜挂帅”和科研经费“包干与负面清单”等制度。第二章 行业、市场分析一、 预计2025年全球新能源汽车SiC市场规模将达到30.1亿美元根据测算,2020年全球新能源汽车SiC器件及模块市场规模为2.7亿美元,预计到2025年达30.1亿美元,对应CAGR为62.3%;由此带来的2020年对SiC晶圆(6寸)的消耗量达13.7万片,预计到2025年将达199
20、.6万片,对应CAGR为71.0%。全球新能源汽车渗透率的快速提升将驱动SiC市场规模高速增长,采取自上而下的方式,以新能源汽车销量为基础,考虑单车SiC器件或模块的价值量、不同零部件SiC渗透率等假设来进行测算。根据测算,至2025年全球新能源汽车消耗SiC衬底数量将达到199.6万片/年,考虑到当前有效衬底产能仍然稀缺,预计SiC功率器件供需偏紧格局将保持相当长时间。二、 SiC材料:产业链核心环节,国内外厂商积极布局相比于Si,SiC衬底和外延为制造产业链核心环节,合计价值量占比超60%。在传统硅基器件制造过程中,需要在硅片基础上进行氧化、涂层、曝光、光刻、刻蚀、清洗等多个前道处理步骤,
21、从而产生更高附加值。SiC材料则仅用于分立器件制造,其前端工艺难度不大,而衬底和外延需在高温、高压环境中生成,生长速度缓慢,为关键技术难点,占据产业链主要价值量。据CASAResearch数据显示,在传统硅基器件中,硅片前道处理附加价值量达到80%,衬底和外延环节仅占11%;而在碳化硅器件的成本构成中,衬底和外延占比分别为50%和25%,合计达到75%,为产业链中价值量最高环节。此外,衬底和外延质量对器件性能优劣起至关重要作用,提升其良率为碳化硅器件制备主要攻克目标。第三章 项目概述一、 项目名称及投资人(一)项目名称成都碳化硅项目(二)项目投资人xx(集团)有限公司(三)建设地点本期项目选址
22、位于xx。二、 编制原则1、政策符合性原则:报告的内容应符合国家产业政策、技术政策和行业规划。2、循环经济原则:树立和落实科学发展观、构建节约型社会。以当地的资源优势为基础,通过对本项目的工艺技术方案、产品方案、建设规模进行合理规划,提高资源利用率,减少生产过程的资源和能源消耗延长生产技术链,减少生产过程的污染排放,走出一条有市场、科技含量高、经济效益好、资源消耗低、环境污染少、资源优势得到充分发挥的新型工业化路子,实现可持续发展。3、工艺先进性原则:按照“工艺先进、技术成熟、装置可靠、经济运行合理”的原则,积极应用当今的各项先进工艺技术、环境技术和安全技术,能耗低、三废排放少、产品质量好、经
23、济效益明显。4、提高劳动生产率原则:近一步提高信息化水平,切实达到提高产品的质量、降低成本、减轻工人劳动强度、降低工厂定员、保证安全生产、提高劳动生产率的目的。5、产品差异化原则:认真分析市场需求、了解市场的区域性差别、针对产品的差异化要求、区异化的特点,来设计不同品种、不同的规格、不同质量的产品以满足不同用户的不同要求,以此来扩大市场占有率,寻求经济效益最大化,提高企业在国内外的知名度。三、 编制依据1、国民经济和社会发展第十三个五年计划纲要;2、投资项目可行性研究指南;3、相关财务制度、会计制度;4、投资项目可行性研究指南;5、可行性研究开始前已经形成的工作成果及文件;6、根据项目需要进行
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