17版半导体物理考研大纲.doc
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1、一、考试形式(一)闭卷,笔试,考试时间180分钟,试卷总分150分(二)试卷结构 第一部分:名词解释, 约50分第二部分:简答题,约20分 第三部分:计算题、证明题,约80分二、考试内容(一)半导体的电子状态:半导体的晶格结构和结合性质,半导体中的电子状态和能带,半导体中的电子运动和有效质量,本征半导体的导电机构,空穴,回旋共振,硅和锗的能带结构,IIIV族化合物半导体的能带结构,IIVI族化合物半导体的能带结构(二)半导体中杂质和缺陷能级:硅、锗晶体中的杂质能级,IIIV族化合物中杂质能级,缺陷、位错能级(三)半导体中载流子的统计分布状态密度,费米能级和载流子的统计分布,本征半导体的载流子浓
2、度,杂质半导体的载流子浓度,一般情况下的载流子统计分布,简并半导体(四)半导体的导电性载流子的漂移运动,迁移率,载流子的散射,迁移率与杂质浓度和温度的关系,电阻率及其与杂质浓度和温度的关系,玻尔兹曼方程,电导率的统计理论,强电场下的效应,热载流子,多能谷散射,耿氏效应 (五)非平衡载流子非平衡载流子的注入与复合,非平衡载流子的寿命,准费米能级,复合理论,陷阱效应,载流子的扩散运动,载流子的漂移运动,爱因斯坦关系式,连续性方程式(六)p-n结p-n结及其能带图,p-n结电流电压特性,p-n结电容,p-n结击穿,p-n结隧道效应 (七)金属和半导体的接触金属半导体接触及其能级图,金属半导体接触整流
3、理论,少数载流子的注入和欧姆接触(八)半导体表面与MIS结构表面态,表面电场效应,MIS结构的电容电压特性,硅二氧化硅系数的性质,表面电导及迁移率,表面电场对pn结特性的影响 (九)异质结异质结及其能带图,异质结的电流输运机构,异质结在器件中的应用,半导体超晶格 (十)半导体的光、热、磁、压阻等物理现象半导体的光学常数,半导体的光吸收,半导体的光电导,半导体的光生伏特效应,半导体发光,半导体激光,热电效应的一般描述,半导体的温差电动势率,半导体的玻尔帖效应,半导体的汤姆孙效应,半导体的热导率,半导体热电效应的应用,霍耳效应,磁阻效应,磁光效应,量子化霍耳效应,热磁效应,光磁电效应,压阻效应,声
4、波和载流子的相互作用三、考试要求(一)半导体的晶格结构和电子状态1了解半导体的晶格结构和结合性质的基本概念。2理解半导体中的电子状态和能带的基本概念。3掌握半导体中的电子运动规律,理解有效质量的意义。4理解本征半导体的导电机构,理解空穴的概念。5熟练掌握空间等能面和回旋共振的相关公式推导、并能灵活运用。6理解硅和锗的能带结构,掌握有效质量的计算方法。7了解IIIV族化合物半导体的能带结构。8了解IIVI族化合物半导体的能带结构。(二)半导体中杂质和缺陷能级1理解替位式杂质、间隙式杂质、施主杂质、施主能级、受主杂质、受主能级的概念。2简单计算浅能级杂质电离能。3了解杂质的补偿作用、深能级杂质的概
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- 17 半导体 物理 考研 大纲
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