导电高聚物的合成精选PPT.ppt
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1、关于导电高聚物的合成第1页,讲稿共96张,创作于星期日2几种主要的导电高聚物聚乙炔聚吡咯和聚噻吩聚对苯撑聚芳香撑乙烯聚苯胺第2页,讲稿共96张,创作于星期日3一、聚乙炔的合成白川英树等ZieglerNatta催化剂的浓稠液表面上使乙炔聚合,得到高结晶的、具有拉伸性能的薄膜状聚合物。通过掺杂显示出很高的电导率。第3页,讲稿共96张,创作于星期日4Shirakawa能够控制cis/trans 型的比例;碘可能首先将聚合物异构化为trans-型;Cis型聚合物也可以具有很高的导电性。用AsF5 掺杂的cis型聚合物电导率提高为原来的1011倍(比未掺杂)。第4页,讲稿共96张,创作于星期日51980
2、年,Durham 大学的James W.Feast及其合作者从一种叫聚(7,8-双三氟甲基-三环4.2.2.0癸(3,7,9三烯)的可溶性前体出发合成了聚乙炔,通过加热分解掉双三氟甲基苯(挥发)而得到密度比Shirakawa所得更大的聚乙炔。第5页,讲稿共96张,创作于星期日6另一个重要发现是Robert H.Grubbs及其合作者以烷基钛络合物为催化剂将环辛四烯转换成了聚乙炔。虽然Grubbs报告中的聚乙炔的电导率约35000S/m,但和其他聚乙炔一样既难加工也不稳定。然而,Grubbs及其合作者通过对环辛四烯引入烷基,得到了人们所希望的易溶、可加工成型的取代聚乙炔,虽然烷基取代基明显降低了
3、导电性。第6页,讲稿共96张,创作于星期日7王佛松、钱人元等人用稀土Nd(或V)及烷基铝作催化剂,通过改变溶剂或添加剂的种类及稀土/烷基铝的比率获得了具有纤维状结构的聚乙炔薄膜,其电导率在101000 S/cm。第7页,讲稿共96张,创作于星期日8曹镛等用TiOBu4/AlR3为催化剂,用纯的四氢呋喃及苯甲醚为溶剂,得到了球状或颗粒状的聚乙炔膜。王岱山等通过对Shirakawa催化体系进行特殊处理,得到了高性能的聚乙炔膜。第8页,讲稿共96张,创作于星期日9利用通常的搅拌聚合法所得到的粉状聚合物电导率比薄膜状聚合物低的多。不过,生成凝胶状的聚乙炔可通过加压成型使其成为细孔的板状,再掺杂可显示出
4、与薄膜状聚合物相比拟的电导率。第9页,讲稿共96张,创作于星期日10间接法制备聚乙炔 第10页,讲稿共96张,创作于星期日11不足这种方法制成的聚合物导电率不高 原因:在脱氯化氢过程中有交联反应发生,导致共轭链中出现缺陷,共轭链缩短.可能是生成的共轭链构型多样,同样影响导电能力的提高。第11页,讲稿共96张,创作于星期日12采用类似的方法,以聚丁二烯为原料,通过氯代和脱氯化氢反应制备聚乙炔型导电聚合物,消除反应在强碱性条件下进行,在一定程度上克服了上述缺陷。第12页,讲稿共96张,创作于星期日13第13页,讲稿共96张,创作于星期日14目前最高的电导率是由Naarmann等采用催化剂所合成的聚
5、乙炔。1987年西德BASF的科学家Herbert Naarman 和Nicholas Theophilou在shirakawa方法基础上在150对合成方法进行了改良,优化了导体的性能(遗憾不是加工问题)。熟化后聚合物经拉伸处理掺杂后,其导电率达到2105Scm-1。这一电导率约相当于铜电导率6105 Scm-1的1/3,而在相同重量的情况下,显示出比铜高2-3倍的良好电导率。第14页,讲稿共96张,创作于星期日15为了提高聚乙炔的溶解性,人们研究了各种取代聚乙炔;乙炔有取代基时,聚合物的电导率降低,但却大大改善了它的溶解性,取代聚乙炔基本上都是可溶的;取代聚乙炔,尤其是含氟炔烃的稳定性比聚乙
6、炔好。第15页,讲稿共96张,创作于星期日16聚乙炔由于化学上的活性与掺杂剂的反应,使其在空气中性能下降。第16页,讲稿共96张,创作于星期日17乙炔与其它高聚物的共聚也是人们感兴趣的课题之一。如乙炔与丙炔的共聚。它们的共聚物可以溶解而电导率比聚乙炔低,且随乙炔含量的增加共聚物的电导率亦增加。第17页,讲稿共96张,创作于星期日18第18页,讲稿共96张,创作于星期日19二、聚噻吩及聚吡咯的合成 聚噻吩与聚吡咯可通过以下等方法合成 络合催化缩合聚合 电解氧化 化学氧化第19页,讲稿共96张,创作于星期日20第20页,讲稿共96张,创作于星期日21化学氧化聚合得到的一般是粉末样品,而电化学聚合则
7、可直接得到导电PPy薄膜,所以采用电化学聚合的方法是一个制备PPy 的最主要的方法。第21页,讲稿共96张,创作于星期日22电化学聚合我国中科院化学所的钱人元、李永舫等人从1985年前后开始进行PPy的电化学聚合的研究,取得了一系列的研究成果,并于1995年获国家自然科学二等奖。第22页,讲稿共96张,创作于星期日23最早PPy电化学制备的文献报道主要是在有机电解液中进行。考虑到吡咯的氧化聚合电位在0.7V(vs.SCE)左右,完全可以在水溶液中进行,所以他们的主要研究范围集中在PPy在水溶液中的电化学聚合。第23页,讲稿共96张,创作于星期日24电化学聚合是通过控制电化学聚合条件,如吡咯单体
8、的电解液、支持电解质、溶剂、聚合电位、电流、温度等,在电极上沉积导电PPy膜的方法。电极可以是各种惰性金属电极,如铂、金、不锈钢、镍等,或导电玻璃、石墨和玻碳电极等。第24页,讲稿共96张,创作于星期日25PPy不溶不熔,并且一般方法制备的导电PPy力学性能较差,这就限制了它的应用。第25页,讲稿共96张,创作于星期日26钱人元等将PPy与尼龙等高柔韧性和高力学性能的聚合物相结合,成功地制备了高性能的复合材料。他们还发现复合PPy后尼龙66的结晶度和结晶完整性大大提高,复合膜表面的PPy具有网状结构,其网眼大小为40300,网中为高度结晶的尼龙66。复合膜还大大提高了原基体尼龙66的杨氏模量。
9、第26页,讲稿共96张,创作于星期日27他们以非离子表面活性剂OP10作添加剂,在对甲苯磺酸钠水溶液中制备出拉伸强度达127MPa的PPy膜,这一力学强度迄今为止仍是文献报道的最高值。第27页,讲稿共96张,创作于星期日28为了改善PPy的溶解性,3位取代的聚吡咯衍生物引起了人们的广泛注意,这些衍生物有些是可溶的。目前已经分别合成了聚(3烷基吡咯),聚(3-烷基噻吩吡咯)等。第28页,讲稿共96张,创作于星期日29改善加工性的方法PPy分散在聚合物基质中的方法:将聚合物和吡咯单体共同溶于某一种溶剂中,蒸发溶剂得到含吡咯单体的聚合物膜(或其它型材),然后加入氧化剂及掺杂剂三氯化铁使吡咯在聚合物基
10、体内聚合成为导电性PPy。先将三氯化铁分散在基体聚合物中(一般要求基体聚合物有极性,如PA、粘胶等),再将吡咯单体引入基体聚合物,发生原位聚合反应,生成聚合物基聚吡咯复合材料。第29页,讲稿共96张,创作于星期日30本组的研究同离子吸附效应制备聚吡咯包覆的铁氧体电磁屏蔽材料AgPPy同轴纳米电缆,具有剑鞘结构。第30页,讲稿共96张,创作于星期日31聚噻吩及其衍生物相对于其它几种导电高分子而言,聚噻吩类衍生物具有可溶解性、高电导率、高稳定性等特性。第31页,讲稿共96张,创作于星期日32聚噻吩化学起步于上世纪80年代初,是由Yamamoto T等人首先报道的(聚合度只有15):1983年,Ya
11、mamoto T等人报道了甲基取代聚噻吩的合成结果(Mw=2300)。虽然其产物仍不具有可溶性,但这一研究却开创了人们合成侧基取代聚噻吩的先河,并预示着合成更长链取代基聚噻吩是可能的。第32页,讲稿共96张,创作于星期日33随后Elsenbaumer R L等人开始报道了可溶性烷基取代聚噻吩的研究结果,他们的合成方法与上面Yamamoto等人的方法基本相同他们发现侧基中碳原子数多于或等于4个时,聚合物溶于很多常用有机溶剂如苯、甲苯、氯仿、四氢呋喃等中,并测定平均分子量为30008000。从而预示着降低分子链间结合力,增加高分子主链柔性,降低主链共轭度是提高高分子材料溶解性的有效途径。第33页,
12、讲稿共96张,创作于星期日34Ten Kanyue等合成了一系列烷基取代聚噻吩衍生物,掺杂前为深红色,掺杂后最高电导率达15S/cm。史金以三氟化硼乙醚和AlCl3/CH3CN作为催化剂在低电位下进行电化学氧化聚合,可以达到金属铝的电导率。第34页,讲稿共96张,创作于星期日351995年,McClain MD等人于报道了另外一种合成可溶性聚噻吩的方法。这一方法首先将3-烷基噻吩在HgCl2和醋酸钠存在下转变成2,5-二氯汞化物,再将其在铜粉和少量PdCl2存在下在吡啶中进行聚合。该方法也可获得高分子量聚合物(Mn=26K)。其优势在于不仅可以用来合成烷基聚噻吩,而且经改进后也可用于聚烷基噻吩
13、酮及其衍生物的合成。资料显示这些衍生物仍具有较高分子量,但由于其合成过程稍繁杂,而且作为副产物要产生毒性汞化物,所以目前尚未被广泛采用。第35页,讲稿共96张,创作于星期日36现在普遍采用的方法是由Sugimoto R和Yoshinopo K等人于1986年发现的方法,学术界上将这一方法统称Fe(III)法.该方法的最大优点是使用简单的仪器设备和反应路线,反应条件温和、易控制,这就为工业化生产提供了有利条件。但该方法制各聚合物时,在大量FeCl3存在下聚合物往往以掺杂态的形式被沉降出(掺杂剂为催化剂中的Fe3+离子),难溶于常用有机溶剂。所以为获得本征态聚合物,人们通常采用饱和水合肼或氨水处理
14、法。Fe(III)法不仅适用于合成烷基取代聚噻吩,而且进一步的实验发现该方法也适用于合成带其它侧基的聚噻吩的衍生物。第36页,讲稿共96张,创作于星期日37规整3一取代聚噻吩1990年,Leclerc M等人合成了3,4-二烷氧基聚噻吩,发现当3,4位被相同的取代基取代时,结构变得相当规整。1991年,Jonas F等人合成了3,4-乙二氧基聚噻吩PEDOT,具有相当好的环境稳定性和导电性,可以用作透明电极。第37页,讲稿共96张,创作于星期日381992年,McCullough R D等人己合成出了几乎100纯度的头尾(H-T)相连有规聚合物。该路线合成得到的规整取代聚噻吩的光电性能较之无规
15、聚合物有很大的提高,缺点在于该反应需低温条件下才能进行。第38页,讲稿共96张,创作于星期日39。ChenTian-an等人采用Rieke锌法合成了一些规整取代噻吩,规整度达到98,并且当噻吩环上5一位用碘取代时,反应条件也比较温和。第39页,讲稿共96张,创作于星期日401999年,Lowe R S等人用格氏置换聚合法合成了规整的烷基取代噻吩,该方法具有反应条件温和、线路简单等优点。2001年,该研究小组又合成了一系列规整3-取代烷基聚噻吩。该合成方法具有快速、简易的优点,可以得到相当高的规整度,且反应无需在低温下进行,克服了Rieke锌法原料的昂贵。此反应还可以合成3-取代酯基、醚基、溴代
16、烷基、烷氧基等一系列取代基的规整聚合物。2005年,该研究小组合成聚3-十二烷基噻吩,从而加长了链的长度,使紫外吸收红移并且导电性能得到了加强。第40页,讲稿共96张,创作于星期日41聚噻吩衍生物的掺杂导电率聚噻吩衍生物的掺杂导电率噻吩的聚合电位高于1.5V,其电化学聚合必须在非水电解液中进行。第41页,讲稿共96张,创作于星期日42三、聚对苯撑的合成聚对苯撑是由化学性质稳定的苯环构成的。即使在空气中也具有耐高达500的耐热性。它具有刚性的棒状结构,在晶体中显示与聚乙炔有相似的堆积结构。第42页,讲稿共96张,创作于星期日43聚对苯撑的主要合成方法 化学聚合法:化学氧化聚合法 二卤芳烃的偶合
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