广州碳化硅项目商业计划书(参考范文).docx
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1、泓域咨询/广州碳化硅项目商业计划书广州碳化硅项目商业计划书xxx(集团)有限公司报告说明根据谨慎财务估算,项目总投资24136.49万元,其中:建设投资19021.77万元,占项目总投资的78.81%;建设期利息270.79万元,占项目总投资的1.12%;流动资金4843.93万元,占项目总投资的20.07%。项目正常运营每年营业收入44500.00万元,综合总成本费用37052.80万元,净利润5431.93万元,财务内部收益率15.78%,财务净现值3914.37万元,全部投资回收期6.30年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。全SiCMOSFET方案降低O
2、BC系统尺寸、重量和成本,同时提高运行效率。根据Wolfspeed的研究,采用全SiCMOSFET方案的22kW双向OBC,可较Si方案实现功率器件和栅极驱动数量都减少30%以上,且开关频率提高一倍以上,实现系统轻量化和整体运行效率提升。SiC系统在3kW/L的功率密度下可实现97%的峰值系统效率,而SiOBC仅可在2kW/L的功率密度下实现95%的效率。同时,进一步拆分成本,由于SiC器件的性能可减少DC/DC模块中所需大量的栅极驱动和磁性元件。因此,尽管相比单个Si基二极管和功率晶体管,SiC基功率器件的成本更高,但整体全SiC方案的OBC成本可节约15%左右。本报告基于可信的公开资料,参
3、考行业研究模型,旨在对项目进行合理的逻辑分析研究。本报告仅作为投资参考或作为参考范文模板用途。目录第一章 项目概述9一、 项目提出的理由9二、 项目概述9三、 项目总投资及资金构成11四、 资金筹措方案12五、 项目预期经济效益规划目标12六、 项目建设进度规划12七、 研究结论13八、 主要经济指标一览表13主要经济指标一览表13第二章 市场预测16一、 主逆变器:800V系统下SiCMOSFET大显身手,降低主逆变器损耗及体积16二、 海外厂商普遍看好SiC市场空间,相关业务业绩展望乐观17三、 新能源车充电及里程焦虑凸显,800V架构时代来临18第三章 项目投资背景分析20一、 SiC材
4、料:产业链核心环节,国内外厂商积极布局20二、 工控:SiC模块有望在轨交、智能电网、风电等领域实现全方位渗透20三、 碳化硅材料:全球加速扩产“跑马圈地”,关注稀缺的有效产能21四、 着力服务构建新发展格局24五、 共建国际一流湾区和世界级城市群26第四章 建设单位基本情况28一、 公司基本信息28二、 公司简介28三、 公司竞争优势29四、 公司主要财务数据32公司合并资产负债表主要数据32公司合并利润表主要数据32五、 核心人员介绍32六、 经营宗旨34七、 公司发展规划34第五章 创新发展40一、 企业技术研发分析40二、 项目技术工艺分析42三、 质量管理44四、 创新发展总结45第
5、六章 SWOT分析46一、 优势分析(S)46二、 劣势分析(W)48三、 机会分析(O)48四、 威胁分析(T)49第七章 发展规划53一、 公司发展规划53二、 保障措施57第八章 运营模式分析60一、 公司经营宗旨60二、 公司的目标、主要职责60三、 各部门职责及权限61四、 财务会计制度64第九章 法人治理结构68一、 股东权利及义务68二、 董事71三、 高级管理人员75四、 监事77第十章 建设内容与产品方案80一、 建设规模及主要建设内容80二、 产品规划方案及生产纲领80产品规划方案一览表80第十一章 进度计划方案82一、 项目进度安排82项目实施进度计划一览表82二、 项目
6、实施保障措施83第十二章 建筑工程可行性分析84一、 项目工程设计总体要求84二、 建设方案84三、 建筑工程建设指标86建筑工程投资一览表86第十三章 项目风险分析88一、 项目风险分析88二、 公司竞争劣势91第十四章 投资计划方案92一、 投资估算的编制说明92二、 建设投资估算92建设投资估算表94三、 建设期利息94建设期利息估算表95四、 流动资金96流动资金估算表96五、 项目总投资97总投资及构成一览表97六、 资金筹措与投资计划98项目投资计划与资金筹措一览表99第十五章 项目经济效益101一、 基本假设及基础参数选取101二、 经济评价财务测算101营业收入、税金及附加和增
7、值税估算表101综合总成本费用估算表103利润及利润分配表105三、 项目盈利能力分析105项目投资现金流量表107四、 财务生存能力分析108五、 偿债能力分析109借款还本付息计划表110六、 经济评价结论110第十六章 总结分析112第十七章 补充表格116营业收入、税金及附加和增值税估算表116综合总成本费用估算表116固定资产折旧费估算表117无形资产和其他资产摊销估算表118利润及利润分配表119项目投资现金流量表120借款还本付息计划表121建设投资估算表122建设投资估算表122建设期利息估算表123固定资产投资估算表124流动资金估算表125总投资及构成一览表126项目投资计
8、划与资金筹措一览表127第一章 项目概述一、 项目提出的理由SiCMOSFET可简化直流充电桩AC/DC及DC/DC电路结构,减少器件数量实现充电效率提升。根据英飞凌,在DC/DC中,使用4颗1200VSiCMOSFET替代8颗650V硅基MOSFET,在同样功率下,可将原来的两相全桥LLC电路简化为单相全桥LLC电路,所用器件数量减少50%,提升电路整体效率。同样在AC/DC中,使用SiCMOSFET可将三相Vienna整流器拓扑电路简化为两相结构,器件数量减少50%实现效率提升。同时,SiCMOSFET的整体损耗也更小。综上,SiC方案能使得整体充电器体积更小、功率密度更高、充电效率更高,
9、更好的满足快充要求。二、 项目概述(一)项目基本情况1、项目名称:广州碳化硅项目2、承办单位名称:xxx(集团)有限公司3、项目性质:新建4、项目建设地点:xx(待定)5、项目联系人:向xx(二)主办单位基本情况公司满怀信心,发扬“正直、诚信、务实、创新”的企业精神和“追求卓越,回报社会” 的企业宗旨,以优良的产品服务、可靠的质量、一流的服务为客户提供更多更好的优质产品及服务。面对宏观经济增速放缓、结构调整的新常态,公司在企业法人治理机构、企业文化、质量管理体系等方面着力探索,提升企业综合实力,配合产业供给侧结构改革。同时,公司注重履行社会责任所带来的发展机遇,积极践行“责任、人本、和谐、感恩
10、”的核心价值观。多年来,公司一直坚持坚持以诚信经营来赢得信任。当前,国内外经济发展形势依然错综复杂。从国际看,世界经济深度调整、复苏乏力,外部环境的不稳定不确定因素增加,中小企业外贸形势依然严峻,出口增长放缓。从国内看,发展阶段的转变使经济发展进入新常态,经济增速从高速增长转向中高速增长,经济增长方式从规模速度型粗放增长转向质量效率型集约增长,经济增长动力从物质要素投入为主转向创新驱动为主。新常态对经济发展带来新挑战,企业遇到的困难和问题尤为突出。面对国际国内经济发展新环境,公司依然面临着较大的经营压力,资本、土地等要素成本持续维持高位。公司发展面临挑战的同时,也面临着重大机遇。随着改革的深化
11、,新型工业化、城镇化、信息化、农业现代化的推进,以及“大众创业、万众创新”、中国制造2025、“互联网+”、“一带一路”等重大战略举措的加速实施,企业发展基本面向好的势头更加巩固。公司将把握国内外发展形势,利用好国际国内两个市场、两种资源,抓住发展机遇,转变发展方式,提高发展质量,依靠创业创新开辟发展新路径,赢得发展主动权,实现发展新突破。未来,在保持健康、稳定、快速、持续发展的同时,公司以“和谐发展”为目标,践行社会责任,秉承“责任、公平、开放、求实”的企业责任,服务全国。(三)项目建设选址及用地规模本期项目选址位于xx(待定),占地面积约45.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越,交通便利
12、,规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备,非常适宜本期项目建设。(四)产品规划方案根据项目建设规划,达产年产品规划设计方案为:xx吨碳化硅/年。三、 项目总投资及资金构成本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算,项目总投资24136.49万元,其中:建设投资19021.77万元,占项目总投资的78.81%;建设期利息270.79万元,占项目总投资的1.12%;流动资金4843.93万元,占项目总投资的20.07%。四、 资金筹措方案(一)项目资本金筹措方案项目总投资24136.49万元,根据资金筹措方案,xxx(集团)有限公司计划自筹资金(资本金)13083.67万
13、元。(二)申请银行借款方案根据谨慎财务测算,本期工程项目申请银行借款总额11052.82万元。五、 项目预期经济效益规划目标1、项目达产年预期营业收入(SP):44500.00万元。2、年综合总成本费用(TC):37052.80万元。3、项目达产年净利润(NP):5431.93万元。4、财务内部收益率(FIRR):15.78%。5、全部投资回收期(Pt):6.30年(含建设期12个月)。6、达产年盈亏平衡点(BEP):18581.56万元(产值)。六、 项目建设进度规划项目计划从可行性研究报告的编制到工程竣工验收、投产运营共需12个月的时间。七、 研究结论本项目符合国家产业发展政策和行业技术进
14、步要求,符合市场要求,受到国家技术经济政策的保护和扶持,适应本地区及临近地区的相关产品日益发展的要求。项目的各项外部条件齐备,交通运输及水电供应均有充分保证,有优越的建设条件。,企业经济和社会效益较好,能实现技术进步,产业结构调整,提高经济效益的目的。项目建设所采用的技术装备先进,成熟可靠,可以确保最终产品的质量要求。八、 主要经济指标一览表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积30000.00约45.00亩1.1总建筑面积55897.091.2基底面积18600.001.3投资强度万元/亩409.662总投资万元24136.492.1建设投资万元19021.772.1.1工程费用万
15、元16536.462.1.2其他费用万元2136.032.1.3预备费万元349.282.2建设期利息万元270.792.3流动资金万元4843.933资金筹措万元24136.493.1自筹资金万元13083.673.2银行贷款万元11052.824营业收入万元44500.00正常运营年份5总成本费用万元37052.806利润总额万元7242.577净利润万元5431.938所得税万元1810.649增值税万元1705.2210税金及附加万元204.6311纳税总额万元3720.4912工业增加值万元13359.4113盈亏平衡点万元18581.56产值14回收期年6.3015内部收益率15.
16、78%所得税后16财务净现值万元3914.37所得税后第二章 市场预测一、 主逆变器:800V系统下SiCMOSFET大显身手,降低主逆变器损耗及体积目前已有多家车企在主逆变器中采用SiCMOSFET方案替代IGBT方案,如特斯拉Model3、比亚迪汉高性能版等。Model3共用到48颗意法半导体的SiCMOSFET,如果仍采用ModelX的英飞凌的IGBT,则需要54-60颗。即使成本上升370美金左右(按照艾睿供应商网站价格计算,实际大批量采购价格更低),但特斯拉考虑到损耗降低及体积节约等因素而选择SiC方案。800V架构下SiCMOSFET在新能源车的主逆变器中渗透率将进一步提升。考虑到
17、成本因素,会率先在中高端车型上使用。1)损耗更低:根据ST的数据,800V系统下,1200VSiCMOSFET较IGBT总损耗更低,在常用的25%负载下,SiCMOSFET损耗最多低于IGBT80%,在100%负载下,SiCMOSFET损耗最多低于IGBT60%。2)高压下性能优势更加明显:在400V左右的直流母线电压下,需要最大工作电压在650V左右的IGBT模块或单管。在800V的系统电压下,功率器件耐压需要提高到1200V以上。英飞凌、赛美控、罗姆、富士电机等均推出了1200V的车规级IGBT,但对比之下,SiC器件在高压下性能更好。根据ST的数据,在400V电压平台下,SiCMOSFE
18、T能够比IGBT器件拥有2-4%的效率提升;而在750V电压平台下其提升幅度则可增大至3.5-8%。对比市场上的领先SiCMOSFET和IGBT器件参数可知,1200VSiC产品优势较650V产品优势更加明显,主要体现为损耗降低幅度更大。3)耐高温:SiC的结温更高,能够在超过175度的高温下正常工作,较IGBT更加适合高温环境。4)体积节约:根据ST,在10kHz工作频率和800V架构的情况下,对于一个210kW的逆变器,若采用全SiCMOSFET方案替代原先IGBT及二极管方案:1)使用总功率器件体积可从600mm2缩小5倍至120mm2;2)开关损耗和总损耗分别缩小为原来的3.9/1.9
19、倍。3)损耗的降低使得PCU(电源控制单元)的尺寸得以减少,相对应的冷却系统体积也将得以简化。二、 海外厂商普遍看好SiC市场空间,相关业务业绩展望乐观碳化硅器件方面,Wolfspeed预计2022年市场规模将达到43亿美元,2024年进一步增长至66亿美元,并于2026年突破89亿美元。碳化硅器件市场增长驱动力主要来自电动汽车、射频、工业及能源领域,其中,在电动汽车大势所驱背景下,碳化硅材料在400V和800V充电架构中的优势日益凸显,Wolfspeed预计2026年汽车器件将占据超50%的市场规模,2023-2026年CAGR达30%;此外,随成本下降,碳化硅器件在工业市场的应用将更加广泛
20、,Wolfspeed预计远期有望创造超400亿美元市场空间。碳化硅材料方面,Wolfspeed认为市场供应将持续增加,但产能仍将供不应求,Wolfspeed预计2022年碳化硅材料市场达7亿美元,2024年进一步增长至12亿美元,并于2026年突破17亿美元,2022至2026年增长近2.5倍。同时,公司预期150mm向200mm工艺节点的转变将带来成本优化,进一步促进市场需求扩增。三、 新能源车充电及里程焦虑凸显,800V架构时代来临充电焦虑逐渐成为当前电动车产业化关键的问题,800V架构是解决充电焦虑的主流方案。电动车普及过程中主要面临续航和充电两大问题。续航里程目前已不是最大阻碍,根据蔚
21、来、特斯拉、小鹏等的官网,主流品牌电动车续航里程约在500公里左右,即将推出的蔚来ET7、理想X01等预计续航里程超800公里。对于提升充电效率,方案包括换电及大功率快充。由于各品牌各车型电池差异,换电站推广较为依赖车企自建,普适性低且成本高。大功率充电包括大电流和高电压两种方案,大电流方案代表企业为特斯拉,根据焦耳定律,该方案将显著增加充电过程中的热量,需要更粗的线束同时对系统散热要求更高。此外,根据新出行测评,特斯拉大电流V3超充桩在大部分时间内并不能达到最大功率充电。目前,高压快充已成为大功率快充主流方案,提升充电速度的同时,减小电损耗。2019年保时捷推出全球首个量产的800V架构电动
22、车Taycan,可实现充电15分钟将Taycan电量从0提升至80%。此后,国内外车企纷纷布局高压快充方案,现代、起亚小鹏、比亚迪等相继或计划发布800V高压快充平台,小鹏G9可实现“充电5分钟,续航200公里”。800V架构时代正加速到来。此外,800V系统可有效减少车身重量,实现续航提升。在相同功率的情况下,800V系统较400V系统电流降低一半,可减少系统热损耗及导线横截面。根据e-technology的估算,以100kWh的电池为例,从400V电车系统提升为800V电车系统,由于电池散热减重及导线质量降低可以推动整车实现25kg的重量降低,从而提升续航。第三章 项目投资背景分析一、 S
23、iC材料:产业链核心环节,国内外厂商积极布局相比于Si,SiC衬底和外延为制造产业链核心环节,合计价值量占比超60%。在传统硅基器件制造过程中,需要在硅片基础上进行氧化、涂层、曝光、光刻、刻蚀、清洗等多个前道处理步骤,从而产生更高附加值。SiC材料则仅用于分立器件制造,其前端工艺难度不大,而衬底和外延需在高温、高压环境中生成,生长速度缓慢,为关键技术难点,占据产业链主要价值量。据CASAResearch数据显示,在传统硅基器件中,硅片前道处理附加价值量达到80%,衬底和外延环节仅占11%;而在碳化硅器件的成本构成中,衬底和外延占比分别为50%和25%,合计达到75%,为产业链中价值量最高环节。
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