成都碳化硅器件项目可行性研究报告模板.docx

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1、泓域咨询/成都碳化硅器件项目可行性研究报告成都碳化硅器件项目可行性研究报告xx集团有限公司目录第一章 行业发展分析8一、 SiC器件与传统产品价差持续收窄，具备经济效益指日可待8二、 新能源汽车：800V架构下的甜蜜时刻，SiC渗透的核心驱动力9第二章 项目概述11一、 项目名称及建设性质11二、 项目承办单位11三、 项目定位及建设理由12四、 报告编制说明13五、 项目建设选址15六、 项目生产规模15七、 建筑物建设规模15八、 环境影响16九、 项目总投资及资金构成16十、 资金筹措方案16十一、 项目预期经济效益规划目标17十二、 项目建设进度规划17主要经济指标一览表18第三章 项

2、目建设单位说明20一、 公司基本信息20二、 公司简介20三、 公司竞争优势21四、 公司主要财务数据23公司合并资产负债表主要数据23公司合并利润表主要数据23五、 核心人员介绍24六、 经营宗旨25七、 公司发展规划26第四章 项目背景、必要性28一、 光伏：SiC光伏逆变器性能提升显著，广泛应用未来可期28二、 射频：5G推动GaN-on-SiC需求提升28三、 主逆变器：800V系统下SiCMOSFET大显身手，降低主逆变器损耗及体积29四、 加快建设改革开放新高地，塑造国际合作与竞争新优势31五、 形成引领高质量发展的动力源33第五章 建筑工程方案37一、 项目工程设计总体要求37二

3、、 建设方案38三、 建筑工程建设指标39建筑工程投资一览表39第六章 产品方案41一、 建设规模及主要建设内容41二、 产品规划方案及生产纲领41产品规划方案一览表41第七章 选址方案分析43一、 项目选址原则43二、 建设区基本情况43三、 积极融入更好服务新发展格局47四、 培育比较优势突出的现代化开放型产业体系49五、 项目选址综合评价53第八章 运营模式54一、 公司经营宗旨54二、 公司的目标、主要职责54三、 各部门职责及权限55四、 财务会计制度58第九章 SWOT分析64一、 优势分析（S）64二、 劣势分析（W）66三、 机会分析（O）66四、 威胁分析（T）68第十章 发

4、展规划72一、 公司发展规划72二、 保障措施73第十一章 原材料及成品管理76一、 项目建设期原辅材料供应情况76二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理76第十二章 安全生产78一、 编制依据78二、 防范措施79三、 预期效果评价83第十三章 环境保护分析85一、 编制依据85二、 环境影响合理性分析86三、 建设期大气环境影响分析88四、 建设期水环境影响分析91五、 建设期固体废弃物环境影响分析91六、 建设期声环境影响分析91七、 环境管理分析92八、 结论及建议93第十四章 投资方案95一、 编制说明95二、 建设投资95建筑工程投资一览表96主要设备购置一览表97建设投资估算表9

5、8三、 建设期利息99建设期利息估算表99固定资产投资估算表100四、 流动资金101流动资金估算表102五、 项目总投资103总投资及构成一览表103六、 资金筹措与投资计划104项目投资计划与资金筹措一览表104第十五章 项目经济效益评价106一、 经济评价财务测算106营业收入、税金及附加和增值税估算表106综合总成本费用估算表107固定资产折旧费估算表108无形资产和其他资产摊销估算表109利润及利润分配表111二、 项目盈利能力分析111项目投资现金流量表113三、 偿债能力分析114借款还本付息计划表115第十六章 风险评估117一、 项目风险分析117二、 项目风险对策119第十

6、七章 项目综合评价说明122第十八章 补充表格124建设投资估算表124建设期利息估算表124固定资产投资估算表125流动资金估算表126总投资及构成一览表127项目投资计划与资金筹措一览表128营业收入、税金及附加和增值税估算表129综合总成本费用估算表130固定资产折旧费估算表131无形资产和其他资产摊销估算表132利润及利润分配表132项目投资现金流量表133第一章 行业发展分析一、 SiC器件与传统产品价差持续收窄，具备经济效益指日可待SiC器件价格持续下降，与硅基器件价差已缩小至2-3倍。SiCSBD方面，根据Mouser数据显示，公开报价方面，650V的SiCSBD2020年底与S

7、i器件的价差在3.8倍左右；1200V的SiCSBD的平均价与Si器件的差距在4.5倍左右。根据CASAResearch，实际成交价低于公开报价。2020年，650V的SiCSBD的实际成交价格约0.7元/A；1200V的SiCSBD价格约1.2元/A，较上年下降了20%-30%，实际成交价与Si器件价差已经缩小至2-2.5倍之间。SiCMOSFET实际成交价格方面，根据CASAResearch，650V的SiCMOSFET价格0.9元/A；1200V的SiCMOSFET价格1.4元/A，较2019年下降幅度达30%-40%，与Si器件价差也缩小至2.5-3倍之间，基本达到甜蜜点，将加速SiC

8、MOS器件的市场渗透。综上，目前SiCMOSFET单价约为IGBT单价的3-4倍，目前主逆变器中的IGBT成本约为1500元，若全部替换为SiCMOSFET，考虑到器件节约，成本将增加3000-4000元左右。以当前成本来看，根据宁德时代、松下、LG新能源等的电池成本数据，电动车动力电池度电单价约为750元，到2025年有望降至560元；根据特斯拉、小鹏等在售车型的电池容量，当前电动车平均电池容量约为55kwh，在百公里电耗逐步下降及续航里程不变的情况下，到2025年平均电池容量有望降至43kwh，则2022/2025E电池包的价格为41250/24000元。根据丰田的实验数据，采用全碳化硅模

9、块可使续航里程提升5-10%，假设这将节约电池成本5-10%。根据测算，若仅考虑电池成本节约，当SiCMOSFET成本下降到IGBT器件成本的2倍左右时，将具备经济效益。若考虑使用SiC带来的冷却系统节约、外围器件节约、整体空间节约等，当SiCMOSFET成本下降到IGBT成本的2-2.5倍时采用SiC方案就将具备经济效益。二、 新能源汽车：800V架构下的甜蜜时刻，SiC渗透的核心驱动力SiC功率器件主要包括SBD、JFET、MOSFET和模块，在新能源汽车相关应用场景主要为逆变器、OBC、及直流充电桩。当前碳化硅渗透仍处于早期，主要器件类型为SiC二极管，以及在高端车系应用，目前渗透率较低

10、。未来随着：1）特斯拉、比亚迪等头部新能源车厂带来的“示范效应”，更多车企将会逐步采用SiC方案；2）碳化硅器件价格逐步下降，成本经济效益不断提升；3）800V架构时代来临，SiC在高压下较IGBT性能优势更为明显，损耗降低幅度更大。SiC在新能源车主逆变器及OBC中渗透率将快速提升。碳化硅器件在新能源汽车中应用进入快速渗透期。2018年，特斯拉Model3率先使用由意法半导体提供的SiCMOSFET，开启电动汽车使用SiC先河，随后比亚迪、保时捷、丰田等汽车制造商陆续推出应用碳化硅器件新车型。其中，在2020年比亚迪汉搭载自主研发制造的SiCMOSFET控制模块，整体加速性能及续航能力均得到

11、显著提升。2021年，碳化硅器件在新能源汽车中应用进入快速增长阶段，国内外众多车型均开始应用碳化硅器件。根据各公司公告信息，在未来几年，小鹏、捷豹、路虎、雷诺等越来越多的厂商将在其新车型中使用SiC器件，新能源汽车中应用SiC器件以提升性能、实现轻量化为大势所趋。第二章 项目概述一、 项目名称及建设性质（一）项目名称成都碳化硅器件项目（二）项目建设性质本项目属于扩建项目二、 项目承办单位（一）项目承办单位名称xx集团有限公司（二）项目联系人马xx（三）项目建设单位概况公司在发展中始终坚持以创新为源动力，不断投入巨资引入先进研发设备，更新思想观念，依托优秀的人才、完善的信息、现代科技技术等优势，

12、不断加大新产品的研发力度，以实现公司的永续经营和品牌发展。公司以负责任的方式为消费者提供符合法律规定与标准要求的产品。在提供产品的过程中，综合考虑其对消费者的影响，确保产品安全。积极与消费者沟通，向消费者公开产品安全风险评估结果，努力维护消费者合法权益。公司加大科技创新力度，持续推进产品升级，为行业提供先进适用的解决方案，为社会提供安全、可靠、优质的产品和服务。公司依据公司法等法律法规、规范性文件及公司章程的有关规定，制定并由股东大会审议通过了董事会议事规则，董事会议事规则对董事会的职权、召集、提案、出席、议事、表决、决议及会议记录等进行了规范。 公司满怀信心，发扬“正直、诚信、务实、创新”的

13、企业精神和“追求卓越，回报社会” 的企业宗旨，以优良的产品服务、可靠的质量、一流的服务为客户提供更多更好的优质产品及服务。三、 项目定位及建设理由碳化硅衬底应用逐步成熟，主要分为导电型碳化硅衬底和半绝缘型碳化硅衬底。据工信部发布重点新材料首批次应用示范指导目录（2021年版），碳化硅衬底可分为两类，一类是具有高电阻率（电阻率105cm）的半绝缘型碳化硅衬底，经GaN外延生长可制成射频器件。半绝缘型碳化硅衬底的制备过程追求“绝对纯净”，去除晶体中的各种杂质对实现碳化硅晶体本征高电阻率十分重要。另一类为低电阻率（电阻率1530mcm）的导电型碳化硅衬底，经SiC外延生长可进一步制成SiC二极管、S

14、iCMOSFET等功率器件。导电型碳化硅衬底以良好导电性为追求目标，在PVT法下，相较半绝缘型衬底其生产难度更低，但在生产过程中，电阻率易发生分布不均情况，仍需更好扩径及掺杂控制技术。四、 报告编制说明（一）报告编制依据1、一般工业项目可行性研究报告编制大纲;2、建设项目经济评价方法与参数(第三版);3、建设项目用地预审管理办法;4、投资项目可行性研究指南;5、产业结构调整指导目录。（二）报告编制原则1、项目建设必须遵循国家的各项政策、法规和法令，符合国家产业政策、投资方向及行业和地区的规划。2、采用的工艺技术要先进适用、操作运行稳定可靠、能耗低、三废排放少、产品质量好、安全卫生。3、以市场为

15、导向，以提高竞争力为出发点，产品无论在质量性能上，还是在价格上均应具有较强的竞争力。4、项目建设必须高度重视环境保护、工业卫生和安全生产。环保、消防、安全设施和劳动保护措施必须与主体装置同时设计，同时建设，同时投入使用。污染物的排放必须达到国家规定标准，并保证工厂安全运行和操作人员的健康。5、将节能减排与企业发展有机结合起来，正确处理企业发展与节能减排的关系，以企业发展提高节能减排水平，以节能减排促进企业更好更快发展。6、按照现代企业的管理理念和全新的建设模式进行规划建设，要统筹考虑未来的发展，为今后企业规模扩大留有一定的空间。7、以经济救益为中心，加强项目的市场调研。按照少投入、多产出、快速

16、发展的原则和项目设计模式改革要求，尽可能地节省项目建设投资。在稳定可靠的前提下，实事求是地优化各成本要素，最大限度地降低项目的目标成本，提高项目的经济效益，增强项目的市场竞争力。8、以科学、实事求是的态度，公正、客观的反映本项目建设的实际情况，工程投资坚持“求是、客观”的原则。（二） 报告主要内容1、对项目提出的背景、建设必要性、市场前景分析；2、对产品方案、工艺流程、技术水平进行论述，确定建设规模；3、对项目建设条件、场地、原料供应及交通运输条件的评价；4、对项目的总图运输、公用工程等技术方案进行研究；5、对项目消防、环境保护、劳动安全卫生和节能措施的评价；6、对项目实施进度和劳动定员的确定

17、；7、投资估算和资金筹措和经济效益评价；8、提出本项目的研究工作结论。五、 项目建设选址本期项目选址位于xxx（待定），占地面积约83.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。六、 项目生产规模项目建成后，形成年产xxx吨碳化硅器件的生产能力。七、 建筑物建设规模本期项目建筑面积91795.55，其中：生产工程66729.37，仓储工程10216.24，行政办公及生活服务设施10034.64，公共工程4815.30。八、 环境影响本项目工艺清洁，将生产工艺与污染治理措施有机的结合在一起，污染物排放量较少，且实施污染物排放全

18、过程控制。“三废”处理措施完善，工程实施后废水、废气、噪声达标排放，污染物得到妥善处理，对周围的生态环境无不良影响。九、 项目总投资及资金构成（一）项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资42078.19万元，其中：建设投资33250.76万元，占项目总投资的79.02%；建设期利息831.49万元，占项目总投资的1.98%；流动资金7995.94万元，占项目总投资的19.00%。（二）建设投资构成本期项目建设投资33250.76万元，包括工程费用、工程建设其他费用和预备费，其中：工程费用28399.63万元，工程建设其他费用4075.7

19、6万元，预备费775.37万元。十、 资金筹措方案本期项目总投资42078.19万元，其中申请银行长期贷款16969.24万元，其余部分由企业自筹。十一、 项目预期经济效益规划目标（一）经济效益目标值（正常经营年份）1、营业收入（SP）：85500.00万元。2、综合总成本费用（TC）：73141.62万元。3、净利润（NP）：8999.54万元。（二）经济效益评价目标1、全部投资回收期（Pt）：6.83年。2、财务内部收益率：14.15%。3、财务净现值：227.94万元。十二、 项目建设进度规划本期项目按照国家基本建设程序的有关法规和实施指南要求进行建设，本期项目建设期限规划24个月。十四

20、、项目综合评价项目建设符合国家产业政策，具有前瞻性；项目产品技术及工艺成熟，达到大批量生产的条件，且项目产品性能优越，是推广型产品；项目产品采用了目前国内最先进的工艺技术方案；项目设施对环境的影响经评价分析是可行的；根据项目财务评价分析，经济效益好，在财务方面是充分可行的。主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积55333.00约83.00亩1.1总建筑面积91795.551.2基底面积30986.481.3投资强度万元/亩382.702总投资万元42078.192.1建设投资万元33250.762.1.1工程费用万元28399.632.1.2其他费用万元4075.762.1.3预备费

21、万元775.372.2建设期利息万元831.492.3流动资金万元7995.943资金筹措万元42078.193.1自筹资金万元25108.953.2银行贷款万元16969.244营业收入万元85500.00正常运营年份5总成本费用万元73141.626利润总额万元11999.397净利润万元8999.548所得税万元2999.859增值税万元2991.6410税金及附加万元358.9911纳税总额万元6350.4812工业增加值万元22669.6313盈亏平衡点万元39983.81产值14回收期年6.8315内部收益率14.15%所得税后16财务净现值万元227.94所得税后第三章 项目建设

22、单位说明一、 公司基本信息1、公司名称：xx集团有限公司2、法定代表人：马xx3、注册资本：810万元4、统一社会信用代码：xxxxxxxxxxxxx5、登记机关：xxx市场监督管理局6、成立日期：2015-11-127、营业期限：2015-11-12至无固定期限8、注册地址：xx市xx区xx9、经营范围：从事碳化硅器件相关业务（企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）二、 公司简介公司依据公司法等法律法规、规范性文件及公司章程的有关规定，制定并由股东大会审议通过了董事会议事规则，董

23、事会议事规则对董事会的职权、召集、提案、出席、议事、表决、决议及会议记录等进行了规范。 公司满怀信心，发扬“正直、诚信、务实、创新”的企业精神和“追求卓越，回报社会” 的企业宗旨，以优良的产品服务、可靠的质量、一流的服务为客户提供更多更好的优质产品及服务。三、 公司竞争优势（一）自主研发优势公司在各个细分领域深入研究的同时，通过整合各平台优势，构建全产品系列，并不断进行产品结构升级，顺应行业一体化、集成创新的发展趋势。通过多年积累，公司产品性能处于国内领先水平。公司多年来坚持技术创新，不断改进和优化产品性能，实现产品结构升级。公司结合国内市场客户的个性化需求，不断升级技术，充分体现了公司的持续

24、创新能力。在不断开发新产品的过程中，公司已有多项产品均为国内领先水平。在注重新产品、新技术研发的同时，公司还十分重视自主知识产权的保护。（二）工艺和质量控制优势公司进口大量设备和检测设备，有效提高了精度、生产效率，为产品研发与确保产品质量奠定了坚实的基础。此外，公司是行业内较早通过ISO9001质量体系认证的企业之一，公司产品根据市场及客户需要通过了产品认证，表明公司产品不仅满足国内高端客户的要求，而且部分产品能够与国际标准接轨，能够跻身于国际市场竞争中。在日常生产中，公司严格按照质量体系管理要求，不断完善产品的研发、生产、检验、客户服务等流程，保证公司产品质量的稳定性。（三）产品种类齐全优势

25、公司不仅能满足客户对标准化产品的需求，而且能根据客户的个性化要求，定制生产规格、型号不同的产品。公司齐全的产品系列，完备的产品结构，能够为客户提供一站式服务。对公司来说，实现了对具有多种产品需求客户的资源共享，拓展了销售渠道，增加了客户粘性。公司产品价格与国外同类产品相比有较强性价比优势，在国内市场起到了逐步替代进口产品的作用。（四）营销网络及服务优势根据公司产品服务的特点、客户分布的地域特点，公司营销覆盖了华南、华东、华北及东北等下游客户较为集中的区域，并在欧美、日本、东南亚等国家和地区初步建立经销商网络，及时了解客户需求，为客户提供贴身服务，达到快速响应的效果。公司拥有一支行业经验丰富的销

26、售团队，在各区域配备销售人员，建立从市场调研、产品推广、客户管理、销售管理到客户服务的多维度销售网络体系。公司的服务覆盖产品服务整个生命周期，公司多名销售人员具有研发背景，可引导客户的技术需求并为其提供解决方案，为客户提供及时、深入的专业技术服务与支持。公司与经销商互利共赢，结成了长期战略合作伙伴关系，公司经销网络较为稳定，有利于深耕行业和区域市场，带动经销商共同成长。四、 公司主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额13078.6010462.889808.95负债总额6895.755516.605171.81股东权益合计6182.8

27、54946.284637.14公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入35258.1428206.5126443.60营业利润8537.596830.076403.19利润总额7504.816003.855628.61净利润5628.614390.324052.60归属于母公司所有者的净利润5628.614390.324052.60五、 核心人员介绍1、马xx，中国国籍，1978年出生，本科学历，中国注册会计师。2015年9月至今任xxx有限公司董事、2015年9月至今任xxx有限公司董事。2019年1月至今任公司独立董事。2、莫xx，1957年出生，大专学历。1

28、994年5月至2002年6月就职于xxx有限公司；2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事。2018年3月至今任公司董事。3、朱xx，中国国籍，1977年出生，本科学历。2018年9月至今历任公司办公室主任，2017年8月至今任公司监事。4、于xx，中国国籍，无永久境外居留权，1959年出生，大专学历，高级工程师职称。2003年2月至2004年7月在xxx股份有限公司兼任技术顾问；2004年8月至2011年3月任xxx有限责任公司总工程师。2018年3月至今任公司董事、副总经理、总工程师。5、程xx，1974年出生，研究生学历。2002年6月至2006年8月就职于xxx有限责任公

29、司；2006年8月至2011年3月，任xxx有限责任公司销售部副经理。2011年3月至今历任公司监事、销售部副部长、部长；2019年8月至今任公司监事会主席。6、龙xx，中国国籍，无永久境外居留权，1961年出生，本科学历，高级工程师。2002年11月至今任xxx总经理。2017年8月至今任公司独立董事。7、秦xx，中国国籍，1976年出生，本科学历。2003年5月至2011年9月任xxx有限责任公司执行董事、总经理；2003年11月至2011年3月任xxx有限责任公司执行董事、总经理；2004年4月至2011年9月任xxx有限责任公司执行董事、总经理。2018年3月起至今任公司董事长、总经理

30、。8、史xx，中国国籍，无永久境外居留权，1958年出生，本科学历，高级经济师职称。1994年6月至2002年6月任xxx有限公司董事长；2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事长；2016年11月至今任xxx有限公司董事、经理；2019年3月至今任公司董事。六、 经营宗旨根据国家法律、行政法规的规定，依照诚实信用、勤勉尽责的原则，以专业经营的方式管理和经营公司资产，为全体股东创造满意的投资回报。七、 公司发展规划（一）战略目标与发展规划公司致力于为多产业的多领域客户提供高质量产品、技术服务与整体解决方案，为成为百亿级产业领军企业而努力奋斗。（二）措施及实施效果公司立足于本行业，

31、以先进的技术和高品质的产品满足产品日益提升的质量标准和技术进步要求，为国内外生产商率先提供多种产品，为提升转换率和品质保证以及成本降低持续做出贡献，同时通过与产业链优质客户紧密合作，为公司带来稳定的业务增长和持续的收益。公司通过产品和商业模式的不断创新以及与产业链企业深度融合，建立创新引领、合作共赢的模式，再造行业新格局。（三）未来规划采取的措施公司始终秉持提供性价比最优的产品和技术服务的理念，充分发挥公司在技术以及膜工艺技术的扎实基础及创新能力，为成为百亿级产业领军企业而努力奋斗。在近期的三至五年，公司聚焦于产业的研发、智能制造和销售，在消费升级带来的产业结构调整所需的领域积极布局。致力于为

32、多产业的多领域客户提供中高端技术服务与整体解决方案。在未来的五至十年，以蓬勃发展的中国市场为核心，利用中国“一带一路”发展机遇，利用独立创新、联合开发、并购和收购等多种方法，掌握国际领先的技术，使得公司真正成为国际领先的创新型企业。第四章 项目背景、必要性一、 光伏：SiC光伏逆变器性能提升显著，广泛应用未来可期基于硅基器件的传统逆变器成本约占光伏发电系统10%，却是系统能量损耗的主要来源之一。使用SiCMOSFET功率模块的光伏逆变器，其转换效率可从98.8%提升至99%以上，能量损耗降低8%，相同条件下输出功率提升27%，推动发电系统在体积、寿命及成本上实现重要突破。英飞凌最早于2012年

33、推出CoolSiC系列产品应用于光伏逆变器，2020年以来，西门子、安森美等众多厂商陆续推出相关产品，碳化硅光伏逆变器应用进一步推广。据CASA数据，2020年光伏逆变器中碳化硅器件渗透率为10%，预计2025年将增长至50%。高效、高功率密度、高可靠和低成本为光伏逆变器未来发展趋势，SiC器件有望迎来广阔增量空间。二、 射频：5G推动GaN-on-SiC需求提升5G发展推动碳化硅基氮化镓器件需求增长，市场空间广阔。微波射频器件中功率放大器直接决定移动终端和基站无线通讯距离、信号质量等关键参数，5G通讯高频、高速、高功率特点对其性能有更高要求。以碳化硅为衬底的氮化镓射频器件同时具备碳化硅高导热

34、性能和氮化镓高频段下大功率射频输出优势，在功率放大器上的应用可满足5G通讯对高频性能、高功率处理能力要求。当前5G新建基站仍使用LDMOS功率放大器，但随5G技术进一步发展，MIMO基站建立需使用氮化镓功率放大器，氮化镓射频器件在功率放大器中渗透率将持续提升。据Yole和Wolfspeed预测，2024年碳化硅基氮化镓功率器件市场有望突破20亿美元，2027年进一步增长至35亿美元。根据预测，受益5G通讯快速发展，通讯频段向高频迁移，基站和通信设备需要支持高频性能的PA，碳化硅基氮化镓射频器件相比硅基LDMOS和GaAs的优势将逐步凸显，2020年全球碳化硅射频器件市场规模为8.92亿美元，预

35、计到2025年将增长至21.21亿美元，对应CAGR为18.9%，和Yole和Wolfspeed预测基本一致。三、 主逆变器：800V系统下SiCMOSFET大显身手，降低主逆变器损耗及体积目前已有多家车企在主逆变器中采用SiCMOSFET方案替代IGBT方案，如特斯拉Model3、比亚迪汉高性能版等。Model3共用到48颗意法半导体的SiCMOSFET，如果仍采用ModelX的英飞凌的IGBT，则需要54-60颗。即使成本上升370美金左右（按照艾睿供应商网站价格计算，实际大批量采购价格更低），但特斯拉考虑到损耗降低及体积节约等因素而选择SiC方案。800V架构下SiCMOSFET在新能源

36、车的主逆变器中渗透率将进一步提升。考虑到成本因素，会率先在中高端车型上使用。1）损耗更低：根据ST的数据，800V系统下，1200VSiCMOSFET较IGBT总损耗更低，在常用的25%负载下，SiCMOSFET损耗最多低于IGBT80%，在100%负载下，SiCMOSFET损耗最多低于IGBT60%。2）高压下性能优势更加明显：在400V左右的直流母线电压下，需要最大工作电压在650V左右的IGBT模块或单管。在800V的系统电压下，功率器件耐压需要提高到1200V以上。英飞凌、赛美控、罗姆、富士电机等均推出了1200V的车规级IGBT，但对比之下，SiC器件在高压下性能更好。根据ST的数据

37、，在400V电压平台下，SiCMOSFET能够比IGBT器件拥有2-4%的效率提升；而在750V电压平台下其提升幅度则可增大至3.5-8%。对比市场上的领先SiCMOSFET和IGBT器件参数可知，1200VSiC产品优势较650V产品优势更加明显，主要体现为损耗降低幅度更大。3）耐高温：SiC的结温更高，能够在超过175度的高温下正常工作，较IGBT更加适合高温环境。4）体积节约：根据ST，在10kHz工作频率和800V架构的情况下，对于一个210kW的逆变器，若采用全SiCMOSFET方案替代原先IGBT及二极管方案：1）使用总功率器件体积可从600mm2缩小5倍至120mm2；2）开关损

38、耗和总损耗分别缩小为原来的3.9/1.9倍。3）损耗的降低使得PCU（电源控制单元）的尺寸得以减少，相对应的冷却系统体积也将得以简化。四、 加快建设改革开放新高地，塑造国际合作与竞争新优势推动有效市场和有为政府更好结合，破除深层次体制机制障碍，率先开展更深层次改革、实行更高水平开放，在更高层次更大范围更宽领域参与国际合作与竞争，打造内陆改革开放实践范例。全面加强开放平台和能力建设。坚持“四向拓展、全域开放”，深化外事外资外经外贸外宣“五外”联动，构建全方位多层次的开放合作格局。充分发挥自贸试验区、进口贸易促进创新示范区等战略平台的牵引集成作用，推动川渝自贸试验区协同开放示范区建设，高标准建设天

39、府中央法务区，打造面向区域的国际仲裁中心。加快推动天府国际空港综合保税区、天府国际机场口岸及综合性指定监管场地等项目建设。以区域全面经济伙伴关系协定签署为契机，坚持货物贸易与服务贸易并重，完善口岸开放体系，大力发展临港产业，增强国际贸易中心核心功能。充分发挥外国驻蓉领事机构、国际会议、主场外交等对国际高端资源要素的集聚吸附作用，强化国别合作园区等产业平台示范引领，打造国际产能合作新样板。持续深化“五项制度”改革。遵循“政府主导、政策供给，企业主体、市场运作”逻辑，构建系统完备、精准高效的高质量发展政策体系。深化以绩效为导向的财政预算制度改革，推进财政支出标准化，提升财政资金配置效率和使用效益。

40、深化以效率为导向的国资经营评价制度改革，实施国企改革三年行动，健全政府功能性任务管理机制，增强国资国企战略支撑能力、社会服务能力、市场竞争能力。深化以产出为导向的土地资源配置制度改革，坚持以亩产论英雄，建立容积率区域统筹机制，完善新型用地适用体系，不断提高土地集约节约利用水平。深化以利民便民为导向的基本公共服务清单标准管理和动态调整制度改革，大力培育民生类国企和社会企业，推动基本公共服务由户籍人口向常住人口覆盖。深化以成长为导向的企业扶持激励制度改革，健全分类分级企业全生命周期扶持激励机制，实现要素供给、政策扶持和政务服务精准匹配。充分激发各类市场主体活力。坚持“两个毫不动摇”，依法平等保护国

41、有、民营、外资等各种所有制企业产权和自主经营权，依法保护企业家合法权益。深化国有企业改革，建立健全现代企业治理、经营和激励、监管机制，争取区域性国资国企综合改革试验试点，积极稳妥深化混合所有制改革，做强做优做大国有资本和国有企业。大力发展民营经济，完善常态化规范化的政企沟通机制，构建亲清新型政商关系，健全支持民营企业和中小微企业发展政策体系，大力培育本土世界500强、中国500强和行业单项冠军企业，创建民营经济示范城市，弘扬蓉商精神，举办全球蓉商大会。全方位优化外商投资服务，吸引更多世界500强企业、国际组织落户，打造新时代外商投资标杆城市。打造稳定公平可及营商环境。坚持以市场主体和市民获得感

42、为重要评价标准，进一步深化“放管服”改革，让市场主体放心投资、安心创业、顺心发展。加强诚信政府建设，构建“无事不扰”“无处不在”监管服务体系，推动包容审慎、智能智慧监管，深化企业投资项目承诺制改革，逐步减少由地方设定的行政许可事项，推动环境预期更加稳定。进一步放开民营企业市场准入，推进市场主体信用积分管理，健全外商投资促进、保护和服务体系，推动市场竞争更加公平。完善企业全生命周期服务体系，升级“蓉易办”“蓉易享”平台，提升融合“一网通办、一网统管、一键回应”，全面推广项目审批“一站式”服务，实现同一政务服务事项无差别受理、同标准办理和惠企政策一窗通办、免申即享，推动政府服务更加可及。五、 形成

43、引领高质量发展的动力源坚持创新驱动发展战略，把科技自立自强作为促进发展大局的根本支撑，聚焦科学新发现、技术新发明、产业新方向，抢占创新制高点，优化创新生态，形成人才优势，提升策源能力，为构建现代产业体系提供科技支撑。（一）高水平建设西部（成都）科学城紧扣科技前沿、国家战略和城市发展，着力增强创新策源能力，打好关键核心技术攻坚战，建设引领高质量发展的创新极核。以成都科学城为核心争创综合性国家科学中心，加快建设天府实验室并力争纳入国家实验室体系。建设国家川藏铁路技术创新中心及成果转化基地、国际深地科学研究中心等重大创新平台，聚集全球知名大学、科研机构和创新型企业。联合中科院、国内外知名高校在新一代

44、信息技术、智能制造、生物医药等领域打造新型研发机构。超前布局量子互联网、太赫兹通信、合成生物等前沿技术，实现原创性成果和颠覆性技术重大突破。（二）构建以企业为主体的技术创新体系强化企业创新主体地位，推动创新要素向企业聚集，着力打造创新型企业集群。将研发投入纳入国有企业负责人经营业绩考核，推动国有企业研发投入稳步增长。支持科技型企业设置特殊股权结构，探索“同股不同权”治理。组建成都科技创新投资集团。鼓励科技型领军企业联合行业上下游组建创新联合体，支持科技型中小企业联合高校、科研院所、行业专业培训机构共建产学研联合实验室、概念验证中心。大力引导天使投资、风险投资和战略投资在蓉集聚，孵化培育科技型企

45、业。搭建一体化综合科技创新服务平台，支持创新产品市场验证、技术迭代、应用推广、首购首用。（三）大力提升高知识高技能人口比例构建与城市发展战略和高质量发展要求相匹配的人力资源协同体系，大力集聚高知识高技能人口。健全支持高知识高技能人口就业、创业、创新、户籍、居住保障等政策体系，构建有机会、有温度、有保障的人才成长环境。弘扬科学精神和工匠精神。实施“蓉漂计划”“产业生态圈人才计划”“成都城市猎头行动计划”，依托西部（成都）科学城招引全球高端人才，加快聚集国际一流的战略科技人才、科技领军人才、青年科技人才、基础研究人才和高水平创新创业团队。鼓励在蓉大学生留蓉发展。深入推进产业工人队伍建设改革，打造高

46、素质产业工人队伍。建好蓉漂人才发展学院，加强与科研院校联合培养高层次应用型、技能型人才。搭建“共享人才”平台，引导新职业人群灵活就业，提升人力资源配置效率、使用效益。（四）推动科技创新和协同创新示范区建设构建创新合作网络，促进政产学研用紧密结合，建设区域协同创新共同体，加快科技资源互联互通和开放共享。促进企业、高校院所、创业资本、应用场景高效集成，支持有条件的高校、科研机构和企业共建联合实验室或新型研究机构。培育以研发设计、成果转移转化、检验检测、数据服务、科技金融等为重点的高技术服务业，打造高技术服务业集聚区。深化成德绵国家科技成果转移转化示范区建设，推动成德眉资落实新一轮全面创新改革试验部署。建设天府国际技术转移中心，引育高水平科技经纪组织，构建辐射全国、链接全球的技术交易和成果转化服务